JP2012069892A - 半導体冷却器 - Google Patents

Abstract

【課題】冷却性能を調整することができる半導体冷却器を提供すること。
【解決手段】半導体冷却器２の冷媒流路２６ａ〜２６ｃは、隣り合う放熱フィン２５の隙間と冷却板２３と側壁部２４１と対向壁部２４２とによって形成される。また、放熱フィン２５の立設方向における冷媒流路２６ａ〜２６ｃの流路高さが異なるように形成される。ここで、冷媒流路２６ａ〜２６ｃの流路高さを調整することによって、冷媒流路２６ａ〜２６ｃに導入される冷却媒体の導入量を調整することができる。よって、半導体冷却器２に形成される複数の冷媒流路２６ａ〜２６ｃの冷却性能を調整することができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体素子を内蔵する半導体モジュールを冷却する半導体冷却器に関する。

内燃機関と電気モータの両方を駆動源として有するハイブリッド車両や、電気モータを駆動源として備えた電気自動車等には、電池から供給される直流電流と電気モータへ出力する交流電流との間で双方向変換する電力変換装置が備えられている。ハイブリッド車両や電気自動車等に用いられる電力変換装置は、電気モータから大きな駆動トルクを出力する必要があるため大電流が流れるように構成されている。そのため、電力変換装置の一部を構成し半導体素子を内蔵する半導体モジュールからの発熱量が大きくなるという問題がある。

上記問題に対して特許文献１において、少なくとも一端部が開放端を有する中空管状の管状部材は、その長手方向に沿って形成されたスリット状開口部を備えており、スリット状開口部を冷媒が流通する冷媒室の少なくとも一端部に沿って配置させるという構成を採用している。この構成により、冷媒を管状部材の一端部からスリット状開口部を介して冷媒室に導入させることができる。このとき、スリット状開口部は冷媒の流れを規制する絞り部として機能することになるため、管状部材の一端部から導入した冷媒は管状部材の中で略全体に均等に分配され、スリット状開口部の全領域から冷媒室へ向けて流通する。よって、管状部材から冷媒室内へ流通する冷媒を略均一とすることができるため、良好な冷却性能を得ることができると述べられている。

特開２００９−２０６２７１号公報

ところで、電力変換装置の一部を構成する半導体モジュールは、１つの電力変換装置内であっても、インバータ機能やコンバータ機能を構成するものが存在する。そのため、半導体モジュールの各発熱量は、その半導体モジュールが発揮する機能によって異なってくる。さらには、２種類の電気モータを駆動する電力変換装置も知られており、インバータ機能を構成するものであっても半導体モジュールがいずれの電気モータを駆動するものであるかによって発熱量が異なる。そのため、各半導体モジュールに必要とされる冷却性能は異なる場合がある。

しかし、特許文献１は、冷媒室を流通する冷媒を略均一とするため、発熱量が異なる半導体モジュールに対して略同一の冷却性能を与えることになる。そのため、冷却性能は複数配置される半導体モジュールの中で最大発熱量を有する半導体モジュールを基準として決定され、最大発熱量を有する半導体モジュール以外の半導体モジュールに対して過剰な冷却性能を与えることになるという問題があった。

そこで、本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、発熱量が異なる複数の半導体モジュールに対して冷却性能を調整することができる半導体冷却器を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、半導体素子を内蔵し、発熱量が異なる複数の半導体モジュールと、前記半導体モジュールが配置された冷却板と、前記冷却板と対向して配置される筐体部と、冷却媒体が導入される冷媒導入部と冷却媒体が排出される冷媒排出部とを備えた半導体冷却器であって、前記冷却板には、前記半導体モジュールが配置された面と反対側の面に複数の放熱フィンが立設され、前記筐体部は前記放熱フィンの立設方向と直交する方向を覆う側壁部と、前記放熱フィンと対向し前記放熱フィンの立設方向を覆う対向壁部とを備えており、隣り合う前記放熱フィンの隙間と前記冷却板と前記側壁部と前記対向壁部とによって冷却媒体が流通する冷媒流路が形成され、前記放熱フィンの立設方向における前記冷媒流路の流路高さが、発熱量が異なる前記半導体モジュールと対向する前記冷媒流路によって異なることを特徴とする。

このように構成すれば、半導体冷却器の冷媒流路は、隣り合う放熱フィンの隙間と冷却板と側壁部と対向壁部とによって形成される。また、放熱フィンの立設方向における冷媒流路の流路高さが異なるように形成される。ここで、冷媒流路の流路高さを調整することによって、冷媒流路に導入される冷却媒体の導入量を調整することができる。よって、本発明によれば、半導体冷却器に形成される複数の冷媒流路の冷却性能を調整することができる。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体冷却器であって、前記半導体モジュールは、発熱量が異なる前記半導体モジュール毎のモジュール区域を構成し、前記冷媒流路は、発熱量が異なる前記モジュール区域に対向する複数のモジュール冷却領域を構成し、発熱量が大きい前記モジュール区域と対向する位置の前記モジュール冷却領域における前記冷媒流路の流路高さが、発熱量が小さい前記モジュール区域と対向する位置の前記モジュール冷却領域における前記冷媒流路の流路高さより高いことを特徴とする。

このように構成すれば、発熱量が小さいモジュール区域と対向する位置のモジュール冷却領域に導入される冷却媒体の導入量と比較して、発熱量が大きいモジュール区域と対向する位置のモジュール冷却領域に導入される冷却媒体の導入量を多くすることができる。よって、本発明によれば、発熱量が小さいモジュール区域と対向する位置のモジュール冷却領域の冷却性能と比較して、発熱量が大きいモジュール区域と対向する位置のモジュール冷却領域の冷却性能を大きくすることができる。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の半導体冷却器であって、前記放熱フィンの立設方向におけるフィン高さは同じに形成され、流路高さの低い前記冷媒流路においては、前記放熱フィンの先端部が前記対向壁部に埋設されることにより、前記冷媒流路の流路高さが異なっていることを特徴とする。

このように構成すれば、冷却板に立設される放熱フィンのフィン高さは同じに形成される。流路高さの低い冷媒流路においては、放熱フィンの先端部が対向壁部に埋設されている。よって、本発明によれば、冷却板に立設する放熱フィンのフィン高さを変化させずに、冷媒流路の流路高さを調整することができる。

請求項４に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の半導体冷却器であって、前記放熱フィンの立設方向におけるフィン高さが異なるように形成され、前記流路高さの低い前記冷媒流路においては、フィン高さが高い前記放熱フィンの先端部が前記対向壁部に埋設されることにより、前記冷媒流路の流路高さが異なっていることを特徴とする。

このように構成すれば、冷却板に立設される放熱フィンのフィン高さが異なるように形成される。流路高さの低い冷媒流路においては、フィン高さの高い放熱フィンの先端部が対向壁部に埋設される。よって、本発明によれば、放熱フィンの立設方向におけるフィン高さを同じに形成した場合と比較して、対向壁部に埋設する放熱フィンの数を減らすことができる。

請求項５に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の半導体冷却器であって、前記対向壁部に、前記対向壁部の法線方向に対する高さが異なる複数のリブが配置され、隣り合う前記リブ間に溝部が形成され、前記放熱フィンの先端部が前記溝部に押し込まれることにより、前記冷媒流路の流路高さが異なっていることを特徴とする。

このように構成すれば、放熱フィンの先端部は隣り合うリブ間に形成された溝部に押し込まれる。よって、本発明によれば、対向壁部に放熱フィンの先端部を埋設する構造を形成する構成と比較して、対向壁部に間隔をあけて複数のリブを配置するだけで容易に放熱フィンの先端部を押し込む構造を形成することができる。

請求項６に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の半導体冷却器であって、前記放熱フィンの立設方向におけるフィン高さが異なるように形成され、前記対向壁部に、前記対向壁部の法線方向に対する高さが異なる階段状の段差部が配置され、前記放熱フィンのうち、前記段差部と対向する位置に形成される放熱フィンの先端部が前記段差部に当接され、前記対向壁部と対向する位置に形成される前記放熱フィンの先端部が前記対向壁部に当接されることにより、前記冷媒流路の流路高さが異なっていることを特徴とする。

このように構成すれば、段差部と対向する位置に形成される放熱フィンの先端部が段差部に当接され、対向壁部と対向する位置に形成される放熱フィンの先端部が対向壁部に当接される。よって、本発明によれば、対向壁部に放熱フィンの先端部を埋設する構造を形成する構成と比較して、対向壁部に段差部を配置するだけで冷却板と筐体部を組み合わせることができるため、対向壁部に対する加工の工数を削減することができる。

請求項７に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の半導体冷却器であって、前記放熱フィンのフィン高さは、発熱量が異なる前記モジュール区域と対向する位置で異なって形成され、前記冷却板と前記対向壁部間の距離及び前記放熱フィンのフィン高さを異ならせることにより、前記冷媒流路の流路高さが異なっていることを特徴とする。

このように構成すれば、冷却板に立設される放熱フィンのフィン高さは、発熱量が異なるモジュール区域と対向する位置で異なって形成される。そして、冷却板と対向壁部間の距離及び放熱フィンのフィン高さを異ならせることにより、冷媒流路の流路高さが異なるように形成される。よって、本発明によれば、放熱フィンの先端部を対向壁部に埋設させる構造と比較して、放熱フィンの先端部を対向壁部に埋設する必要がないため、公差により放熱フィンの立設位置がずれても冷却板部と筐体部とを容易に組み合わせることができる。

請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の半導体冷却器であって、前記側壁部は、前記対向壁部よりも反冷却板側に延出して形成され、前記筐体部は、前記側壁部の反冷却板側の端部に前記対向壁部と対向する端壁部と、前記対向壁部と前記端壁部との間に形成された空間を区画する区画壁部とを備え、前記端壁部と前記側壁部の一部と前記対向壁部と前記区画壁部とによって、冷却媒体が流通する導入流通路及び排出流通路が形成され、前記導入流通路は、前記冷媒導入部を構成するとともに、前記冷媒流路の流通方向と直交する方向に冷却媒体を流通させるように形成され、前記排出流通路は、前記冷媒排出部を構成するとともに、前記冷媒流路の流通方向と直交する方向に冷却媒体を流通させるように形成され、前記導入流通路と前記冷媒流路とは導入側連通孔を介して連通され、前記排出流通路と前記冷媒流路とは排出側連通孔を介して連通されていることを特徴とする。

このように構成することによって、側壁部は対向壁部よりも反冷却器側に延出して形成される。筐体部は、側壁部の反冷却器側の端部に対向壁部と対向する端壁部と、対向壁部と端壁部との間に形成された空間を区画する区画壁部とを備える。そして、端壁部と側壁部の一部と対向壁部と区画壁部とによって、冷却媒体が流通する導入流通路及び排出流通路が形成される。そのため、筐体部の内部に形成された導入流通路及び排出流通路によって冷媒流路の流通方向と直交する方向に冷却媒体を流通させることができる。よって、本発明によれば、筐体部の外部に冷媒流路の流通方向と直交する方向に冷却媒体を流通させる流通路を形成する場合と比較して、半導体冷却器の体格を小型化することができる。

本実施例における電力変換装置を示す回路図。 実施例１における半導体冷却器の平面図。 図２のＡ−Ａ断面図。 実施例１における冷却板の斜視図。 実施例１における筐体部の斜視図。 実施例１における冷媒導入部の斜視図。 実施例２における冷却板の断面図。 実施例２における筐体部の断面図。 実施例３における筐体部の断面図。 実施例４における冷却板の断面図。 実施例４における筐体部の断面図。 実施例５における半導体冷却器の断面図。 実施例６における半導体冷却器の平面図。 図１３のＡ−Ａ断面図。 図１３のＢ−Ｂ断面図。 変形例における半導体冷却器の平面図。 変形例におけるの冷却板の斜視図。

（実施例１）
以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。なお、図１以降の説明において同一の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

図１は、半導体冷却器２が適用される電力変換装置１の回路図を示す図である。図１に示す電力変換装置１は、昇圧コンバータ部（ＤＣ−ＤＣコンバータ）１０とインバータ部１１とを有する自動車用インバータである。電力変換装置１は、電気自動車やハイブリッド自動車等の動力源である交流モータ１２に通電する駆動電流の生成に用いられる。

昇圧コンバータ部１０は外部電源１３に接続され、昇圧コンバータ部１０と外部電源１３との間には、フィルタコンデンサ１４が接続されている。フィルタコンデンサ１４は、直流の外部電源１３から昇圧コンバータ部１０に入力される電源電流に含まれるリップル電流を吸収して、電源電流を安定化する。

昇圧コンバータ部１０は、リアクトルコイル１５とＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子１６１Ａ及びダイオード１６２Ａを内蔵した２個の半導体モジュール１６Ａとを備え、入力電圧を昇圧する。リアクトルコイル１５は、外部電源１３側に接続されている。昇圧コンバータ部１０のＩＧＢＴ素子１６１Ａはリアクトルコイル１５の交流モータ１２側に接続され、各ＩＧＢＴ素子１６１Ａにダイオード１６２Ａが一対として接続されている。ＩＧＢＴ素子１６１Ａは、制御部（不図示）による制御によりスイッチング動作を行う。

また、昇圧コンバータ部１０のＩＧＢＴ素子１６１Ａとインバータ部１１との間には、平滑コンデンサ１７が接続されている。平滑コンデンサ１７は、断続電流となる昇圧コンバータ部１０の出力電流を平滑化して、安定した直流電流をインバータ部１１に入力させる。

インバータ部１１は、ＩＧＢＴ素子１６１Ｂ及びダイオード１６２Ｂを内蔵した６個の半導体モジュール１６Ｂとスナバコンデンサ１８とを備えている。インバータ部１１のＩＧＢＴ素子１６１Ｂは平滑コンデンサ１７に接続され、各ＩＧＢＴ素子１６１Ｂにダイオード１６２Ｂが一対となって接続されている。ＩＧＢＴ素子１６１Ｂは制御部（不図示）による制御によりスイッチング動作を行う。スナバコンデンサ１８は、ＩＧＢＴ素子１６１Ｂに接続され、ＩＧＢＴ素子１６１Ｂの動作時に発生する電圧サージを抑制して、過電圧によるＩＧＢＴ素子１６１Ｂの破損を防止している。

また、インバータ部１１には、三相の交流モータ１２が接続されており、インバータ部１１によって生成された駆動電流を交流モータ１２に供給する。

図２は、実施例１における半導体冷却器２の平面図、図３は図２のＡ−Ａ断面図、図４は実施例１における冷却板２３の斜視図、図５は実施例１における筐体部２４の斜視図、図６は実施例１における冷媒導入部２１の斜視図を示している。

図２、図３に示すように半導体冷却器２は、半導体モジュール１６Ａ、１６Ｂ、冷媒導入部２１、冷媒排出部２２、冷却板２３、筐体部２４及び放熱フィン２５から構成されている。

半導体冷却器２は、交流モータ１２を駆動する電力変換装置１としてのインバータの一部を構成している。半導体モジュール１６Ａ、１６Ｂは冷却板２３の一方の面に配置されている。また、冷却板２３には、半導体モジュール１６Ａ、１６Ｂが配置された面と反対側の面に複数の放熱フィン２５が立設されている。筐体部２４は、冷却板２３のうち放熱フィン２５が立設された面と対向するように配置されている。また、筐体部２４の短手方向の一端側には冷却媒体を導入するための冷媒導入部２１が配置され、他端側には冷却媒体を排出するための冷媒排出部２２が配置されている。

冷却媒体としては、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、ＨＣＦＣ１２３、ＨＦＣ１３３ａ等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等の冷媒等を用いることができる。

半導体モジュール１６Ａは、半導体素子であるＩＧＢＴ素子１６１Ａ及びダイオード１６２Ａを内蔵している。同様に、半導体モジュール１６Ｂは、半導体素子であるＩＧＢＴ素子１６１Ｂ及びダイオード１６２Ｂを内蔵している。そして、ＩＧＢＴ素子１６１Ａ、１６１Ｂ及びダイオード１６２Ａ、１６２Ｂは全体がモールドされている。そのため、半導体モジュール１６Ａ、１６Ｂは２個の素子を１個のパッケージに収めた、いわゆる１ｉｎ１型である。

図２に示すように、冷却板２３の長手方向に２列、短手方向に２列、合計４個の半導体モジュール１６Ａにより第１モジュール区域２７ａが構成されている。また、冷却板２３の長手方向に２列、短手方向に３列、合計６個の半導体モジュール１６Ｂを１組として第２モジュール区域２７ｂ及び第３モジュール区域２７ｃが構成されている。そして、冷却板２３の長手方向に対して第１〜第３モジュール区域２７ａ〜２７ｃが一方向に並ぶように配置されている。

実施例１においては、第１モジュール区域２７ａが昇圧コンバータ部１０として用いられている。また、第２モジュール区域２７ｂが出力の異なる２つの交流モータのうち出力の小さい交流モータの駆動に用いられている。第３モジュール区域２７ｃが出力の異なる２つの交流モータのうち出力の大きい交流モータの駆動に用いられている。以下、電力変換装置１が駆動した際の発熱量を、第３モジュール区域２７ｃ＞第２モジュール区域２７ｂ＞第１モジュール区域２７ａと仮定して記載する。

図２〜図４に示すように冷却板２３は、四角形状を備えている。半導体モジュール１６Ａ、１６Ｂが配置された面と反対側の面に複数の放熱フィン２５が立設されている。

実施例１においては、放熱フィン２５として冷却板２３の長手方向に対して１５列、短手方向に対して４列、合計６０個の円柱状のピンフィンが平行に配置され、放熱フィン２５の立設方向におけるフィン高さが全て同じとなるように形成されている。また、冷却板２３と放熱フィン２５は一体となるように形成されている。なお、冷却板２３と放熱フィン２５は、熱伝導率の高いアルミニウムによって形成されている。

図５に示すように、筐体部２４は四角形状の外形を備えている。筐体部２４は、放熱フィン２５の立設方向と直交する方向を覆う側壁部２４１と、放熱フィン２５と対向し、放熱フィン２５の立設方向を覆う対向壁部２４２とを備えている。側壁部２４１と対向壁部２４２によって囲まれた空間によって放熱フィン２５を内部に収容する凹形状が形成されている。そのため、筐体部２４は対向壁部２４２と１８０度反対側に開口を備えている。また、筐体部２４は、熱伝導率が高いアルミニウムによって形成されている。

実施例１においては、側壁部２４１のうち、筐体部２４の長手側の両外周面には、筐体部２４の長手方向に沿って四角状のスリット部２４３が形成されている。また、図３に示すように、第１モジュール区域２７ａ及び第２モジュール区域２７ｂと対向する位置における対向壁部２４２は、円柱状の放熱フィン２５の先端部を埋設するためのフィン穴２４４を複数備えている。フィン穴２４４は、筐体部２４の開口方向に対して形成されている。

図６に示すように、冷媒導入部２１は中空管状の外形を備えている。冷媒導入部２１は長手方向に沿ってスリット状の開口部２１２が１箇所形成されている。冷媒導入部２１は長手方向の一端に外部から冷却媒体が導入される冷媒導入口２１１を備えており、他端側は閉じられている。また、冷媒排出部２２は冷媒導入部２１と同一形状であり、長手方向の一端に外部へ冷却媒体が導入される冷媒導排出口２２１を備えており、他端側は閉じられている。

実施例１においては、冷媒導入部２１の開口部２１２と筐体部２４のスリット部２４３とが連通するように、冷媒導入部２１は筐体部２４の短手方向の一端部に第１〜第３モジュール区域２７ａ〜２７ｃの並び方向に沿って延設されている。また、冷媒排出部２２の開口部２１２と筐体部２４のスリット部２４３とが連通するように、冷媒排出部２２は筐体部２４の短手方向の他端部に第１〜第３モジュール区域２７ａ〜２７ｃの並び方向に沿って延設されている。冷媒導入口２１１及び冷媒排出口２２１は筐体部２４の長手方向における同一方向に配置されている。また、冷媒導入部２１及び冷媒排出部２２は、熱伝導率が高いアルミニウムによって形成されている。

次に、本実施例の要部について説明する。

実施例１において筐体部２４は、半導体モジュール１６Ａ、１６Ｂが配置された冷却板２３の面と反対側の面と対向するように配置されている。筐体部２４の側壁部２４１が、冷却板２３のうち半導体モジュール１６Ａ、１６Ｂが配置された面と反対側の面であって、放熱フィン２５が立設されていない周縁部と当接し、液状シール等によってシールされている。そして、第１モジュール区域２７ａ及び第２モジュール区域２７ｂと対向する位置に立設された放熱フィン２５が対向壁部２４２に形成されたフィン穴２４４に埋設され、冷却板２３は筐体２４の開口を塞ぐカバーの役割を果たしている。そして、隣り合う放熱フィン２５の隙間と冷却板２３と側壁部２４１と対向壁部２４２とによって複数の冷媒流路２６ａ〜２６ｃが形成されている。これにより、冷却媒体が外部に漏れないように冷媒流路２６ａ〜２６ｃが密閉されている。

このように構成することにより、冷媒導入部２１の冷媒導入口２１１から導入された冷却媒体を第１〜第３モジュール区域２７ａ〜２７ｃの並び方向に沿って流通させつつ、冷媒導入部２１の開口部２１２及び筐体部２４のスリット部２４３を介して冷媒流路２６ａ〜２６ｃに導入する。冷媒流路２６ａ〜２６ｃに導入された冷却媒体は、冷媒導入部２１から冷媒排出部２２の方向へ流通する。このとき、冷却媒体は、冷却板２３に配置された半導体モジュール１６Ａ、１６Ｂとの間で熱交換を行う。熱交換を行った後の冷却媒体は、冷媒排出部２２の開口部２１２及び筐体部２４のスリット部２４３を介して冷媒排出部２２へ達し、冷媒排出部２２の冷媒排出口２２１から半導体冷却器２の外部へ排出される。以下、第１モジュール区域２７ａに対向する複数の冷媒流路２６ａを第１モジュール冷却領域２８ａ、第２モジュール区域２７ｂに対向する複数の冷媒流路２６ｂを第２モジュール冷却領域２８ｂ、第３モジュール区域２７ｃ対向する複数の冷媒流路２６ｃを第３モジュール冷却領域２８ｃという。

実施例１においては、第１モジュール冷却領域２８ａを構成する複数の冷媒流路２６ａの流路高さは一定となるように形成されている。同様に、第２モジュール冷却領域２８ｂを構成する複数の冷媒流路２６ｂの流路高さは一定となるように形成されており、第３モジュール冷却領域２８ｃを構成する複数の冷媒流路２６ｃの流路高さは一定となるように形成されている。また、図３に示すように、隣り合う放熱フィン２５間の距離（Ｌ）及び冷却板２３の長手方向の両端部に立設された放熱フィン２５と隣り合う筐体部２４の側壁部２４２との距離（Ｌ）は同一となるように構成されているため、冷却板２３の長手方向における冷媒流路２６ａ〜２６ｃの各流路幅は同一である。

最も発熱量が小さい第１モジュール区域２７ａと対向する位置の第１モジュール冷却領域２８ａにおける冷媒流路２６ａの流路高さをＨ１、次いで発熱量が大きい第２モジュール区域２７ｂと対向する位置の第２モジュール冷却領域２８ｂにおける冷媒流路２６ｂの流路高さをＨ２、発熱量が最も大きい第３モジュール区域２７ｃと対向する位置の第３モジュール冷却領域２８ｃにおける冷媒流路２６ｃの流路高さをＨ３とした場合、Ｈ３＞Ｈ２＞Ｈ１となる関係を備えている。具体的には、第１モジュール区域２７ａと対向する位置における対向壁部２４２を基準として、対向壁部２４２から冷却板２３までの長さが、冷媒導入部２１の冷媒導入口２１１側から冷媒導入部２１の下流側に順次長くなるように形成されている。そして、第１モジュール区域２７ａ及び第２モジュール区域２７ｂと対向する位置に立設された放熱フィン２５の先端部が、対向する対向壁部２４２に形成されたフィン穴２４４に埋設されている。

次に、実施例１の作用効果について説明する。

実施例１においては、半導体冷却器２の冷媒流路２６ａ〜２６ｃは、隣り合う放熱フィン２５の隙間と冷却板２３と側壁部２４１と対向壁部２４２とによって形成される。また、放熱フィン２５の立設方向における冷媒流路２６ａ〜２６ｃの流路高さが異なるように形成される。そのため、冷媒流路２６ａ〜２６ｃの流路高さを調整することによって、冷媒流路２６ａ〜２６ｃに導入される冷却媒体の導入量を調整することができる。よって、半導体冷却器２に形成される複数の冷媒流路２６ａ〜２６ｃの冷却性能を調整することができる。

また、最も発熱量が大きい第３モジュール区域２７ｃと対向する位置の第３モジュール冷却領域２８ｃにおける冷媒流路２６ｃの流路高さＨ３が他の冷媒流路２６ａ、２６ｂの流路高さＨ１、Ｈ２より高く形成されているため、第１、第２モジュール冷却領域２８ａ、２８ｂに導入される冷却媒体の導入量と比較して、第３モジュール冷却領域２８ｃに導入される冷却媒体の導入量を多くすることができる。よって、発熱量が小さい第１、第２モジュール区域２７ａ、２７ｂと対向する位置の第１、第２モジュール冷却領域２８ａ、２８ｂの冷却性能と比較して、発熱量が大きい第３モジュール区域２７ｃと対向する位置の第３モジュール冷却領域２８ｃの冷却性能を大きくすることができる。

また、冷却板２３に立設される放熱フィン２５のフィン高さは全て同じに形成される。そして、第１モジュール区域２７ａ及び第２モジュール区域２７ｂと対向する位置に立設された放熱フィン２５の先端部が、対向する対向壁部２４２に形成されたフィン穴２４４に埋設されている。よって、冷却板２３に立設する放熱フィン２５のフィン高さを変化させずに、冷媒流路２６ａ〜２６ｃの流路高さを調整することができる。

（実施例２）
次に、実施例２について説明する。

図７は実施例２における冷却板２３の斜視図、図８は実施例２における筐体部２４の斜視図を示している。

図７に示すように実施例２においては、放熱フィン２５の立設方向におけるフィン高さが異なるように形成されている。具体的には、冷却板２３の短手方向の一端側から他端側の方向に対して偶数列目（以下、偶数列目と称す）に形成された放熱フィン２５ｂのフィン高さが、冷却板２３の短手方向の一端側から他端側の方向に対して奇数列目（以下、奇数列目と称す）に形成された放熱フィン２５ａのフィン高さより低く形成されている。

図８に示すように、冷却板２３と筐体部２４とを組み合わせた際に第１、第２モジュール区域２７ａ、２７ｂと対向（以下、第１モジュール区域２７ａと対向、第２モジュール区域２７ｂと対向と称す）し、かつ冷却板２３の奇数列目に形成された放熱フィン２５ａと対向する位置における対向壁部２４２にフィン穴２４４が形成され、偶数列目に形成された放熱フィン２５ｂと対向する位置における対向壁部２４２にフィン穴２４４は形成されていない。ここで、冷却板２３の偶数列目に形成された放熱フィン２５ｂのフィン高さは、第１モジュール区域２７ａが配置されている冷却板２３から対向する対向壁部２４２間の距離に相当している。そのため、冷却板２３と筐体部２４とを組み合わせる際、第１モジュール区域２７ａと対向し、かつ冷却板２３の偶数列目に形成された放熱フィン２５ｂの先端部が対向する対向壁部２４２に当接され、第２、第３モジュール区域２７ｂ、２７ｃと対向し、かつ冷却板２３の偶数列目に形成された放熱フィン２５ｂの先端部が対向する対向壁部と離間して位置する点が実施例１と異なる。

なお、上記以外の構成は実施例１と同様である。

次に、実施例２の作用効果について説明する。

実施例２においては、冷却板２３に立設される放熱フィン２５ａ、２５ｂのフィン高さが異なるように形成される。フィン高さの高い放熱フィン２５ａの先端部のみが対向壁部２４２に形成されたフィン穴２４４に埋設される。よって、放熱フィン２５ａ、２５ｂの立設方向におけるフィン高さを同じに形成した場合と比較して、対向壁部２４２に埋設する放熱フィン２５ａ、２５ｂの数を減らすことができる。

（実施例３）
次に、実施例３について説明する。

図９は実施例３における筐体部２４の斜視図を示している。

図９に示すように実施例３においては、対向壁部２４２に複数のリブ３４を配置し、隣り合うリブ３４間に溝部３５を形成している。具体的には、図９に示すように、第１、第２モジュール区域２７ａ、２７ｂと対向する位置の対向壁部２４２に直方体のリブ３４が複数配置されている。直方体のリブ３４は、その長手方向が筐体部２４の短手方向を向き、かつ隣り合うリブ３４間が筐体部２４の長手方向に対して一定間隔をあけて１０個配置されている。実施例３において、隣り合うリブ３４間の間隔は、図４に示す円柱状のピンフィンの直径より長く構成されている。また、対向壁部２４２から冷却板２３方向におけるリブ３４の高さは、第１モジュール区域２７ａと対向する位置に配置されたリブ３４の高さより、第２モジュール区域２７ｂと対向する位置に配置されたリブ３４の高さが低くなっている。そのため、冷却板２３と筐体部２４とを組み合わせる際、第１、第２モジュール区域２７ａ、２７ｂに形成された放熱フィン２５の先端部が、溝部３５に押し込まれる点が実施例１と異なる。

なお、上記以外の構成は実施例１と同様である。

次に、実施例３の作用効果について説明する。

実施例３においては、対向壁部２４２に配置された複数のリブ３４における隣り合うリブ３４間に溝部３５が形成される。そして、形成された溝部３５に放熱フィン２５の先端部が押し込まれる。よって、対向壁部２４２に放熱フィン２５の先端部を埋設する構造を形成する構成と比較して、対向壁部２４２に間隔をあけて複数のリブ３４を配置するだけで容易に放熱フィン２５の先端部を押し込む構造を形成することができる。

（実施例４）
次に、実施例４について説明する。

図１０は実施例４における冷却板２３の斜視図、図１１は実施例４における筐体部２４の斜視図を示している。

図１０に示すように実施例４においては、放熱フィン２５の立設方向におけるフィン高さが異なるように形成されている。具体的には、第１、第２モジュール区域２７ａ、２７ｂと対向し、かつ冷却板２３の偶数列目に形成された放熱フィン２５ｂのフィン高さが冷却板２３の奇数列目に形成された放熱フィン２５ａのフィン高さより低く形成されている。また、第１モジュール区域２７ａと対向する位置に形成される放熱フィン２５ｂのフィン高さが、第２モジュール区域２７ｂと対向する位置に形成される放熱フィン２５ｂのフィン高さより低く形成されている。つまり、冷却板２３の偶数列目に形成された放熱フィン２５ｂのフィン高さは、第１モジュール区域２７ａと対向する側から第３モジュール区域２７ｃと対向する側に順次高くなるように形成されている。

また、図１１に示すように、対向壁部２４２に対向壁部２４２の法線方向に対する高さが異なる階段状の段差部３６が配置されている。具体的には、第１、第２モジュール区域２７ａ、２７ｂと対向する位置に段差部３６が２個配置されている。段差部３６は、その長手方向が対向壁部２４２の長手方向を向くように配置されている。第１モジュール区域２７ａと対向する位置に配置された段差部３６の高さが、第２モジュール区域２７ｂと対向する位置に配置された段差部３６の高さより高く構成されている。つまり、段差部３６は段差を１つ有する略Ｌ字形状を有している。

そのため、冷却板２３と筐体部２４とを組み合わせる際、第１、第２モジュール区域２７ａ、２７ｂと対向し、かつ冷却板２３の偶数列目に形成された放熱フィン２５ｂ、つまり、段差部３６と対向する位置に形成される放熱フィン２５ｂの先端部が段差部３６に当接される。また、第１、第２モジュール区域２７ａ、２７ｂと対向し、かつ冷却板２３の奇数列目に形成された放熱フィン２５ａの先端部が対向する対向壁部２４２と当接される点が実施例１と異なる。

なお、上記以外の構成は実施例１と同様である。

次に、実施例４の作用効果について説明する。

実施例４においては、段差部３６と対向する位置に形成される放熱２５ｂの先端部が段差部３６に当接され、対向壁部２４２と対向する位置に形成される放熱フィン２５ａ、２５ｂの先端部が対向壁部２４２に当接される。よって、対向壁部２４２に放熱フィン２５ａ、２５ｂの先端部を埋設する構造を形成する構成と比較して、対向壁部２４２に段差部３６を配置するだけで冷却板２３と筐体部２４を組み合わせることができるため、対向壁部２４２に対する加工の工数を削減することができる。

（実施例５）
次に、実施例５について説明する。

図１２は実施例５における半導体冷却器２の断面図を示している。

図１２に示すように実施例５においては、冷却板２３に立設された放熱フィン２５のフィン高さは、発熱量が異なる第１〜第３モジュール区域２７ａ〜２７ｃと対向する位置で異なるように形成されている。具体的には、第１モジュール冷却区域２８ａを構成する放熱フィン２５の立設方向におけるフィン高さをＨ１、第２モジュール冷却区域２８ｂを構成する放熱フィン２５の立設方向におけるフィン高さをＨ２、第３モジュール冷却区域２８ｃを構成する放熱フィン２５の立設方向におけるフィン高さをＨ３とした場合、Ｈ３＞Ｈ２＞Ｈ１となる関係を備えている。そして、放熱フィン２５の先端部が対向する対向壁部２４２と当接している。また、冷却板２３に立設される放熱フィン２５の高さが、冷媒導入部２１の冷媒導入口２１１側から冷媒導入部２１の下流側に順次高くなるように形成されている点が実施例１と異なる。

なお、上記以外の構成は実施例１と同様である。

次に、実施例５の作用効果について説明する。

実施例５においては、冷却板２３に立設される放熱フィン２５のフィン高さは、発熱量が異なる第１〜第３モジュール区域２７ａ〜２７ｃと対向する位置で異なって形成されている。そして、冷却板２３と対向壁部２４２間の距離及び放熱フィン２５のフィン高さを異ならせることにより、冷媒流路２６ａ〜２６ｃの流路高さが異なるように形成されている。よって、放熱フィン２５の先端部を対向壁部２４２に埋設させる構造と比較して、公差により放熱フィン２５の立設位置がずれても冷却板２３と筐体部２４とを容易に組み合わせることができる。

（実施例６）
次に、実施例６について説明する。

図１３は実施例６における半導体冷却器２の平面図、図１４は図１３のＡ−Ａ断面図、図１５は図１３のＢ−Ｂ断面図を示している。

実施例６においては図１４、図１５に示すように、側壁部２４１は対向壁部２４２より反冷却器側に延出して形成されている。筐体部２４は、側壁部２４１の反冷却器側の端部に対向壁部２４２と対向する端壁部２４５を備えている。そのため、側壁部２４１と対向壁部２４２と端壁部２４５との間に空間部が形成されている。また、端壁部２４５から対向壁部２４２方向に対して、空間部を筐体部２４の短手方向に区画する区画壁部２４６が立設されている。そして、端壁部２４５と側壁部２４１の一部と対向壁部２４２と区画壁部２４６とによって、冷却媒体が流通する導入流通路３０及び排出流通路３１が形成されている。導入流通路３０は、冷媒導入部２１を構成するとともに、冷媒流路２６ａ〜２６ｃの流通方向と直交する方向に冷却媒体を流通させるように形成されている。導入流通路３０における冷媒流通方向の一端に冷媒導入口２１１が形成されている。また、排出流通路３１は、冷媒排出部２２を構成するとともに、冷媒流路２６ａ〜２６ｃの流通方向と直交する方向に冷却媒体を流通させるように形成されている。排出流通路３１における冷媒流通方向の一端に冷媒排出口２２１が形成されている。

導入流通路３０と冷媒流路２６ａ〜２６ｃとは対向壁部２４２の短手方向における一方の端部に設けられた導入側連通孔３２を介して連通されている。排出流通路３１と冷媒流路冷媒流路２６ａ〜２６ｃとは対向壁部２４２の短手方向における他方の端部に設けられた排出側連通孔３３を介して連通されている。

このように構成することにより、冷媒導入口２１１から導入流通路３０に導入された冷却媒体を第１〜第３モジュール区域２７ａ〜２７ｃの並び方向に沿って流通させつつ、導入側連通孔３２を介して冷媒流路２６ａ〜２６ｃに導入する。冷媒流路２６ａ〜２６ｃに導入された冷却媒体は、導入側連通孔３２側から排出側連通穴３３の方向へ流通する。このとき、冷却媒体は、冷却板２３に配置された半導体モジュール１６Ａ、１６Ｂとの間で熱交換を行う。熱交換を行った後の冷却媒体は、排出側連通孔３３を介して排出流通路３１へ達し、冷媒排出口２２１から半導体冷却器２の外部へ排出される。

なお、上記以外の構成は実施例１と同様である。

次に、実施例６の作用効果について説明する。

実施例６においては、端壁部２４５と側壁部２４１の一部と対向壁部２４２と区画壁部２４６とによって、冷却媒体が流通する導入流通路３０及び排出流通路３１が形成される。そのため、筐体部２４の内部に形成された導入流通路３０及び排出流通路３１によって冷媒流路２６ａ〜２６ｃの流通方向と直交する方向に冷却媒体を流通させることができる。よって、筐体部２４の外部に冷媒流路２６ａ〜２６ｃの流通方向と直交する方向に冷却媒体を流通させる流通路を形成する場合と比較して、半導体冷却器２の体格を小型化することができる。

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明は上記実施例に限定されることはなく、本発明の技術的範囲に存在する限り、以下のように変形させてもよい。

・上記実施例において、冷却板２３と放熱フィン２５は一体となるように構成されているが、別体となるように構成してもよい。

・上記実施例において、冷媒導入部２１、冷媒排出部２２、冷却板２３、筐体部２４及び放熱フィン２５はアルミニウムによって形成されているが、鉄、銅等、熱伝導率が高い部材や樹脂等から構成してもよい。

・上記実施例において、冷却板２３と側壁部２４１とをシールするために液状シールを用いているが、Ｏリング、パッキン、ロウ付け、はんだ付け、接着剤等を用いてもよい。

・上記実施例において、冷媒導入部２１の冷媒導入口２１１及び冷媒排出部２２の冷媒排出口２２１は筐体部２４の長手方向における同方向に配置されているが、冷媒排出部２２の冷媒排出口２２１を冷媒導入部２１の下流側に配置してもよい。

・上記実施例において、半導体素子１６Ａ、１６ＢはＩＧＢＴ素子１６１Ａ、１６１Ｂを用いているが、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いてもよい。

・上記実施例において、半導体モジュール１６Ａ、１６Ｂは１ｉｎ１型であったが、２個のスイッチング素子を１個のパッケージに収めた２ｉｎ１型、３個のスイッチング素子を１個のパッケージに収めた３ｉｎ１型、６個のスイッチング素子を１個のパッケージに収めた６ｉｎ１型であってもよい。

・上記実施例において、半導体冷却器２のうち半導体モジュール１６Ａ、１６Ｂが配置されている面と反対側の面にコンデンサ等の電子部品を配置してもよい。

・上記実施例において、冷却板２３の長手方向における冷媒流路２６ａ〜２６ｃの各流路幅は同一となるように形成されているが、流路幅を異なるように形成してもよい。

・上記実施例において、発熱量が最も高い第３モジュール区域２７ｃを冷媒導入部２１の冷媒導入口２１１側に配置してもよいし、冷媒導入部２１の冷媒導入口２１１側から冷媒導入部２１の下流側までの間に配置してもよい。

・上記実施例において説明した各冷却板２３と各筐体部２４を適宜組み合わせてもよい。

・上記実施例においては、電力変換装置１が駆動した際の発熱量を、第３モジュール区域２７ｃ＞第２モジュール区域２７ｂ＞第１モジュール区域２７ａと仮定して記載したが、第１モジュール区域２７ａの発熱量が第２、第３モジュール区域２７ｂ、２７ｃの発熱量より大きくてもよい。

・上記実施例２、４、５においては、放熱フィン２５ａ、２５ｂの先端部が対向する対向壁部２４２と当接しているが、接着剤等により両者を接合してもよい。

・上記実施例２、４において、放熱フィン２５ａ、２５ｂのフィン高さを偶数列目と奇数列目で入れ換えてもよい。

・上記実施例４において、階段状の段差部３６は１つの部材であるが、２以上の部材を組み合わせて構成してもよい。また、段差を２以上有する段差部３６を３個以上用いてもよい。

・上記実施例においては、１つの冷却板２３に対して第１〜第３モジュール区域２７ａ〜２７ｃが配置されているが、第１〜第３冷却板２３ａ〜２３ｃを用意し、第１モジュール区域２７ａを第１冷却板２３ａ、第２モジュール区域２７ｂを第２冷却板２３ｂ、第３モジュール区域２７ｃを第３冷却板２３ｃに配置してもよい。

具体的には、図１６に示すように、筐体部２４の対向壁部２４２から冷却板部２３方向に対して第１、第２仕切り部２９ａ、２９ｂが形成されている。第１仕切り部２９ａは冷媒流路２６ａと冷媒流路２６ｂとの間に形成され、第２仕切り部２９ｂは冷媒流路２６ｂと冷媒流路２６ｃとの間に形成されている。そして、第１冷却板２３ａが側壁部２４１及び第１仕切り部２９ａと当接し、第２冷却板２３ｂが側壁部２４２及び第１、第２仕切り部２９ａ、２９ｂと当接し、第３冷却板２３ｃが側壁部２４２及び第２仕切り部２９ｂと当接し液状シール等によってシールされる構成としてもよい。

・上記実施例において、放熱フィン２５は円柱状のピンフィンを用いているが、ストレートフィン２５ｃや波形に形成されたコルゲートフィンを用いてもよい。また、放熱フィン２５を冷却板２３に対して千鳥状に配置してもよい。実施例３においては、図１７に示すように、冷却板２３に直方体のリブを複数立設して構成したストレートフィン２５ｃを放熱フィン２５として用いてもよい。具体的には、直方体のリブは、その長手方向が冷却板２３の短手方向を向き、かつリブ間が冷却板２３の長手方向に一定間隔をあけて１５個配置され、ストレートフィン２５ｃが形成されている。また、ストレートフィン２５ｃの立設方向におけるフィン高さが全て同じとなるように形成されている。そして、冷却板２３と筐体部２４とを組み合わせる際、第１、第２モジュール区域２７ａ、２７ｂに形成されたストレートフィン２５ｃの先端部が、溝部３５に押し込まれる構成としてもよい。

１ 電力変換装置
１６Ａ、１６Ｂ 半導体モジュール
２ 半導体冷却器
２１ 冷媒導入部
２１１ 冷媒導入口
２２ 冷媒排出部
２２１ 冷媒排出口
２３、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ 冷却板
２４ 筐体部
２４１ 側壁部
２４２ 対向壁部
２４５ 端壁部
２４６ 区画壁部
２５、２５ａ、２５ｂ、２５ｃ 放熱フィン
２６ａ、２６ｂ、２６ｃ 冷媒流路
２７ａ、２７ｂ、２７ｃ 第１〜第３モジュール区域
２８ａ、２８ｂ、２８ｃ 第１〜第３モジュール冷却領域
３０ 導入流通路
３１ 排出流通路
３２ 導入側連通孔
３３ 排出側連通孔
３４ リブ
３５ 溝部
３６ 段差部

Claims (8)

1. 半導体素子を内蔵し、発熱量が異なる複数の半導体モジュール（１６Ａ、１６Ｂ）と、
   前記半導体モジュール（１６Ａ、１６Ｂ）が配置された冷却板（２３）と、
   前記冷却板（２３）と対向して配置される筐体部（２４）と、
   冷却媒体が導入される冷媒導入部（２１）と冷却媒体が排出される冷媒排出部（２２）とを備えた半導体冷却器（２）であって、
   前記冷却板（２３）には、前記半導体モジュール（１６Ａ、１６Ｂ）が配置された面と反対側の面に複数の放熱フィン（２５）が立設され、
   前記筐体部（２４）は前記放熱フィン（２５）の立設方向と直交する方向を覆う側壁部（２４１）と、前記放熱フィン（２５）と対向し前記放熱フィン（２５）の立設方向を覆う対向壁部（２４２）とを備えており、
   隣り合う前記放熱フィン（２５）の隙間と前記冷却板（２３）と前記側壁部（２４１）と前記対向壁部（２４２）とによって冷却媒体が流通する冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）が形成され、
   前記放熱フィン（２５）の立設方向における前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）の流路高さが、発熱量が異なる前記半導体モジュールと対向する前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）によって異なること、
   を特徴とする半導体冷却器（２）。
2. 前記半導体モジュール（１６Ａ、１６Ｂ）は、発熱量が異なる前記半導体モジュール（１６Ａ、１６Ｂ）毎のモジュール区域（２７ａ、２７ｂ、２７ｃ）を構成し、
   前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）は、発熱量が異なる前記モジュール区域（２７ａ、２７ｂ、２７ｃ）に対向する複数のモジュール冷却領域（２８ａ、２８ｂ、２８ｃ）を構成し、
   発熱量が大きい前記モジュール区域（２７ａ、２７ｂ、２７ｃ）と対向する位置の前記モジュール冷却領域（２８ａ、２８ｂ、２８ｃ）における前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）の流路高さが、発熱量が小さい前記モジュール区域（２７ａ、２７ｂ、２７ｃ）と対向する位置の前記モジュール冷却領域（２８ａ、２８ｂ、２８ｃ）における前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）の流路高さより高いこと、
   を特徴とする請求項１に記載の半導体冷却器（２）。
3. 前記放熱フィン（２５）の立設方向におけるフィン高さは同じに形成され、
   流路高さの低い前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）においては、前記放熱フィン（２５）の先端部が前記対向壁部（２４２）に埋設されることにより、前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）の流路高さが異なっていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体冷却器（２）。
4. 前記放熱フィン（２５）の立設方向におけるフィン高さが異なるように形成され、
   前記流路高さの低い前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）においては、フィン高さが高い前記放熱フィン（２５）の先端部が前記対向壁部（２４２）に埋設されることにより、前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）の流路高さが異なっていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体冷却器（２）。
5. 前記対向壁部（２４２）に、前記対向壁部（２４２）の法線方向に対する高さが異なる複数のリブ（３４）が配置され、
   隣り合う前記リブ（３４）間に溝部（３５）が形成され、
   前記放熱フィン（２５）の先端部が前記溝部（３５）に押し込まれることにより、前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）の流路高さが異なっていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体冷却器（２）。
6. 前記放熱フィン（２５）の立設方向におけるフィン高さが異なるように形成され、
   前記対向壁部（２４２）に、前記対向壁部（２４２）の法線方向に対する高さが異なる階段状の段差部（３６）が配置され、
   前記放熱フィン（２５）のうち、前記段差部（３６）と対向する位置に形成される放熱フィン（２５）の先端部が前記段差部（３６）に当接され、前記対向壁部（２４２）と対向する位置に形成される前記放熱フィン（２５）の先端部が前記対向壁部（２４２）に当接されることにより、前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）の流路高さが異なっていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体冷却器（２）。
7. 前記放熱フィン（２５）のフィン高さは、発熱量が異なる前記モジュール区域（２７ａ、２７ｂ、２７ｃ）と対向する位置で異なって形成され、
   前記冷却板（２３）と前記対向壁部（２４２）間の距離及び前記放熱フィン（２５）のフィン高さを異ならせることにより、前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）の流路高さが異なっていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体冷却器（２）。
8. 前記側壁部（２４１）は、前記対向壁部（２４２）よりも反冷却板側に延出して形成され、
   前記筐体部（２４）は、前記側壁部（２４１）の反冷却板側の端部に前記対向壁部（２４２）と対向する端壁部（２４１）と、前記対向壁部（２４２）と前記端壁部との間に形成された空間を区画する区画壁部（２４６）とを備え、
   前記端壁部（２４１）と前記側壁部（２４１）の一部と前記対向壁部（２４２）と前記区画壁部（２４６）とによって、冷却媒体が流通する導入流通路（３０）及び排出流通路（３１）が形成され、
   前記導入流通路（３０）は、前記冷媒導入部（２１）を構成するとともに、前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）の流通方向と直交する方向に冷却媒体を流通させるように形成され、
   前記排出流通路（３１）は、前記冷媒排出部（２２）を構成するとともに、前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）の流通方向と直交する方向に冷却媒体を流通させるように形成され、
   前記導入流通路（３０）と前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）とは導入側連通孔（３２）を介して連通され、前記排出流通路（３１）と前記冷媒流路（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）とは排出側連通孔（３３）を介して連通されていること、
   を特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体冷却器（２）。

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