JP2012064714A - 樹脂封止用粘着テープ及び樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材層と該基材層上に積層された粘着剤層とを備え、0℃雰囲気下での180°剥離でのリードフレーム11への粘着力が0.01〜10.0N/19mm幅である樹脂封止型半導体装置21の製造における樹脂封止用粘着テープ20。このような粘着テープ20は、具体的には、リードフレーム11表面に搭載された半導体チップ15を樹脂封止する際に前記リードフレーム11裏面に貼着され、封止後に剥離するために用いられる。
【選択図】図1
Description
このようなQFNでは、リードフレーム面積あたりの生産性を飛躍的に向上させることができる製造方法が、特に注目されている。そのような方法として、複数のQFN用チップをリードフレームのダイパッド上に整列させ、金型のキャビティ内で封止樹脂にて一括封止し、その後、切断によって個別のQFN構造物に分割することを含む製造方法が挙げられる。
つまり、リードフレームへの半導体チップの搭載後又はワイヤボンディングの実施後に耐熱性粘着テープをリードフレーム裏面に貼り合せることは、ハンドリングの面で実質的に困難であることから、まず、耐熱性粘着テープをリードフレームの裏面側に貼り合わせ、その後、半導体チップの搭載及びワイヤボンディングを経て、封止樹脂による封止を行い、耐熱性粘着テープを剥離することが望ましい。このような方法として、厚み10μm以下の粘着剤層を有する耐熱性粘着テープを用いて、樹脂漏れを防止しつつワイヤボンディングなどの一連工程を実施する方法が提案されている(例えば、特許文献1)。
従って、半導体装置の製造工程中のみならず、リードフレームに貼り付けられた状態での低温での保持(例えば、輸送等)の間においても、剥がれが生じにくい耐熱性粘着テープが求められている。
また、上述した粘着テープを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを一目的とする。
基材層と該基材層上に積層された粘着剤層とを備え、0℃雰囲気下の180°剥離でのリードフレームへの粘着力0.01〜10.0N/19mm幅を有することを特徴とする。
また、粘着剤層は、0℃での貯蔵弾性率5×106Pa以下を有することが好ましい。
さらに、粘着剤層は、ガラス転移温度−5℃以下を有することが好ましい。
基材層は、300℃以下にガラス転移温度を有さないことが好ましい。
前記リードフレーム上に半導体チップを搭載し、
該半導体チップ側を封止樹脂により封止し、
封止後に前記粘着テープを剥離する工程を含むことを特徴とする。
また、本発明の樹脂封止用粘着テープを用いて半導体装置を製造することにより、封止樹脂の樹脂漏れの発生等を確実に防止することができ、歩留まりを向上させることができる。
特に、基材層は、通常の半導体製造プロセスで使用される加熱、特に樹脂封止時の加熱に対して耐性を有するものが適している。例えば、170℃以上、200℃以上、250℃以上、300℃以上の耐熱性を有しているものが挙げられる。封止樹脂は、一般に175℃前後の温度が付与されることから、このような温度条件下での著しい基材層の収縮又は基材そのものの破壊等が生じないものが好ましい。
本明細書中、「ガラス転移点(Tg)」とは、DMA法(引っ張り法)において、昇温速度5℃/min、サンプル幅5mm、チャック間距離20mm、周波数10Hzの条件において確認される損失正接(tanδ)のピークを示す温度を意味する。このようなガラス転移点は、市販の装置(例、レトメトリック サイエンティフィック FE社製 RSA-II)によって測定することができる。従って、ガラス転移温度を有さないとは、例えば、260℃以下の温度領域に前記損失正接(tanδ)のピークが認められないことを意味する。
ここで、線熱膨張係数は、ASTM D696に準拠して、TMA(サーモ・メカニカル・アナリシス)により測定される値である。
アクリル系粘着剤は、例えば、アルキル(メタ)アクリレートを少なくとも含むモノマーの共重合から得られたアクリル系共重合体からなるものが挙げられる。なお、本明細書において、アルキル(メタ)アクリレートとは、アルキルアクリレート及び/又はアルキルメタクリレートを意味する。
アルキル(メタ)アクリレートとしては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、n−ヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、イソノニル(メタ)アクリレート、デシシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート等が挙げられる。なかでも、アクリル酸モノマーと、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートモノマーとの共重合、メチル及び/又はエチル(メタ)アクリレートと、アクリル酸モノマーと、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレートモノマーとの共重合が好ましい。
架橋剤としては、例えば、イソシアネート架橋剤、エポキシ架橋剤、アジリジン系化合物、キレート系架橋剤等が挙げられる。
架橋剤の含有量は特に限定されないが、例えば、アクリル系粘着剤を用いる場合には、アクリル系ポリマー100重量部に対して0.1〜15重量部が適しており、0.5〜10重量部が好ましい。架橋剤をこの範囲で用いることにより、粘着剤層の粘弾性を適度に設定することができ、導電性パターン又は封止樹脂に対する粘着剤層の適度の粘着力を確保することができる。よって、粘着テープの剥離時においても、封止樹脂を剥離又は破損したり、粘着剤層の一部が導電性パターン又は封止樹脂に付着することはない。さらに、粘着剤層の過度の硬化を抑制することができる。
粘着剤層は、接着剤成分を調製し、これを基材層に塗布/乾燥することにより形成することができる。接着剤成分の塗布方法としては、バーコーター塗工、エアナイフ塗工、グラビア塗工、グラビアリバース塗工、リバースロール塗工、リップ塗工、ダイ塗工、ディップ塗工、オフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷など種々の方法を採用することができる。また、別途、剥離ライナーに粘着剤層を形成した後、それを基材フィルムに貼り合せる方法等を採用してもよい。
粘着剤層の厚みは、リードフレームとの十分な粘着力の観点からは、好ましくは、2μm以上、より好ましくは3μm以上、更に好ましくは4μm以上であり、一方、十分なワイヤーボンディング性の観点からは、好ましくは50μm以下、より好ましくは40μm以下、更に好ましくは30μm以下である。
剥離シートは、当該分野で一般的に用いられている材料、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン;低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン;ポリウレタン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、フッ素樹脂、セルロース系樹脂及びこれらの架橋体などのポリマー等を用いて、単層又は多層構造で形成された剥離基材を含む。
例えば、リードフレームの裏面に本発明の粘着テープを貼り合わせ、このダイパッド表面に半導体チップを搭載し、半導体チップ側を封止樹脂により封止し、封止後に粘着テープを剥離する工程を含む半導体装置の製造方法において使用するためのものである。
リードフレーム11は、通常、Cu系素材(Cu−Fe−Pなど)、Fe系素材(Fe−Niなど)等の金属板によって形成されている。特に、リードフレーム内の電気接点部分(後述する半導体チップとの接続部分)に、銀、ニッケル、パラジウム、金等で被覆(めっき)されているものが好ましい。リードフレーム11の厚みは、通常、100〜300μm程度が挙げられる。
通常、上述したように、リードフレーム11は、半導体チップ15を固定するためダイパッド11cと呼ばれる固定エリアが設けられていることから、半導体チップ15は、ダイパッド11c上に搭載される。
ダイパッド11cヘの半導体チップ15の搭載は、例えば、導電性ペースト19、接着テープ、接着剤(例えば、熱硬化性接着剤)等を用いる各種の方法が利用される。導電性ペースト、接着剤等を用いて搭載する場合、通常、150〜200℃程度の温度で30分〜90分間程度、加熱キュアされる。
ワイヤボンドは、ボンディングワイヤ16、例えば、金線又はアルミ線などによって行われる。通常、150〜250℃に加熱した状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーとの併用により行われる。
その後、図1(d)に示すように、封止樹脂17を含むリードフレーム10を金型から取り出す。
封止後の粘着テープ20の剥離は、上述したポストモールドキュアの前に行うことが好ましい。
半導体チップ15ごとの分割は、ダイサー等の回転切断刃等を用いて行うことができる。
25μm厚のポリイミドフィルム(東レデュポン製:カプトン100H)を基材層として用いた。この基材層の上に、シリコーン系粘着剤(東レダウコーニングシリコーン社製:SD4587L)100重量部に白金触媒3重量部を均一に混ぜ合わせ、塗布して乾燥し、厚さ約10μmの粘着剤層を有する粘着テープを作製した。
粘着剤の0℃での貯蔵弾性率を測定したところ、2.8×105Pa以下であり、ガラス転移温度は−70℃以下であった。
また、この基材のTgをTMA法にて測定したところ、300℃以下で明確なTgは確認されなかった。
この粘着テープを、銅製のリードフレームの裏面側に、ハンドローラーを用いて0℃にて貼り合わせた。リードフレームは、リード端子に銀めっきが施された一辺16PinタイプのQFNが4個×4個配列したものを用いた。
また、同様にしてリードフレームと同一素材の銅板を用いて、粘着力測定用サンプルを作製した。
その後、リードフレームを200℃にて約1時間キュアした。
続いて、ワイヤボンダ(日本アビオニックス製:MB−2200)を用いて、ダイパッドへのボンド荷重30gf、ダイパッドへのボンド時間100m秒、リードパッドへのボンド荷重200gf、リードパッドへのボンド時間100m秒、ボンド温度225℃にて、ワイヤボンディングを行った。
その後、リードルフレームから粘着テープを剥離してQFNパッケージを作製し、樹脂漏れを確認した。
25μm厚のポリイミドフィルム(東レデュポン製:カプトン100H)を基材層として用いた。
2−エチルヘキシルアクリレートモノマー100重量部に対して、構成モノマーとしてのアクリル酸モノマーを5重量部配合して、アクリル系共重合体を得た。このアクリル系共重合体100重量部に対して、エポキシ系架橋剤(三菱ガス化学製:Tetrad‐C)を0.6重量部、イソシアネート系架橋剤(日本ポリウレタン製:コロネート−L)2重量部を添加して、粘着剤組成物を調製した。
粘着剤の0℃での貯蔵弾性率を測定したところ、2.1×105Pa以下であり、ガラス転移温度は、実質的に2−エチルヘキシルアクリレートモノマーと同程度であり、−37℃以下であった。
以後、実施例1と同様の方法でQFNパッケージ及び粘着力測定用サンプルを作製した。
基材層として、厚み25μmのポリエチレンテレフタレート(東レ社製「ルミラーS10」、Tg=69℃)を用いた。
実施例1と同様の方法でQFNパッケージ及び粘着力測定用サンプルを作製した。
粘着剤として、熱圧着型可塑性粘着剤(熱可塑性SEBS系樹脂、0℃の貯蔵弾性率:3.6×107Pa、Tg=80℃)を用いる以外は実施例1と同様の方法でQFNパッケージ及び粘着力測定用サンプルを作製した。
なお、常温では貼り付かないため、リードフレームへは、100℃×0.3MPaにて貼り付けたもので樹脂漏れ性とW/Bの試験を行った。
粘着力は、JIS Z0237:1999に則って測定した。つまり、180°引き剥がし法(19mm幅)、0℃±3℃(50±5%RH)、剥離速度300mm/分、被着体:リードフレームの条件下で測定した。
樹脂漏れは、まずは目視で確認し、樹脂漏れが確認できなかったものは、さらに顕微鏡で100倍に拡大して確認した。
これらの結果を表1に示す。
一方、比較例1では、落下衝撃後の剥れは、目視及び顕微鏡観察のいずれにおいても認められなかったが、200℃加熱時にPETの収縮の影響により、リードフレームの剥れが生じ、樹脂漏れが発生した。
11 リードフレーム
11a 開口
11b リード端子
11c ダイパッド
15 半導体チップ
16 ボンディングワイヤ
17 封止樹脂
20 粘着テープ
21 半導体装置
Claims (6)
- 基材層と該基材層上に積層された粘着剤層とを備え、0℃雰囲気下の180°剥離でのリードフレームへの粘着力0.01〜10.0N/19mm幅を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造における樹脂封止用粘着テープ。
- リードフレーム表面に搭載された半導体チップを樹脂封止する際に前記リードフレームの少なくとも一面に貼着され、封止後に剥離するために用いられる請求項1に記載の粘着テープ。
- 粘着剤層は、0℃での貯蔵弾性率5×106Pa以下を有する請求項1又は2に記載の粘着テープ。
- 粘着剤層は、ガラス転移温度−5℃以下を有する請求項1〜3のいずれか1つに記載の粘着テープ。
- 基材層は、300℃以下にガラス転移温度を有さない請求項1〜4のいずれか1つに記載の粘着テープ。
- リードフレームの少なくとも一面に、請求項1〜5のいずれか1つに記載の粘着テープを貼着し、
前記リードフレーム上に半導体チップを搭載し、
該半導体チップ側を封止樹脂により封止し、
封止後に前記粘着テープを剥離する工程を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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