JP2012063279A - はんだ接合部の寿命予測方法、はんだ接合部の寿命予測装置、及び電子機器 - Google Patents
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- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
Abstract
【解決手段】 はんだ接合部を有する被測定対象の温度の履歴情報を参照するステップと、前記温度の履歴情報からサイクルカウントにより温度変動の振幅、サイクル数、平均温度、及び周期の少なくともいずれか1つの物理量を調べるステップと、予め作成しておいた応答曲面を用いて前記サイクルカウントにより調べた物理量の中の少なくともいずれか1つからひずみ範囲を算出するステップと、前記ひずみ範囲から、予め求められている損傷値およびひずみ範囲のひずみ変動履歴を参照してひずみ範囲増加率を算出するステップと、を含むことを特徴とするはんだ接合部の寿命予測方法。
【選択図】図1
Description
第1実施形態としてはんだ寿命予測方法を図1〜2を用いて説明する。
第1の制御部(更新イベント検出部)11は寿命更新のイベントが検出されると、その時点まで保存されていた第2の記憶部(温度履歴データベース)22に温度情報を参照する。
第2の制御部(サイクルカウント調査部)12は、温度履歴データベース22を参照し、サイクルカウントにより温度振幅、サイクル数、平均温度、周期などの情報を調べる。
第3の制御部(温度振幅−ひずみ範囲変換部)13はサイクルカウント調査部12により得られた温度振幅、サイクル数、平均温度、周期などの情報から、第3の記憶部(応答曲面データベース)23に保存されている応答曲面を参照し、温度振幅ΔTをひずみ範囲Δεに変換する。
第4の制御部(ひずみ範囲増加率算出部)14は、第4の記憶部(損傷値データベース)24及び第5の記憶部(ひずみ変動履歴データベース)25を参照し、変換されたひずみ範囲Δεを用いて、今回イベントが更新された時点におけるはんだ接合部71に蓄積した損傷の進行により発生した、ひずみ範囲の増加率を算出する。
第5の制御部(ひずみ範囲再カウント部)15は第005ステップで算出されたひずみ範囲の増加率を考慮して、損傷値をカウントし直す。そして、新たに求められた損傷値を今回のイベントが更新された時刻と共に第4の記憶部(損傷値データベース)24に保存する。
第6の制御部(損傷値判断部)16は、第7の記憶部(しきい値データベース)27を参照し、新たな損傷値が特定のしきい値以上であるか否かを判断する。新たな損傷値が特定のしきい値以上である場合には、所定のアクションを取ることを指示する信号を損傷値判断部26が発信することを許容する。
ここで、被測定対象である製品としてはんだ接合部を有する実装基板を想定し、この製品が出荷された後、使用環境下での温度変動負荷を対象とした、BGAの疲労寿命予測方法を例として、第1実施形態の技術的意義について更に説明する。
これらの考察を基に、次のように第1実施形態を以下の通りに実施することが出来る。
α、β:材料によって決定される定数
Nf:き裂発生サイクル
N0はΔε0のひずみが繰り返されたと仮定した際のき裂発生サイクル数
N:実際にΔε0が負荷されたサイクル数、
Δε:ひずみ範囲
DはNサイクル負荷時の損傷値
である。
(第011〜012ステップ)
第11の制御部(サイクル決定部)31は温度範囲、温度保持時間、温度上昇時間、温度下降時間、温度繰り返しサイクル数を決定する。
第12の制御部(数値解析部)32は損傷の進行を考慮した数値解析を行う。具体的には、FEMにより指定された温度条件を設定し、はんだ内部に発生するひずみ範囲がCoffin-Manson則やBasquin則で定められた疲労寿命回数に達した段階で、寿命に達した部分を削除または剛性を極端に低下させることによってき裂を模擬し、損傷の進行を考慮する。詳細は前記日本機械学会論文集(A編)73巻736号(2007-12)を参照。
第13の制御部(ひずみ変動履歴算出部)33は各温度サイクル毎のひずみ変動履歴を算出する。また、ひずみ変動履歴算出部33は求めた各温度サイクル毎のひずみ変動履歴を第5の記憶部(ひずみ変動履歴情報データベース)25に保存する。
第14の制御部(損傷値算出部)34は第11の記憶部(はんだ疲労データベース)26を参照し、各温度サイクル毎の損傷値Dを算出(推定)する。また、損傷値算出部34は、各温度サイクルにおけるひずみ範囲Δεの増加率と、これに対応する求めた損傷値Dとを第5の記憶部(ひずみ変動履歴情報データベース)25に保存する。
ここで、ひずみ範囲Δεの増加量を知るために損傷値Dを利用することの第一の利点として、加えられた温度の範囲や保持時間、上昇、下降時間を考慮しなくとも、損傷値のみを参照することでひずみ範囲の増加率を知ることができることが挙げられる。すなわち、一定温度振幅のような単純な温度変動ではなく、実使用環境下の複雑な温度変動に対しても、適用が容易である。第二の利点として、損傷値Dとひずみ範囲Δεの増加率の関係にロバスト性があり、加えられる温度範囲や保持時間等によって関係が大きく変わることが少ない点が挙げられる。
第1実施形態の変形例について説明する。本変形例と第1実施形態とは、寿命予測する手順は同じであるが、ダミーバンプの破断が検出された際に、ダミーバンプの予測される寿命と、実際の寿命との間の誤差を算出し、誤差を修正するルーチンを組み込む点が相違する。図17は誤差修正のルーチンを組み込んだ寿命予測方法を示す。また、図18はこの寿命予測方法を実行するために必要となる構成のうち、第1実施形態に追加される構成を示す。
第1実施形態の寿命予測方法(ステップS025)の前に、ダミーバンプ破断検出イベントを設ける。
ダミーバンプが破断されていると判断した場合、第22の制御部(損傷値修正部)52は、損傷値データベース24を参照し、予め求められている損傷値を読み出す。そして、
損傷値修正部52は、予め与えられている損傷値と、新たに求められた損傷値とを比較する。さらに、損傷値修正部52は、比較した結果における損傷値に差が認められる時は、破断していないはんだ接合部の寿命予測値を修正する(第023ステップ)。
第2実施形態について、図2、図3を用いて説明する。第2実施形態ははんだ接合部の寿命予測装置の実施形態である。
第3実施形態について説明する。第3実施形態は、破断を検出するための信号線の形成の仕方に工夫がある。この様子を図20を用いて説明する。
第3実施形態の変形例として、第2実施形態を第1実施形態とを破断検出用のチェーンにより結合することにより、適格に寿命評価を行うことが出来る。この様子を図21に示す。
2 ・・・ コネクタ
3 ・・・ ボス穴
4、4−1〜4−8 ・・・ 被測定対象(半導体メモリ)
6 ・・・ コンデンサ
7 ・・・ 検出部(破断検出部、温度測定部)
10 ・・・ 制御部
11 ・・・ 第1の制御部(更新イベント検出部)
12 ・・・ 第2の制御部(サイクルカウント調査部)
13 ・・・ 第3の制御部(温度−ひずみ範囲変換部)
14 ・・・ 第4の制御部(ひずみ範囲増加率算出部)
15 ・・・ 第5の制御部(ひずみ範囲再カウント部)
16 ・・・ 第6の制御部(損傷値判断部)
31 ・・・ 第11の制御部(サイクル決定部)
32 ・・・ 第12の制御部(数値解析部)
33 ・・・ 第13の制御部(ひずみ変動履歴算出部)
34 ・・・ 第14の制御部(損傷値算出部)
51 ・・・ 第21の制御部(破断イベント検出部)
52 ・・・ 第22の制御部(損傷値修正部)
20、20−1、20−2 ・・・ 記憶部
21 ・・・ 第1の記憶部(更新イベント保存部)
22 ・・・ 第2の記憶部(温度履歴データベース)
23 ・・・ 第3の記憶部(応答曲面データベース)
24 ・・・ 第4の記憶部(損傷値データベース)
25 ・・・ 第5の記憶部(ひずみ変動履歴データベース)
26 ・・・ 第6の記憶部(はんだ疲労データベース)
27 ・・・ 第7の記憶部(しきい値データベース)
61 ・・・ 第21の記憶部(ダミーバンプ状況データベース)
71 ・・・ はんだ接合部(はんだバンプ)
72 ・・・ 破断検出用信号線
73 ・・・ Siチップ
81 ・・・ ホスト機器
B−1、B−5 ・・・ ダミーバンプ領域
B−2、B−4 ・・・ 破断検出領域
B−3 ・・・ 信号線領域
Claims (10)
- はんだ接合部を有する被測定対象の温度の履歴情報を参照するステップと、
前記温度の履歴情報からサイクルカウントにより温度変動の振幅、サイクル数、平均温度、及び周期の少なくともいずれか1つの物理量を調べるステップと、
予め作成しておいた応答曲面を用いて前記サイクルカウントにより調べた物理量の中の少なくともいずれか1つからひずみ範囲を算出するステップと、
前記ひずみ範囲から、予め求められている損傷値およびひずみ範囲のひずみ変動履歴を参照してひずみ範囲増加率を算出するステップと、
を含むことを特徴とするはんだ接合部の寿命予測方法。 - 算出されたひずみ範囲増加率を考慮して新たな損傷値を求めるステップと
を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の寿命予測方法。 - 前記新たに求められた損傷値をデータベースに保存するステップと
を有することを特徴とする請求項2に記載の寿命予測方法。 - 前記新たに求められた損傷値が所定のしきい値以上である場合に予め定められたアクションをとるステップと
を更に有することを特徴とする請求項2又は3のいずれか1項に記載の寿命予測方法。 - 前記はんだ接合部の少なくとも一部が破断した際に、予め与えられている破断時の損傷値と新たに求められた損傷値とを比較するステップと、
比較した結果に差が認められる場合には、新たに求められた損傷値をもとに破断していないはんだ接合部の寿命予測値を修正するステップと、
を有することを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載のはんだ接合部の寿命予測方法。 - 前記はんだ接合部はアレイ型接続構造を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の寿命予測方法。
- 事前の数値解析によりはんだ接合部のひずみ変動履歴とはんだ接合部の損傷の関係をデータベースに記憶するステップと、
前記データベースに記憶された情報と前記被測定対象が使用環境下で測定された負荷の情報とから前記はんだ接合部のひずみ変動履歴を推定するステップと
を更に有することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の寿命予測方法。 - はんだ接合部を有する被測定対象の温度の履歴情報を保存した第1の記憶部と、
温度変動の振幅、サイクル数、平均温度、周期の少なくともいずれか1つの物理量からひずみ範囲を求めるための応答曲面を保存した第2の記憶部と、
損傷値の履歴情報が保存された第3の記憶部と、
損傷値からひずみ範囲の増加率を求めるためのひずみ変動履歴が保存された第4の記憶部と、
前記第1の記憶部を参照し、温度の履歴情報を取得する第1の制御部と、
前記温度の履歴情報からサイクルカウントにより温度変動の振幅、サイクル数、平均温度、及び周期の少なくともいずれか1つの物理量を調べる第2の制御部と、
前記第2の記憶部を参照し、前記サイクルカウントにより調べた物理量の中の少なくともいずれか1つからひずみ範囲を算出する第3の制御部と、
前記第3の記憶部及び前記第4の記憶部を参照し、前記第3の制御部により算出されたひずみ範囲からひずみ範囲増加率を算出する第4の制御部と、
を有することを特徴とするはんだ接合部の寿命予測装置。 - 電子部品と、
実装基板と、
前記電子機器と前記実装基板とを機械的に接合し、かつ前記電子機器と前記実装基板との間で電気信号をやり取りを媒介する第1の接合部と、
前記電子機器と前記実装基板とを機械的に接合し、かつ前記電子機器と前記実装基板との間で電気信号をやり取りを媒介しない第2の接合部と、
前記第1の接合部と前記第2との間に形成され、前記電子機器と前記実装基板とを機械的に接合し、かつ、前記実装基板と前記電子部品との接合状態を監視する第3の接合部と、
を有することを特徴とする電子機器。 - 請求項8に記載の寿命予測装置を有することを特徴とする請求項9に記載の電子機器。
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