JP2012059922A - 半導体装置用集合基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下部集合基板は絶縁基材11及びその上の銅箔層11a及び銅めっき層14aによって構成される。上部集合基板は絶縁基材21及び接着シート22によって構成される。上部集合基板はその接着シート22によって下部集合基板に貼り付けられている。一点鎖線内部の半導体素子搭載用領域の各単位領域には半導体素子収容用キャビティ穴(貫通孔)23が設けられ、一点鎖線外部の半導体素子非搭載領域には位置補正マーク用キャビティ穴(補助貫通孔)24Y’が設けられている。補助貫通孔24Y’はキャビティ穴23の列方向に並んで位置する。
【選択図】 図15
Description
尚、ダイシングラインDLXは位置補正マーク16Xによって直接定義されるが、ダイシングラインDLYは位置補正マーク16Xと最端の位置補正マーク16Y’との中間位置及び位置補正マーク16Y’間の中間位置によって定義される。
12a、12b:銅箔層
13:貫通孔
14a、14b:銅めっき層
15:フィルドビア
16X、16Y、16Y’:位置補正マーク
Z、Z’:金属パターン非形成領域
21:絶縁基板
22:接着シート
23:キャビティ穴(貫通孔)
24X、24Y、24Y’:位置補正マーク用キャビティ穴(補助貫通孔)
31:空洞
32:ニッケルめっき層
33:銀めっき層
34:LED素子
35:封止樹脂層
Claims (7)
- 列状に並ぶ複数の単位領域よりなる半導体素子搭載用領域及び前記半導体素子搭載用領域を囲む半導体素子非搭載領域を有し、絶縁基板と前記絶縁基板上の一部に形成された金属パターンからなる下部集合基板と、
前記下部集合基板上に接着層を介して貼り付けられ、前記半導体素子搭載用領域の各前記単位領域に対応した半導体素子収容用貫通孔及び前記半導体素子非搭載領域に対応した補助貫通孔を有する上部集合基板と
を具備し、
前記補助貫通孔と最端の前記半導体素子収容用貫通孔は前記下部集合基板の金属パターン非形成領域上に少なくとも一部が重なり、前記補助貫通孔内と最端の前記半導体素子収容用貫通孔内に露出する前記金属パターン非形成領域は前記絶縁基板上で連続していることを特徴とする半導体装置用集合基板。 - さらに、前記半導体素子収容用貫通孔及び前記補助貫通孔の内部に露出した金属パターン上に金属めっき層を有する請求項1に記載の半導体装置用集合基板。
- 前記補助貫通孔は列状に配置された複数の半導体素子収容用貫通孔の同一列上の端部に並んで配置される請求項1ないし2のいずれかに記載の半導体装置用集合基板。
- 前記補助貫通孔は前記金属パターン非形成領域の端部に重なる請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置用集合基板。
- 列状に並ぶ複数の単位領域よりなる半導体素子搭載用領域及び前記半導体素子搭載用領域を囲む半導体素子非搭載領域を有し、絶縁基板と前記絶縁基板上の一部に形成された金属パターンからなる下部集合基板を準備する工程と、
前記半導体素子搭載用領域の各前記単位領域に対応した半導体素子収容用貫通孔及び前記半導体素子非搭載領域に対応した補助貫通孔を有する上部集合基板を準備する工程と、
前記補助貫通孔と最端の前記半導体素子収容用貫通孔は前記下部集合基板の金属パターン非形成領域上に少なくとも一部が重なり、前記補助貫通孔内と最端の前記半導体素子収容用貫通孔内に露出する前記金属パターン非形成領域は前記絶縁基板上で連続するように重ね貼り合わせる工程と
を具備する半導体装置用集合基板の製造方法。 - 前記上部集合基板を前記下部集合基板に貼り合わせる工程の後、前記補助貫通孔と前記半導体素子収容用貫通孔の内部に露出した金属パターン上に電解めっき法により金属めっき層を形成する工程
をさらに具備する請求項5に記載の半導体装置用集合基板の製造方法。 - 列状に並ぶ複数の単位領域よりなる半導体素子搭載用領域及び前記半導体素子搭載用領域を囲む半導体素子非搭載領域を有し、絶縁基板と前記絶縁基板上の一部に形成された金属パターンからなる下部集合基板を準備する工程と、
前記半導体素子搭載用領域の各前記単位領域に対応した半導体素子収容用貫通孔及び前記半導体素子非搭載領域に対応した補助貫通孔を有する上部集合基板を準備する工程と、
前記補助貫通孔と最端の前記半導体素子収容用貫通孔は前記下部集合基板の金属パターン非形成領域上に少なくとも一部が重なり、前記補助貫通孔内と最端の前記半導体素子収容用貫通孔内に露出する前記金属パターン非形成領域は前記絶縁基板上で連続するように重ね貼り合わせる工程と、
前記半導体素子収容用貫通孔に露出される前記金属パターン上に半導体素子を搭載する工程と、
隣接する前記半導体素子収容用貫通孔間及び隣接する前記半導体素子収容用貫通孔と前記補助貫通孔との間を切断する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
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JPS60163768U (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-30 | パイオニア株式会社 | プリント基板 |
JPH0312996A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-21 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
JP2000183481A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Alps Electric Co Ltd | 積層基板およびこれを用いたデータ入力装置 |
JP2007013066A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Element Denshi:Kk | 発光装置 |
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