JP2012057214A

JP2012057214A - 銅合金板への高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴及びＳｎめっき方法

Info

Publication number: JP2012057214A
Application number: JP2010201948A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Sakurai; 健櫻井; Kenji Kubota; 賢治久保田
Original assignee: Mitsubishi Shindoh Co Ltd
Current assignee: Mitsubishi Shindoh Co Ltd
Priority date: 2010-09-09
Filing date: 2010-09-09
Publication date: 2012-03-22

Abstract

【課題】銅合金板に高電流密度でＳｎめっきを施すに際し、泡立ちが少なくてスラッジの発生量も少なくめっき焼けも発生しない高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴及びその硫酸浴を用いた銅合金板へのＳｎめっき方法を提供する。
【解決手段】主成分として硫酸：３０〜１２０ｇ／ｌ、硫酸錫：２０〜１５０ｇ／ｌを含有するとともに、光沢剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル：０．３〜５ｇ／ｌ、エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物：０．０５〜３ｇ／ｌ、ポリオキシエチレンナフチルエーテル：０．０５〜５ｇ／ｌ、脱酸素剤としてピロガロール：０．１〜１０ｇ／ｌを含有する高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴。
【選択図】なし

Description

本発明は、Ｓｎめっき付銅合金板の製造に用いられる高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴及びその硫酸浴を用いた銅合金板へのＳｎめっき方法に関し、特に詳しくは、泡立ちが少なくてスラッジの発生量も少なくめっき焼けも発生しない高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴及びその硫酸浴を用いた銅合金板へのＳｎめっき方法に関する。

従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置や各種電子・電気部品に用いられるリードフレーム、端子、コネクター等の材料として、銅合金板の表面にＳｎめっき層が形成されたＳｎめっき付銅合金板が広く使用されている。

このＳｎめっき層を形成する際に使用される無機酸を主成分とするめっき浴としては、例えば特許文献１及び特許文献２に記載されているものがある。
特許文献１には、主成分として５〜５０ｇ／ｌの硫酸、４０〜１００ｇ／ｌのＳｎ（II）、光沢添加剤およびスラッジ抑制剤を含む高電流密度Ｓｎ用めっき浴が記載され、このめっき浴を用いて温度３０〜７０℃、５０Ａ／ｄｍ²以上の電流密度で鋼ストリップに錫を電析させている。

また、特許文献２には、主成分として５〜５０ｇ／ｌの硫酸、４０〜１００ｇ／ｌのＳｎ(II)、光沢添加剤および２〜１０ｇ／ｌのスラッジ抑制剤を含む高電流密度めっき用のＳｎめっき硫酸浴が記載され、このめっき浴を用いて浴温３０〜７０℃、電流密度５０Ａ／ｄｍ²以上で鋼ストリップに錫を電析させている。

特開平６−３４６２７２号公報特開平８−２６９７７２号公報

鋼ストリップ及び銅合金板の表面に、硫酸浴を使用して高電流密度条件でＳｎめっきを施す場合、Ｓｎめっき表面にめっき焼けが発生し易く、高電流密度条件において電流効率を向上させるために硫酸浴の温度を上昇させると、硫酸浴中のＳｎが酸化して大量のスラッジが発生する。また、硫酸浴に用いられる既存の光沢剤では泡が発生し易く、特に高速にてＳｎめっきを施すと、液量の増加に伴い多量の泡が発生するという欠点がある。
上記の特許文献１、２には、Ｓｎめっき用硫酸浴のスラッジ発生を抑制する方法については記載されているが、泡の発生防止及びＳｎめっき用硫酸浴中の不純物に起因するめっき焼けについては、その対策が開示されていない。

本発明は、前述の事情に鑑みてなされたものであり、銅合金板に高電流密度でＳｎめっきを施すに際し、泡立ちが少なくてスラッジの発生量も少なくめっき焼けも発生しない高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴及びその硫酸浴を用いた銅合金板へのＳｎめっき方法を提供することを目的とする。

この課題を解決するためには、本発明者らは、ハルセルテストにより、副成分である光沢剤の選定が重要であることに着目した。鋭意検討の結果、泡立ち対策としては、低気泡性であるポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルが最適であるが、高電流密度対応としては若干難があり、高電流密度に対応できる光沢剤として、適量のエチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物とポリオキシエチレンナフチルエーテルとを選んでポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルに添加することが効果的であることを見出した。高電流密度に対応できる光沢剤として２種類を選定したのは、１種類よりも２種類の方が相乗効果にて性能が向上するからである。
また、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルとポリオキシエチレンナフチルエーテルとを併用することにより、Ｓｎ用めっき硫酸浴中のＣｕ、Ｃｒ、Ｍｇイオン等の不純物に起因するめっき焼けを防止でき、更に、泡立ちも抑制することできるので、専用の消泡剤は不要となることも見出した。
また、脱酸素剤として、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルと相性の良い親水性のピロガロールを選定することにより、曇点（水と油が分離する温度）を低下させることなく、スラッジ対策にも充分な効果を発揮することがわかった。

即ち、本発明の銅合金板への高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴は、主成分として硫酸：３０〜１２０ｇ／ｌ、硫酸錫：２０〜１５０ｇ／ｌを含有するとともに、光沢剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル：０．３〜５ｇ／ｌ、エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物：０．０５〜３ｇ／ｌ、ポリオキシエチレンナフチルエーテル：０．０５〜５ｇ／ｌ、脱酸素剤としてピロガロール：０．１〜１０ｇ／ｌを含有することを特徴とする。

硫酸の濃度を３０〜１２０ｇ／ｌとしたのは、３０ｇ／ｌ未満ではめっき時の電流密度が上がらず、１２０ｇ／ｌを超えるとＳｎが溶解し難くなる。より好ましくは６０〜９０ｇ／ｌが良い。
硫酸錫の濃度を２０〜１５０ｇ／ｌとしたのは、２０ｇ／ｌ未満ではめっき時の電流密度が上がらず、１５０ｇ／ｌを超えても効果は飽和してコスト的に無駄となる。より好ましくは６０〜１２０ｇ／ｌが良い。

ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルの濃度を０．３〜５ｇ／ｌとしたのは、０．３ｇ／ｌ未満ではめっき焼け及び泡立ちを抑える効果が薄れ、５ｇ／ｌを超えると泡の発生が多くなる。より好ましくは１〜３ｇ／ｌが良い。
エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物の濃度を０．０５〜３ｇ／ｌとしたのは、０．０５ｇ／ｌ未満では光沢不足でめっき焼けが起き易く、３ｇ／ｌを超えると泡の発生が多くなる。より好ましくは０．１〜１．０ｇ／ｌが良い。
ポリオキシエチレンナフチルエーテルの濃度を０．０５〜５ｇ／ｌとしたのは、０．０５ｇ／ｌ未満ではめっき焼け及び泡立ちを抑える効果が薄れ、５ｇ／ｌを超えると泡の発生が多くなる。より好ましくは０．１〜１．０ｇ／ｌが良い。

ピロガロールの濃度を０．１〜１０ｇ／ｌとしたのは、０．１ｇ／ｌ未満では脱酸素剤及びスラッジ除去剤としての効果がなく、１０ｇ／ｌを超えると、泡立ち、スラッジの発生が多くなる。より好ましくは２〜６ｇ／ｌがよい。

更に、本発明の銅合金板へのＳｎめっき方法は、前記高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴中にて不溶性アノードを使用し、浴温１５〜５０℃、電流密度１５〜５０Ａ／ｄｍ^２で銅合金板にＳｎを電析させることを特徴とする。
各成分を本発明の通りに配合したＳｎめっき用硫酸浴を用い、不溶性アノードを使用し、浴温１５〜５０℃、電流密度１５〜５０Ａ／ｄｍ^２で銅合金板にＳｎを電析させることにより、硫酸浴中の泡立ちやスラッジの発生が抑えられ、光沢が充分でありめっき焼けも皆無なＳｎめっき皮膜が銅合金板の表面に形成される。

本発明により、取扱いが比較的簡単な無機酸の硫酸浴を用いて銅合金板に高電流密度でＳｎめっきを施すに際し、泡立ちが少なくてスラッジの発生量も少なく、めっき焼けも発生しない高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴及びその硫酸浴を用いた銅合金板へのＳｎめっき方法が提供される。

本発明の一実施形態の製造方法に使用される製造装置の例を示す概略構成図である。図１におけるめっき槽の細部構成を示す縦断面図である。図２における電極板と銅条材との位置関係を示す横断面図である。本発明の一実施形態の製造方法により製造されるめっき付銅条材の断面図であり、（ａ）がリフロー処理前の中間材の状態、（ｂ）がリフロー処理後の状態を示す。めっき処理中のレイノルズ数と電流効率との関係を示すグラフである。

以下に、本発明の実施形態を説明する。
本実施形態のＳｎめっき浴は、銅合金板にＳｎめっきを含む複数層のめっきを施した後にリフロー処理することによって製造されるめっき付き銅合金板のＳｎめっき処理に用いられる。

このＳｎめっき浴は、主成分として硫酸：３０〜１２０ｇ／ｌ、硫酸錫：２０〜１５０ｇ／ｌを含有するとともに、光沢剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル：０．３〜５ｇ／ｌ、エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物：０．０５〜３ｇ／ｌ、ポリオキシエチレンナフチルエーテル：０．０５〜５ｇ／ｌ、脱酸素剤としてピロガロール：０．１〜１０ｇ／ｌを含有し、残部が水からなる構成である。

主成分である硫酸及び硫酸錫は、無機酸であるためＳｎイオンが安定し、良好な導電性を有する。
硫酸の濃度は、３０ｇ／ｌ未満ではめっき時の電流密度が上がらず、１２０ｇ／ｌを超えるとＳｎが溶解しなくなる。より好ましい濃度としては６０〜９０ｇ／ｌである。
硫酸錫の濃度は、２０ｇ／ｌ未満ではめっき時の電流密度が上がらず、１５０ｇ／ｌを超えても効果は飽和して意味がない。より好ましい濃度としては６０〜１２０ｇ／ｌである。

光沢剤として用いられるポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルは化１の構造式により表される界面活性剤である。ポリオキシエチレン基の付加モル数がｎ＝５〜１５、スチレン基の付加モル数がｍ＝１〜１３であるものが好ましい。
ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルの濃度を０．３〜５ｇ／ｌとしたのは、０．３ｇ／ｌ未満ではでめっき焼けを及び泡立ちを抑える効果が薄れ、５ｇ／ｌを超えると泡の発生が多くなる。より好ましくは１〜３ｇ／ｌが良い。

エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物は、化２の構造式により表される界面活性剤である。好ましくは、疎水基（ポリオキシプロピレン）の分子量が２０００〜３０００であり、全分子量中に占める親水基（ポリオキシエチレン）の割合が５〜５０質量％の範囲のものが望ましく、５〜４０質量％が特に好ましい。
エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物の濃度を０．０５〜３ｇ／ｌとしたのは、０．０５ｇ／ｌ未満では光沢不足でめっき焼けが起き易く、３ｇ／ｌを超えると泡の発生が多くなる。より好ましくは０．１〜１．０ｇ／ｌがよい。

ポリオキシエチレンナフチルエーテルは、化３の構造式により表される界面活性剤であり、ポリオキシエチレン基の付加モル数がｎ＝５〜１５であるものが好ましい。
ポリオキシエチレンナフチルエーテルの濃度を０．０５〜５ｇ／ｌとしたのは、０．０５ｇ／ｌ未満ではめっき焼け及び泡立ちを抑える効果が薄れ、５ｇ／ｌを超えると泡の発生が多くなる。より好ましくは０．１〜１．０ｇ／ｌがよい。

脱酸素防止剤として用いられるピロガロールは、化４の構造式により表される有機化合物である。
ピロガロールの濃度を０．１〜１０ｇ／ｌとしたのは、０．１ｇ／ｌ未満では脱酸素剤及びスラッジ除去剤としての効果がなく、１０ｇ／ｌを超えると、泡立ち、スラッジの発生が多くなる。より好ましくは２〜６ｇ／ｌが良い。

本実施形態では、このようなＳｎめっき浴の他に、以下に述べるＮｉめっき浴、Ｃｕめっき浴を用いて、銅合金板に複数層のめっきを施してＳｎめっき付き銅合金板を製造する。
Ｎｉめっき浴は、硫酸を主成分とする硫酸浴である。このＮｉめっき浴中の硫酸濃度は、０．５〜５ｇ／ｌの範囲内に設定され、Ｎｉめっき浴中のＮｉ濃度（ＮｉＳＯ_４・６Ｈ_２Ｏ濃度）は、１５０〜４００ｇ／ｌの範囲内に設定されている。
また、Ｎｉめっき液のｐＨを１．０〜２．０とするのが好都合である。これにより、めっき時の水素発生により生成する水酸化ニッケルを溶解し、次工程でのＣｕ，Ｓｎめっきの付着性を良くことが可能である。
Ｃｕめっき浴は、硫酸を主成分とする硫酸浴である。このＣｕめっき浴中の硫酸濃度は、１０〜１００ｇ／ｌの範囲内に設定され、Ｃｕめっき浴中のＣｕ濃度（ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ濃度）は、１００〜３００ｇ／ｌの範囲内に設定されている。
なお、銅合金板１１としては、板厚が０．２５ｍｍ程度の条材とされてコイル状に巻き取られており、後述するようにめっき浴中を連続的に通過させられるようになっている。

そして、図４（ａ）に示すように、銅合金板１１の表面にＮｉめっき層１２を形成し、このＮｉめっき層１２の上にＣｕめっき層１３を形成し、さらに、Ｃｕめっき層１３の上にＳｎめっき層１４を形成した３層構造のめっき層を有する中間材１０をまず製造し、その後、この中間材１０をリフロー処理することによって、図４（ｂ）に示すように、Ｎｉめっき層１２と表面のＳｎめっき層１４との間にＣｕとＳｎとの金属間化合物層１５を有するめっき付き銅合金板１６を製造する。

次に、これらのめっき浴を用いて銅合金板に連続的にめっきを施す方法及びその装置について図１〜図３を参照して説明する。
この図１に示すめっき装置２１は、銅合金板の条材（銅条材と称す）１１に３層めっきした後、リフロー処理まで実施する装置である。すなわち、このめっき装置２１は、脱脂・洗浄槽２２、Ｎｉめっき槽２３、Ｃｕめっき槽２４、Ｓｎめっき槽２５、各めっき槽２３〜２５の後に配置される洗浄槽２６〜２８が連続して配置され、銅条材１１を脱脂・洗浄槽２２、Ｎｉめっき槽２３、Ｃｕめっき槽２４、Ｓｎめっき槽２５の順に連続的に搬送しながらめっきするようになっている。脱脂・洗浄槽２２は、さらに脱脂槽２２ａ、洗浄槽２２ｂ、酸洗槽２２ｃ、洗浄槽２２ｄによって構成されている。
この場合、いずれのめっき槽２３〜２５も、図２に示すように、連続的に走行する銅条材１１の両面と対向するように一対の電極板２９を配置しためっきタンク３０を備えている。各電極板２９は、チタン（Ｔｉ）に酸化イリジウム（ＩｒＯ_２）がコーティングされた不溶性電極板とされている。

また、各めっきタンク３０には、銅条材１１の走行方向を水平方向と垂直方向との間で屈曲させるように銅条材１１を巻回する給電ロール３１が設けられており、この給電ロール３１によって銅条材１１をカソードとし、めっきタンク３０内の電極板２９をアノードとして通電するようになっている。給電ロール３１は、ステンレス鋼により形成され、特に耐食性、耐摩耗性に優れるＳＵＳ３１６が好適に用いられる。そして、この給電ロール３１の表面は、粗さ曲線の最大断面高さＲｔで６μｍ以下とされる。また、めっき槽２３〜２５の下部には、各めっきタンク３０の間で銅条材１１を折り返すシンクロール３２が設けられている。
そして、めっき液は、図２に白抜き矢印で示したように、各めっきタンク３０内を銅条材１１の走行方向（実線矢印で示す）とは逆方向に流通させられる構成とされ、銅条材１１の走行とめっき液の流通とにより、各めっきタンク３０内で各電極板２９と銅条材１１との間に形成されるめっき液の流れ場におけるレイノルズ数が１×１０^４〜５×１０^５となるように、銅条材１１とめっき液とが相対移動されるようになっている。
また、各めっき槽２３〜２５内のめっき液は、循環タンク（図１にはＳｎめっき槽２５の循環タンクのみ示している）３３との間でポンプ３４により循環させられる構成とされている。

ここで、各めっき浴の温度は、Ｎｉめっき浴が３０〜６０℃、Ｃｕめっき浴が２０〜７０℃、Ｓｎめっき浴が１５〜５０℃にそれぞれ設定されている。
また、各めっき浴における電流密度は、１５〜５０Ａ／ｄｍ^２の範囲内に設定されている。電流密度の適正範囲は、めっき浴の組成、温度等によって変化することになる。本実施形態においては、電流密度の適正範囲が高電流密度側となるようにめっき浴の組成、温度を設定している。

そして、各めっき浴中のレイノルズ数が１×１０^４〜５×１０^５となるように、銅条材１１及びめっき液を相対移動させる。
このめっき浴におけるレイノルズ数Ｒｅは、めっき液と銅条材との相対速度Ｕ（ｍ／ｓ）とめっき槽内のめっき液の流れ場の相当直径Ｄｅ（ｍ）と、めっき液の動粘性係数ν（ｍ２／ｓ）との関係から、Ｒｅ＝ＵＤｅ／νによって求められる。めっき液の流れ場の相当直径Ｄｅは、図３に示す電極板２９の幅ａ、電極板２９と銅条材１１との間の間隔ｂとの関係から、Ｄｅ＝２ａｂ／（ａ＋ｂ）により求められる。

このレイノルズ数Ｒｅは、図５に示すように、大きい値に設定することにより電流効率は向上する。しかし、レイノルズ数が５×１０^５を超えると、理論電流効率値に限りなく近くなるが、Ｓｎめっきの場合は、めっき液中のスラッジが増大するため、好ましくない。一方、１×１０^４未満では攪拌効果が弱く、めっき焼けが発生し易くなる。
このため、いずれのめっき処理も、めっき液の流れ場をレイノルズ数１×１０^４〜５×１０^５にて乱流として、発生した水素ガスを連続的かつ効率的に排除し、処理板の表面に新鮮なめっき液を速やかに供給し、高電流密度によって均質なめっき層を短時間で形成することができる。なお、このレイノルズ数でのめっき処理を可能とするため、めっき液と銅条材１１との相対流速としては例えば０．５〜３ｍ／ｓｅｃとされる。このため、高速のめっきラインとすることができ、銅条材１１の走行速度（ライン速度）としては、例えば３５ｍ／分以上とすることが可能である。

このライン速度により、銅条材１１は、Ｎｉめっき浴中に十数秒間浸漬・通電され、厚さ０．５μｍ程度のＮｉめっき層１２が形成され、Ｃｕめっき浴中に十数秒間浸漬・通電され、厚さ０．５μｍ程度のＣｕめっき層１３が形成され、さらにＳｎめっき浴中に数十秒間浸漬・通電され、厚さ１μｍ程度のＳｎめっき層１４が形成される。

なお、大電流を通電させた際にはめっき浴の温度が上昇するため、熱交換器等によって温度調整することが好ましい。なお、めっき浴の温度が低い場合には、低電流密度で電流効率がピーク値となり、電流密度を高くすると電流効率が低下していく傾向にある。また、めっき浴の温度を高くすることで電流効率が向上することになるが、めっき浴の温度が高すぎるとめっきむらが発生する。

また、Ｓｎめっき槽２５には、泡除去手段３６及びスラッジ除去手段３７が併設されている。泡除去手段３６は、めっき槽２５から循環タンク３３に至る液戻り配管３５内のエア抜き機構、循環タンク３３のめっき液の一部を受け入れて消泡する消泡タンク、遠心分離により脱泡する遠心分離機などから構成される。また、スラッジ除去手段３７は、循環タンク３３にスラッジ沈降タンクを接続し、循環タンク３３から定量ずつスラッジ沈降タンクにめっき液を抜き取り、沈降剤を添加しつつスラッジを沈降させ、その上済み液を再び循環タンク３３に戻すようにしている。沈降したスラッジは、遠心分離機にかけられ、精錬会社に送られてＳｎとして再利用される。

また、この図１に示す製造装置においては、Ｓｎめっき槽２５よりも下流位置には、洗浄槽２８を経由した銅条材１１を乾燥する乾燥機４１が設けられる。また、その乾燥機４１の下流位置には、リフロー炉４２が設けられ、このリフロー炉４２に、一次冷却のための空冷ゾーン４３、二次冷却のための水冷ゾーン４４が備えられる。符号４５は、水冷ゾーン４４を経由した銅条材１１を乾燥する乾燥機である。

以上のようにして、銅条材１１の表面に、Ｎｉめっき層１２、Ｃｕめっき層１３およびＳｎめっき層１４を有する３層構造のめっき層を備えた銅条材（中間材）１０が製造され、リフロー処理によりめっき付銅条材１６が製造される。
このとき、Ｎｉめっき工程、Ｃｕめっき工程およびＳｎめっき工程において、Ｎｉめっき浴、Ｃｕめっき浴およびＳｎめっき浴におけるレイノルズ数が１×１０^４〜５×１０^５となるように設定されているので、高電流密度条件下での電流効率を向上させて効率良くＮｉめっき、ＣｕめっきおよびＳｎめっきを行うことができるとともに、めっき焼けを防止して均一なＮｉめっき層１２、Ｃｕめっき層１３およびＳｎめっき層１４を形成することができる。

また、Ｎｉめっき工程、Ｃｕめっき工程およびＳｎめっき工程における電流密度が１５〜５０Ａ／ｄｍ^２の範囲内に設定されているので、Ｎｉめっき層１２、Ｃｕめっき層１３およびＳｎめっき層１４を効率的に形成することができるとともに、スラッジの発生やめっき焼けの発生を確実に防止することができる。

また、Ｓｎめっき浴における硫酸濃度が３０〜１２０ｇ／ｌの範囲内に設定されているので、電流効率を向上させて効率良くＳｎを電析させることができるともに、硫酸によるめっき槽等の部材の劣化（溶解）を抑制できる。
さらに、Ｓｎめっき浴における硫酸錫濃度が２０〜１５０ｇ／ｌの範囲内に設定されているので、めっき焼けの発生及びスラッジの発生を抑えることができる。
また、光沢剤として、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテルに加え、適量のエチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物とポリオキシエチレンナフチルエーテルを選んで、これら３種類の光沢剤を前述した添加量で添加したことにより、泡の発生を抑制しながら高電流密度下でめっき焼けを起こすことなくめっき処理を実施することができる。
また、脱酸素剤として適量の親水性のピロガロールを選択したことにより、光沢剤との相性が良く、曇点を低下させることがないので、スラッジの抑制効果に優れるめっき浴となっている。
そして、このＳｎめっき浴温度が１５〜５０℃の範囲内に設定されているので、高い電流密度でも均一なＳｎめっき層１４を得ることができる一方、めっきむらの発生を防止できるとともに、泡やスラッジの発生を抑制できる。

なお、Ｓｎめっき槽２５において、図１に示すように、泡除去手段３６及びスラッジ除去手段３７を設けていることにより、めっき液の流量を増加しても泡やスラッジの発生が少なく、さらなる装置の大型化、高速化を図ることができる。
この場合、高速ラインにより給電ロールへの負荷が大きくなるが、給電ロールをＳＵＳ３１６の耐食性、耐摩耗性に優れるステンレス鋼とし、その表面粗さを粗さ曲線の最大断面高さＲｔで６μｍ以下としたことから、摩耗や銅条材による押し跡等が生じることがなく、めっき表面の品質を劣化させることがない。
したがって、この製造装置によれば、銅条材の幅が例えば６７０ｍｍ以上、ライン速度が例えば３５ｍ／分以上の大型で高速のめっき処理を実現することが可能となる。

さらに、本実施形態では、Ｓｎめっき層１４を形成した後にリフロー処理を行っているので、めっき時の応力を解放し、Ｓｎウィスカーの発生を防止できる。高電流密度条件下でＳｎめっきを形成した場合には、応力が高くなることがあるため、特に効果的である。

以上、本発明の実施形態であるめっき付銅条材の製造方法について説明したが、本発明はこの記載に限定されることはなく、その発明の技術思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、銅条材の表面に、Ｎｉめっき層、Ｃｕめっき層およびＳｎめっき層を有する３層構造のめっき層を備えためっき付銅条材を製造するものとして説明したが、これに限定されることはなく、例えば、銅条材の表面に、直接、Ｓｎめっき層を形成するものであってもよい。また、銅条材の表面にＣｕめっき層を形成し、このＣｕめっき層の上にＳｎめっき層を形成してもよい。さらに、銅条材の表面にＮｉめっき層を形成し、このＮｉめっき層の上にＳｎめっき層を形成してもよい。
また、Ｓｎめっき槽に泡除去手段及びスラッジ除去手段を設けたが、前述したように、めっき浴の構成により泡やスラッジの発生を抑制できるので、泡除去手段及びスラッジ除去手段は必ずしも必要ではない。

以下に本発明の実施例について説明する。
Ｎｉめっき浴については硫酸濃度を０．５〜５ｇ／ｌ、Ｎｉ濃度を１５０〜４００ｇ／ｌ、ｐＨを１．０〜２．０に調整し、浴温３０〜６０℃とした。Ｃｕめっき浴については硫酸濃度を１０〜１００ｇ／ｌ、Ｃｕ濃度を１００〜３００ｇ／ｌとし、浴温を２０〜７０℃とした。これらＮｉめっき、Ｃｕめっきにおける電流密度は１５〜５０Ａ／ｄｍ^２とした。
Ｓｎめっき硫酸浴の組成については、表１に示すように、硫酸、硫酸錫、各光沢剤、脱酸素剤の添加量を変えて複数種類の浴を構成し、それぞれ表１に示す温度、電流密度条件とした。表１にて、Ａはポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル、ＢはエチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物、Ｃはポリオキシエチレンナフチルエーテル、Ｄはピロガロールを示す。
いずれのめっき浴においても、アノードとしては、酸化イリジウム被覆チタンを使用し、レイノルズ数が１×１０^４〜５×１０^５となるように銅条材及びめっき液を相対移動させた。

銅合金板に以上の諸条件でＮｉめっき、Ｃｕめっき、Ｓｎめっきをこの順に施した後、リフロー処理し、Ｓｎめっき硫酸浴の泡立ち、スラッジの発生を観察するとともに、得られためっき付き銅合金板の表面のめっき焼けを観察した。
泡立ちについては、ＪＩＳＫ３３６２に準拠したロスマイルス法により、２５℃で５分後の泡高さを測定し、３０ｍｍ以下のものを○、３０ｍｍを超えたものを×とした。
めっき焼けについては、リフロー後のめっき処理材の表面を目視により観察し、めっき焼けが認めらないものを○、めっき焼けが認められたものを×とした。
スラッジについては、めっき処理後のＳｎめっき槽からめっき液を採取し、ろ過してスラッジの量を測定し、スラッジ量が５ｇ／ｌ未満であったものを○、５ｇ／ｌ以上を×とした。
これらの結果を表２に示す。

この表２の評価結果から明らかなように、本実施例の高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴は、泡立ちが少なくてスラッジの発生量も少なく、本実施例の高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴を使用して得られたＳｎめっき皮膜は、めっき焼けが皆無であることがわかる。

１０中間材
１１銅条材（銅合金板）
１２Ｎｉめっき層
１３Ｃｕめっき層
１４Ｓｎめっき層
１５Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層
１６めっき付銅条材（めっき付き銅合金板）
２１製造装置
２３〜２５めっき槽
２９電極板
３０めっきタンク
３１給電ロール
３３循環タンク
３５液戻り配管
３６泡除去手段
３７スラッジ除去手段
４２リフロー炉

Claims

主成分として硫酸：３０〜１２０ｇ／ｌ、硫酸錫：２０〜１５０ｇ／ｌを含有するとともに、光沢剤としてポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル：０．３〜５ｇ／ｌ、エチレンジアミンＥＯ−ＰＯ付加物：０．０５〜３ｇ／ｌ、ポリオキシエチレンナフチルエーテル：０．０５〜５ｇ／ｌ、脱酸素剤としてピロガロール：０．１〜１０ｇ／ｌを含有することを特徴とする銅合金板への高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴。
請求項１記載の高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴を用いて銅合金板へＳｎめっきを施す方法であって、前記高電流密度Ｓｎめっき用硫酸浴中にて不溶性アノードを使用し、浴温１５〜５０℃、電流密度１５〜５０Ａ／ｄｍ^２で銅合金板にＳｎを電析させることを特徴とする銅合金板へのＳｎめっき方法。