JP2012044098A - レーザ出射方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ポンプパワーの供給状態及びシードレーザ光の出力状態を容易に制御して、増幅レーザ光の立ち上がり特性を向上する。
【解決手段】レーザ出射方法は、ポンプパワーPBが、加工処理の開始後の定常状態において増幅レーザ光ABが加工処理を行う出力量となる基準量で供給される。また、シードレーザ光SBが継続的に発振出力される期間において、基準量よりも小さく、且つ増幅レーザ光ABによって被対象物が加工処理されないようにポンプパワーPBを供給する待機時供給ステップと、加工処理の開始時に、基準量よりも大きなポンプパワーPBとなるように供給する処理開始時供給ステップと、加工処理の開始後の定常状態において、基準量となるポンプパワーPBを供給する処理時供給ステップと、を順次実施する。これにより、ポンプパワーPBの供給量を制御するだけで、増幅レーザ光ABの立ち上がり特性を向上することができる。
【選択図】図2

Description

本発明は、レーザ発振手段から発振出力されるシードレーザ光を、レーザ増幅手段においてポンプパワーの供給量に応じて増幅し、増幅レーザ光としてレーザ増幅手段から出力して被対象物に加工処理を行うレーザ出射方法に関する。
近年、レーザ発振手段(Master Oscillator)と、レーザ増幅手段(Power Amplifier)とを備えたファイバレーザ加工装置、いわゆるMOPA方式のファイバレーザ加工装置によって高出力の増幅レーザ光を生成し、この増幅レーザ光を用いて被対象物に所定の加工処理(例えば、レーザマーキング加工、レーザ溶接加工等)を行う技術が注目されている。
本出願人が先に出願した特許文献1には、MOPA方式のファイバレーザ加工装置によってレーザ加工を行う技術が開示されている。前記特許文献1に示されるファイバレーザ加工装置は、シードレーザ発振部、ファイバコア励起部、増幅用の光ファイバ(以下、アクティブファイバともいう)、レーザ出射部、加工テーブル、制御部等を備えている。シードレーザ発振部はシードレーザ光をアクティブファイバに向けて発振出力する。ファイバコア励起部はコア励起用のレーザ光をアクティブファイバに向けて連続発振する。アクティブファイバは、コア励起用のレーザ光がコアを励起させることでシードレーザ光を増幅させる。これにより高出力の加工用レーザ光(すなわち増幅レーザ光)を出力する。レーザ出射部は、ファイバアンプから出力された加工用レーザ光を加工テーブル上の被加工物に集光照射する。制御部は、シードレーザ発振部、ファイバコア励起部、レーザ射出部等に接続されており、各レーザ光の出力状態(出力量や照射時間等)を制御して被加工物のレーザ加工を実施する。
図5は、特許文献1のファイバレーザ加工装置においてシードレーザ光、コア励起用のレーザ光、加工用レーザ光の照射状態を模式的に示す波形図である。図5Aに示すように、シードレーザ光SBは、レーザ加工を実施する際に、制御部によって出力量や出力タイミングが制御され、パルス波形として発振出力される。一方、コア励起用のレーザ光は、既述したようにシードレーザ光SBを増幅するポンプ用の光として出力される(以下、コア励起用のレーザ光をポンプパワーともいう)。図5Bに示すように、ポンプパワーPBは、制御部によって当該ポンプパワーPBの供給状態(供給量や供給時間)が制御され、レーザ加工前の待機時に、レーザ加工の供給量よりも低い供給量に抑制されて供給される。また、ポンプパワーPBは、レーザ加工を実施する際に、制御部によってアップスロープ勾配となるように供給量が増加され、その後一定時間連続的に同じ供給量で供給され、レーザ加工の実施後は緩やかに供給量が減少される。その結果、図5Cに示すように、ポンプパワーPBの供給状態に基づいてシードレーザ光SBが増幅されて、増幅レーザ光AB(加工用レーザ光)としてアクティブファイバから照射される。
特開2010−115698号公報
しかしながら、特許文献1のファイバレーザ加工装置では、図5Bに示すように、ポンプパワーPBを所定の供給量までアップスロープ勾配となるように緩やかに立ち上げるため、レーザ加工の開始後、すぐに所望の出力量となった増幅レーザ光ABを得ることができない。
また、ポンプパワーPBの供給量をアップスロープ勾配に制御しつつ、最初のシードレーザ光SBを出力するため、ポンプパワーPBとシードレーザ光SBの出力タイミングを制御することが難しくなる。
さらに、ポンプパワーPBを所定の供給量まで急勾配となるように立ち上げても、ファイバコア励起部やアクティブファイバ等が物理的特性の影響を受けることによって、レーザ加工の開始直後に増幅レーザ光の出力量が不足することがある。その結果、例えば、増幅レーザ光ABを用いて被加工物をレーザ加工する場合には、増幅レーザ光ABの出力量の不足によって照射箇所ににじみ等が形成され、加工品質を低下させる等の問題が生じる。
本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであって、ポンプパワーの供給状態及びシードレーザ光の出力状態を容易に制御して、増幅レーザ光の立ち上がり特性を向上することができ、それによって反応性に優れた増幅レーザ光を出力するレーザ出射方法を提供することを目的とする。
前記の主要な目的を達成するために、本発明は、レーザ発振手段から発振出力されるシードレーザ光をレーザ増幅手段によってポンプパワーの供給量に応じて増幅し、増幅レーザ光を前記レーザ増幅手段から出力して被対象物に加工処理を行うレーザ装置のレーザ出射方法であって、前記ポンプパワーは、前記加工処理の開始後の定常状態においては、前記増幅レーザ光が所定の出力量となる基準量で供給されるものであり、前記シードレーザ光が継続的に発振出力される期間において、前記加工処理の開始前に、前記基準量よりも小さく、且つ前記増幅レーザ光によって前記被対象物が加工処理されないように前記ポンプパワーを供給する待機時供給ステップと、前記加工処理の開始時に、前記基準量よりも大きい供給量となるように前記ポンプパワーを供給する処理開始時供給ステップと、前記加工処理の開始後の定常状態において、前記基準量で前記ポンプパワーを供給する処理時供給ステップと、を順次実施することを特徴とする。
上記の構成によれば、シードレーザ光を発振出力している期間中に、待機時供給ステップ、処理開始時供給ステップ、処理時供給ステップを順次実施することで、加工処理の開始直後に当該ポンプパワーが急峻に立ち上がるため、レーザ増幅手段は、増幅レーザ光が加工処理を行う出力量までシードレーザ光を短時間に増幅させることができる。したがって、増幅レーザ光の立ち上がり特性を向上することができ、加工処理の開始直後でも充分な出力量をもって増幅レーザ光を出力することができる。これにより、例えば、増幅レーザ光を用いて被加工物をレーザ加工する場合は、増幅レーザ光の照射箇所ににじみ等を生じさせない安定した加工品質を得ることができる。
前記処理開始時供給ステップは、前記増幅レーザ光の出力量が前記所定の出力量に対して一定の割合以上になるまで実施することが好ましい。
上記ステップによれば、処理開始時供給ステップの実施期間を増幅レーザ光の出力量に応じて適切な時間に設定することができ、増幅レーザ光の立ち上がり特性を一層向上することができる。
また、前記処理時供給ステップの実施終了直後に、前記ポンプパワーの供給を停止する処理後停止ステップを実施することが好ましい。
このように処理後停止ステップを実施することで、被対象物への加工処理が終了したとき、増幅レーザ光の出力量を急速に立ち下げることができ、増幅レーザ光の照射を短時間に停止することができる。
さらに、前記レーザ装置は、前記レーザ増幅手段が出力する前記増幅レーザ光の出力量を測定する増幅レーザ光測定手段と、前記ポンプパワーの供給量を制御する待機時制御手段と、を有し、前記待機時供給ステップでは、前記増幅レーザ光測定手段により測定された前記増幅レーザ光の出力量に基づいて、前記待機時制御手段により前記ポンプパワーの供給量を制御してもよい。
このように、増幅レーザ光測定手段によって測定された増幅レーザ光の出力量に基づいて、待機時制御手段がポンプパワーの供給量を制御することで、待機時供給ステップにおいてポンプパワーを最適な供給量に制御することができ、増幅レーザ光の出力量を確実に所定の加工処理を行わない出力量に保つことができる。
さらに、前記レーザ装置は、前記レーザ増幅手段が出射する前記増幅レーザ光の出力量を測定する増幅レーザ光測定手段と、前記ポンプパワーの供給量を制御する開始時制御手段と、を有し、前記処理時供給ステップでは、前記増幅レーザ光の出力量が前記増幅レーザ光測定手段により測定され、前記処理開始時供給ステップでは、前記測定された増幅レーザ光の出力量に基づいて、前記開始時制御手段により前記ポンプパワーの供給量を制御することもできる。
このように、処理時供給ステップの増幅レーザ光の出力量に基づいて、処理開始時供給ステップにおけるポンプパワーの供給量を制御することで、開始時制御手段は適当なポンプパワーの供給量を供給指示することができ、例えば、ポンプパワーの供給量を大きくし過ぎてオーバーシュートを発生させる等の不具合を回避しつつ、増幅レーザ光の立ち上がりを確実に急峻にすることができる。
本発明によれば、ポンプパワーの供給状態及びシードレーザ光の出力状態を容易に制御して、増幅レーザ光の立ち上がり特性を向上することができる。その結果、レーザ増幅手段は反応性に優れた増幅レーザ光を出力することができ、レーザマーキング加工、レーザ溶接加工等の種々の加工処理に好適なレーザ出射方法となる。例えば、本発明に係るレーザ出射方法によってレーザ加工を行う場合は、立ち上がり特性が優れていることで、増幅レーザ光の照射箇所ににじみ等を生じさせない安定した加工品質を得ることができる。
第1実施形態に係るファイバレーザ加工装置の要部を示したブロック図である。 本発明に係るレーザ出射方法におけるシードレーザ光、ポンプパワー、増幅レーザ光の照射状態を模式的に示す波形図であり、図2Aはシードレーザ光を示す図、図2Bはポンプパワーを示す図、図2Cは増幅レーザ光を示す図である。 所定の加工処理を行う際のポンプパワーの出力量と増幅レーザ光の出力量の関係を重ねて示す波形図であり、図3Aは本発明に係るレーザ出射方法を示す波形図、図3Bはポンプパワーの出力量をゼロの状態から立ち上げた場合を示す波形図である。 第2実施形態に係るファイバレーザ加工装置の要部を示したブロック図である。 特許文献1のファイバレーザ加工装置において各レーザ光の照射状態を模式的に示す波形図であり、図5Aはシードレーザ光を示す図、図5Bはポンプパワーを示す図、図5Cは増幅レーザ光を示す図である。
以下、本発明に係るレーザ出射方法について好適な実施の形態(第1、第2実施形態)を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。
本発明に係るファイバレーザ加工装置は、シードレーザ光を発振出力させてアクティブファイバのコアに伝搬させるとともに、コア励起用のレーザ光(ポンプパワー)をコアに供給することにより、当該シードレーザ光を増幅し所定波長の増幅レーザ光を出射するMOPA方式のファイバレーザ加工装置として構成されている。この増幅レーザ光は、例えば、レーザによるマーキング加工、レーザを用いた溶接加工等の加工処理に利用される。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係るファイバレーザ加工装置の構成を示すブロック図である。ファイバレーザ加工装置10は、シードレーザ光発振部11、第1、第2の増幅用光ファイバ(アクティブファイバ)12、14、及び光ビーム照射部16を、アイソレータ18、20、22及び光結合器24、26を介して光学的に縦続接続している。
シードレーザ光発振部11は、シードレーザ光SB’を発振出力するシード用のレーザダイオード(以下、レーザダイオードは単にLDという)30と、このシードLD30にパルス波形の電流を供給してパルス発振させるシード用LD電源回路32と、シードLD30の温度を制御するLD温調部34とを有している。シードLD30は、レーザダイオード素子を有するファイバカップリングLDとして構成されている。
シードレーザ光発振部11と第1のアクティブファイバ12との間に設けられる光結合器24は、複数(図1では3つ)の入力ポート24IN(1)、24IN(2)、24IN(3)と1つの出力ポート24OUTとを有している。第1の入力ポート24IN(1)には、アイソレータ18を介してシードLD30が接続される。第2の入力ポート24IN(2)には、第1のアクティブファイバ12のコアを励起するための励起用LD(以下、ポンプLDという)36が接続される。第3の入力ポート24IN(3)は、増設ポートであり、ここに別のポンプLD36(図示せず)を接続することも可能となっている。出力ポート24OUTには、アクティブファイバ12の入力端が接続される。
ポンプLD36は、シードLD30と同様に、ファイバカップリングLDによって構成されており、図示しないLD電源回路から励起用の電流が供給されることで、所定の波長を有する連続波(cw)の励起光PB’を出力する。このポンプLD36は、LD電源回路を介して主制御部44に接続され、出力する励起光PB’の出力量や出力時間が制御される。
第1のアクティブファイバ12は、少なくともYbイオンを添加した石英からなるコアと、このコアを同軸に取り囲む例えば石英からなるクラッドとを有しており、全長(ファイバ長)が例えば3〜15mに選ばれている。第1のアクティブファイバ12(第1段アンプ)の利得は、ポンプLD36の総合出力により、例えば10〜40dBの範囲で調節可能となっている。
この第1のアクティブファイバ12には、シードレーザ光発振部11、アイソレータ18及び光結合器24からシードレーザ光SB’が供給されるとともに、ポンプLD36及び光結合器24から励起光PB’が供給される。
第1のアクティブファイバ12は、シードレーザ光SB’をコアとクラッドとの境界面での全反射によって閉じ込められながらコアの中を軸方向にファイバ出力端側に向って伝搬させる。これと同時に、第1のアクティブファイバ12は、励起光PB’をクラッド外周界面の全反射によって閉じ込められながら軸方向に伝搬させる。この伝搬中に、励起光PB’がコアを何度も横切ることで、コア中のYbイオンが光励起される。こうして、アクティブファイバ12は、シードレーザ光SB’と励起光PB’が伝搬する間に、Yb添加コアにおいて励起光スペクトルの吸収とシードレーザ光スペクトルの誘導放出とが内部で繰り返し行われるようになり、その出力端から所望のパワー(たとえば200Wのピークパワー)に増幅したシードレーザ光SB(第1段増幅パルスの光ビーム)を出力することができる。
一方、第1のアクティブファイバ12と第2のアクティブファイバ14との間に設けられる光結合器26は、複数(図1では7つ)の入力ポート26IN(1)、26IN(2)〜26IN(7)と1つの出力ポート26OUTとを有している。第1の入力ポート26IN(1)には、アイソレータ20を介して第1のアクティブファイバ12の出力端が接続される。第2〜第5の入力ポート26IN(2)〜26IN(5)には、第2のアクティブファイバ14のコアを励起するための複数のポンプLD38がそれぞれ接続される。第6および第7の入力ポート26IN(6)、26IN(7)は空きポートとなっているが、必要に応じてポンプLD38を増設することもできる。出力ポート26OUTには、第2のアクティブファイバ14の入力端が接続される。
また、複数のポンプLD38は、前記ポンプLD36と同様に構成することができ、図示しないLD電源回路から励起用の電流が供給されることで、所定波長の連続波(cw)の励起光PB’を出力する。複数のポンプLD38が出力する各励起光PB’は、光結合器26において重ね合わされて、ポンプパワーPBとして第2のアクティブファイバ14のコアに供給される。また、複数のポンプLD38は、LD電源回路を介して主制御部44にそれぞれ接続され、出力する各励起光PB’の出力量や出力時間が制御される。
さらに、第2のアクティブファイバ14も、第1のアクティブファイバ12と同様に、少なくともYbを添加した石英からなるコアと、このコアを同軸に取り囲むたとえば石英からなるクラッドとを有しており、全長(ファイバ長)が例えば3〜15mに選ばれている。第2のアクティブファイバ14(第2段アンプ)の利得は、ポンプLD38の総合出力により例えば10〜40dBの範囲で調節可能となっている。
第2のアクティブファイバ14には、第1のアクティブファイバ12から出力されたシードレーザ光SBがアイソレータ20及び光結合器26を介して供給されるとともに、複数のポンプLD38から出力された各励起光PB’が光結合器26において統合されポンプパワーPBとして供給される。
第2のアクティブファイバ14では、シードレーザ光SBがコアの中を伝搬し、この伝搬中に、ポンプパワーPBがコア中のYbイオンを光励起することで当該シードレーザ光SBを増幅させる。これにより、第2のアクティブファイバ14は、増幅したシードレーザ光SBを増幅レーザ光AB(第2段増幅パルスの光ビーム)として出力端から出力する。
光ビーム照射部16は、第2のアクティブファイバ14の出力端より出力されるパルス波形の増幅レーザ光(加工用光ビーム)ABをたとえばコリメータ39、ビームスプリッタ40等の光伝送系を介して受け取り、受け取った増幅レーザ光ABをステージ42上の被対象物W表面の所望の位置に集光照射するようになっている。例えば、レーザマーキング加工を行う場合、光ビーム照射部16にはガルバノスキャナが搭載される。
また、ビームスプリッタ40では、増幅レーザ光ABの一部(例えば、増幅レーザ光ABの全出力量の1%程度)が取り出され、取り出された一部の増幅レーザ光ABは増幅レーザ光測定部48に導かれる。増幅レーザ光測定部48は、この増幅レーザ光ABの出力量を測定して、その測定データを主制御部44に送信する。増幅レーザ光測定部48の測定素子としては、例えばフォトダイオードが利用される。
主制御部44は、キーボード或いはマウス等の入力部46およびディスプレイ(図示せず)等を含むコンピュータによって構成することができる。主制御部44は、シードレーザ光発振部11のLD電源回路32及びLD温調部34、ポンプLD36、ポンプLD38、光ビーム照射部16及び増幅レーザ光測定部48等が接続され、これによりファイバレーザ加工装置10内の各部及び装置全体の制御を行う。主制御部44による制御時には、ユーザから入力部46を介して必要な情報が入力される。
次に、第1実施形態に係るファイバレーザ加工装置10において、マーキング加工を行う場合の主制御部44による各装置の制御及び各レーザ光の動作について具体的に説明する。
マーキング加工を行う場合、主制御部44は、シードレーザ光発振部11のLD電源回路32を介して、シードLD30に供給する電流の大きさ(電流量)、周波数等を適宜調整することで、シードLD30が出力するシードレーザ光SB’の出力状態(出力量、出力時間、周波数等)を制御する。これにより、シードレーザ光(LD光)SB’が所望のパルス幅(例えば、0.1〜200ns)、所望のピークパワー(例えば、10〜1000mW)及び所望の周波数(例えば、20〜500kHz)に制御されて、パルス波形として出力される。このシードレーザ光SB’は、アイソレータ18及び光結合器24を介して第1のアクティブファイバ12のコアに供給される。
また、主制御部44は、シードレーザ光SB’の出力制御と同時に、ポンプLD36に供給する電流の大きさ(電流量)等を調整することで、励起光PB’の出力状態を制御する。これにより、励起光PB’は連続波としてポンプLD36より出力され、光結合器24を介して第1のアクティブファイバ12のコアに供給される。
第1のアクティブファイバ12内に供給されたシードレーザ光SB’は、同じく第1のアクティブファイバ12内に供給された励起光PB’によって、コアを伝搬する間に増幅されて、第1のアクティブファイバ12の出力端から増幅されたシードレーザ光SB(第1段増幅パルスの光ビーム)として出力される。このシードレーザ光SBは、アイソレータ20および光結合器26を介して第2のアクティブファイバ14のコアに供給される。
一方、主制御部44は、複数のポンプLD38に供給する電流の大きさ(電流量)等を適宜調整することで、各ポンプLD38が出力する励起光PB’の出力状態(出力量や出力時間等)を制御することができる。これら各励起光PB’は、光結合器26内で統合されてポンプパワーPBとなる。すなわち、主制御部44は、複数のポンプLD38が出力する各励起光PB’の出力状態を変化させることで、第2のアクティブファイバ14に供給されるポンプパワーPBの供給状態(供給量及び供給時間)を制御することができる。
ここで、主制御部44には、第2のアクティブファイバ14に供給されるポンプパワーPBの供給状態を制御するレーザ出射方法の複数のステップがプログラミングされ記憶されている。これら複数のステップについては後述する。主制御部44は、ファイバレーザ加工装置10の動作に応じて必要なステップを読み出し、読み出したステップに基づいて、複数のポンプLD38が出力する各励起光PB’を調整し、ポンプパワーPBの供給状態を制御する。
第2のアクティブファイバ14では、ポンプパワーPBによってシードレーザ光SBが増幅されて、第2のアクティブファイバ14の出力端より所望のパワー(例えば、20kWのピークパワー)を有する増幅レーザ光AB(第2段増幅パルスの光ビーム)が出力される。増幅レーザ光ABは、上述したようにポンプパワーPBの供給状態が制御されることで、その出力状態(出力量や出力時間等)が制御されることになる。
第2のアクティブファイバ14の出力端から出力された増幅レーザ光ABは、コリメータ39、ビームスプリッタ40を介して光ビーム照射部16へ導かれる。このとき、増幅レーザ光ABは、増幅レーザ光測定部48によって出力量が測定され、この測定データは主制御部44に送信される。主制御部44は、待機時制御部(待機時制御手段)44a及び開始時制御部44b(開始時制御手段)を内部に有しており、これら待機時制御部44a及び開始時制御部44bは、増幅レーザ光測定部48が測定した増幅レーザ光ABの出力量の測定データと、予め記憶された光ファイバの長さ及びコア径等の光ファイバ情報とに基づいて、各励起光PB’の出力量、出力時間等を補正することで、第2のアクティブファイバ14に供給するポンプパワーPBの供給量、供給時間等の補正を行うことができる。
なお、増幅レーザ光測定部48で異常パルスが測定された場合は、ポンプLD36、38に供給する各電流の大きさ等を変更させるように制御することが好ましい。これにより、各励起光PB’、PB’に起因する異常パルスの発生を抑制することができ、第2のアクティブファイバ14から最終的に出力される増幅レーザ光ABの出力状態を安定化することができる。
光ビーム照射部16は、マーキング加工用のガルバノスキャナおよびfθレンズを備えている。ガルバノスキャナは、直交する2方向に首振り運動の可能な一対の可動ミラーを有しており、主制御部44の制御の下でシードレーザ光発振部11のパルス発振動作に同期して両可動ミラーの向きを所定角度に制御することで、増幅レーザ光ABをステージ42上の被加工物W表面の所望の位置に集光照射する。被加工物Wの表面に施されるレーザ加工は、典型的には文字や図形等を描画するマーキング加工であるが、トリミング等の他の表面除去加工等も可能である。
このファイバレーザ加工装置10においては、上記のようにシードLD30より出力されるパルス波形のシードレーザ光SB’を第1及び第2のアクティブファイバ12、14の中で増幅して増幅レーザ光ABとしている。このため、シードレーザ光SB’の特性(パルス幅、ピーク値、周波数等)がそのまま、または一定の比例関係で、増幅レーザ光ABの特性を左右する。
次に、本発明の形態に係るレーザ出射方法について図2を参照して説明する。ファイバレーザ加工装置10の主制御部44は、動作開始後、増幅レーザ光ABが所定の加工処理(レーザマーキング加工)を行う準備段階(待機期間)において、LD電源回路32からシードLD30に電流を供給させて、出力量(ピーク値)及び周波数が一定に保たれたシードレーザ光SB’を連続的に発振出力させる。
さらに、主制御部44は、ポンプLD36に電流を供給させて、出力量が一定に保たれた励起光PB’を連続的に発振出力させる。これにより、第1のアクティブファイバ12では、シードレーザ光SB’が励起光PB’によって増幅され、その出力端からは、出力量及び周波数が一定に保たれたシードレーザ光SBが発振出力される(図2A参照)。
主制御部44は、上述したシードレーザ光SBが発振出力されている期間において、待機時供給ステップ、処理開始時供給ステップ、処理時供給ステップ、処理後停止ステップを順次連続して実施する。すなわち、各ステップに従って複数のポンプLD38から出力される各励起光PB’の出力量を制御することで、光結合器26を介して第2のアクティブファイバ14に供給されるポンプパワーPBの供給量を制御する。
図2Bに示すように、マーキング加工開始前に実施する待機時供給ステップでは、増幅レーザ光ABによって被対象物Wがマーキング加工されないように、マーキング加工の基準量よりも小さいポンプパワーPBを供給する。すなわち、主制御部44は、待機用の電流量に設定した電流を複数のポンプLD38に供給させて、各励起光PB’を連続的に出力させる。この待機用の電流量としては、ポンプパワーPBの供給量がポンプパワーPBの最大供給量の10%以下となるように設定することが好ましい。これにより、ポンプパワーPBによって増幅する増幅レーザ光ABが確実にマーキング加工を行わない出力量とすることができる。
この待機時供給ステップでは、ポンプパワーPBが第2のアクティブファイバ14に供給されると、光ファイバのコアを励起してシードレーザ光SBを増幅させるが、図2Cに示すように、生成される増幅レーザ光ABの出力量はマーキング加工を行わない程度に抑えられる。このため、第2のアクティブファイバ14から増幅レーザ光ABが出射されても、増幅レーザ光ABが被加工物Wに行うマーキング加工には影響を及ぼすことがない。
待機期間において待機時供給ステップを実施した後、増幅レーザ光ABが所定の加工処理を行う期間(処理期間)に移ると、次に処理開始時供給ステップを実施する。図2Bに示すように、処理開始時供給ステップでは、ポンプパワーPBがマーキング加工の基準量よりも大きくなるように供給し、増幅レーザ光ABの出力量を短時間に立ち上げる。すなわち、主制御部44は、ポンプLD38のLD電源回路に対して、マーキング加工を行うときに供給する電流量よりも大きい開始時用の電流量に設定した電流を、複数のポンプLD38に供給するように供給指示を行う。
この開始時用の電流量としては、ポンプパワーPBの供給量が、マーキング加工を行うときのポンプパワーPBの供給量の110%以上となるように設定することが好ましい。また、処理開始時供給ステップの実施時間は、処理時供給ステップにおいて増幅レーザ光ABがマーキング加工を行う出力量に対して、一定の割合以上になるように設定することが好ましい。この場合、例えば、処理開始時供給ステップの実施時間は、処理開始時供給ステップを実施しないときに、増幅レーザ光ABが実際にマーキング加工を行う出力量に達するまでの時間の20%以上とすることができる。このようにポンプパワーPBの供給量及び供給時間を制御することにより、増幅レーザ光ABの立ち上がり特性を一層確実に向上することができる。よって、図2Cに示すように、待機時供給ステップ後に、第2のアクティブファイバ14では、急峻に立ち上がったポンプパワーPBによって短時間に所定の出力量に増幅した増幅レーザ光ABが出力される。
処理開始時供給ステップを実施した後は、処理時供給ステップを実施する。処理時供給ステップでは、ポンプLD38からマーキング加工を行う基準量となるポンプパワーPBを供給させる。これにより、基準量のポンプパワーPBが第2のアクティブファイバ14に供給されて、光ファイバのコアを励起させシードレーザ光SBを増幅させる。そして、第2のアクティブファイバ14から増幅レーザ光ABが出力されることで、被対象物Wにマーキング加工が行われる。
さらに、処理時供給ステップの実施終了直後に、処理後停止ステップを実施する。処理後停止ステップでは、ポンプパワーPBが一定時間供給停止となるように誘導する。すなわち、主制御部44は、ポンプLD38に供給する電流を停止して、ポンプパワーPBを急激に立ち下げる。この処理後停止ステップの実施時間は、処理後停止ステップを実施しないときに、増幅レーザ光ABが実際に出力値がゼロとなるまでの時間の20%以上であることが好ましい。これにより、第2のアクティブファイバ14では、ポンプパワーPBによるシードレーザ光SBの増幅が短時間に停止されることとなり、増幅レーザ光ABの出射をすぐに停止することができる。
また、増幅レーザ光ABによって再度マーキング加工を行う場合は、処理後停止ステップを実施した後の待機期間中に、改めて待機時供給ステップを実施しておくことで、再度処理期間に移ったときに所望の出力状態となった増幅レーザ光ABを得ることができる。
以上のように、第1実施形態のレーザ出射方法では、上述した各ステップに従って、ポンプパワーPBの供給状態を容易に制御することができ、所望の増幅レーザ光ABを得ることができる。
図3は所定の加工処理を行う際のポンプパワーPBの出力量と増幅レーザ光ABの出力量の関係を重ねて示す波形図であり、図3Aは本発明に係るレーザ出射方法を示す波形図、図3BはポンプパワーPBの出力量をゼロの状態から立ち上げた場合を示す波形図である。
続いて、図3Aに示す本発明に係るレーザ出射方法と、図3Bに示す他のレーザ出射方法とを比較することで、本発明に係るレーザ出射方法の作用効果を説明する。図3Bに示す他のレーザ出射方法では、待機期間においてポンプパワーPBの供給量がゼロであり、処理期間に移行して所定の加工処理を開始するときに、増幅レーザ光ABが所定の加工処理を行う出力量となるようにポンプパワーPBの供給量を立ち上げている。この場合、第2のアクティブファイバ14は、主制御部44の供給状態の指示に応じてポンプパワーPBが供給されても、実際には光ファイバのコアやクラッド等が物理的特性の影響を受けることで、光ファイバにおいてすぐに増幅された増幅レーザ光ABを出力することができず、遅れ時間が経過した後に出力を開始する。このため、増幅レーザ光ABの生成には時間ロスが生じる。同様に、図5に示す特許文献1のレーザ出射方法でも、ポンプパワーPBの供給後にシードレーザ光SBを発振出力するように制御しているため、増幅レーザ光ABの生成が遅れることになる。
これに対し、図3Aに示す本発明に係るレーザ出射方法では、待機期間中の待機時供給ステップにおいて、コアを励起するポンプパワーPBを第2のアクティブファイバ14に供給しておくことで、この第2のアクティブファイバ14のコアを励起状態に維持している。このため、処理期間に移行した処理開始時供給ステップでは、当該第2のアクティブファイバ14からすぐに増幅レーザ光ABを出力することができる。したがって、増幅レーザ光ABは、第2のアクティブファイバ14の遅れ時間による時間ロスがなく生成される。このように、増幅レーザ光ABのロス時間がなくなることで、増幅レーザ光ABを用いて被加工物Wをマーキング加工する場合は、作業効率を向上することができ、マーキング加工の高速化を実現することが可能となる。
また、待機時供給ステップにおいて、主制御部44の待機時制御部44aは、増幅レーザ光測定部48が送信してきた増幅レーザ光ABの出力量の測定データに基づいて、ポンプLD38に供給する待機用の電流量を逐次補正している。これにより、ポンプパワーPBを最適な供給量に制御することが可能となり、待機時供給ステップにおいて増幅レーザ光ABの出力量を確実にマーキング加工を行わない出力量に保つことができ、しかもマーキング加工開始時の遅れ時間を一層確実に短縮することができる。
なお、待機時供給ステップは、処理開始時供給ステップを行う直前の一定時間だけ実施する構成としてもよい。このように処理開始時供給ステップの直前に待機時供給ステップを実施しても、第2のアクティブファイバ14を励起状態とすることができ、処理開始時供給ステップでは、第2のアクティブファイバ14からすぐに増幅レーザ光ABを出力することができる。しかも、処理開始時供給ステップの直前の一定時間だけ電流をポンプLD38に供給するため、マーキング加工実施時のエネルギコスト等を低減することができる。
さらに、図3Bに示す他のレーザ出射方法では、光ファイバのコアやクラッド等が物理的特性の影響を受けることで、実際にはマーキング加工の開始直後に第2のアクティブファイバ14がシードレーザ光SBを急峻に増幅させることができない。よって、シードレーザ光SBが緩やかに増幅され、増幅レーザ光ABの出力開始時の出力量を不足させることになる。同様に、図5に示す特許文献1のレーザ出射方法も、ポンプパワーPBをアップスロープ勾配となるように緩やかに立ち上げるため、増幅レーザ光ABの出射開始時の出力量を不足させる。
これに対し、図3Aに示す本発明に係るレーザ出射方法では、処理開始時供給ステップにおいて、増幅レーザ光ABがマーキング加工を行う出力量(基準量)よりも大きな出力量のポンプパワーPBを一定時間供給する。このため、マーキング加工の開始直後に、第2のアクティブファイバ14は、コアが大きく励起することになり、シードレーザ光SBを短時間に増幅させることができる。よって、増幅レーザ光ABの出力開始時であっても充分な出力量をもって増幅レーザ光ABを出射することができる。これにより、例えば、増幅レーザ光ABを用いて被加工物Wをマーキング加工する場合は、増幅レーザ光ABの照射箇所ににじみ等を生じさせない安定した加工品質を得ることができる。
また、主制御部44の開始時制御部44bは、処理時供給ステップにおいて、増幅レーザ光測定部48が送信してきた増幅レーザ光ABの出力量の測定データに基づいて、処理開始時供給ステップにおけるポンプパワーPBの供給量を自動的に設定している。この自動的に設定したポンプパワーPBの供給量に基づき、開始時制御部44bは開始時用の電流量を補正し、次回にマーキング加工を行う場合に、当該補正した開始時用の電流量を供給させる。これにより、例えば、ポンプパワーPBの供給量を大きくし過ぎてオーバーシュートを発生させる等の不具合を回避しつつ、ポンプパワーPBの立ち上がりを確実に急峻にすることができる。
以上、第1実施形態のファイバレーザ加工装置10は、本発明に係るレーザ出射方法を容易に実施することができ、シードレーザ光SBが継続的に発振出力している期間に、ポンプパワーPBの供給量を各ステップに応じて制御するだけで、増幅レーザ光ABの立ち上がり特性を向上することができる。すなわち、本発明に係るレーザ出射方法は、ファイバレーザ加工装置10において反応性に優れた増幅レーザ光ABを出射させることができ、レーザマーキング加工、レーザ溶接加工等の種々の加工処理に適用可能な汎用性を有するものである。
<第2実施形態>
図4は、第2実施形態に係るファイバレーザ加工装置の要部を示したブロック図である。第2実施形態に係るファイバレーザ加工装置100は、第1実施形態に係るファイバレーザ加工装置10と異なり、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)からなるレーザ結晶を用いてシードレーザ光SBを生成する構成であり、この場合でも本発明に係るレーザ出射方法を適用することができる。
図4に示すように、ファイバレーザ加工装置100は、ポンプパワーPBを供給するポンプパワー供給部102と、シードレーザ光SBを出力するシードレーザ光発振部104と、ポンプパワーPBを所定の光路に導くためのミラー106と、シードレーザ光SBをポンプパワーPBにより増幅し増幅レーザ光ABとして出射するアクティブファイバ部(レーザ増幅手段)108と、増幅レーザ光ABの出力量を測定するための増幅レーザ光測定部(増幅レーザ光測定手段)110と、主制御部112と、を含む構成である。
ポンプパワー供給部102は、LD部114と、電源部116と、を有している。LD部114は、複数のレーザダイオード素子を有するファイバカップリングLDとして構成されている。LD部114は、電源部116から供給された電流によって発光駆動され、コアを励起するための励起光であるポンプパワーPBを出力する。
電源部116は、電流の大きさ(電流量)を、主制御部112の供給指示に基づいて変更できるLD電源回路として形成されている。なお、電源部116は、例えば励起電流が40A以下の範囲内で変更できるように形成することができる。
シードレーザ光発振部104は、シード励起用光源118と、電源部120と、シードレーザ光出力部122と、を備える。シード励起用光源118は、ファイバカップリングLDによってYAG用励起光EBを発振出力する。シード励起用光源118及び電源部120は、発振波長やパワー等が異なるが、ポンプパワー供給部102のLD部114及び電源部116と同様の構成でよい。
シードレーザ光出力部122は、活性媒質としてのYAGロッド124と、YAGロッド124とシード励起用光源118との間の光路に設けられた第1共振器ミラー126と、YAGロッド124を挟んで第1共振器ミラー126と対向する第2共振器ミラー128と、YAGロッド124と第2共振器ミラー128との間に設けられたQスイッチ素子130と、を備えている。
YAGロッド124は、シード励起用光源118から発振されるYAG用励起光EBが通過することで、YAGからなるレーザ結晶が連続的にポンピングされる。シードレーザ光SBは、この連続ポンピングによってYAGロッド124の励起エネルギが蓄積された後、蓄積状態から誘導放出されることで出力される。
第1及び第2共振器ミラー126、128は、YAGロッド124から出力されるシードレーザ光SBのエネルギを共振増幅させる。第1共振器ミラー126は、シード励起用光源118から出力されたYAG用励起光EBを透過させ、且つYAGロッド124から導かれたシードレーザ光SBをその光軸に沿って全反射させる。第2共振器ミラー128は、YAGロッド124から導かれたシードレーザ光SBをその光軸に沿って部分反射させ、一部のシードレーザ光SBを透過させる。
Qスイッチ素子130は、例えば音響光学スイッチを適用することができる。この場合、Qスイッチ素子130は、主制御部112から導かれる高周波電気信号によってスイッチング駆動する。具体的には、Qスイッチ素子130は、主制御部112によって高周波電気信号が印加されている時に、YAG用励起光EBによって連続ポンピングしたYAGロッド124の励起エネルギを蓄積増大させ(電子のエネルギ準位を反転分布状態とし)、前記高周波電気信号の印加が停止された時に、蓄積した励起エネルギを誘導放出する(反転分布状態を下げる)ことで、ジャイアントパルスのシードレーザ光SBを出射させる。なお、Qスイッチ素子130として、電気光学Qスイッチ又は機械的Qスイッチ等を適用してもよい。
また、第2実施形態では活性媒質としてYAGを用いているが、これに代えて、ネオジム添加YAGを用いたNd:YAG、またはYVO等といった他の媒質を用いることもできる。
ミラー106は、シードレーザ光SBの光路上に設けられ、シードレーザ光SBを透過させるとともに、ポンプパワーPBをシードレーザ光SBの光軸方向に全反射させる。これにより、ポンプパワーPB及びシードレーザ光SBをアクティブファイバ部108に導くことができる。
アクティブファイバ部108は、アクティブファイバ132と、第1集光レンズ134と、コリメートレンズ136と、を有する。アクティブファイバ132は、中心軸上に延びたコア138と、コア138と同軸に設けられてコア138を取り囲むクラッド140と、クラッド140を覆う被覆142とを含む。コア138は、例えば希土類元素としてイオンがドープされた石英ガラスから形成されている。希土類元素としては、例えばイッテルビウム(Yb)やネオジム(Nd)等が用いられる。コアの直径(コア径)は、任意に設定してよいが100μm以下、例えば50μmに設定することができる。
クラッド140は、コア138を覆うインナークラッド(図示せず)と、当該インナークラッドを覆うアウタークラッド(図示せず)とを有しており、いわゆるダブルクラッドファイバーとして構成されている。
アクティブファイバ132の一端部には、ポンプパワーPB及びシードレーザ光SBが入射される入力端144が形成され、他端部には増幅レーザ光ABを出射するための出力端146が形成される。コア138及びクラッド140は、これら入力端144及び出力端146に臨むように形成されている。アクティブファイバ132の長さは、本実施の形態では30m以内の長さに設定しているが、任意に設定することができる。
第1集光レンズ134は、ミラー106から導かれるポンプパワーPB及びシードレーザ光SBをアクティブファイバ132の入力端144に集光する。
コリメートレンズ136は、アクティブファイバ132の出力端146から出射される増幅レーザ光ABをコリメート(平行化)して増幅レーザ光測定部110に入射する。
増幅レーザ光測定部110は、アクティブファイバ132から出力された増幅レーザ光ABを透過又は反射して所定方向に分離するビームスプリッタ148と、ビームスプリッタ148にて反射された増幅レーザ光ABを集光する集光レンズ150と、集光レンズ150にて集光された増幅レーザ光ABの出力を測定する測定部152とを有する。ビームスプリッタ148は、反射された増幅レーザ光ABのエネルギが反射される前の増幅レーザ光ABが有するエネルギの1%程度になるように設定されている。測定部152としては、例えばフォトダイオードが利用される。増幅レーザ光測定部110は、アクティブファイバ部108が出射する増幅レーザ光ABの出力量を測定すると、その測定データを主制御部112に送信する。
主制御部112は、第1実施形態と同様に、コンピュータ等によって構成することができ、図示しない入出力部を介して、ポンプパワー供給部102、シードレーザ光発振部104に接続されている。主制御部112は、待機時制御部(待機時制御手段)112a及び開始時制御部(開始時制御手段)112bを有し、ポンプパワー供給部102からアクティブファイバ部108に供給されるポンプパワーPBの供給状態(供給量や供給時間等)を制御するとともに、シードレーザ光発振部104において出力されるシードレーザ光SBの出力状態(出力量や出力時間等)を制御する。
ポンプパワーPBの供給状態を制御する場合は、主制御部112がポンプパワー供給部102の電源部116に対して供給指示の信号を送り、LD部114に供給する電流の大きさ(電流量)を適宜制御する。この電流の制御により、LD部114が出力するポンプパワーPBの供給量、供給時間を変化させ、ポンプパワーPBが所望の波形となるように制御することができる。また、主制御部112には、ポンプパワーPBの供給量及び供給時間を制御する本発明に係るレーザ出射方法の複数のステップがプログラミングされ記憶されている。レーザ出射方法の複数のステップは、第1実施形態と同様である。主制御部112は、ファイバレーザ加工装置100の動作に応じて必要なステップを読み出し、読み出したステップに基づいて、ポンプパワーPBの供給状態を制御することで、アクティブファイバ部108から出射される増幅レーザ光ABを所望の出力状態(出力量や出力時間等)に近づけることができる。
一方、シードレーザ光SBの出力状態を制御する場合は、主制御部112が電源部120に対して出力指示の信号を送り、シード励起用光源118に供給する電流の大きさ(電流量)を適宜制御する。この電流の制御により、シード励起用光源118が出力するYAG用励起光EBの出力量、出力時間、周波数等を変化させることができる。さらに、主制御部112は、シードレーザ光出力部122のQスイッチ素子130のスイッチング駆動を制御することで、YAG用励起光EBがポンピングするYAGロッド124の励起エネルギを変化させる。これにより当該励起エネルギの放出と蓄積を継続的に繰り返すシードレーザ光SBをシードレーザ光出力部122から発振出力させる。なお、Qスイッチ素子130の制御は、例えば主制御部112内に高周波を発生する発振回路を設けることで、当該発振回路が出力する高周波電気信号によってスイッチング駆動するように構成してもよい。
また、主制御部112は、増幅レーザ光測定部110の測定部152が接続されており、当該測定部152から増幅レーザ光ABの出力量が測定されて測定データとして受け取る。主制御部112の待機時制御部112a及び開始時制御部112bは、測定部152が測定した出力量の測定データと、予め記憶された光ファイバの長さ及びコア径等の光ファイバ情報とに基づいて、ポンプパワーPBの供給量、供給時間、或いはYAG用励起光EBの出力量、出力時間の補正を行う。
なお、主制御部112は、例えば、測定部152で異常パルスが測定された場合に、各電源部116、120が供給する電流の大きさ、或いはQスイッチ素子130がスイッチングする周波数のうち少なくともいずれか1つが変更されるように制御することが好ましい。これにより、アクティブファイバ部108に供給されるポンプパワーPBの供給状態やシードレーザ光SBの出力状態を変更することができるので、ポンプパワーPB及びシードレーザ光SBに起因する異常パルスの発生を抑制することができる。
次に、本ファイバレーザ加工装置100における各レーザ光EB、SB、AB及びポンプパワーPBの経路について具体的に説明する。既述したように、シードレーザ光SBはYAG用励起光EBによって励起される。YAG用励起光EBは、主制御部112からの出力指示により電源部120から励起用の電流がシード励起用光源118に供給されることで出力される。出力されたYAG用励起光EBは、シードレーザ光出力部122の第1共振器ミラー126を透過しYAGロッド124に導かれる。これによりYAGロッド124が励起される。シードレーザ光SBは、このYAGロッド124の励起エネルギと、高周波電気信号によってスイッチング駆動したQスイッチ素子130に基づいて出力される。すなわち、シードレーザ光SBは、Qスイッチ素子130のスイッチング駆動によって励起エネルギの誘導放出(ピーク出力値)と蓄積(ゼロ出力値)とを繰り返すパルス波として発振出力される。シードレーザ光SBは、Qスイッチ素子130を通過して第1及び第2共振器ミラー126、128にて共振増幅された後に、第2共振器ミラー128を透過してシードレーザ光出力部122から出力される。その後、シードレーザ光SBは、ミラー106を透過して、アクティブファイバ部108の第1集光レンズ134にて集光され、アクティブファイバ132の入力端144に入射される。
一方、ポンプパワーPBは、ポンプパワー供給部102の電源部116から励起用の電流がLD部114に供給されることで出力される。出力されたポンプパワーPBは、ミラー106に反射されて、アクティブファイバ部108に供給される。
アクティブファイバ部108に供給されたポンプパワーPBは、第1集光レンズ134にて集光されてアクティブファイバ132の入力端144に入射することで、コア138を複数回横切りながらクラッド140内を伝搬してコア138内の希土類元素を励起する。これにより、同じく入力端144から入射されたシードレーザ光SBは、アクティブファイバ132のコア138を伝搬している間に、活性状態のコア138の中で所定の出力量まで増幅され、増幅レーザ光ABとして出力端146から出力される。ポンプパワーPBは、加工処理(例えば、レーザマーキング加工)の開始後の定常状態(図2Cに示す処理期間中に増幅レーザ光が安定的に出力される状態)において、アクティブファイバ部108に基準量が供給される。これにより、加工処理が行われる出力量まで増幅レーザ光ABを増幅させることができる。
アクティブファイバ132の出力端146から出力された増幅レーザ光ABは、コリメートレンズ136及びビームスプリッタ148を透過し、所定の加工処理(例えば、マーキング加工)に用いられる。
ここで、本発明に係るレーザ出射方法は、シードレーザ光SBが継続的に発振出力している期間に、ポンプパワーPBの供給量を各ステップに応じて制御する構成となっているため、第2実施形態に係るファイバレーザ加工装置100においても容易に実施することが可能である。
すなわち、ファイバレーザ加工装置100がレーザ加工を行う場合、シードレーザ光SBが発振出力されている期間において、主制御部112は、待機時供給ステップ、処理開始時供給ステップ、処理時供給ステップ、処理後停止ステップを順次連続して実施し、ポンプパワー供給部102からアクティブファイバ部108に供給するポンプパワーPBの供給量を制御する。これにより、第2実施形態に係るファイバレーザ加工装置100でも、増幅レーザ光ABの立ち上がり特性を向上することができる。その結果、反応性に優れた増幅レーザ光ABを出射することができ、レーザマーキング加工、レーザ溶接等の種々の加工処理に好適な汎用性が高いレーザ出射方法となる。
上記において、本発明について好適な実施の形態を挙げて説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の改変が可能なことは言うまでもない。
10、100…ファイバレーザ加工装置 11、104…シードレーザ光発振部
12…第1のアクティブファイバ 14…第2のアクティブファイバ
16…光ビーム照射部 24、26…光結合器
30…シードLD 36、38…ポンプLD
44、112…主制御部 48、110…増幅レーザ光測定部
102…ポンプパワー供給部 108…アクティブファイバ部
122…シードレーザ光出力部 132…アクティブファイバ
AB…増幅レーザ光 EB…YAG用励起光
PB…ポンプパワー SB、SB’…シードレーザ光

Claims (5)

  1. レーザ発振手段から発振出力されるシードレーザ光をレーザ増幅手段によってポンプパワーの供給量に応じて増幅し、増幅レーザ光を前記レーザ増幅手段から出力して被対象物に加工処理を行うレーザ装置のレーザ出射方法であって、
    前記ポンプパワーは、前記加工処理の開始後の定常状態においては、前記増幅レーザ光が所定の出力量となる基準量で供給されるものであり、
    前記シードレーザ光が継続的に発振出力される期間において、
    前記加工処理の開始前に、前記基準量よりも小さく、且つ前記増幅レーザ光によって前記被対象物が加工処理されないように前記ポンプパワーを供給する待機時供給ステップと、
    前記加工処理の開始時に、前記基準量よりも大きい供給量となるように前記ポンプパワーを供給する処理開始時供給ステップと、
    前記加工処理の開始後の定常状態において、前記基準量で前記ポンプパワーを供給する処理時供給ステップと、
    を順次実施することを特徴とするレーザ出射方法。
  2. 請求項1記載のレーザ出射方法において、
    前記処理開始時供給ステップは、前記増幅レーザ光の出力量が前記所定の出力量に対して一定の割合以上になるまで実施することを特徴とするレーザ出射方法。
  3. 請求項1又は2記載のレーザ出射方法において、
    前記処理時供給ステップの実施終了直後に、前記ポンプパワーの供給を停止する処理後停止ステップを実施することを特徴とするレーザ出射方法。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載のレーザ出射方法において、
    前記レーザ装置は、前記レーザ増幅手段が出力する前記増幅レーザ光の出力量を測定する増幅レーザ光測定手段と、前記ポンプパワーの供給量を制御する待機時制御手段と、を有し、
    前記待機時供給ステップでは、前記増幅レーザ光測定手段により測定された前記増幅レーザ光の出力量に基づいて、前記待機時制御手段により前記ポンプパワーの供給量が制御されることを特徴とするレーザ出射方法。
  5. 請求項1〜3のいずれか一項に記載のレーザ出射方法において、
    前記レーザ装置は、前記レーザ増幅手段が出射する前記増幅レーザ光の出力量を測定する増幅レーザ光測定手段と、前記ポンプパワーの供給量を制御する開始時制御手段と、を有し、
    前記処理時供給ステップでは、前記増幅レーザ光の出力量が前記増幅レーザ光測定手段により測定され、
    前記処理開始時供給ステップでは、前記測定された増幅レーザ光の出力量に基づいて、前記開始時制御手段により前記ポンプパワーの供給量が制御されることを特徴とするレーザ出射方法。
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