JP2012043882A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インナーリード22a〜22cが隣接する他のインナーリード22に対して連結部25を介して連結するようにリードフレーム20が形成され、アルミワイヤ41がインナーリード22a〜22cに電気的に接続されるとともに、他のボンディングワイヤ40が他のインナーリード22に電気的に接続される。そして、連結部25がモールド部材30に形成される開口部31から露出するように回路基板11や各インナーリード22等が当該モールド部材30により封止され、開口部31から露出する連結部25が除去される。
【選択図】図2
Description
したがって、作業性を悪化させることなくリードフレームに対するボンディングワイヤの接合性を向上させることができる。
以下、本発明の半導体装置の製造方法を具現化した第1実施形態について、図面を参照して説明する。図1は、第1実施形態に係る半導体装置10の構成を概略的に示す説明図である。図2は、図1のモールド部材30の開口部31近傍を示す説明図である。
したがって、作業性を悪化させることなくリードフレーム20に対するボンディングワイヤ40の接合性を向上させることができる。
インナーリード22は、ボンディングワイヤ40の接合性を高めるために、隣接する他のインナーリードに対して連結部25を介して連結されることに限らず、隣接する周辺部位に対して連結部を介して連結されてもよい。
次に、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の製造方法について図12を参照して説明する。図12は、第2実施形態に係る半導体装置10の要部を示す説明図である。
図12に示すように、本第2実施形態に係る半導体装置10は、連結部25に代えて連結部25fを採用する点が、上記第1実施形態に係る半導体装置と異なる。したがって、第1実施形態の半導体装置と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、本発明の第3実施形態に係る半導体装置の製造方法について図13を参照して説明する。図13は、第3実施形態に係る半導体装置10の要部を示す説明図である。
図13に示すように、本第3実施形態に係る半導体装置10は、連結部25に代えて連結部25gを採用する点が、上記第1実施形態に係る半導体装置と異なる。したがって、第1実施形態の半導体装置と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、本発明の第4実施形態に係る半導体装置の製造方法について図14を参照して説明する。図14は、第4実施形態に係る半導体装置10の要部を示す説明図であり、図14(A)は、モールド成形直後の状態を示し、図14(B)は、連結部25を除去した状態を示す。
すなわち、図14(A)に示すように、図4(C)に示す工程において開口部31の形成することなく、図14(B)に示すように、図4(D)に示す工程において、ブレードダイシング加工等により、上述した開口部31に対応するモールド部材30の部位を除去すると同時に連結部25を除去する。このようにしても、除去すべき部分が明確であれば、作業性を悪化させることなくリードフレーム20に対するボンディングワイヤ40の接合性を向上させることができる。また、上記各実施形態および各変形例において、上述のように、開口部31に対応するモールド部材30の部位を除去すると同時に連結部を除去しても、同等の効果が得られる。
図15に示すように、第4実施形態の変形例として、モールド部材30に形成される開口部31は、凹状に形成されることなく貫通穴状に形成されてもよい。また、上記各実施形態およびその変形例において、連結部を除去するための開口部31も同様に、凹状に形成されることなく貫通穴状に形成されてもよい。
(1)上記第1実施形態において、連結部25は、インナーリード22aおよびインナーリード22b間と、インナーリード22bおよびインナーリード22c間とに設けられることに限らず、ボンディングワイヤ40の接合性を向上させる必要がある他のインナーリード22と隣接する他のインナーリードとを連結部25により連結してもよい。この場合、モールド後における連結部25の除去を容易にするために開口部31を形成することで、作業性を悪化させることなくリードフレーム20に対するボンディングワイヤ40の接合性を向上させることができる。
11…回路基板
12…ボンディングパッド
20…リードフレーム
21…ダイパッド
22,22a,22b,22c…インナーリード(ワイヤ接続部)
23…アウターリード
24…タイバー
25,25a,25b,25c,25d,25e,25f,25g…連結部
26,26a,26b,26c…第2連結部
27…第3連結部
29…貫通穴
30…モールド部材(封止部材)
31…開口部
40…ボンディングワイヤ
41…アルミワイヤ
Claims (5)
- ボンディングワイヤがリードフレームのワイヤ接続部に電気的に接続され、少なくともこのワイヤ接続部が封止部材により封止される半導体装置の製造方法において、
前記ワイヤ接続部が隣接する周辺部位に対して連結部を介して連結するように前記リードフレームを形成する第1工程と、
前記ボンディングワイヤを前記ワイヤ接続部に電気的に接続する第2工程と、
前記連結部が前記封止部材に形成される開口部から露出するか薄膜部に覆われるように少なくとも前記ワイヤ接続部を当該封止部材により封止する第3工程と、
前記開口部から露出するか前記薄膜部に覆われる前記連結部を除去する第4工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第4工程は、前記開口部から露出するか前記薄膜部に覆われる前記連結部を除去するとともに前記封止部材から露出する部位を除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記開口部から露出する前記連結部の一部には、当該連結部の切断除去時における切断面の断面積を残部よりも小さくした断面縮小部が形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記連結部は、前記封止部材よりも低融点の部材により形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3工程において前記開口部の形成することなく、前記第4工程において前記開口部に対応する前記封止部材の部位を除去すると同時に前記連結部を除去することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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