JP2012033340A - セラミックヒータおよびこれを備えたグロープラグ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 棒状のセラミック基体2と、セラミック基体2に埋設された発熱抵抗体3と、発熱抵抗体3と電気的に接続され、一端がセラミック基体2の側面に引き出されるようにセラミック基体2に埋設された第1の電極引出部41と、セラミック基体2の側面の第1の電極引出部41を含む部位に周方向に形成されたメタライズ層5とを備え、メタライズ層5を覆うようにセラミック基体2の外側に金属管6が設けられてメタライズ層5と金属管6とが接合されるセラミックヒータであって、メタライズ層5は、第1の電極引出部41に接合して形成された活性金属を含む第1メタライズ層51と、第1の電極引出部41との接合部以外の部分に形成されたガラスを含む第2メタライズ層52とからなることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
イズ層と、前記第1の電極引出部との接合部以外の部分に形成されたガラスを含む第2メタライズ層とからなることを特徴とするものである。
ズ層52とからなることを特徴とするものである。
し、その後、1650〜1780℃でホットプレス焼成することにより得ることができる。セラミック基体2の長さは、例えば20〜50mmに形成され、セラミック基体2の直径は例えば3〜5mmに形成されている。
るようになっている。また、リード部71、72も第1の電極引出部41および第2の電極引出部42と同様に発熱抵抗体3よりも単位長さ当たりの抵抗値が低くなっているもので、例えばW、Mo等の高融点金属を主成分とするリードピンからなるものである。
位置しているのが好ましい。ここで、後方とは、最も発熱する発熱部(発熱抵抗体3の先端側)から遠ざかる図の右側を意味する。第1メタライズ層51をセラミック基体2の後方に配置することで、最も発熱する発熱部(発熱抵抗体3の先端側)からの熱影響が小さくなり、第1メタライズ層51を剥離し難くして高温下での使用に対する第1の電極引出部41の耐久性を向上させるとともに、熱応力の発生を軽減するためである。
ウムを0.1〜2.0質量%混合した原料粉末を周知のプレス成型法あるいは射出成型法等により成型する。
作製した。その後、この原料粉末を用いてプレス成型によりセラミック基体となる半割の成型体を作製した。
の電極引出部との接合部以外の部分にSiO2−B2O3系ガラスとNiとを主成分とするメタライズペーストを、第1メタライズ層と第2メタライズ層との境界部において第2メタライズ層が第1メタライズ層の上側に重なるように全周にわたって環状にスクリーン印刷にて塗布、焼付けし、第2メタライズ層を形成した。なお、セラミック基体の後方側面に引き出された第1の電極引出部の端部は長手方向に2mmの長さとなっていて、この第1の電極引出部を覆うように長手方向に4mmの長さに第1メタライズ層を形成した。そして、第1メタライズ層の後端から後方2mmの部位まで第2メタライズ層を形成するとともに第1メタライズ層の先端から先方16mmの部位まで第2メタライズ層を形成した。第1メタライズ層の厚みは55μmとし、第2メタライズ層の厚みは25μmとした。
ータ先端を浸し、25℃で安定させた後、初期抵抗とそれぞれの試験後で抵抗を測定し、その間の抵抗変化率の平均値を評価した。
2・・・セラミック基体
3・・・発熱抵抗体
41・・・第1の電極引出部
42・・・第2の電極引出部
5・・・メタライズ層
51・・・第1メタライズ層
52・・・第2メタライズ層
6・・・金属管
71,72・・・リード部
81・・・メッキ層
82・・・ロウ材
9・・・陽極端子
Claims (7)
- 棒状のセラミック基体と、該セラミック基体に埋設された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体と電気的に接続され、一端が前記セラミック基体の側面に引き出されるように前記セラミック基体に埋設された第1の電極引出部と、前記セラミック基体の側面の前記第1の電極引出部を含む部位に周方向に形成されたメタライズ層とを備え、該メタライズ層を覆うように前記セラミック基体の外側に金属管が設けられて前記メタライズ層と前記金属管とが接合されるセラミックヒータであって、前記メタライズ層は、前記第1の電極引出部に接合して形成された活性金属を含む第1メタライズ層と、前記第1の電極引出部との接合部以外の部分に形成されたガラスを含む第2メタライズ層とからなることを特徴とするセラミックヒータ。
- 前記第2メタライズ層が前記セラミック基体の側面の全周にわたって環状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のセラミックヒータ。
- 前記第1メタライズ層が前記セラミック基体の側面の全周にわたって環状に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のセラミックヒータ。
- 前記第1メタライズ層が前記第2メタライズ層よりも後方に位置することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のセラミックヒータ。
- 前記第1メタライズ層と前記第2メタライズ層との境界部において、前記第2メタライズ層が前記第1メタライズ層の上側に重なるように形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のセラミックヒータ。
- 前記第1の電極引出部が前記セラミック基体の後方に配置されており、前記メタライズ層が前記第1の電極引出部から前記セラミック基体の先方に向かって形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のセラミックヒータ。
- 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のセラミックヒータと、前記セラミック基体の外側に設けられた金属管とを含むことを特徴とするグロープラグ。
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