JP2012032113A - 熱処理雰囲気ガスの供給装置および供給方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒素発生装置1と、窒素供給量制御手段と、炭化水素供給装置2と、第1炭化水素供給量制御手段と、低温反応槽3と、を備え、1次処理として、窒素の供給量,炭化水素ガスの供給量および低温反応槽における反応温度が制御されるとともに、第2炭化水素供給量制御手段を備え、2次処理として、炭化水素ガスの供給量が制御される。
【選択図】図1
Description
(i)液体窒素を使用する場合、窒素ガス純度は熱処理雰囲気ガスとして問題はないが、還元性を備えるために還元性ガス(主に水素ガス等)を混合する必要がある。このとき、水素ガスは高価なガスであり、またその水素ガスの供給設備の設置が必要となり、ガスコストと設置場所が問題となる。
(ii)高純度窒素発生装置から供給される窒素ガスを使用する場合、純度に関しては上述の液体窒素と同等の物が得られ熱処理雰囲気ガスとして問題はない。しかし、窒素発生装置で高純度窒素ガスを得るには、使用する装置の効率を低下させることになり、窒素発生装置の利点である液体窒素ガスより窒素ガス単価を下げるという効果が少なくなるという問題がある。また還元性を備えるために水素ガス等の還元性ガスの設備が必要であり、ガス単価の高さと供給設備の設置場所も問題となる。
(iii)窒素発生装置から供給される窒素ガスを使用する場合、発生装置の効率を100%使用できるため、窒素発生装置の利点である液体窒素ガスより窒素ガス単価を下げるという効果が十分に発揮できる。しかし、窒素ガスの純度としてはそのまま使用することは難しい。また、窒素ガスの純度を高めるために、図3に示すような構成により、水素ガスと触媒で含有されている酸素分を水に変化させ活性炭で除去するプロセスおよび水素ガスと触媒加熱とドライヤ装置が必要になり、コスト面から窒素発生装置の利点を生かし切れていない問題がある。そして、還元性を得るための水素ガスとの混合も必要であり、水素ガス単価と水素供給設備の設置場所の問題も他の窒素を使用する方法と同様に存在する。
炭化水素ガスの供給量F2を調整する第2炭化水素供給量制御手段と、混合手段が必要となる場合には前記低温反応槽から供出された前記酸化成分を含有する1次処理ガスと前記供給量F2に調整された炭化水素ガスが導入されて混合される混合器と、該混合器から供出された混合ガスを熱処理炉に供給可能な流路を有する第1接続部とを備え、2次処理として、前記1次処理ガスに含まれる酸化成分をCOとH2からなる還元成分に変換されるように前記供給量F2が制御されることを特徴とする。
(i)従前方法のような触媒を用いずに、加熱反応温度を段階的に上昇させる2つの処理プロセスを形成すること
(ii)1次処理プロセスにおいて、窒素ガスが含有する酸素を1次還元してCO2とH2Oからなる酸化成分に変換するに十分であり過分でない、炭化水素の供給量および低温反応温度(具体的には、例えば低温の焼鈍処理温度である500℃〜700℃)に制御すること
(iii)2次処理プロセスにおいて、1次処理プロセスによって形成された酸化成分をCOとH2からなる還元成分に変換するに十分であり過分でない、炭化水素の供給量を制御して高温反応温度条件(具体的には、例えば高温の焼入れ処理温度である800℃〜1200℃)の場に供給すること
を条件として、安価な窒素ガスと少量の炭化水素ガスを使用し、無酸化性、還元性の雰囲気ガスを作製することが可能となったものである。つまり、本発明における「少量の酸素を含有する窒素ガス」とは、簡易な機能を有し空気から窒素を作製する窒素発生装置から供給される窒素ガスのことをいい、通常窒素純度95%〜99.5%(残量酸素)の窒素ガスをいう。ただし、後述するように99.5%〜99.99%のように純度の高い窒素ガスについても適用することができる。従前より触媒を用いずに、こうした窒素ガス中の酸素を高温条件下(1200℃以上)で還元成分に変換させた場合、その一部に炭化物(ススやスート等)の発生が見られことがあり、また雰囲気ガス中に酸素や中間生成物であるCO2とH2Oなどが微量残存することから、高価な還元触媒を用いた反応プロセスが避けられなかった。本発明は、上記(i)〜(iii)の条件を満たした上で、高価な触媒を用いない簡便かつ安価な構成や方法によって、酸化性ガスをほとんど含まず還元性ガスを少量含んだ無酸化性、還元性の雰囲気ガスを作製し、熱処理炉に供給する熱処理雰囲気ガスの供給装置を提供することを可能にした。
熱処理炉が、焼入れ炉等のように処理温度が高温条件(800℃〜1200℃)の場合、上記のような構成において、第1接続部を該熱処理炉に接続し、混合ガスを熱処理炉に直接導入することによって、炉内の高温条件を利用して2次処理が可能である。しかしながら、こうした高温条件での熱処理を行わない場合には、予め2次処理を行い、還元性を確保できる雰囲気ガスを熱処理炉に導入する必要がある。本発明は、こうした高温条件の高温反応槽を設けて第1接続部をこれに接続し、1次処理してされたガスを2次処理し、緩衝部および第2接続部を介して雰囲気ガスとして熱処理炉に供給するもので、高価な触媒を用いない簡便かつ安価な構成によって、酸化性ガスをほとんど含まず還元性ガスを少量含んだ無酸化性、還元性の雰囲気ガスを作製し、熱処理炉に供給する熱処理雰囲気ガスの供給装置を提供することが可能となった。
上記のように、少量の酸素を含有する窒素ガスを利用した熱処理雰囲気ガスの作製においては、各処理プロセスにおいて、窒素ガスに含まれる酸素を酸化成分に変換するに過不足のない炭化水素の供給量と反応温度が調整されることが好ましい。本発明は、こうした反応温度について具体的な指標を示すものであり、少量の酸素を含有する窒素ガスにおいては、1次処理として反応温度500〜700℃、2次処理として反応温度800〜1200℃が好ましいとの知見を得た。各々の下限値以下の反応温度の場合には、未反応の酸素あるいは酸素成分の残留が発生するおそれがある。また、上限値以上の反応温度の場合には、1次処理プロセスにおいて、過剰の炭化水素の存在によって一部炭化物が発生するおそれがあり、2次処理プロセスにおいて、高価な耐熱材料等を用いて高温反応条件を構成する必要がある。本発明は、各処理プロセスにおいて、こうした所定の温度範囲を設定することによって、こうした課題を解消することができる。
以下のステップからなる1次処理プロセスと、
(1)少量の酸素を含有する窒素ガスが、所望の雰囲気ガス供給量となるように、供給量N1に調整されて窒素発生装置から供給されるステップ
(2)炭化水素ガスが、前記窒素ガス中の酸素をCO2とH2Oからなる酸化成分に変換させるように、供給量F1に調整されて炭化水素供給装置から供給されるステップ
(3)前記窒素ガスと炭化水素ガスが混合されるとともに、低温反応槽において、触媒を用いずに低温加熱反応によって、前記酸素を前記酸化成分に変換させるステップ
以下のステップからなる2次処理プロセスと、
(4)低温加熱反応した前記酸化成分を含有する1次処理ガスが、前記低温反応槽から供出されるステップ
(5)炭化水素ガスが、前記酸化成分をCOとH2からなる還元成分に変換させるように、炭化水素供給装置から供給量F2に調整されて供給されるステップ
(6)前記1次処理ガスと炭化水素ガスが混合されるとともに、高温加熱反応によって、前記酸化成分を前記還元成分に変換させるステップ
を有することを特徴とする。
こうした2段階の処理プロセスによって、安価な少量の酸素を含有する窒素ガスを使用し、高価な触媒を用いない簡便かつ安価な処理プロセスを形成し、酸化性ガスをほとんど含まず還元性ガスを少量含んだ無酸化性、還元性の雰囲気ガスを作製し、熱処理炉に供給する熱処理雰囲気ガスの供給方法を提供することが可能となった。
(6a)熱処理炉において行う、あるいは
(6b)触媒を用いずに高温反応槽において行う
ことを特徴とする。
上記供給方法における2次処理は、窒素主成分とする1次処理ガス中の酸化成分を還元成分に変換させるに十分な高温条件(800℃〜1200℃)が必要となる。このとき、焼入れ炉等のような熱処理炉では、炉内の熱処理温度がこうした高温条件を満たすことができ、炉内の熱処理前に2次処理を行うことによって、還元性雰囲気ガスを作製して供給することができる。従って、雰囲気ガス供給流路での温度低下もなく、速やかに効率のよい熱処理を行なうことができる。また、こうした高温条件での熱処理を行わない場合には、予め2次処理を行い、還元性を確保できる雰囲気ガスを熱処理炉に導入する必要がある。このとき、熱処理炉に導入する前に高温反応槽において触媒を用いずに2次処理を行うことによって、高温還元性雰囲気ガスを作製して供給することができる。
本装置の基本構成例(第1構成例)の概要を、図1に示す。本装置10は、少量の酸素を含有する窒素ガスを供給する窒素発生装置1と、炭化水素ガスを供給する炭化水素供給装置2と、供給量N1に調整された窒素ガスと供給量F1に調整された炭化水素ガスが導入されて1次処理される低温反応槽3と、1次処理ガスと供給量F2に調整された炭化水素ガスが導入されて混合される2次混合器M2とを有する。ただし、熱処理炉H内あるいは第1接続部10aから熱処理炉Hまでの流路や部材に十分に混合可能な容量や攪拌・拡散機能があり、別途の混合手段が必要でない場合には、2次混合器M2を設けない構成も可能である。本装置10は、2次混合器M2から供出された混合ガスを供給可能な流路を有する第1接続部10aを介して、熱処理炉Hと接続される。
炭化水素供給装置2と低温反応槽3の中間には、炭化水素ガスの供給量F1を調整する第1炭化水素供給量制御手段(調整弁)V1および1次混合器M1が設けられる。1次混合器M1において、窒素ガスと炭化水素ガスが混合され混合ガスとして低温反応槽3に供給される。ただし、低温反応槽3において十分に混合可能な容量や攪拌・拡散機能があれば、1次混合器M1は必要とされない。また、低温反応槽3には、その温度管理用センサおよび必要に応じて酸素濃度あるいはCO2やH2O濃度管理用のセンサS1が設けられる。
低温反応槽3と2次混合器M2の中間には、緩衝器Bが設けられることがある。ただし、低温反応槽3において十分均一な1次処理ガスが供出され、2次混合器M2からの逆流のおそれがなく熱処理炉H側の流路からの脈流や振動波等の外乱のおそれがない場合には、必ずしも設ける必要はない。なお、こうした反応後の1次処理ガスの緩衝機能以外に、1次処理ガスの安定・均一化あるいは反応空間として未反応成分の低減機能の役割を果たすことができる。
炭化水素供給装置2と2次混合器M2の中間には、炭化水素ガスの供給量F2を調整する第2炭化水素供給量制御手段(調整弁)V2が設けられる。
本装置10と熱処理炉Hは、第1接続部10aを介して接続される。熱処理炉Hには、その温度管理用センサおよび必要に応じてCO2,H2O,CO,H2のいずれかあるいは残留酸素などの複数成分の濃度管理用センサS2が設けられる。
本装置10に用いられる窒素発生装置1としては、例えば既述の分子篩を利用した圧力スウィング(PSA)式や高分子膜モジュールを利用した分離膜式などを用いることができる。常温(20〜30℃)の窒素純度95%〜99.5%(残量酸素)の圧力0.5〜1.0MPa程度の窒素ガスを得ることができる。また、PSA式を用いた場合には、さらに高純度99.5%〜99.99%の窒素ガスを得ることができる。無酸素,微量の還元性ガスを含有する窒素ガスが所望される場合には、窒素発生装置1として、こうした高純度の窒素ガス発生装置を用いることによって本装置10を構成することができる。本装置10においては、こうした窒素ガスが、残留ガスとして所定量の酸素を含有していることおよび酸素以外に殆ど残留成分がない(水分についても−60℃飽和以下)ことを利用する。このとき、窒素発生装置1から供出される窒素ガス中の酸素濃度を測定することが好ましく、連続供給可能な装置においては酸素濃度連続測定器から連続濃度出力を得て、後述する炭化水素供給量N1を調整する制御信号とすることが好ましい。また、窒素発生装置1は、調整弁Voや流量計Foを内蔵した構成が可能であり、これらの調整・およびモニタ出力を制御信号として得ることが好ましい。
本装置10に用いられる炭化水素供給装置2としては、所定の容積を有する高圧容器に充填された液化高純度炭化水素を有し、これを減圧・気化して所望の供給圧に調整されて供給できる装置が好ましい。具体的には、メタン、エタン、プロパン、ブタン等のパラフィン系の炭化水素が好ましい。後述する低温反応に適し、所望の純度のガスを安価で容易に確保をすることができる。また、1次処理において、窒素ガス中の酸素を1次還元してCO2とH2Oからなる酸化成分に変換するに十分であり過分でない炭化水素の供給量の調整・制御を容易に行うことができるとともに、2次処理において、1次処理ガス中の酸化成分をCOとH2からなる還元成分に変換するに十分であり過分でない炭化水素の供給量の調整・制御を容易に行うことができる。
本装置10に用いられる低温反応槽3は、内部に所定の反応空間を有し、低温反応温度(具体的には、例えば低温の焼鈍処理温度である500℃〜700℃)に設定され制御される。窒素ガスと炭化水素ガスが混合した状態で導入され、こうした低温反応温度条件において、一切の触媒を用いずに、上記炭化水素ガスと混合された窒素ガス中の酸素を1次還元してCO2とH2Oからなる酸化成分に変換する機能を有する。所定の温度条件に制御するための加熱手段として、温度センサ(センサS1)あるいは制御部とともにジャケットヒータやシーズヒータ等が低温反応槽3の内部あるいは外周部に配設される(図示せず)。センサS1からの温度検出出力を基に加熱手段によって低温反応槽3内部の反応温度条件が制御される。
本装置10が適用できる熱処理炉Hとしては、鉄鋼・非鉄金属や機械部品加工,各種材料の還元処理等(焼鈍や焼入れ等)に使用される各種の熱処理炉を対象とすることができる。このとき、熱処理炉Hには、本装置10における2次処理機能を有するように、所定の空間(図示せず),加熱手段(図示せず),温度管理用センサおよび必要に応じて2次処理ガス中の成分濃度管理用センサS2が備えられる。
本装置10の他の構成例(第2構成例)の概要を、図2に示す。2次処理プロセスを、熱処理炉Hではなく、別途設けた高温反応槽4において行う構成を特徴とする。具体的には、第1構成例における第1接続部10aと接続され、混合ガスが供給される高温反応槽4と、高温反応槽4から供出された2次処理ガスが導入される緩衝器Bと、緩衝器Bから供出された2次処理ガスを熱処理炉Hに供給可能な流路を有する第2接続部10bとを備える。高温反応槽4には、その温度管理用センサおよび必要に応じてCO2,CO,H2のいずれかあるいは複数成分の濃度管理用センサS2が設けられ、高温反応槽4における反応温度が制御される。熱処理炉Hにおける処理温度が、例えば800℃以下のように、高温条件とはいえない場合、2次処理ガスの作成に必要な高温の処理条件(800℃〜1200℃)を高温反応槽4において構成することによって、高価な触媒を用いない簡便かつ安価な構成によって、酸化性ガスをほとんど含まず還元性ガスを少量含んだ無酸化性、還元性の雰囲気ガスを作製し、熱処理炉に供給することができる。
上記のような構成を有する本装置においては、以下の1次,2次の処理プロセスに沿って、熱処理雰囲気ガスの供給が行われる。各プロセスについて、第1構成例に基づき制御部(図示せず)によって制御される場合を、例として説明する。ここで、〔1〕1次処理プロセスは、窒素ガス中の酸素の酸化成分への変換処理操作であり、〔2〕2次処理プロセスは、1次処理ガス中の酸化成分の還元成分への変換処理操作が行われる。
1次処理プロセスは、以下のステップからなる。
(1)少量の酸素を含有する窒素ガスが、所望の雰囲気ガス供給量となるように、供給量N1に調整されて窒素発生装置1から供給される。
具体的には、所望の雰囲気ガス供給量が制御部(図示せず)に指示され、窒素発生装置1から供給される窒素ガスが、対応する供給量N1となるように、流量計Foの出力を指標として調整弁Voによって調整される。このとき、窒素発生装置1から供給される窒素ガスの純度が95%以上であることから、雰囲気ガス供給量と供給量N1は略同量となる。もし、厳密な雰囲気ガス供給量の制御が必要な場合,さらに低い純度の窒素ガスが供給される場合あるいは還元処理に使用される炭化水素の分子量が大きい場合には、これを換算して供給量N1を設定し制御する必要がある。
例えば、窒素純度95%(残量酸素)とし、メタンガスによって還元処理する場合、下式1〜3のように、残存する酸素が(CO+H2)に変換され、窒素以外の気相成分の増加によって、雰囲気ガス供給量Nfは見かけ上増加することから、所望の雰囲気ガス供給量Noに対して、供給量N1は、No/1.25に設定される。
2O2(+CH4)→CO2+2H2O(+3CH4)→4CO+8H2 …式1
Nf=N1×(95+5×(4+8)/2)/100=1.25×N1 …式2
N1=No/1.25 …式3
また、同様にプロパンガスによって還元処理する場合、下式4〜6のように、供給量N1は、No/1.18に設定される。
15O2(+3C3H8)→9CO2+12H2O(+7C3H8)
→30CO+40H2 …式4
Nf=N1×(95+5×(30+40)/15)/100=1.18N1 …式5
N1=No/1.18 …式6
具体的には、制御部において、窒素発生装置1から供給される窒素ガスの供給量N1および含有される酸素濃度から1次処理に必要な炭化水素ガスの供給量F1を求め、調整弁V1によって設定される。
例えば、炭化水素ガスとしてメタンガスを用いる場合、上式1の左式1’より変換され、窒素ガス中に含有する酸素2モルに対しメタン1モルが必要となることから、理想的には、炭化水素ガス供給量F1は、下式7のように、1/40×N1に設定される。
2O2+CH4→CO2+2H2O …式1’
F1=N1×1/2×5/100=1/40×N1 …式7
また、炭化水素ガスとしてプロパンガスを用いる場合、上式4の左式4’より変換され、窒素ガス中に含有する酸素5に対し、C3H81が必要となることから、理想的には、炭化水素ガス供給量F1は、下式8のように、1/100×N1に設定される。
5O2+C3H8→3CO2+4H2O …式4’
F1=N1×1/5×5/100=1/100×N1 …式8
さらに、窒素ガス中の酸素の酸化成分への変換は、センサS1により確認することができることから、1次処理ガス中の酸素濃度あるいはCO2濃度のセンサS1出力によって、調整弁V1の開度が制御され、微調整が行われる。
具体的には、上記(1)および(2)において調整された窒素ガスと炭化水素ガスが1次混合器M1に導入されて混合された後、例えば低温の焼鈍処理温度である500℃〜700℃に設定された低温反応槽3に導入されて1次処理ガスに変換される。つまり、窒素ガス中の酸素が、CO2およびH2Oからなる酸化成分に変換され、1次処理ガスが形成される。このとき、触媒を用いずに略反応に必要な当量の両成分を当該温度によって反応させることによって、含酸素炭化水素等の未反応成分の発生や反応の行き過ぎによる副生成物の発生を防ぐことができる。
2次処理プロセスは、以下のステップからなる。
(4)低温加熱反応した酸化成分を含有する1次処理ガスが、低温反応槽3から供出される。
具体的には、低温反応槽3からCO2とH2Oを含み窒素ベースの1次処理ガスが供出される。このとき、本第1構成例のように、下流側からの低温反応槽3内や1次処理ガスへの影響を防止するため、あるいは未反応成分の残留を防止するための反応空間としての役割を果たすために、該下流側に緩衝器Bが設けられることがある。
具体的には、制御部において、1次処理ガスに含有される酸化成分濃度から2次処理に必要な炭化水素ガスの供給量F2を求め、調整弁V2によって設定される。
例えば、炭化水素ガスとしてメタンガスを用いる場合、上式1の通り、1次処理に要したメタン1モルに対しメタン3モルが必要となることから、理想的には、炭化水素ガス供給量F2は、下式9のように、3/40×N1に設定される。
F2=F1×3=N1×1/40×3=3/40×N1 …式9
また、炭化水素ガスとしてプロパンガスを用いる場合、上式4の通り、1次処理に要したプロパン3モルに対しプロパン7モルが必要となることから、理想的には、炭化水素ガス供給量F2は、下式10のように、3/40×N1に設定される。
F2=F1×7/3=N1×1/100×7/3=7/300×N1 …式10
さらに、2次処理ガス中の酸化成分の還元成分への変換は、センサS2により確認することができることから、CO2,H2O,CO,H2のいずれかあるいは残留酸素などの複数成分の濃度のセンサS2出力によって、調整弁V2の開度が制御され、微調整が行われる。
具体的には、上記(4)の1次処理ガスと(5)において供給量F2に調整された調整された炭化水素ガスが2次混合器M2に導入されて混合された後、第1接続部10aを介して、高温加熱反応条件として例えば焼入れ処理等熱処理炉における高温処理温度である800℃〜1200℃に制御・調整された熱処理炉Hに供給される。熱処理炉Hに供給された混合ガスは、高温加熱反応条件下で2次処理ガスに変換される。つまり、1次処理ガス中の酸化成分がCOおよびH2からなる還元成分に変換され、2次処理ガスが形成される。ただし、熱処理炉Hにおいて低温加熱条件の熱処理が行なわれる場合には、第2構成例のように別途高温処理槽(図2付番4)を設け、高温加熱反応条件下で2次処理を行った後、2次処理ガスを雰囲気ガスとして熱処理炉Hに供給することが好適である。
(a)窒素ガス中の酸素濃度に関しては、当該窒素発生装置からの窒素ガスを使用することによって、熱処理雰囲気ガスとしては十分に使用できる酸化性ガス成分の含有量になっていることから、容易に入手可能で安価な雰囲気ガスのベースガスとして利用することが可能となった。また、1次処理において発生する露点やCO2の値は、混合する炭化水素ガス量を制御することで自由に設定できる。
(b)窒素ガスの低純度条件での使用によって、当該窒素発生装置の利点である効率の良い窒素ガスの発生、最適条件下での安価な窒素ガスの供給を可能とし、雰囲気ガスの低コスト化が可能になった。
(c)当該窒素発生装置から発生した窒素ガスに含まれる酸素分を、触媒なしで還元性ガスに変化させることが可能となり、簡便で構成の安価な雰囲気ガス供給装置を提供することが可能となった。
(d)当該窒素発生装置から発生した窒素ガスに含まれる酸素分を、水素ガスではなく熱処理工場では一般的に使用している炭化水素ガスを使用して還元性ガスに変化させることが可能となり、水素ガスのランニングコストと水素ガス供給設備の設備費や設置場所あるいは安全性等の課題を解消することができる。
(e)本発明で得られる雰囲気ガスは、焼結、ロー付け、焼鈍、焼入れ等の一般的な熱処理の雰囲気ガスの用途として、汎用的にかつ安価に供給することが可能となった。
本装置によって作製された雰囲気ガスについて、第1構成例のように1次処理ガスを熱処理炉加熱室に供給して、以下の通り実験・検証した。
図1に示す本装置を用い、下記〔表1〕に示す条件下で、炭化水素ガスとしてプロパン100%を用い、窒素ガスを供給し、低温反応槽3での1次処理を行った後、その反応ガスを加熱された熱処理炉Hの加熱室に供給して、炭化水素ガスと反応させた。
下記〔表2〕に、熱処理炉内の雰囲気ガスの実験結果を示す。窒素ガスの不純物および1次処理によって発生したCO2および水分については、雰囲気ガスとして問題ない範囲であった。また、変換されたCOおよびH2についても、上式4に示す理想的な反応式から導かれる理論値と比較しても十分な収率であった。
具体的には、COについて、3.6[%]/2[%]/(30/15)=90[%]
H2について、4.6[%]/2[%]/(40/15)=86[%]となった。
以上のように、本装置の有効性を確認することができた。
2 炭化水素供給装置
3 低温反応槽
4 高温反応槽
10 本装置
10a 第1接続部
10b 第2接続部
B 緩衝器
Fo,F1,F4 流量計
H 熱処理炉
M1 1次混合器
M2 2次混合器
S1,S2 センサ
Vo,V1,V2 調整弁
Claims (5)
- 少量の酸素を含有する窒素ガスを供給する窒素発生装置と、窒素ガスの供給量N1を調整する窒素供給量制御手段と、炭化水素ガスを供給する炭化水素供給装置と、炭化水素ガスの供給量F1を調整する第1炭化水素供給量制御手段と、供給量N1に調整された窒素ガスと供給量F1に調整された炭化水素ガスが導入される低温反応槽とを備え、1次処理として、所望の雰囲気ガス供給量となるように前記供給量N1が制御され、前記窒素ガスに含まれる酸素がCO2とH2Oからなる酸化成分に変換されるように前記供給量F1および前記低温反応槽における反応温度が制御されるとともに、
炭化水素ガスの供給量F2を調整する第2炭化水素供給量制御手段と、混合手段が必要となる場合には前記低温反応槽から供出された前記酸化成分を含有する1次処理ガスと前記供給量F2に調整された炭化水素ガスが導入されて混合される混合器と、該混合器から供出された混合ガスを熱処理炉に供給可能な流路を有する第1接続部とを備え、2次処理として、前記1次処理ガスに含まれる酸化成分をCOとH2からなる還元成分に変換されるように前記供給量F2が制御されることを特徴とする熱処理雰囲気ガスの供給装置。 - 前記第1接続部と接続され、前記混合ガスが供給される高温反応槽と、該高温反応槽から供出された2次処理ガスが導入される緩衝器と、該緩衝器から供出された2次処理ガスを熱処理炉に供給可能な流路を有する第2接続部とを備え、2次処理として、前記1次処理ガスに含まれる酸化成分をCOとH2からなる還元成分に変換されるように、前記高温反応槽における反応温度が制御されることを特徴とする請求項1記載の熱処理雰囲気ガスの供給装置。
- 1次処理として、前記低温反応槽での反応温度を500〜700℃に調整し、2次処理として、前記高温反応槽での反応温度を800〜1200℃に調整する制御部を有することを特徴とする請求項2記載の熱処理雰囲気ガスの供給装置。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の熱処理雰囲気ガスの供給装置を用い、
以下のステップからなる1次処理プロセスと、
(1)少量の酸素を含有する窒素ガスが、所望の雰囲気ガス供給量となるように、供給量N1に調整されて窒素発生装置から供給されるステップ
(2)炭化水素ガスが、前記窒素ガス中の酸素をCO2とH2Oからなる酸化成分に変換させるように、供給量F1に調整されて炭化水素供給装置から供給されるステップ
(3)前記窒素ガスと炭化水素ガスが混合されるとともに、低温反応槽において、触媒を用いずに低温加熱反応によって、前記酸素を前記酸化成分に変換させるステップ
以下のステップからなる2次処理プロセスと、
(4)低温加熱反応した前記酸化成分を含有する1次処理ガスが、前記低温反応槽から供出されるステップ
(5)炭化水素ガスが、前記酸化成分をCOとH2からなる還元成分に変換させるように、炭化水素供給装置から供給量F2に調整されて供給されるステップ
(6)前記1次処理ガスと炭化水素ガスが混合されるとともに、高温加熱反応によって、前記酸化成分を前記還元成分に変換させるステップ
を有することを特徴とする熱処理雰囲気ガスの供給方法。 - 前記2次処理プロセスにおける、(6)高温加熱反応によって、前記酸化成分を前記還元成分に変換させるステップを、
(6a)熱処理炉において行う、あるいは
(6b)触媒を用いずに高温反応槽において行う
ことを特徴とする請求項4記載の熱処理雰囲気ガスの供給方法。
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