JP2012022479A - マイクロコントローラ及びその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るマイクロコントローラ100は、CPU103により指定されるアドレスが指定領域155の範囲内である場合、RAMアクセス動作を行い、当該アドレスが指定領域155に含まれない場合、フラッシュEEPROM101からプログラムを読み出すRAM制御部107を備える。RAM制御部107は、RAMアクセス動作として、バリッドビット171が無効状態を示す場合、フラッシュEEPROM101からプログラムを読み出し、読み出したプログラムをRAM102に格納するとともに、バリッドビット171を有効状態に変更し、バリッドビット171が有効状態を示す場合、RAM102に格納されているプログラムをCPU103へ出力する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施の形態1に係るマイクロコントローラ100は、フラッシュEEPROM101に格納されているプログラムに対してCPU103から読み出し要求があった場合には、当該プログラムをRAM102に格納する。また、マイクロコントローラ100は、以降のCPU103から当該プログラムへの読み出しの際には、RAM102に格納された当該プログラムをCPU103へ出力する。これにより、マイクロコントローラ100は、フラッシュEEPROM101の読み出し動作が発生する頻度を低減できるので、消費電力を低減できる。さらに、マイクロコントローラ100は、CPU103からの読み出し要求に応じて、自動的にフラッシュEEPROM101に格納されているプログラムをRAM102に転送できる。これにより、CPU103は、RAM102の存在を意識せずに処理を行うことができる。よって、本発明の一形態に係るマイクロコントローラ100は、プログラム開発の複雑化を低減できる。
図1は、本発明の実施の形態1に係るマイクロコントローラ100のブロック図である。
バリッドビット情報146は、複数のラインアドレス170と、各ラインアドレス170に対応付けられたバリッドビット171とを含む。例えば、バリッドビット情報146は、32個のラインアドレス170及びバリッドビット171を含む。
また、CPU103は、動作モードをモード保持部104に設定する(S102)。
本発明の実施の形態2では、上述した実施の形態1に係るマイクロコントローラ100の変形例について説明する。
以上より、本発明の実施の形態2に係るマイクロコントローラ200は、上述した実施の形態1に係るマイクロコントローラ100の効果に加え、さらに、予めRAM102へ格納するプログラムの配置領域を制限することで、領域保持部205のレジスタ数を削減できる。これにより、マイクロコントローラ200のコストを削減できる。
本発明の実施の形態3では、上述した実施の形態1に係るマイクロコントローラ100の変形例について説明する。
101 フラッシュEEPROM
102 RAM
103 CPU
104 モード保持部
105、205 領域保持部
106 バリッド保持部
107、307 RAM制御部
108 データ選択部
121、122、123 データバス
124、128 アクセス要求信号
125 アドレス信号
126 選択制御信号
127 アクセス制御信号
144 動作モード情報
145 指定領域情報
146 バリッドビット情報
155 指定領域
160 低速モードプログラム
161 通常モードプログラム
165、165A ライン
166 要求アドレス
167 転送アドレス範囲
170 ラインアドレス
171 バリッドビット
245 ベースアドレス情報
255 ベースアドレス
317 モード切替部
320 モード切替信号
Claims (9)
- マイクロコントローラであって、
前記マイクロコントローラの動作を制御するためのプログラムが格納された不揮発性メモリと、
RAMと、
前記不揮発性メモリのアドレスを指定し、前記不揮発性メモリに格納されている、当該アドレスのプログラムを実行するCPUと、
前記不揮発性メモリのメモリ領域のうちの一部である指定領域を示す情報を保持する領域保持部と、
前記RAMに格納されているプログラムが有効である有効状態、及び無効である無効状態の一方を示すバリッドビットを保持するバリッド保持部と、
前記CPUにより指定される前記アドレスが前記指定領域の範囲内である場合、RAMアクセス動作を行い、前記CPUにより指定される前記アドレスが前記指定領域の範囲外である場合、前記不揮発性メモリから、前記CPUにより指定される前記アドレスのプログラムを読み出し、読み出したプログラムを前記CPUへ出力する不揮発性メモリアクセス動作を行なうRAM制御部とを備え、
前記RAM制御部は、前記RAMアクセス動作として、
前記バリッドビットが無効状態を示す場合、前記不揮発性メモリから、前記CPUにより指定される前記アドレスのプログラムを読み出し、読み出したプログラムを前記RAMに格納するとともに、前記バリッドビットを有効状態に変更し、
前記バリッドビットが有効状態を示す場合、前記RAMに格納されている前記プログラムを前記CPUへ出力する
マイクロコントローラ。 - 前記マイクロコントローラは、さらに、
前記マイクロコントローラの動作モードを示す情報を保持するモード保持部を備え、
前記RAM制御部は、
前記モード保持部が予め定められた第1動作モードを示す情報を保持し、かつ、前記CPUにより指定される前記アドレスが前記指定領域の範囲内である場合、前記RAMアクセス動作を行い、
前記モード保持部が前記第1動作モードと異なる第2動作モードを示す情報を保持する場合、前記不揮発性メモリアクセス動作を行う
請求項1記載のマイクロコントローラ。 - 前記第1動作モードは、前記第2動作モードに比べ、低速のクロックで動作する低速モードである
請求項2記載のマイクロコントローラ。 - 前記不揮発性メモリは、前記プログラムとして、前記第1動作モード時に使用される第1プログラムと、前記第2動作モード時に使用される第2プログラムとを格納し、
前記RAMの容量は、前記第1プログラムの容量より大きく、
前記指定領域は、前記第1プログラムが格納されている領域である
請求項2又は3記載のマイクロコントローラ。 - 前記モード保持部は、前記マイクロコントローラの動作モードを示す情報として、前記CPUからアクセス可能なフラグを保持する
請求項2〜4のいずれか1項に記載のマイクロコントローラ。 - 前記領域保持部は、前記指定領域を示す情報として、前記指定領域の先頭アドレスを示す情報を保持し、
前記RAM制御部は、前記先頭アドレスから前記RAMの容量分の領域を前記指定領域と判定する
請求項1〜5のいずれか1項に記載のマイクロコントローラ。 - 前記RAM制御部は、
前記RAMアクセス動作を行なう場合、前記不揮発性メモリを停止状態にするモード切替部を備える
請求項1〜6のいずれか1項に記載のマイクロコントローラ。 - マイクロコントローラを制御する制御方法であって、
前記マイクロコントローラは、
前記マイクロコントローラの動作を制御するためのプログラムが格納された不揮発性メモリと、
RAMと、
前記不揮発性メモリのアドレスを指定し、前記不揮発性メモリに格納されている、当該アドレスの前記プログラムを実行するCPUと、
前記不揮発性メモリのメモリ領域のうちの一部である指定領域を示す情報を保持する領域保持部と、
前記RAMに格納されているプログラムが有効である有効状態、及び無効であることを示す無効状態の一方を示すバリッドビットを保持するバリッド保持部とを備え、
前記制御方法は、
前記CPUにより指定される前記アドレスが前記指定領域の範囲内である場合、RAMアクセス動作を行うRAMアクセスステップと、
前記CPUにより指定される前記アドレスが前記指定領域の範囲外である場合、前記不揮発性メモリから、前記CPUにより指定される前記アドレスのプログラムを読み出し、読み出したプログラムを前記CPUへ出力する不揮発性メモリアクセス動作を行なう不揮発性メモリアクセスステップとを含み、
前記RAMアクセスステップは、
前記バリッドビットが無効状態を示す場合、前記不揮発性メモリから、前記CPUにより指定される前記アドレスのプログラムを読み出し、読み出したプログラムを前記RAMに格納するとともに、前記バリッドビットを有効状態に変更するステップと、
前記バリッドビットが有効状態を示す場合、前記RAMに格納されている前記プログラムを前記CPUへ出力するステップとを含む
マイクロコントローラの制御方法。 - マイクロコントローラを備える半導体集積回路であって、
前記マイクロコントローラの動作を制御するためのプログラムが格納された不揮発性メモリと、
RAMと、
前記不揮発性メモリのアドレスを指定し、前記不揮発性メモリに格納されている、当該アドレスのプログラムを実行するCPUと、
前記不揮発性メモリのメモリ領域のうちの一部である指定領域を示す情報を保持する領域保持部と、
前記RAMに格納されているプログラムが有効である有効状態、及び無効である無効状態の一方を示すバリッドビットを保持するバリッド保持部と、
前記CPUにより指定される前記アドレスが前記指定領域の範囲内である場合、RAMアクセス動作を行い、前記CPUにより指定される前記アドレスが前記指定領域の範囲外である場合、前記不揮発性メモリから、前記CPUにより指定される前記アドレスのプログラムを読み出し、読み出したプログラムを前記CPUへ出力する不揮発性メモリアクセス動作を行なうRAM制御部とを備え、
前記RAM制御部は、前記RAMアクセス動作として、
前記バリッドビットが無効状態を示す場合、前記不揮発性メモリから、前記CPUにより指定される前記アドレスのプログラムを読み出し、読み出したプログラムを前記RAMに格納するとともに、前記バリッドビットを有効状態に変更し、
前記バリッドビットが有効状態を示す場合、前記RAMに格納されている前記プログラムを前記CPUへ出力する
半導体集積回路。
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