JP2012015491A5 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (5)
- 第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタとを有し、
前記第１のチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のチャネル形成領域の膜厚は、前記第２のチャネル形成領域の膜厚より厚いことを特徴とする半導体装置。 - 第１のトランジスタと、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、
第１のチャネル形成領域を有する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有する第１のゲート電極と、
前記第１の酸化物半導体層と電気的に接続される第１の導電層及び第２の導電層とを有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のチャネル形成領域を有する第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続される前記第１の導電層及び第３の導電層とを有し、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域と、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域と、を有し、
前記第２の導電層は、前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、
前記第１の導電層と、前記第１のゲート電極とは電気的に接続され、
前記第１のチャネル形成領域の膜厚は、前記第２のチャネル形成領域の膜厚より厚いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項２において、
前記第１の導電層と、前記第１のゲート電極とは、第４の導電層を介して電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項２又は３において、
前記第１の酸化物半導体層と前記第１の導電層との間に、第１のバッファ層を有し、
前記第１の酸化物半導体層と前記第２の導電層との間に、第２のバッファ層を有し、
前記第２の酸化物半導体層と前記第１の導電層との間に、第３のバッファ層を有し、
前記第２の酸化物半導体層と前記第３の導電層との間に、第４のバッファ層を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項２乃至４のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体層のチャネル長方向の長さは、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の長さより小さく、
前記第２の酸化物半導体層のチャネル長方向の長さは、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の長さより大きいことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011116796A JP2012015491A (ja) | 2010-06-04 | 2011-05-25 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010129033 | 2010-06-04 | ||
| JP2010129033 | 2010-06-04 | ||
| JP2011116796A JP2012015491A (ja) | 2010-06-04 | 2011-05-25 | 光電変換装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015064426A Division JP6054451B2 (ja) | 2010-06-04 | 2015-03-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012015491A JP2012015491A (ja) | 2012-01-19 |
| JP2012015491A5 true JP2012015491A5 (ja) | 2014-07-03 |
Family
ID=45493085
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011116796A Withdrawn JP2012015491A (ja) | 2010-06-04 | 2011-05-25 | 光電変換装置 |
| JP2015064426A Expired - Fee Related JP6054451B2 (ja) | 2010-06-04 | 2015-03-26 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015064426A Expired - Fee Related JP6054451B2 (ja) | 2010-06-04 | 2015-03-26 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9667148B2 (ja) |
| JP (2) | JP2012015491A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5783796B2 (ja) | 2010-05-26 | 2015-09-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置 |
| US9362820B2 (en) | 2010-10-07 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | DCDC converter, semiconductor device, and power generation device |
| US20120331502A1 (en) * | 2011-06-22 | 2012-12-27 | Mcintire John P | Method and apparatus for automatically creating media streams |
| KR101389911B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2014-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 이를 위한 산화아연계 스퍼터링 타겟 |
| DE112013006219T5 (de) | 2012-12-25 | 2015-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
| US9343288B2 (en) * | 2013-07-31 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6506545B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6462404B2 (ja) | 2014-02-28 | 2019-01-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｄｃｄｃコンバータ、半導体装置、及び電子機器 |
| US10453404B2 (en) | 2016-08-17 | 2019-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display method, display device, display module, and electronic device |
| US10685983B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device, and electronic device |
| CN110767745A (zh) * | 2019-09-18 | 2020-02-07 | 华南理工大学 | 复合金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用 |
Family Cites Families (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3731161A (en) * | 1970-09-05 | 1973-05-01 | Nippon Electric Co | Semiconductor integrated circuit |
| US4472641A (en) | 1983-01-28 | 1984-09-18 | Westinghouse Electric Corp. | Power supply apparatus |
| JPH05137267A (ja) | 1991-11-12 | 1993-06-01 | Dia Semikon Syst Kk | 電源装置 |
| JP3465765B2 (ja) | 1995-04-04 | 2003-11-10 | 三菱住友シリコン株式会社 | Ｉｇｂｔ用半導体基板の作製方法 |
| SE9502249D0 (sv) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | Abb Research Ltd | Converter circuitry having at least one switching device and circuit module |
| JPH0969647A (ja) | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Kyocera Corp | 太陽電池装置 |
| US6215633B1 (en) | 1996-02-26 | 2001-04-10 | Marconi Communications, Inc. | Active current limiter |
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| JP2002141539A (ja) | 2000-10-30 | 2002-05-17 | Canon Inc | 太陽電池モジュールおよびその製造方法、並びに、発電装置 |
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| JP3914001B2 (ja) | 2001-04-20 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | マルチエネルギー源からの電力充電装置 |
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| JP2005312158A (ja) | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Canon Inc | 電力変換装置およびその制御方法、並びに、太陽光発電装置 |
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| TWI349407B (en) | 2007-04-13 | 2011-09-21 | Delta Electronics Inc | Uninterruptible power supply and method for controlling same |
| JP5294651B2 (ja) | 2007-05-18 | 2013-09-18 | キヤノン株式会社 | インバータの作製方法及びインバータ |
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| JP4759598B2 (ja) | 2007-09-28 | 2011-08-31 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた表示装置 |
| JP5262101B2 (ja) * | 2007-12-17 | 2013-08-14 | パナソニック株式会社 | 電力変換回路 |
| JP2009200372A (ja) | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Sharp Corp | ソーラ発電ｌｅｄ照明装置 |
| JP2009266938A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Rohm Co Ltd | 半導体素子 |
| JP5560538B2 (ja) | 2008-05-22 | 2014-07-30 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20090293954A1 (en) | 2008-05-30 | 2009-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric Conversion Device And Method For Manufacturing The Same |
| JP4937213B2 (ja) | 2008-08-26 | 2012-05-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| KR101435501B1 (ko) | 2008-10-03 | 2014-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
| WO2011068025A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dc converter circuit and power supply circuit |
| US9099576B2 (en) | 2010-05-07 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| JP5783796B2 (ja) | 2010-05-26 | 2015-09-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置 |
-
2011
- 2011-05-25 JP JP2011116796A patent/JP2012015491A/ja not_active Withdrawn
- 2011-06-01 US US13/150,652 patent/US9667148B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-03-26 JP JP2015064426A patent/JP6054451B2/ja not_active Expired - Fee Related
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