JP2012012296A - 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 - Google Patents
炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012012296A JP2012012296A JP2011198496A JP2011198496A JP2012012296A JP 2012012296 A JP2012012296 A JP 2012012296A JP 2011198496 A JP2011198496 A JP 2011198496A JP 2011198496 A JP2011198496 A JP 2011198496A JP 2012012296 A JP2012012296 A JP 2012012296A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- silicon carbide
- lid
- sublimation gas
- container body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 140
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 204
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 203
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 331
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 154
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 165
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 165
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 67
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 176
- 239000008710 crystal-8 Substances 0.000 abstract description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 142
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】坩堝1の加熱を開始すると、分離壁4の中空部分に露出する粉末原料5から生じた昇華ガスが成長空間領域6に供給される。そして、坩堝1の加熱を開始してから一定時間後に蓋体1bが容器本体1aから離れるように相対的に移動させ、分離壁4の他端側の端面4eを容器本体1aの底面から離すことで、分離壁4の他端側に接していた粉末原料5を新たな昇華ガス供給面として容器本体1a内に露出し、当該露出部分から昇華ガスをガス供給通路7および貫通穴4dを通過して成長空間領域6に供給することで、SiC単結晶8を成長させる。
【選択図】図2
Description
容器本体(1a)内に炭化珪素原料(20)が配置され、蓋体(1b)が容器本体(1a)に取り付けられると、炭化珪素原料(20)の表面と原料蓋(19)の端面とが接し、さらに、蓋体(1b)が容器本体(1a)に対して中心軸の軸方向に相対的に移動可能になっており、
原料蓋(19)の窓部(19a)から露出する炭化珪素原料(20)と種結晶(3)との間を成長空間領域(21)とし、坩堝(1)の加熱が開始されると、原料蓋(19)の窓部(19a)に露出する炭化珪素原料(20)から成長空間領域(21)に昇華ガスが供給され、
坩堝(1)の加熱が開始されてから一定時間後に蓋体(1b)が容器本体(1a)から離れるように相対的に移動し、原料蓋(19)が炭化珪素原料(20)から離れることで、原料蓋(19)に接していた炭化珪素原料(20)が新たな昇華ガス供給面として成長空間領域(21)に露出し、当該露出部分から昇華ガスが成長空間領域(21)に供給されるようになっていることを特徴とする。
容器本体(1a)内に炭化珪素原料(31)が配置され、蓋体(1b)が容器本体(1a)に取り付けられると、炭化珪素原料(31)の表面と分離部(30)の底部(30c)とが接し、さらに、蓋体(1b)が容器本体(1a)に対して中心軸の軸方向に相対的に移動可能になっており、
分離部(30)の中空部分において底部(30c)と種結晶(3)の間を成長空間領域(32)とし、坩堝(1)の加熱が開始されると、分離部(30)の外壁と容器本体(1a)の内壁との間に露出する炭化珪素原料(31)から発生した昇華ガスが分離部(30)に設けられた貫通穴(30b)を通過して成長空間領域(32)に供給され、
坩堝(1)の加熱が開始されてから一定時間後に蓋体(1b)が容器本体(1a)から離れるように相対的に移動し、分離部(30)の底部(30c)が炭化珪素原料(31)から離れることで、底部(30c)に接していた炭化珪素原料(31)が新たな昇華ガス供給面として容器本体(1a)内に露出し、当該露出部分から生じた昇華ガスが分離部(30)の外壁と容器本体(1a)の内壁との間の空間および貫通穴(30b)を通過して成長空間領域(32)に供給されるようになっていることを特徴とする。
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。図1(a)は、本発明の第1実施形態にかかるSiC単結晶製造装置の断面構成を示したものである。この図に示されるように、SiC単結晶製造装置は、有底円筒状の容器本体1aと円形状の蓋体1bとによって構成されたグラファイト製の坩堝1を備えている。坩堝1内には、蓋体1bの裏面には台座2を介して例えば円形状のSiCの種結晶3が配置されている。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第1実施形態では、分離壁4の中空部分に粉末原料5を直接配置させていたため、分離壁4に接する粉末原料5が固まった枯渇層と分離壁4とが固着して分離壁4を引き上げることができない可能性がある。そこで、本実施形態では、分離壁4を確実に引き上げることが特徴となっている。
上記各実施形態では、容器本体1a内に、当該容器本体1a内を分離する分離壁4が設けられた装置について示されたが、本実施形態では、容器そのものを分離して構成された装置を提供することが特徴となっている。
本実施形態では、第3実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第3実施形態では、内側容器12は外側容器11によって囲まれているので、ヒータからの熱が直接与えられないが、間接的であれ、高い温度で加熱され得る。これにより、外側容器11の粉末原料14を昇華させている際に、内側容器12の粉末原料15も昇華してしまい、内側容器12を直接加熱する段階で昇華させることができる粉末原料15が少なくなってしまう可能性がある。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態では、SiC単結晶8の成長初期段階では、粉末原料の表面の一部を原料蓋で覆い、一定時間後に原料蓋を粉末原料の表面から離すことによって、粉末原料の表面全体から昇華ガスを供給できるようにし、SiC単結晶8の成長速度の低下を防止することが特徴となっている。すなわち、上記各実施形態と同様に、昇華ガスを2段階供給する。
本実施形態では、第5実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第5実施形態では、SiC単結晶8の成長初期段階では、原料蓋19を粉末原料20の表面に直接接触させているため、原料蓋19が粉末原料20に固着してしまう可能性があった。そこで、本実施形態では、原料蓋19と粉末原料20との間に原料蓋19の固着を防止する蓋部材を設けることが特徴となっている。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。第1実施形態では、分離壁4は蓋体1bに一体化され、蓋体1bの移動と共に容器本体1aから離れる構成となっていたが、本実施形態では、分離壁を蓋体1bおよび容器本体1aそれぞれに設けたことが特徴となっている。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第1実施形態では、蓋体1bに一体化した分離壁4の中空部分に粉末原料5を配し、SiC単結晶8の成長後半に分離壁4の移動によって粉末原料5の下層部から昇華ガスを供給していたが、本実施形態では、粉末原料の表面に蓋をして昇華ガスの供給を抑制することが特徴となっている。
上記各実施形態では、2段階に分けて昇華ガスを成長空間領域6、16、21、28、32に供給していたが、例えば第1〜第4実施形態では、分離壁4や外側容器11の移動量を複数に分ける事で、複数段階で昇華ガスを供給することもできる。また、数段階に分けるのではなく、連続的に移動させてもよい。この場合の移動速度は成長速度に等しくすると、粉末原料と成長結晶の表面の距離を一定状態で成長させることができて、粉末原料と成長結晶の表面温度差の変動による成長速度の変動を小さくすることもできる。
1a 容器本体
1b 蓋体
3 種結晶
4 分離壁
5、20、31 炭化珪素原料
6、21、32 成長空間領域
7 ガス供給通路
8 炭化珪素単結晶
9 スライド壁
9a 円筒部材
9b 断熱部材
18 支持部
19 原料蓋
22 蓋部材
30 分離部
Claims (9)
- 有底円筒状の容器本体(1a)と該容器本体(1a)を蓋閉めするための蓋体(1b)を有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(1b)に炭化珪素基板からなる種結晶(3)を配置すると共に前記容器本体(1a)に炭化珪素原料(5、20、31)を配置し、前記炭化珪素原料(5、20、31)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(3)上に炭化珪素単結晶(8)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記炭化珪素原料(5、20、31)の昇華ガス供給面の一部を覆っている形態と、前記炭化珪素原料(5、20、31)の加熱が開始されてから一定時間後に前記炭化珪素原料(5、20、31)の昇華ガス供給面の一部から離れて新たな昇華ガス供給面を形成する形態とを成す昇華ガス供給調整部材(4、19、30)を有し、
前記昇華ガス供給調整部材として、円形および板状であって、前記容器本体(1a)の内径と同じ径であり、前記板に当該板を貫通する窓部(19a)が設けられており、前記蓋体(1b)の開口端が前記容器本体(1a)の開口端に接しつつ重なるように取り付けられると前記円形の板の側面が前記容器本体(1a)の内壁面に接した状態となるように支持部(18)を介して前記蓋体(1b)に一体化された原料蓋(19)を有し、
前記容器本体(1a)内に炭化珪素原料(20)が配置され、前記蓋体(1b)が前記容器本体(1a)に取り付けられると、前記炭化珪素原料(20)の表面と前記原料蓋(19)の端面とが接し、さらに、前記蓋体(1b)が前記容器本体(1a)に対して中心軸の軸方向に相対的に移動可能になっており、
前記原料蓋(19)の前記窓部(19a)から露出する炭化珪素原料(20)と前記種結晶(3)との間を成長空間領域(21)とし、前記坩堝(1)の加熱が開始されると、前記原料蓋(19)の前記窓部(19a)に露出する前記炭化珪素原料(20)から前記成長空間領域(21)に昇華ガスが供給され、
前記坩堝(1)の加熱が開始されてから一定時間後に前記蓋体(1b)が前記容器本体(1a)から離れるように相対的に移動し、前記原料蓋(19)が前記炭化珪素原料(20)から離れることで、前記原料蓋(19)に接していた前記炭化珪素原料(20)が前記新たな昇華ガス供給面として前記成長空間領域(21)に露出し、当該露出部分から昇華ガスが前記成長空間領域(21)に供給されるようになっていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 円形および板状であって、当該円形の板が前記原料蓋(19)と重ね合わされた場合、前記円形の板のうち当該原料蓋(19)の窓部(19a)に対向する場所に前記板を貫通する窓部(22a)が設けられており、この窓部(22a)を構成する内周壁と前記円形の板の外周壁との間の板部分に当該板を貫通する複数の孔部(22b)が設けられた蓋部材(22)が、前記炭化珪素原料(20)の表面に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 有底円筒状の容器本体(1a)と該容器本体(1a)を蓋閉めするための蓋体(1b)を有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(1b)に炭化珪素基板からなる種結晶(3)を配置すると共に前記容器本体(1a)に炭化珪素原料(5、20、31)を配置し、前記炭化珪素原料(5、20、31)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(3)上に炭化珪素単結晶(8)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記炭化珪素原料(5、20、31)の昇華ガス供給面の一部を覆っている形態と、前記炭化珪素原料(5、20、31)の加熱が開始されてから一定時間後に前記炭化珪素原料(5、20、31)の昇華ガス供給面の一部から離れて新たな昇華ガス供給面を形成する形態とを成す昇華ガス供給調整部材(4、19、30)を有し、
前記昇華ガス供給調整部材として、有底円筒状であって、前記容器本体(1a)の内径よりも径が小さく、前記有底円筒の開口側が前記蓋体(1b)に一体化されると共に、側部に貫通穴(30b)が設けられた分離部(30)を有し、
前記容器本体(1a)内に炭化珪素原料(31)が配置され、前記蓋体(1b)が前記容器本体(1a)に取り付けられると、前記炭化珪素原料(31)の表面と前記分離部(30)の底部(30c)とが接し、さらに、前記蓋体(1b)が前記容器本体(1a)に対して中心軸の軸方向に相対的に移動可能になっており、
前記分離部(30)の中空部分において前記底部(30c)と種結晶(3)の間を成長空間領域(32)とし、前記坩堝(1)の加熱が開始されると、前記分離部(30)の外壁と前記容器本体(1a)の内壁との間に露出する前記炭化珪素原料(31)から発生した昇華ガスが前記分離部(30)に設けられた前記貫通穴(30b)を通過して前記成長空間領域(32)に供給され、
前記坩堝(1)の加熱が開始されてから一定時間後に前記蓋体(1b)が前記容器本体(1a)から離れるように相対的に移動し、前記分離部(30)の前記底部(30c)が前記炭化珪素原料(31)から離れることで、前記底部(30c)に接していた前記炭化珪素原料(31)が前記新たな昇華ガス供給面として前記容器本体(1a)内に露出し、当該露出部分から生じた昇華ガスが前記分離部(30)の外壁と前記容器本体(1a)の内壁との間の空間および前記貫通穴(30b)を通過して前記成長空間領域(32)に供給されるようになっていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 有底円筒状の容器本体(1a)と該容器本体(1a)を蓋閉めするための蓋体(1b)を有した中空状の円柱形状をなす坩堝(1)を有し、前記蓋体(1b)に炭化珪素基板からなる種結晶(3)を配置すると共に前記容器本体(1a)に炭化珪素原料(5、20、31)を配置し、前記炭化珪素原料(5、20、31)の昇華ガスを供給することにより、前記種結晶(3)上に炭化珪素単結晶(8)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
昇華ガス供給調整部材(4、19、30)にて前記炭化珪素原料(5、20、31)の昇華ガス供給面の一部を覆っている状態で前記坩堝(1)の加熱を開始し、前記炭化珪素原料(5、20、31)の加熱を開始してから一定時間後に前記昇華ガス供給調整部材(4、19、30)を前記炭化珪素原料(5、20、31)の昇華ガス供給面の一部から離して新たな昇華ガス供給面を形成し、前記炭化珪素単結晶(8)を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記昇華ガス供給調整部材として、中空円筒状であって、前記容器本体(1a)の内径よりも径が小さく、側部に貫通穴(4d)が設けられた分離壁(4)を用意して当該分離壁(4)の一端側(4a)を前記蓋体(1b)に一体化し、
前記蓋体(1b)を前記容器本体(1a)に取り付け、前記分離壁(4)の他端側(4c)の端面(4e)を前記容器本体(1a)の底面に接触した状態で前記分離壁(4)の中空部分に炭化珪素原料(5)を配置し、
前記炭化珪素原料(5)の配置後、前記坩堝(1)の加熱を開始して、前記分離壁(4)の中空部分に露出する前記炭化珪素原料(5)から生じた昇華ガスを前記分離壁(4)の中空部分のうち前記種結晶(3)と前記炭化珪素原料(5)との間の成長空間領域(6)に供給し、
前記坩堝(1)の加熱を開始してから一定時間後に前記蓋体(1b)を前記容器本体(1a)から離すように相対的に移動させて前記分離壁(4)の他端側(4c)の端面(4e)を前記容器本体(1a)の底面から離すことで、前記分離壁(4)の他端側(4c)に接していた前記炭化珪素原料(5)を前記新たな昇華ガス供給面として前記容器本体(1a)内に露出させ、
当該露出部分から昇華ガスを前記容器本体(1a)の内壁面と前記分離壁(4)の外壁面と間の空間に形成されるガス供給通路(7)および前記貫通穴(4d)を通過させて前記成長空間領域(6)に供給し、前記炭化珪素単結晶(8)を成長させることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 中空円筒状の円筒部材(9a)と、中空円筒状であって、前記円筒部材(9a)に一体化されると共に、前記容器本体(1a)の底面に固定され、さらに通気性を有する断熱部材(9b)と、を備えて構成されるスライド壁(9)を前記分離壁(4)の内壁面に配置し、さらに前記スライド壁(9)の中空部分に前記炭化珪素原料(5)を配置し、
前記容器本体(1a)から前記蓋体(1b)を離すように移動させた際に、前記昇華ガスを前記断熱部材(9b)を通過させて前記ガス供給通路(7)に供給することを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記昇華ガス供給調整部材として、円形および板状であって、前記容器本体(1a)の内径と同じ径であり、前記板に当該板を貫通する窓部(19a)が設けられた原料蓋(19)を用意し、前記蓋体(1b)の開口端が前記容器本体(1a)の開口端に接しつつ重なるように取り付けられると前記原料蓋(19)の側面が前記容器本体(1a)の内壁面に接した状態となるように支持部(18)を介して前記原料蓋(19)を前記蓋体(1b)に一体化し、
前記容器本体(1a)内に炭化珪素原料(20)を配置し、前記蓋体(1b)を前記容器本体(1a)に取り付けて、前記炭化珪素原料(20)の表面に前記原料蓋(19)の端面を接触させた後、前記坩堝(1)の加熱を開始して、前記原料蓋(19)の前記窓部(19a)に露出する前記炭化珪素原料(20)から生じる昇華ガスを前記原料蓋(19)の前記窓部(19a)から露出する炭化珪素原料(20)と前記種結晶(3)との間の成長空間領域(21)に供給し、
前記坩堝(1)の加熱を開始してから一定時間後に前記蓋体(1b)を前記容器本体(1a)から離れるように相対的に移動させ、前記原料蓋(19)を前記炭化珪素原料(20)から離すことで、前記原料蓋(19)に接していた前記炭化珪素原料(20)を前記新たな昇華ガス供給面として前記成長空間領域(21)に露出させ、当該露出部分から昇華ガスを前記成長空間領域(21)に供給し、前記炭化珪素単結晶(8)を成長させることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 円形および板状であって、当該円形の板が前記原料蓋(19)と重ね合わされた場合、当該原料蓋(19)の前記窓部(19a)に対向する場所に前記板を貫通する窓部(22a)が設けられており、前記窓部(22a)を構成する内周壁と前記円形の板の外周壁との間の板部分に当該板を貫通する複数の孔部(22b)が設けられた蓋部材(22)を、前記炭化珪素原料(20)の表面上に配置することを特徴とする請求項7に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記昇華ガス供給調整部材として、有底円筒状であって、前記容器本体(1a)の内径よりも径が小さく、側部に貫通穴(30b)が設けられた分離部(30)を用意して当該分離部(30)の開口側を前記蓋体(1b)に一体化し、
前記容器本体(1a)内に炭化珪素原料(31)を配置し、前記蓋体(1b)を前記容器本体(1a)に取り付けることで、前記炭化珪素原料(31)の表面に前記分離部(30)の底部(30c)を接触させた後、
前記坩堝(1)の加熱を開始すると、前記分離部(30)の外壁と前記容器本体(1a)の内壁との間に露出する前記炭化珪素原料(31)から発生した昇華ガスを前記分離部(30)に設けられた前記貫通穴(30b)を通過させて前記分離部(30)の中空部分において前記底部(30c)と種結晶(3)の間の成長空間領域(32)に供給し、
前記坩堝(1)の加熱を開始してから一定時間後に前記蓋体(1b)を前記容器本体(1a)から離れるように相対的に移動させ、前記分離部(30)の前記底部(30c)を前記炭化珪素原料(31)から離すことで、前記底部(30c)に接していた前記炭化珪素原料(31)を前記新たな昇華ガス供給面として前記容器本体(1a)内に露出させ、当該露出部分から生じた昇華ガスを前記分離部(30)の外壁と前記容器本体(1a)の内壁との間の空間および前記貫通穴(30b)を通過させて前記成長空間領域(32)に供給し、前記炭化珪素単結晶(8)を成長させることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011198496A JP5510421B2 (ja) | 2011-09-12 | 2011-09-12 | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011198496A JP5510421B2 (ja) | 2011-09-12 | 2011-09-12 | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007137444A Division JP4941099B2 (ja) | 2007-05-24 | 2007-05-24 | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013250277A Division JP5794286B2 (ja) | 2013-12-03 | 2013-12-03 | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012012296A true JP2012012296A (ja) | 2012-01-19 |
JP5510421B2 JP5510421B2 (ja) | 2014-06-04 |
Family
ID=45599166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011198496A Active JP5510421B2 (ja) | 2011-09-12 | 2011-09-12 | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5510421B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002060297A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶の成長装置および成長方法 |
JP4941099B2 (ja) * | 2007-05-24 | 2012-05-30 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
JP5327259B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2013-10-30 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
-
2011
- 2011-09-12 JP JP2011198496A patent/JP5510421B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002060297A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-26 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶の成長装置および成長方法 |
JP4941099B2 (ja) * | 2007-05-24 | 2012-05-30 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
JP5327259B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2013-10-30 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5510421B2 (ja) | 2014-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4941099B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP5327259B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP4748067B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP5659381B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP6302192B2 (ja) | 単結晶の育成装置及び育成方法 | |
WO2011062092A1 (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
KR20150127682A (ko) | 산소를 제어하기 위한 도가니 어셈블리 및 관련 방법들 | |
JP4238450B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 | |
JPH11268990A (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP2007077017A (ja) | 単結晶の成長装置および成長方法 | |
JP2009023880A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP5794286B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP5510421B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP2012254892A (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
KR20130083653A (ko) | 단결정 성장 장치 | |
JP2006503781A (ja) | 単結晶炭化ケイ素の形成 | |
JP5162330B2 (ja) | 単結晶の製造装置及び製造方法 | |
JP5187300B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP5206694B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置およびそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2018168010A (ja) | 炭化珪素単結晶製造装置およびそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2013075789A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP4735622B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JPH10185455A (ja) | 加熱処理装置 | |
JP5287675B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP4831041B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131008 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140225 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140310 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5510421 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |