JP2012009476A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一方の主面1aに第1の電極2を備えた回路基板1と、主面1aに対向して設けられ、第1の端子5を介して第1の電極2に接続された半導体素子6と、主面1aと半導体素子6との間に充填され、半導体素子6の外周側面6aを覆う封止樹脂23とを有し、封止樹脂23の外周側面23xが、回路基板1の主面1aに対して垂直である半導体装置による。
【選択図】図8
Description
図3(a)は本実施形態で使用するプレートの平面図であり、図3(b)は図3(a)のI−I線に沿う断面図である。
本実施形態では、第1実施形態の封止樹脂23として感光性樹脂を使用する。
前記主面に対向して設けられ、第1の端子を介して前記第1の電極に接続された半導体素子と、
前記主面と前記半導体素子との間に充填され、前記半導体素子の外周側面を覆う封止樹脂とを有し、
前記封止樹脂の外周側面が、前記回路基板の前記主面に対して垂直であることを特徴とする半導体装置。
前記封止樹脂が、前記開口内に充填されたことを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
第2の端子を備えた電子部品とを更に有し、
前記第2の端子が前記第2の電極に接続され、前記封止樹脂が前記半導体素子と前記電子部品とを共通に覆うことを特徴とする付記1又は付記2に記載の半導体装置。(3、図8)
(付記4) 前記半導体素子の上面において前記封止樹脂が除去され、前記半導体素子の前記上面に放熱板が接続されたことを特徴とする付記1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
前記開口内に半導体素子を入れ、該開口内に露出する前記支持体に前記半導体素子の第1の端子を接着する工程と、
前記第1の端子を接着した後、前記開口内に封止樹脂を充填する工程と、
前記封止樹脂を充填した後、前記プレートと前記第1の端子から前記支持体を剥離することにより、前記第1の端子を露出させる工程と、
回路基板の第1の電極に、前記半導体素子の前記露出した第1の端子を接続する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記回路基板の前記第1の電極に前記第1の端子を接続する工程において、前記回路基板の第2の電極に前記第2の端子を接続することを特徴とする付記5に記載の半導体装置の製造方法。
前記回路基板の前記第1の電極に前記第1の端子を接続する工程において、前記はんだバンプを加熱して溶融することにより、該はんだバンプを前記第1の電極に接続することを特徴とする付記5又は付記6に記載の半導体装置の製造方法。
前記支持体を通して前記封止樹脂に光を照射することにより、前記封止樹脂内に前記半導体素子の影を作り、該影に対応した潜像を前記封止樹脂に形成する工程と、
前記潜像を形成した後、前記封止樹脂を現像することにより、前記影が生じていた部分の前記封止樹脂を除去して、前記半導体素子の上面を露出させる工程と、
前記露出した上面に放熱板を接続する工程とを更に有することを特徴とする付記5〜9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Claims (6)
- 一方の主面に第1の電極を備えた回路基板と、
前記主面に対向して設けられ、第1の端子を介して前記第1の電極に接続された半導体素子と、
前記主面と前記半導体素子との間に充填され、前記半導体素子の外周側面を覆う封止樹脂とを有し、
前記封止樹脂の外周側面が、前記回路基板の前記主面に対して垂直であることを特徴とする半導体装置。 - 前記回路基板の前記主面に固着され、前記半導体素子を収容する開口を備えたプレートを更に有し、
前記封止樹脂が、前記開口内に充填されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記回路基板の前記主面に設けられた第2の電極と、
第2の端子を備えた電子部品とを更に有し、
前記第2の端子が前記第2の電極に接続され、前記封止樹脂が前記半導体素子と前記電子部品とを共通に覆うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。 - 支持体の上に、開口を備えたプレートを接着する工程と、
前記開口内に半導体素子を入れ、該開口内に露出する前記支持体に前記半導体素子の第1の端子を接着する工程と、
前記第1の端子を接着した後、前記開口内に封止樹脂を充填する工程と、
前記封止樹脂を充填した後、前記プレートと前記第1の端子から前記支持体を剥離することにより、前記第1の端子を露出させる工程と、
回路基板の第1の電極に、前記半導体素子の前記露出した第1の端子を接続する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記開口内に電子部品を入れ、該開口内に露出する前記支持体に前記電子部品の第2の端子を接着する工程を更に有し、
前記回路基板の前記第1の電極に前記第1の端子を接続する工程において、前記回路基板の第2の電極に前記第2の端子を接続することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記封止樹脂として感光性樹脂を使用し、
前記支持体を通して前記封止樹脂に光を照射することにより、前記封止樹脂内に前記半導体素子の影を作り、該影に対応した潜像を前記封止樹脂に形成する工程と、
前記潜像を形成した後、前記封止樹脂を現像することにより、前記影が生じていた部分の前記封止樹脂を除去して、前記半導体素子の上面を露出させる工程と、
前記露出した上面に放熱板を接続する工程とを更に有することを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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