|
JP2930517B2
(ja)
*
|
1994-02-03 |
1999-08-03 |
シャープ株式会社 |
反射型液晶表示装置の製造方法
|
|
JP2912176B2
(ja)
*
|
1994-12-28 |
1999-06-28 |
日本電気株式会社 |
反射型液晶表示装置
|
|
JPH11505377A
(ja)
|
1995-08-03 |
1999-05-18 |
フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ |
半導体装置
|
|
JP3625598B2
(ja)
|
1995-12-30 |
2005-03-02 |
三星電子株式会社 |
液晶表示装置の製造方法
|
|
JP4170454B2
(ja)
|
1998-07-24 |
2008-10-22 |
Ｈｏｙａ株式会社 |
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
|
|
JP3452839B2
(ja)
*
|
1998-10-20 |
2003-10-06 |
シャープ株式会社 |
反射型液晶表示装置
|
|
JP2000150861A
(ja)
|
1998-11-16 |
2000-05-30 |
Tdk Corp |
酸化物薄膜
|
|
JP3276930B2
(ja)
|
1998-11-17 |
2002-04-22 |
科学技術振興事業団 |
トランジスタ及び半導体装置
|
|
TW460731B
(en)
|
1999-09-03 |
2001-10-21 |
Ind Tech Res Inst |
Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
|
|
JP3962191B2
(ja)
*
|
1999-11-29 |
2007-08-22 |
旭硝子株式会社 |
光反射性基板の製造方法およびこれを使用した反射型液晶表示装置
|
|
JP2001183656A
(ja)
*
|
1999-12-22 |
2001-07-06 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
反射型液晶表示素子およびそれを用いた画像表示装置
|
|
JP2001257350A
(ja)
|
2000-03-08 |
2001-09-21 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置およびその作製方法
|
|
JP4118485B2
(ja)
|
2000-03-13 |
2008-07-16 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
US6873384B2
(en)
*
|
2000-04-17 |
2005-03-29 |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
Reflection board, reflection tyre liquid crystal display unit and production method therefor, optical member, display unit, illuminating device, display board, and undulatory member
|
|
US6690437B2
(en)
|
2000-04-18 |
2004-02-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electro-optical device
|
|
US6747289B2
(en)
|
2000-04-27 |
2004-06-08 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method of fabricating thereof
|
|
JP4089858B2
(ja)
|
2000-09-01 |
2008-05-28 |
国立大学法人東北大学 |
半導体デバイス
|
|
KR20020038482A
(ko)
|
2000-11-15 |
2002-05-23 |
모리시타 요이찌 |
박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
|
|
US7480019B2
(en)
|
2001-01-25 |
2009-01-20 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Method of manufacturing a substrate for an lcd device
|
|
TW548689B
(en)
|
2001-01-25 |
2003-08-21 |
Fujitsu Display Tech |
Reflection type liquid crystal display device and manufacturing method thereof
|
|
JP4409779B2
(ja)
*
|
2001-01-25 |
2010-02-03 |
シャープ株式会社 |
反射型液晶表示装置の形成方法
|
|
JP3997731B2
(ja)
|
2001-03-19 |
2007-10-24 |
富士ゼロックス株式会社 |
基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
|
|
JP2002289859A
(ja)
|
2001-03-23 |
2002-10-04 |
Minolta Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JP2002328661A
(ja)
*
|
2001-04-27 |
2002-11-15 |
Toshiba Corp |
液晶表示装置の駆動方法及び液晶表示装置
|
|
JP3925839B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2007-06-06 |
シャープ株式会社 |
半導体記憶装置およびその試験方法
|
|
JP4090716B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2008-05-28 |
雅司 川崎 |
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
|
|
WO2003040441A1
(fr)
|
2001-11-05 |
2003-05-15 |
Japan Science And Technology Agency |
Film mince monocristallin homologue a super-reseau naturel, procede de preparation et dispositif dans lequel est utilise ledit film mince monocristallin
|
|
JP4164562B2
(ja)
|
2002-09-11 |
2008-10-15 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
|
|
JP4083486B2
(ja)
|
2002-02-21 |
2008-04-30 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
|
|
JP4237442B2
(ja)
|
2002-03-01 |
2009-03-11 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半透過型液晶表示装置
|
|
JP4087620B2
(ja)
|
2002-03-01 |
2008-05-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置の作製方法
|
|
JP4101533B2
(ja)
|
2002-03-01 |
2008-06-18 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半透過型の液晶表示装置の作製方法
|
|
CN1445821A
(zh)
|
2002-03-15 |
2003-10-01 |
三洋电机株式会社 |
ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
|
|
JP3933591B2
(ja)
|
2002-03-26 |
2007-06-20 |
淳二 城戸 |
有機エレクトロルミネッセント素子
|
|
US7339187B2
(en)
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
|
JP2004022625A
(ja)
|
2002-06-13 |
2004-01-22 |
Murata Mfg Co Ltd |
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
|
|
US7105868B2
(en)
|
2002-06-24 |
2006-09-12 |
Cermet, Inc. |
High-electron mobility transistor with zinc oxide
|
|
US7067843B2
(en)
|
2002-10-11 |
2006-06-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Transparent oxide semiconductor thin film transistors
|
|
JP2004158243A
(ja)
*
|
2002-11-05 |
2004-06-03 |
Ube Ind Ltd |
多孔質酸化物半導体薄膜、光電変換素子および太陽電池
|
|
JP4166105B2
(ja)
|
2003-03-06 |
2008-10-15 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP2004273732A
(ja)
|
2003-03-07 |
2004-09-30 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
JP4108633B2
(ja)
|
2003-06-20 |
2008-06-25 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
|
|
US7262463B2
(en)
|
2003-07-25 |
2007-08-28 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor including a deposited channel region having a doped portion
|
|
US7282782B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-10-16 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Combined binary oxide semiconductor device
|
|
US7145174B2
(en)
|
2004-03-12 |
2006-12-05 |
Hewlett-Packard Development Company, Lp. |
Semiconductor device
|
|
US7297977B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-11-20 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Semiconductor device
|
|
CN1998087B
(zh)
|
2004-03-12 |
2014-12-31 |
独立行政法人科学技术振兴机构 |
非晶形氧化物和薄膜晶体管
|
|
US7211825B2
(en)
|
2004-06-14 |
2007-05-01 |
Yi-Chi Shih |
Indium oxide-based thin film transistors and circuits
|
|
JP2006100760A
(ja)
|
2004-09-02 |
2006-04-13 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
US7285501B2
(en)
|
2004-09-17 |
2007-10-23 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Method of forming a solution processed device
|
|
US7298084B2
(en)
|
2004-11-02 |
2007-11-20 |
3M Innovative Properties Company |
Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
|
|
US7791072B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-09-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Display
|
|
US7829444B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor manufacturing method
|
|
US7863611B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
|
WO2006051995A1
(en)
|
2004-11-10 |
2006-05-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor employing an amorphous oxide
|
|
KR100998527B1
(ko)
|
2004-11-10 |
2010-12-07 |
고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 |
비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
|
|
EP1810335B1
(en)
|
2004-11-10 |
2020-05-27 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Light-emitting device
|
|
US7453065B2
(en)
|
2004-11-10 |
2008-11-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Sensor and image pickup device
|
|
US7579224B2
(en)
|
2005-01-21 |
2009-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a thin film semiconductor device
|
|
TWI562380B
(en)
|
2005-01-28 |
2016-12-11 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
|
|
TWI481024B
(zh)
|
2005-01-28 |
2015-04-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
|
|
US7858451B2
(en)
|
2005-02-03 |
2010-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
US7948171B2
(en)
|
2005-02-18 |
2011-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device
|
|
US20060197092A1
(en)
|
2005-03-03 |
2006-09-07 |
Randy Hoffman |
System and method for forming conductive material on a substrate
|
|
US8681077B2
(en)
|
2005-03-18 |
2014-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
|
|
US7544967B2
(en)
|
2005-03-28 |
2009-06-09 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
|
|
US7645478B2
(en)
|
2005-03-31 |
2010-01-12 |
3M Innovative Properties Company |
Methods of making displays
|
|
US8300031B2
(en)
|
2005-04-20 |
2012-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
|
|
KR100648223B1
(ko)
|
2005-05-11 |
2006-11-24 |
비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 |
반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
|
|
JP2006344849A
(ja)
|
2005-06-10 |
2006-12-21 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
US7691666B2
(en)
|
2005-06-16 |
2010-04-06 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
US7402506B2
(en)
|
2005-06-16 |
2008-07-22 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
US7507618B2
(en)
|
2005-06-27 |
2009-03-24 |
3M Innovative Properties Company |
Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
|
|
KR100711890B1
(ko)
|
2005-07-28 |
2007-04-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
|
|
JP2007059128A
(ja)
|
2005-08-23 |
2007-03-08 |
Canon Inc |
有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
|
|
JP4850457B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2012-01-11 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
|
|
JP4280736B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2009-06-17 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子
|
|
JP5116225B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体デバイスの製造方法
|
|
JP2007073705A
(ja)
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Canon Inc |
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
EP1998373A3
(en)
|
2005-09-29 |
2012-10-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. |
Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
|
|
JP5037808B2
(ja)
|
2005-10-20 |
2012-10-03 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
|
|
KR101103374B1
(ko)
|
2005-11-15 |
2012-01-05 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체장치
|
|
US7821613B2
(en)
|
2005-12-28 |
2010-10-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and manufacturing method thereof
|
|
TWI292281B
(en)
|
2005-12-29 |
2008-01-01 |
Ind Tech Res Inst |
Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
|
|
US7867636B2
(en)
|
2006-01-11 |
2011-01-11 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Transparent conductive film and method for manufacturing the same
|
|
JP4977478B2
(ja)
|
2006-01-21 |
2012-07-18 |
三星電子株式会社 |
ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
|
|
US7576394B2
(en)
|
2006-02-02 |
2009-08-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
|
|
US7977169B2
(en)
|
2006-02-15 |
2011-07-12 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
|
|
KR20070101595A
(ko)
|
2006-04-11 |
2007-10-17 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ ＴＦＴ
|
|
US20070252928A1
(en)
|
2006-04-28 |
2007-11-01 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
|
|
JP5028033B2
(ja)
|
2006-06-13 |
2012-09-19 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
JP4999400B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2012-08-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
JP4609797B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2011-01-12 |
Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 |
薄膜デバイス及びその製造方法
|
|
JP4332545B2
(ja)
|
2006-09-15 |
2009-09-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
|
JP5164357B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2013-03-21 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
|
JP4274219B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2009-06-03 |
セイコーエプソン株式会社 |
電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
|
|
US7622371B2
(en)
|
2006-10-10 |
2009-11-24 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
|
|
US7772021B2
(en)
|
2006-11-29 |
2010-08-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
|
|
JP2008140684A
(ja)
|
2006-12-04 |
2008-06-19 |
Toppan Printing Co Ltd |
カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
|
|
KR101303578B1
(ko)
|
2007-01-05 |
2013-09-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 식각 방법
|
|
US8207063B2
(en)
|
2007-01-26 |
2012-06-26 |
Eastman Kodak Company |
Process for atomic layer deposition
|
|
KR100851215B1
(ko)
|
2007-03-14 |
2008-08-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
|
|
JP5197058B2
(ja)
*
|
2007-04-09 |
2013-05-15 |
キヤノン株式会社 |
発光装置とその作製方法
|
|
US7795613B2
(en)
|
2007-04-17 |
2010-09-14 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure with transistor
|
|
KR101325053B1
(ko)
|
2007-04-18 |
2013-11-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
|
KR20080094300A
(ko)
|
2007-04-19 |
2008-10-23 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
|
|
KR101334181B1
(ko)
|
2007-04-20 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
|
|
CN101663762B
(zh)
|
2007-04-25 |
2011-09-21 |
佳能株式会社 |
氧氮化物半导体
|
|
KR101345376B1
(ko)
|
2007-05-29 |
2013-12-24 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
US7682882B2
(en)
*
|
2007-06-20 |
2010-03-23 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Method of manufacturing ZnO-based thin film transistor
|
|
US8202365B2
(en)
|
2007-12-17 |
2012-06-19 |
Fujifilm Corporation |
Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
|
|
US8148245B2
(en)
*
|
2007-12-27 |
2012-04-03 |
Jx Nippon Mining & Metals Corporation |
Method for producing a-IGZO oxide thin film
|
|
TWI622175B
(zh)
*
|
2008-07-31 |
2018-04-21 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
|
|
JP4623179B2
(ja)
|
2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP5451280B2
(ja)
|
2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
|
|
KR101763660B1
(ko)
|
2009-12-18 |
2017-08-01 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
액정 표시 장치 및 그 구동 방법
|
|
CN102656625B
(zh)
|
2009-12-18 |
2016-08-03 |
株式会社半导体能源研究所 |
用于驱动液晶显示设备的方法
|
|
CN105353551A
(zh)
|
2009-12-28 |
2016-02-24 |
株式会社半导体能源研究所 |
液晶显示装置及电子设备
|
|
WO2011081011A1
(en)
|
2009-12-28 |
2011-07-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
|
|
KR101842865B1
(ko)
|
2009-12-28 |
2018-03-28 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
액정 표시 장치 및 전자 기기
|
|
CN102713999B
(zh)
|
2010-01-20 |
2016-01-20 |
株式会社半导体能源研究所 |
电子设备和电子系统
|
|
WO2011096276A1
(en)
|
2010-02-05 |
2011-08-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device
|
|
KR101791253B1
(ko)
|
2010-03-08 |
2017-11-20 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
전자기기 및 전자 시스템
|
|
US8605240B2
(en)
|
2010-05-20 |
2013-12-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
|