JP2012004231A - 磁性半導体用基板、磁性半導体用基板の製造方法及び磁性半導体用基板の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層103と、被拡散層の照射面とは反対の面に接し、被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層102とを備える。
【選択図】図2
Description
図1に示すように、本発明の第1の実施形態に係る磁性半導体用基板の製造装置1は、レーザ光源11、光学系12及びステージ13を備えている。
レーザ光源11として固体パルスグリーンレーザ(527nm、1kHz、パルス幅120ns)を用いて、SOI基板を熱伝導抑制層102とし、このSOI基板上の被拡散層103に遷移金属としてFeをドーピングして生成した磁性半導体用基板について説明する。以下で説明する例は、SOI基板の面方位は(100)であり、Feの膜圧は5nmの場合である。
第2の実施形態に係る磁性半導体用基板の製造方法では、予めゲート絶縁膜である酸化膜を生成し、その後に遷移金属をドーピングして磁性半導体用基板を製造する。なお、第2の実施形態に係る磁性半導体用基板の製造方法におけるレーザアニール処理では、図1を用いて上述した磁性半導体用基板の製造装置1を利用する。
11…レーザ光源
12…光学系
12a…短軸整形部
12b…長軸整形部
12c…ビーム重畳部
12d…部
12e…落射ミラー
12f…照射レンズ
13…ステージ
101…ウェハ
102…熱伝導抑制層
103…被拡散層
104…遷移金属層(薄膜)
105…拡散層
106…酸化膜(ゲート絶縁膜)
Claims (6)
- レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層と、
前記被拡散層の前記照射面とは反対の面に接し、前記被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層と、
を備える特徴とする磁性半導体用基板。 - 前記熱伝導抑制層は、SOI基板、ガラス基板又はセラミックス基板であることを特徴とする請求項1に記載の磁性半導体用基板。
- 前記薄膜は、Fe、Mn、Co、Ni又はCrのいずれかあるいはその化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁性半導体用基板。
- 前記被拡散層は、IV族半導体あるいは化合物半導体の単結晶であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の磁性半導体用基板。
- 半導体の被拡散層を、前記半導体の被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層上に形成するステップと、
前記被拡散層上に、磁性原子の薄膜を形成するステップと、
前記薄膜が生成された基板にレーザ光を照射して前記磁性原子を前記被拡散層中に拡散させるステップと、
を有することを特徴とする磁性半導体用基板の製造方法。 - レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層と、前記被拡散層の前記照射面とは反対の面に接し、前記被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層とを備える半導体用基板を載置するステージと、
前記ステージに載置される基板にレーザ光を照射して前記磁性原子を前記被拡散層中に拡散させるレーザ光源と、
を有することを特徴とする磁性半導体用基板の製造装置。
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