JP2012002817A - 表面プラズモン共鳴センサモジュール及びそれを含むセンシングシステム - Google Patents

表面プラズモン共鳴センサモジュール及びそれを含むセンシングシステム Download PDF

Info

Publication number
JP2012002817A
JP2012002817A JP2011137290A JP2011137290A JP2012002817A JP 2012002817 A JP2012002817 A JP 2012002817A JP 2011137290 A JP2011137290 A JP 2011137290A JP 2011137290 A JP2011137290 A JP 2011137290A JP 2012002817 A JP2012002817 A JP 2012002817A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor chip
main frame
prism
storage space
plasmon resonance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011137290A
Other languages
English (en)
Inventor
Bu-Il Chon
富 一 全
Yong-Gu Kim
龍 圭 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micobiomed Co Ltd
Original Assignee
Micobiomed Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micobiomed Co Ltd filed Critical Micobiomed Co Ltd
Publication of JP2012002817A publication Critical patent/JP2012002817A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55Specular reflectivity
    • G01N21/552Attenuated total reflection
    • G01N21/553Attenuated total reflection and using surface plasmons
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/27Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands using photo-electric detection ; circuits for computing concentration
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N2021/258Surface plasmon spectroscopy, e.g. micro- or nanoparticles in suspension

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

【課題】表面プラズモン共鳴センサモジュール及びそれを含むセンシングシステムを提供すること。
【解決手段】センサモジュールはセンサチップ及び固定部を含む。センサチップは第1面及び第2面を有するプリズム並びにプリズムの第1面に形成される金属薄膜を含む。固定部は底面及び底面から延びた側面を含み、センサチップを収納する収納空間を形成するメインフレームと、センサチップを収納する収納空間に隣接しながらメインフレームに固定されるサブフレームと、メインフレームとサブフレームとの間に配置されてセンサチップが収納される収納空間の大きさを変化させる弾性部材とを含む。センシングシステムは表面プラズモン共鳴センサモジュール、照射部、受光部及び検査部を含む。センサチップを利用することによってセンサチップの不規則な表面によるノイズを除去でき、固定部を利用することによって実験者がセンサチップを容易に取り扱うことができる。
【選択図】図1

Description

本発明は表面プラズモン共鳴(Surface Plasmon Resonance、SPR)センサモジュール及びそれを含むセンシングシステムに関する。より詳しくは、金属薄膜がプリズムに形成されるSPRセンサモジュール及びそれを含むセンシングシステムに関する。
表面プラズモン(Surface Plasmon)というのは、導体表面、例えば、金属薄膜の表面に沿って伝播される自由電子の量子化された振動である。このような表面プラズモンは、プリズムのような誘電媒体(Dielectric medium)を介して誘電媒体の臨界角以上の角度で金属薄膜に入射する入射光によって励起されて共鳴を起こすが、それを表面プラズモン共鳴(Surface Plasmon Resonance、SPR)という。SPRが起きる入射光の入射角、即ち、共鳴角は金属薄膜に近接した物質の屈折率変化に非常に敏感である。SPRセンサはこのような性質を利用して金属薄膜に近接した物質、即ち、試料の屈折率変化から試料の定量分析及び定性分析と、薄膜である試料の厚さを測定することに利用する。
従来の一般的なSPRバイオセンサは、光の波数ベクトル(wave vector)或いは運動量を増加させて表面プラズモンを励起させるために、高屈折率を有する透明誘電体であるプリズムを介して金属薄膜から入射光を反射させる、いわゆる、Kretschmann−Raether配置に従っている。この時、SPRバイオセンサは光源から発生した短波長の入射光を偏光器を介して偏光させてプリズムに入射させるにあたって、駆動部を通じて前記光源を動かして入射角度を変化させることによって、金属薄膜の上に存在する誘電物質による有効屈折率或いは有効厚さの変化をSPR角度の変化として測定する。
ところが、このような従来のSPRバイオセンサは、金属薄膜をプリズムの反射面に付着することにおいて別途の媒介物を導入しなければならなかったし、現在のインデックスマッチングオイルのような流体、または固形の弾性のある透明媒体(elastomer)を主に用いる。また、プリズムと金属薄膜一体で形成するSPRセンサを製作する場合に、屈曲面を有する前記プリズムの形状によって実験者がSPRシステムに装着及び脱着するなど、これらを取り扱うことが困難であった。
そこで、本発明の技術的課題は、このような点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、金属薄膜がプリズムに形成される表面プラズモン共鳴センサモジュールを提供することにある。
本発明の他の目的は、前記表面プラズモン共鳴センサモジュールを含むセンシングシステムを提供することにある。
上述した本発明の目的を達成するための一実施形態に係る表面プラズモン共鳴センサモジュールはセンサチップ及び固定部を含む。前記センサチップは第1面及び第2面を有するプリズム、並びに前記プリズムの第1面に形成される金属薄膜を含み、前記固定部は前記センサチップを収納する。
本発明の一実施形態において、前記固定部はメインフレーム、サブフレーム、及び弾性部材を含む。前記メインフレームは底面及び前記底面から延びた側面を含んで、前記センサチップを収納する収納空間を形成し、前記サブフレームは前記センサチップを収納する収納空間に隣接しながら前記メインフレームに固定される。前記弾性部材は前記メインフレームと前記サブフレームとの間に配置されて前記センサチップが収納される収納空間の大きさを変化させる。
本発明の一実施形態において、前記収納空間を形成する前記メインフレームの互いに対向する側面の各々に開口部が形成されることができる。
本発明の一実施形態において、前記プリズムの第2面は外部から照射された光が通過して屈折する屈折面であり、前記センサチップは前記屈折面が前記収納空間の底面に向くように収納されて、前記開口部によって前記屈折面の一部が露出されることができる。
本発明の一実施形態において、前記メインフレームの底面には突出部が形成され、前記メインフレームの両側面には溝が形成されることができる。
上述の本発明の目的を達成するために本発明に係る表面プラズモン共鳴センサシステムは、表面プラズモン共鳴センサモジュール、照射部、受光部、及び検査部を含む。表面プラズモン共鳴センサモジュールは、第1面及び第2面を有するプリズム並びに前記プリズムの第1面に形成される金属薄膜を含む。前記照射部は前記プリズムを通じて前記金属薄膜に入射される入射光を発生し、前記受光部は前記金属薄膜によって反射して前記プリズムを介して出射される反射光を感知し、前記検査部には前記表面プラズモン共鳴センサモジュールが装着される。
本発明の一実施形態において、前記固定部はメインフレーム、サブフレーム、及び弾性部材を含む。前記メインフレームは、底面及び前記底面から延びた側面を含んで、前記センサチップを収納する収納空間を形成し、前記サブフレームは前記センサチップを収納する収納空間に隣接しながら前記メインフレームに固定される。前記弾性部材は前記メインフレームと前記サブフレームとの間に配置されて前記センサチップが収納される収納空間の大きさを変化させる。
本発明の一実施形態において、前記収納空間を形成する前記メインフレームの互いに対向する側面の各々に開口部が形成されることができる。
本発明の一実施形態において、前記プリズムの第2面は外部から照射された光が通過し屈折する屈折面であり、前記センサチップは、前記屈折面が前記収納空間の底面に向くように収納されて前記開口部によって前記屈折面の一部が露出し、前記照射部から照射された入射光は前記メインフレームの一側面に形成された開口部を通じて前記プリズムに入射され、前記金属薄膜で反射された反射光は前記メインフレームの他側面に形成された開口部を介して前記受光部に到達することができる。
本発明の一実施形態において、前記メインフレームの底面には第1突出部が形成され、前記メインフレームの両側面には第1溝が形成され、前記検査部には前記第1突出部と対応する第2溝及び前記第1溝と対応する第2突出部が形成されて、前記メインフレームと前記検査部とが互いに固定されることができる。
上述の本発明によると、金属薄膜がプリズムに蒸着して形成されるセンサチップを使って既存装備で使用していたマッチングオイルなどを使わないことによって使用者の便宜性を増加させ、不規則な表面によるノイズを除去することができる。
また、前記固定部が含まれたセンサモジュールを利用することによって使用者が前記センサチップを容易に取り扱いことができ、センシングシステムに装着及び脱着することをより容易にすることができる。
本発明の一実施形態に係る表面プラズモン共鳴センサモジュールを示す拡大した分解斜視図である。 図1の固定部の底面を示す底面図である。 図1の固定部の構造を説明するためにサブフレームを分解した平面図である。 本発明の他の実施形態に係るセンシングシステムを概略的に説明するための模式図である。
次に、添付図面を参照しながら本発明をより詳細に説明する。本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるため、特定の実施形態を図面に例示し、本明細書において詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に対して限定しようとすることではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物ないしは代替物を含むことと理解されるべきである。
各図面の説明において、類似する構成要素に対し同じ参照符号を使用した。図面において、構造物のサイズは本発明の明確性に基づくため、実際より拡大して図示したものである。
第1、第2などの用語は多様な構成を説明するにおいて使用されることができるが、構成要素は用語によって限定されてはいけない。用語は1つの構成要素を別の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲内で、第1構成要素は第2構成要素に命名されることができ、類似に第2構成要素も第1構成要素に命名されることができる。単数の表現は文脈上において明白に別のことを意味しない限り、複数の表現を含む。
本明細書において、「含む」または「有する」などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定することであり、1つまたはそれ以上の別の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組合わせたものの存在あるいは付加可能性を予め排除することではないことと理解されるべきである。
図1は本発明の一実施形態に係る表面プラズモン共鳴センサモジュールを示す拡大した分解斜視図である。図2は図1の固定部の底面を示す底面図である。図3は図1の固定部の構造を説明するためにサブフレームを分解した平面図である。
図1〜図3によると、本発明の実施形態による表面プラズモン共鳴センサモジュールは、センサチップ100及び固定部200を含む。
前記センサチップ100は第1面115及び第2面114を有するプリズム110と前記第1面115に形成される金属薄膜120から成る。
前記金属薄膜120は誘電関数の実数部(real part)が負(−)の値を有する金属を数十ナノメートル(nm)の厚さで形成したものを利用する。例えば、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)等を利用することができ、前記金属のうち、最も鋭いSPR共鳴ピークを見せる銀(Ag)と、優れた表面安定性を示す金(Au)が普遍的に利用されることができる。
前記金属薄膜120は、前記金属が前記プリズム110の前記第1面115上に蒸着して形成される。
前記プリズム110は任意の光源(図示せず)を通過した光を透過させるために、シリカ(SiO)、クラウンガラス(BK7)等のガラスまたはプラスチックのような透明な材質を使うことが望ましい。
前記プリズム110の第1面115は前記金属薄膜が形成されるように平面形状で形成され、前記第2面114は外部から照射された光が入射して屈折または分散するように屈折面形状で形成される。
外部の光源から提供された光は前記プリズム110を通過して前記金属薄膜120に入射して前記金属薄膜120の表面プラズモンを励起させる。その後、前記金属薄膜120から反射された光は、再び前記プリズム110を通過して外部に放出される。前記プリズム110はその断面形状が台形型、反円筒形、三角柱型、または、回折格子型になることができるが、これに制限されるのではない。図1では前記センサチップ100と前記固定部200との結合関係を説明するために前記第2面を両側の屈曲面111、113と底面112に区分した。
前記プリズムの屈折面の形状によって入射光の入射角度と屈折率を適切に変更させることができる。実験過程で前記金属薄膜120上に分析対象物質を配置させ、前記分析対象物質による有効屈折率または、有効厚さの変化を測定することになる。従って、前記分析対象物質及び入射光の入射角度に合うように適切に前記屈折面の形状を選択することができる。
上述のように金属薄膜がプリズムの第1面に蒸着して形成されるセンサチップ100を利用することによって、実験過程でプリズムと金属薄膜とを接着することに別途のマッチングオイルを使う必要がない。従って、別途のマッチングオイルを使うことによって発生する不規則な表面によるノイズなどの問題点を解決することができる。
前記固定部200はメインフレーム210、サブフレーム220及び弾性部材230を含む。
前記メインフレーム210は底面212及び前記底面212に延びる側面を含んで、収納空間217を形成する。
前記底面と側面から定義された収納空間217の一部にはサブフレーム220が挿入及び固定される。前記サブフレームが挿入された部分を除いた収納空間には前記センサチップ100が収納される。前記収納空間217に前記サブフレームが挿入された後、前記サブフレームの上段一部には追加で固定板224が覆われることができる。前記固定板224でメインフレームを覆って前記サブフレームが前記収納空間を離脱しないように固定することができる。
前記センサチップは前記収納空間で前記メインフレーム210、サブフレーム220、及び前記サブフレームを押し出す弾性力を有する弾性部材230によって固定される。
前記センサチップ100は、前記収納空間217に前記金属薄膜120が形成された第1面115が上部に向いて前記プリズム110の底面112が前記収納空間217の底面に向くように収納される。
前記収納空間の底面両側面には開口部214、216が形成される。そして、前記センサチップ100を前記固定部200に固定する場合、前記センサチップの第2面の一側の屈曲面111は前記一側面の開口部216によって露出され、前記第2面の他側の屈曲面113は、前記他側面の開口部214によって露出される。前記固定部200を後述するセンシングシステム(図4参照)に装着した場合、前記センシングシステム内の光源から照射された光が収納空間の一側面に形成された開口部214を介してプリズムに入射され、前記金属薄膜に到達することができる。また、前記金属薄膜から反射された光は前記収納空間の他側面に形成された開口部216を通じて前記センシングシステム内の受光部(図示せず)に受光される。前記開口部の位置は前記プリズムの形及び前記光の入射方向により適切に形成されることができる。また、前記収納空間の底面の形状も前記プリズムの第2面114の形により適切に変形されることができる。
前記固定部200は弾性部材230を含み、前記弾性部材は例えばスプリングであることができる。前記サブフレーム220は前記メインフレーム210の両側面に従って前記弾性部材230を圧縮する方向に一定距離の移動が可能であり、その時、発生する前記弾性部材の弾性復原力によって前記センサチップ100を固定することになる。前記サブフレーム220の上面には突出部222が形成されることができ、この場合、使用者が前記サブフレームを移動させる場合、前記突出部222を利用して便利に作業することができる。
具体的に、前記弾性部材230は、前記サブフレーム220が前記収納空間217の空間を広げる方向に移動する場合に圧縮され、反対の場合に引張される。従って、前記収納空間217を広げる方向に前記サブフレーム220を移動して前記センサチップ100を装着すると、前記弾性部材の弾性復原力によって前記センサチップが収納空間に固定される。前記センサチップを脱着する場合には前記サブフレームを前記収納空間を広げる方向に移動させて前記センサチップを脱着した後に前記サブフレームを元の状態に復帰させれば良い。
前記メインフレームの底面212には前記メインフレームの長軸方向にガイド部218が形成されることができる。前記固定部200の形状と共に前記ガイド部218に対応する形状が、前記固定部が装着されるセンシングシステムの検査部にも形成されていて前記固定部の装着を容易にすることができる。
前記メインフレーム210の両側面には溝219が形成されることができる。前記溝219に対応する突出部の形状が、前記固定部が装着されるセンシングシステムの検査部の両側面にも形成されていて前記固定部の装着時に前記固定部を前記検査部内に固定することになる。
図4は本発明の他の実施形態に係るセンシングシステムを概略的に説明するための模式図である。図4においては、図1に図示したセンサモジュールを示した。
本実施形態に係るセンシングシステム300はセンサモジュール、照射部310、受光部320、及び検査部330を含む。
本実施形態によるセンシングシステム300のセンサモジュールは、図1〜図3を参照して説明した実施形態のセンサモジュールと同一であるので、同じ参照番号を使って重複される説明は省略する。
前記照射部310は、前記検査部330に入射する入射光を発生し、前記入射光は前記検査部330に締結された前記固定部200に収納された前記センサチップ100のプリズム110を介して前記金属薄膜120に入射される。
本実施形態に係るセンシングシステム300は、入射光源としてレーザーを使うことが望ましく、具体的には、照射部310から発進される入射光としては、レーザーダイオードLD、ガスレーザーなどのようなレーザーを使うことができる。前記照射部310から発進されるレーザーの形態は、点(dot)または線(line)の形態であることが望ましいが、これに制限されない。また、金属薄膜120で発生する表面プラズモン共鳴現象に最適化するように400〜900nmの波長を有するレーザーを使うことが望ましいが、レーザーの波長が400nm未満の場合、表面プラズモン共鳴現象がまともに発生せず、900nm超過する場合、受光部320のイメージ獲得が難しくて試料を分析することに問題が生じる。
また、金属薄膜120で発生する表面プラズモンは入射光成分のうち、入射面と平行する成分、即ち、TM偏光(Transverse Magnetic Polarized light)成分のみに励起されるので、前記照射部310から発進されるレーザーをTM偏光に変換させる偏光器(図示せず)を使ってTMモード(Transverse Magnetic mode)に変化させることが望ましい。
前記受光部320は前記入射光のうち、前記金属薄膜120によって反射される反射光を感知することができる。即ち、前記受光部320は表面プラズモンの共鳴吸収による波長の変化、例えば、色変化または、強度変化を定量的に測定することができる。
本発明において、受光部320は入射角と同じ角度で金属薄膜120から反射された反射光の強度が最小になるイメージの暗い部分をモニタリングすることによって表面プラズモン共鳴角をリアルタイムで測定して試料を分析することのできる機能及び効果を有する。前記受光部320は、フォトダイオードアレイ(PDA)または電荷結合素子(charge coupled device、CCD)、相補型金属酸化物半導体(complementary metal oxide semiconductor、CMOS)等のイメージディテクタ(detector)用受光部を使うことが望ましい。
前記検査部330は前記センサチップ100が装着される領域として、前記固定部200が結合することができるように前記固定部の形状と対応する形状を有する。前記検査部330は前記固定部の底面212に形成されたガイド部218に対応する構造を有していて、前記固定部が正常な位置として許容されるギャップ(gap)を越えないように検査部内に装着させることができる。また、前記固定部の両側面に形成された溝219に挿入される突出部(図示せず)が形成されていて、前記固定部の締結以後に検査途中で分離される現象を防止することができる。一方、前記固定部200は前記センサチップ100を収納した状態で前記検査部330にそのまま装着される。
上述のような構成を有する本実施形態に係るセンシングシステム300を利用して分析対象物質を検出する場合、前記センサチップ100を前記固定部200に固定し、前記固定部を前記検査部330に固定すれば、前記光源310から発生した光は、前記検査部330に装着された固定部200内のプリズム110を介して金属薄膜120に対して一定角度で入射され、前記金属薄膜120により反射された光は、受光部320により感知される。この時、前記センサチップ100表面に平行する波動ベクトル成分が前記センサチップ100及び分析対象物質の界面に沿って発生する表面プラズモンの波動ベクトルと一致する時、入射光のエネルギは表面プラズモンに大部分吸収されるが、この時の入射光の入射角を共鳴角(θ)と言い、分析対象物質の厚さ、屈折率、濃度などにより表面プラズモン共鳴条件が変化して、前記受光部320を介して前記表面プラズモン共鳴条件変化を測定することができる。
上述のように、前記センサチップ100が装着された固定部200を前記センシングシステム300の検査部330に装着及び脱着することによって、前記センサチップの装着及び脱着が容易になり、それによって、センシングシステムの使用も容易になり実験者の便宜性が増加する。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特徴請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
以上、説明したように、本発明の実施形態によると、プリズムに金属薄膜が蒸着されて一体で形成されたセンサチップによって不規則な表面によるノイズ現象を除去することができる。また、これを装着できる固定部によって実験者が前記センサチップを取り扱いやすく、なお、センシングシステムに前記センサチップを装着及び脱着することにおいての不便性を取り除くことができる。
100 センサチップ
200 固定部
300 センシングシステム
110 プリズム
120 金属薄膜
210 メインフレーム
220 サブフレーム
230 弾性部材
310 照射部
320 受光部
330 検査部

Claims (10)

  1. 第1面及び第2面を有するプリズム並びに前記プリズムの第1面に形成される金属薄膜を含むセンサチップと、
    前記センサチップを収納する固定部と、を含む表面プラズモン共鳴センサモジュール。
  2. 前記固定部は、
    底面及び前記底面から延びた側面を含んで、前記センサチップを収納する収納空間を形成するメインフレームと、
    前記センサチップを収納する収納空間に隣接しながら前記メインフレームに固定されるサブフレームと、
    前記メインフレームと前記サブフレームとの間に配置されて前記センサチップが収納される収納空間の大きさを変化させる弾性部材と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の表面プラズモン共鳴センサモジュール。
  3. 前記収納空間を形成する前記メインフレームの互いに対向する側面の各々に開口部が形成されることを特徴とする請求項2に記載の表面プラズモン共鳴センサモジュール。
  4. 前記プリズムの第2面は外部から照射された光が通過して屈折する屈折面であり、前記センサチップは前記屈折面が前記収納空間の底面に向くように収納されて、前記開口部によって前記屈折面の一部が露出することを特徴とする請求項3に記載の表面プラズモン共鳴センサモジュール。
  5. 前記メインフレームの底面には、突出部が形成され、前記メインフレームの両側面には溝が形成されたことを特徴とする請求項2に記載の表面プラズモン共鳴センサモジュール。
  6. 第1面及び第2面を有するプリズム、前記プリズムの第1面に形成される金属薄膜を含むセンサチップ、並びに前記センサチップを収納する固定部を含む表面プラズモン共鳴センサモジュールと、
    前記プリズムを介して前記金属薄膜に入射される入射光を照射する照射部と、
    前記入射光のうち、前記金属薄膜によって反射されて前記プリズムを介して出射される反射光を感知する受光部と、
    前記表面プラズモン共鳴センサモジュールが装着される検査部と、を含むセンシングシステム。
  7. 前記固定部は、
    底面及び前記底面から延びた側面を含んで、前記センサチップを収納する収納空間を形成するメインフレームと、
    前記センサチップを収納する収納空間に隣接しながら前記メインフレームに固定されるサブフレームと、
    前記メインフレームと前記サブフレームとの間に配置されて前記センサチップが収納される収納空間の大きさを変化させる弾性部材と、を含むことを特徴とする請求項6に記載のセンシングシステム。
  8. 前記収納空間を形成する前記メインフレームの互いに対向する側面の各々に開口部が形成されることを特徴とする請求項7に記載のセンシングシステム。
  9. 前記プリズムの第2面は外部から照射された光が通過して屈折する屈折面であり、前記センサチップは前記屈折面が前記収納空間の底面に向くように収納されて前記開口部によって前記屈折面の一部が露出され、前記照射部から照射された入射光は前記メインフレームの一側面に形成された開口部を介して前記プリズムに入射され、前記金属薄膜から反射された反射光は前記メインフレームの他側面に形成された開口部を介して前記受光部に到達することを特徴とする請求項8に記載のセンシングシステム。
  10. 前記メインフレームの底面には第1突出部が形成され、前記メインフレームの両側面には第1溝が形成され、前記検査部には前記第1突出部と対応する第2溝及び前記第1溝と対応する第2突出部が形成されて、前記メインフレームと前記検査部が互いに固定されることを特徴とする請求項7に記載のセンシングシステム。
JP2011137290A 2010-06-21 2011-06-21 表面プラズモン共鳴センサモジュール及びそれを含むセンシングシステム Pending JP2012002817A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2010-0058672 2010-06-21
KR20100058672A KR20110138657A (ko) 2010-06-21 2010-06-21 표면 플라즈몬 공명 센서 모듈 및 이를 포함한 센싱 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012002817A true JP2012002817A (ja) 2012-01-05

Family

ID=45483261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011137290A Pending JP2012002817A (ja) 2010-06-21 2011-06-21 表面プラズモン共鳴センサモジュール及びそれを含むセンシングシステム

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2012002817A (ja)
KR (1) KR20110138657A (ja)
CN (1) CN102331410A (ja)
TW (1) TW201207377A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI552343B (zh) * 2014-11-05 2016-10-01 國立成功大學 光驅動機械式電子元件及其操作方法
JP6854134B2 (ja) * 2017-01-16 2021-04-07 矢崎総業株式会社 高選択性腐食センサーシステム
KR102544841B1 (ko) * 2021-01-28 2023-06-20 (주)퀀텀테크 프리즘유닛과 이것을 이용한 액상케미컬 농도측정장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11183372A (ja) * 1997-12-19 1999-07-09 Toto Ltd Sprセンサ装置および分析システムとこれを用いた検出方法
JP2000065735A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Nippon Laser Denshi Kk 表面プラズモン共鳴角検出装置及び試料供給方法
JP2005017225A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Aisin Seiki Co Ltd センサチップ及びセンサチップ収納ユニット並びに表面プラズモン共鳴測定装置
JP2006200931A (ja) * 2005-01-18 2006-08-03 Fuji Photo Film Co Ltd センサユニット
JP2008209278A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Aisin Seiki Co Ltd センサチップ

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100849384B1 (ko) * 2005-10-21 2008-07-31 한국생명공학연구원 나노갭 및 나노갭 센서의 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11183372A (ja) * 1997-12-19 1999-07-09 Toto Ltd Sprセンサ装置および分析システムとこれを用いた検出方法
JP2000065735A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Nippon Laser Denshi Kk 表面プラズモン共鳴角検出装置及び試料供給方法
JP2005017225A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Aisin Seiki Co Ltd センサチップ及びセンサチップ収納ユニット並びに表面プラズモン共鳴測定装置
JP2006200931A (ja) * 2005-01-18 2006-08-03 Fuji Photo Film Co Ltd センサユニット
JP2008209278A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Aisin Seiki Co Ltd センサチップ

Also Published As

Publication number Publication date
CN102331410A (zh) 2012-01-25
TW201207377A (en) 2012-02-16
KR20110138657A (ko) 2011-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5939016B2 (ja) 光学デバイス及び検出装置
KR102491854B1 (ko) 분광기
JP2006126187A (ja) 反共振導波路センサを用いた試料の分析
US20190219505A1 (en) Device for analysing a specimen using the goos-hänchen surface plasmon resonance effect
JP2012002817A (ja) 表面プラズモン共鳴センサモジュール及びそれを含むセンシングシステム
CN114706022A (zh) 一种探头装置以及磁力计
KR100928546B1 (ko) 국소 표면 플라즈몬 센서 및 상기 센서를 이용하여 시료를분석하는 방법
WO2005005967A1 (ja) 蛍光分析用光合分波器、蛍光分析用光学モジュール、蛍光分析装置、蛍光・光熱変換分光分析装置、及び蛍光分析用チップ
US10816466B2 (en) Analysing apparatus and method
JP2007071615A (ja) 表面プラズモン共鳴角スペクトル測定装置
JP2004117325A (ja) 光反射型センサ及びその構造
JP2004361256A (ja) 表面プラズモン共鳴センサー及び表面プラズモン共鳴測定装置
JP7264134B2 (ja) 分光分析装置、光学系、及び方法
KR101109148B1 (ko) 표면 플라즈몬 공진 센서 및 표면 플라즈몬 공진을 이용한 센싱 방법
JP2009128012A (ja) 分析素子チップ及びこの分析素子チップを用いた表面プラズモン共鳴蛍光分析装置
JP2020003215A (ja) フローセル
US20160223466A1 (en) Electric-field enhancement element, analysis device, and electronic apparatus
JP4393422B2 (ja) 全反射減衰を利用するセンサユニット及び全反射減衰を利用する測定方法。
JP4861347B2 (ja) 表面プラズモン共鳴現象測定装置の試料セル固定構造
JP5280039B2 (ja) 表面プラズモンセンサー
JP2007024869A (ja) マルチチャンネルセンサ、センシング装置、及びセンシング方法
JP2012078110A (ja) コリメータ光源およびそれを用いた表面プラズモン共鳴センサー
JP2016004018A (ja) ラマン分光装置および電子機器
JP2007101242A (ja) センシング装置
JP6599675B2 (ja) 光学式センサ

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121120

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121121

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130528