JP2012000954A5 - - Google Patents

Description

上記課題を解決するために、本発明のデバイスは、少なくとも第１及び第２素子基板を含む複数の素子基板と、機器に接続するための接続手段とを備えるデバイスであって、前記第１及び第２の素子基板は、駆動素子と、前記接続手段へ信号を出力するための出力端子と、信号を生成する、少なくとも１つの生成手段と、前記出力端子の状態として、ハイインピーダンス状態と前記生成手段によって生成された信号を出力する状態を、選択信号に基づいて選択する選択手段とを有し、前記第１及び第２素子基板が有するそれぞれの出力端子は前記接続手段に並列に接続され、前記第１及び第２素子基板は、前記接続手段を介してそれぞれ対応する選択信号を前記機器から個別に受信することを特徴とする。

Claims (8)

1. 少なくとも第１及び第２素子基板を含む複数の素子基板と、機器に接続するための接続手段とを備えるデバイスであって、
   前記第１及び第２の素子基板は、
   駆動素子と、
   前記接続手段へ信号を出力するための出力端子と、
   信号を生成する、少なくとも１つの生成手段と、
   前記出力端子の状態として、ハイインピーダンス状態と前記生成手段によって生成された信号を出力する状態を、選択信号に基づいて選択する選択手段とを有し、
   前記第１及び第２素子基板が有するそれぞれの出力端子は前記接続手段に並列に接続され、前記第１及び第２素子基板は、前記接続手段を介してそれぞれ対応する選択信号を前記機器から個別に受信することを特徴とするデバイス。
2. 前記生成手段は、少なくとも第１信号を生成する第１生成部と第２信号を生成する第２生成部を有し、
   前記選択手段は、前記選択信号に基づいて前記第１信号、前記第２信号のうちの１つを選択して、前記出力端子へ出力することを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
3. 前記選択手段は、前記ハイインピーダンス状態と前記生成手段によって生成された信号を出力する状態を切換える３ステートバッファを有することを特徴とする請求項１または２に記載のデバイス。
4. 前記生成手段は、前記デバイスの温度に対応した信号を生成する温度検知素子、前記駆動素子の駆動を制御するための電圧を生成する電圧生成部を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のデバイス。
5. 前記機器は、前記複数の素子基板に含まれる１つの素子基板の出力端子から信号を受信するために、前記複数の素子基板に含まれる他の素子基板の出力端子がハイインピーダンス状態になるように選択信号を生成する選択信号生成手段を備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のデバイス。
6. 前記第１及び第２の素子基板は、それぞれ複数のビットで構成される選択信号が入力される入力端子を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のデバイス。
7. 前記入力端子は、前記選択信号とデータ信号を受信し、前記駆動素子は、前記データ信号に基づいて駆動がなされることを特徴とする請求項６に記載のデバイス。
8. 前記デバイスは記録ヘッドであり、前記機器は記録装置であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のデバイス。