JP2011530418A - 計量フィードバックに基づくパッドプロファイルの閉ループ制御 - Google Patents
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- 238000005303 weighing Methods 0.000 title claims description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 287
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims abstract description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 17
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 17
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 34
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002592 echocardiography Methods 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
このPCT出願は、2009年8月7日出願の米国特許出願第12/187,675号、CLOSED LOOP CONTROL OF PAD PROFILE BASED ON METROLOGY FEEDBACKに対する優先権を主張する。米国特許出願第12/187,675号を、参照として本明細書に組み込む。
Claims (15)
- 化学的機械研磨のための装置であって、
回転可能な研磨パッドと、
前記研磨パッド全体にわたって移動するように適合された研削表面を有する調節ディスクと、
前記調節ディスクに結合されたアクチュエータと、
前記研磨パッドの厚さを検出するように適合された計量センサと、
前記アクチュエータに結合され、前記調節ディスクによって材料除去速度を制御するように適合された制御装置と
を備える装置。 - 前記制御装置が前記調節ディスクの位置を制御するように適合されている、請求項1に記載の装置。
- 前記制御装置が、前記研磨表面に対する前記調節ディスクの圧縮力を増大させる信号を送ることによって、厚みの大きな領域内で前記材料除去速度を増大させるように適合されている、請求項1に記載の装置。
- 前記制御装置が、前記研磨表面に対する前記調節ディスクの圧縮力を低減させる信号を送ることによって、厚みの小さい領域内で前記材料除去速度を低減させるように適合されている、請求項1に記載の装置。
- 前記研磨パッドの少なくとも1つの領域の厚さが所定の厚さを下回ることを前記計量センサが検出すると、前記制御装置が寿命信号を伝送する、請求項1に記載の装置。
- 化学的機械研磨の方法であって、
研磨表面を有する研磨パッドを回転させることと、
前記研磨パッド全体にわたって調節ディスクを移動させることと、
計量センサを用いて前記研磨パッドの領域の厚さを測定することと、
前記研磨パッドのうち隣接する領域より厚いまたは薄い領域を検出することと、
前記調節ディスクが前記研磨パッドのうち前記隣接する領域より厚いまたは薄い領域の上にあるとき、前記調節ディスクによって前記研磨パッドからの材料除去速度を調整することと
を含む方法。 - 前記計量センサによって検出された前記研磨パッドの前記領域の厚さおよび前記厚さに関連する研磨の領域をメモリ内に記憶すること
をさらに含む、請求項6に記載の方法。 - 前記研磨パッドの半径全体にわたって前記計量センサを移動させることと、
前記研磨パッドのうち前記研磨パッドの前記隣接する領域より厚い領域の上で、前記調節ディスクの前記材料除去速度を増大させることと
をさらに含む、請求項6に記載の方法。 - 前記調節ディスクが前記研磨パッドのうち前記隣接する領域より厚い領域の上にあるとき、前記調節ディスクの回転速度を増大させること
をさらに含む、請求項8に記載の方法。 - 前記調節ディスクが前記研磨パッドのうち前記隣接する領域より厚い領域の上にあるとき、前記研磨表面に対する前記調節ディスクの圧縮力を増大させること
をさらに含む、請求項8に記載の方法。 - 前記調節ディスクが前記研磨パッドのうち前記隣接する領域より厚い領域の上にあるとき、前記調節ディスクと前記研磨ディスクの間の接触時間を増大させること
をさらに含む、請求項8に記載の方法。 - 前記研磨パッドの半径全体にわたって前記計量センサを移動させることと、
前記領域の厚さが前記研磨パッドの隣接する領域より薄い場合、前記研磨パッドの前記領域の上で前記調節ディスクの前記材料除去速度を低減させることと
をさらに含む、請求項6に記載の方法。 - 前記調節ディスクが前記研磨パッドのうち前記隣接する領域より薄い領域の上にあるとき、前記調節ディスクの回転速度を低減させること
をさらに含む、請求項12に記載の方法。 - 前記調節ディスクが前記研磨パッドのうち前記隣接する領域より薄い領域の上にあるとき、前記研磨ディスクに対する前記調節ディスクの圧縮力を低減させること
をさらに含む、請求項12に記載の方法。 - 前記研磨パッドの厚さが所定の厚さを下回ることを前記計量センサが検出すると、寿命信号を伝送すること
をさらに含む、請求項6に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/187,675 US8221193B2 (en) | 2008-08-07 | 2008-08-07 | Closed loop control of pad profile based on metrology feedback |
US12/187,675 | 2008-08-07 | ||
PCT/US2009/052601 WO2010017142A2 (en) | 2008-08-07 | 2009-08-03 | Closed loop control of pad profile based on metrology feedback |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011530418A true JP2011530418A (ja) | 2011-12-22 |
JP5554332B2 JP5554332B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=41653374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011522143A Active JP5554332B2 (ja) | 2008-08-07 | 2009-08-03 | 計量フィードバックに基づくパッドプロファイルの閉ループ制御 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8221193B2 (ja) |
JP (1) | JP5554332B2 (ja) |
KR (1) | KR101593459B1 (ja) |
WO (1) | WO2010017142A2 (ja) |
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JP7463142B2 (ja) | 2020-03-13 | 2024-04-08 | 株式会社東京精密 | 研磨パッドの厚み測定装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101593459B1 (ko) | 2016-02-12 |
US20100035518A1 (en) | 2010-02-11 |
WO2010017142A3 (en) | 2010-04-29 |
US8221193B2 (en) | 2012-07-17 |
KR20110055602A (ko) | 2011-05-25 |
WO2010017142A2 (en) | 2010-02-11 |
JP5554332B2 (ja) | 2014-07-23 |
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A601 | Written request for extension of time |
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