JP6297301B2 - 細長い領域のモニタリングを用いるインシトゥモニタシステム - Google Patents
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Description
本出願は、2012年11月8日に出願した米国仮出願第61/724,218号の優先権を主張するものであり、その全開示は参照により組み込まれる。
12 基板エッジ
14 ライン
100 研磨装置、CMP装置、CMPシステム
110 研磨パッド
112 外側研磨層
114 バッキング層
118 研磨パッドの底部の凹部
120 プラテン
121 プラテン回転モータ
124 駆動軸
125 プラテンの回転軸、中心軸、軸
128 凹部
129 回転電気継手、回転カプラ
130 ポート、スラリ分配システム
132 研磨液体
140 キャリアヘッド
142 保持リング
144 可撓性膜
146a〜146c チャンバ
150 支持構造体、カルーセル
152 駆動軸
154 キャリアヘッド回転モータ
155 軸、中心軸
160 インシトゥモニタシステム、渦電流モニタシステム、モニタシステム、渦電流感知システム
162 磁心
164 コイル
166 感知回路
168 配線
170 後部部分
172 突起部
172a〜172c 突起部
172a、172c 外側突起部
172b 中央突起部
174 一次軸
180 位置センサ、センサ、位置検出器
182 フラグ
190 コントローラ、コンピュータ
192 出力デバイス
194 入力デバイス
210 トレース
212 特性値、値
214 関数
300 矢印
310 円形経路、経路
312 位置
314 位置
320 信号、強度信号、初期信号
322 第1の期間、第1の時間部分、エッジ期間
322’ 第1の期間
324 第2の期間、中心時間部分
326 第3の期間、第3の時間部分、エッジ期間
326’ 最後の期間
330 変更信号
332、336 エッジ部分
334 中心期間
Claims (20)
- 基板を化学機械研磨する方法であって、
研磨ステーションにおいて前記基板上の層を研磨することと、
研磨の間前記研磨ステーションにおいてインシトゥモニタシステムにより前記層をモニタすることであり、前記インシトゥモニタシステムが細長い領域をモニタし、測定信号を発生する、モニタすることと、
前記細長い領域の一次軸と、前記基板のエッジの接線との間の角度を計算することと、
前記角度に基づいて前記測定信号を変更して変更信号を発生することと、
前記変更信号に基づいて、研磨終点を検出することおよび研磨パラメータを変更することの少なくとも一方と
を含む方法。 - 基板を化学機械研磨する方法であって、
研磨ステーションにおいて前記基板上の層を研磨することと、
研磨の間前記研磨ステーションにおいてインシトゥモニタシステムにより前記層をモニタすることであり、前記インシトゥモニタシステムが、異方性センサを含み、測定信号を発生する、モニタすることと、
前記異方性センサの一次軸と、前記基板のエッジの接線との間の角度を計算することと、
前記角度に基づいて前記測定信号を変更して変更信号を発生することと、
前記変更信号に基づいて、研磨終点を検出することおよび研磨パラメータを変更することの少なくとも一方と
を含む方法。 - 基板を保持するためのキャリアと、
研磨表面用の支持体と、
センサを有するインシトゥモニタシステムであり、細長い領域をモニタし、測定信号を発生するように構成されるインシトゥモニタシステムと、
前記センサと前記基板との間に相対運動を発生させるためのモータと、
前記インシトゥモニタシステムから前記測定信号を受け取り、前記細長い領域の一次軸と、前記基板のエッジの接線との間の角度を計算し、前記角度に基づいて前記測定信号を変更して変更信号を発生し、前記変更信号に基づいて、研磨終点を検出することおよび研磨パラメータを変更することの少なくとも一方を行うように構成されたコントローラと
を備える研磨システム。 - 前記角度は、前記細長い領域が前記基板の前記エッジに隣接するときの前記角度を含む、請求項3に記載のシステム。
- 前記コントローラが、前記測定信号のエッジ部分を検出するように構成されている、請求項4に記載のシステム。
- 前記コントローラが、前記エッジ部分を圧縮または伸長することによって、前記測定信号を変更するように構成されている、請求項5に記載のシステム。
- 前記圧縮または伸長することの圧縮比が前記角度の関数である、請求項6に記載のシステム。
- 前記角度の前記関数は、前記角度が増加するとともに前記圧縮比が増加するようなものである、請求項7に記載のシステム。
- 前記コントローラが、前記測定信号に利得係数を乗算することによって、前記測定信号を変更するように構成されている、請求項3に記載のシステム。
- 前記利得係数は、前記角度が増加するにつれて前記利得係数が減少するような前記角度の関数である、請求項9に記載のシステム。
- 前記インシトゥモニタシステムが、細長い磁心を有する渦電流モニタシステムを含む、請求項3に記載のシステム。
- 基板を保持するためのキャリアと、
研磨表面用の支持体と、
測定信号を発生するように構成された異方性センサを有するインシトゥモニタシステムと、
前記異方性センサと前記基板との間に相対運動を発生させるためのモータと、
前記インシトゥモニタシステムから前記測定信号を受け取り、前記異方性センサの一次軸と、前記基板のエッジの接線との間の角度を計算し、前記角度に基づいて前記測定信号を変更して変更信号を発生し、前記変更信号に基づいて、研磨終点を検出することおよび研磨パラメータを変更することの少なくとも一方を行うように構成されたコントローラと
を備える研磨システム。 - 前記角度は、細長い領域が前記基板の前記エッジに隣接するときの前記角度を含む、請求項12に記載のシステム。
- 前記コントローラが、前記測定信号のエッジ部分を検出するように構成されている、請求項13に記載のシステム。
- 前記コントローラが、前記エッジ部分を圧縮または伸長することによって、前記測定信号を変更するように構成されている、請求項14に記載のシステム。
- 前記圧縮または伸長することの圧縮比が前記角度の関数である、請求項15に記載のシステム。
- 前記角度の前記関数は、前記角度が増加するとともに前記圧縮比が増加するようなものである、請求項16に記載のシステム。
- 前記コントローラが、前記測定信号に利得係数を乗算することよって、前記測定信号を変更するように構成されている、請求項12に記載のシステム。
- 前記利得係数は、前記角度が増加するにつれて前記利得係数が減少するような前記角度の関数である、請求項18に記載のシステム。
- 前記インシトゥモニタシステムが、細長い磁心を有する渦電流モニタシステムを含む、請求項12に記載のシステム。
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