TWI839348B - 墊調節器的切割速率監控 - Google Patents

Abstract

一種用於化學機械拋光之裝置，包括平台，該平台具有表面以支撐拋光墊；承載頭，保持基板抵靠拋光墊的拋光表面；墊調節器，保持調節盤抵靠拋光表面；原位拋光墊厚度監控系統；及控制器。控制器配置成以相應臨界值儲存與複數個調節器盤產品之各者相關聯的資料、接收從複數個調節盤產品選擇調節器盤產品的輸入、決定與經選擇的調節器盤產品相關聯的特定臨界值、從監控系統接收訊號、從訊號產生墊切割速率的量測、及若墊切割速率超越特定臨界值則產生警報。

Description

墊調節器的切割速率監控

本揭露案關於在化學機械拋光中藉由墊調節器監控在整個拋光墊的切割速率。

積體電路通常藉由在矽晶圓上依序沉積導電、半導體或絕緣層而形成在基板上。各種製造製程需要在基板上平坦化層。舉例而言，一個製造步驟牽涉將導電填充層沉積在圖案化絕緣層上以填充絕緣層中的溝道或孔洞。接著拋光填充層直到暴露凸起的絕緣層圖案。在平坦化之後，殘留在凸起的絕緣層圖案之間的導電填充層形成貫孔、插頭及導線，而提供基板上薄膜電路之間的導電路徑。

化學機械拋光(CMP)為一種可接受的平坦化之方法。此平坦化方法通常需要將基板固定在承載頭上。基板的暴露的表面放置抵靠旋轉拋光墊。承載頭在基板上提供可控制的負載，以推擠基板抵靠拋光墊。諸如具有研磨粒子的研漿的拋光液體供應至拋光墊的表面。

在CMP製程實行達某時段之後，拋光墊的表面歸因於研漿副產物的堆積及/或從基板及/或拋光墊移除的材料而可能變得光面(glazed)。光面可降低拋光速率或增加基板上的非均勻性。

通常，拋光墊藉由以墊調節器進行調節的製程而維持在所欲的表面粗糙度(且避免光面)。墊調節器用以在拋光墊上移除非所欲的堆積，且將拋光墊的表面重新產生至所欲的粗糙度。通常的墊調節器包括研磨調節器盤。此調節器盤可例如嵌入金剛石研磨粒子而可抵靠拋光墊表面刮擦以重新紋理化墊。然而，調節製程亦傾向耗損拋光墊。因此，在某些次數的拋光及調節的循環之後，必須替換拋光墊。

一種用於化學機械拋光之裝置，包括：平台，具有表面以支撐拋光墊；承載頭，保持基板抵靠拋光墊的拋光表面；墊調節器，保持調節盤抵靠拋光表面；原位拋光墊厚度監控系統；及控制器。控制器配置成以相應臨界值儲存與複數個調節器盤產品之各者相關聯的資料、接收從複數個調節器盤產品選擇調節器盤產品的輸入、決定與經選擇的調節器盤產品相關聯的特定臨界值、從監控系統接收訊號、從訊號產生墊切割速率的量測、及若墊切割速率超越特定臨界值則產生警報。

某些實例可包括一或更多以下優點。可決定拋光墊的厚度，且可監控對整個拋光墊的切割速率。若切割速率偏離正常速率，則此可表示調節器盤的效率降低。當其效率降低時可替換調節器盤，藉此改善墊調節均勻性，增加基板拋光速率，且減少晶圓之中非均勻性(WIWNU) 及缺陷。可調整調節盤上的壓力使得墊耗損速率實質上維持恆定。

一或更多實例的細節在隨附圖式及以下說明書中提及。其他態樣、特徵及優點將在說明書、圖式及從申請專利範圍而為顯而易見的。

10:基板

20:拋光系統

22:馬達

24:平台

25:軸

26:凹槽

28:驅動桿

29:旋轉耦合器

30:拋光墊

32:背層

34:外部層

38:拋光液體

39:沖洗臂

48:驅動及感測電路系統

60:拋光墊調節器

62:臂

64:調節器頭

66:盤

68:垂直致動器

70:承載頭

71:軸

72:支撐結構

74:驅動桿

76:承載頭旋轉馬達

80:彈性膜

82:可加壓腔室

84:固持環

90:控制器

100:監控系統

102:感測器

102’:感測器

104:磁芯

106:線圈

108:驅動及感測電路系統

120:磁場

130:導電主體

150:訊號

152-158:區域

160:墊切割速率

162-166:區域

第1A圖為包括配置成偵測墊層厚度的感測器的化學機械拋光系統的示意側視部分剖面圖。

第1B圖為包括偵測墊層厚度的感測器的化學機械拋光系統的另一實例的示意側視部分剖面圖。

第2圖為化學機械拋光系統的頂部示意視圖。

第3圖為用於電磁感應監控系統的驅動系統的電路示意圖。

第4圖為來自感測器的訊號強度對平台的多重旋轉的說明圖表。

第5圖為墊切割速率對時間的說明圖表。

在各個圖式中類似的元件符號代表類似的元件。

如上所述，調節製程亦傾向耗損拋光墊。拋光墊通常具有溝槽以承載研漿，且隨著墊被耗損，此等溝槽變得較淺且拋光效率降級。因此，在拋光及調節的某次數的循環之後，需要替換拋光墊。通常此舉僅藉由在已拋光 一定數量的基板之後替換拋光墊即可完成，例如，在500個基板之後。

令人遺憾的是，墊耗損的速率並非固定，所以拋光墊可能比設定次數持續更多或更少的次數，而可分別導致墊壽命的浪費或非均勻的拋光。具體而言，在拋光墊的壽命期間，在調節盤上例如金鋼石的研磨材料逐漸耗損。因此，盤的調節效率可隨著時間下降。因此，所產生的表面紋理調節發生變化，且可隨著拋光墊的壽命且在不同墊之間發生降級。此舉改變拋光的特性。

類似地，調節器盤傾向隨著時間喪失效率。在不限於任何特定理論的情況下，在調節器上的研磨粒子亦耗損且失去尖銳度。因此，墊調節器亦需要週期性地替換。再次，此舉僅藉由在已拋光一定數量的基板之後替換調節盤即可完成，例如，在1000個基板之後(墊及調節盤的替換速率為耗損品且取決於製程)。

拋光墊厚度可經原位量測，例如以安裝在調節系統、承載頭或平台上的感測器量測。若量測的墊厚度低於臨界值，則可替換拋光墊。此外，運行墊切割速率(亦稱為墊耗損速率)可從墊厚度量測而計算。可監控墊切割速率的變化及雜訊。此外，若量測的墊耗損速率低於臨界值，則可替換調節器盤。

一個難題為厚度量測可能遭受到顯著的雜訊。對雜訊的某些作用可為週期性的，例如，因為感測器通過拋光墊的不同位置。對雜訊的另一作用為「濕式停留」 問題；當拋光系統在濕式停留之後開始運行，感應式感測器的拋光墊厚度量測結果傾向於大得不自然。此舉產生的墊切割速率估計不正確。

然而，藉由將預測過濾施加至墊厚度量測，例如卡爾曼濾波器，可降低此雜訊且更準確地計算墊的耗損速率。

第1A圖圖示化學機械拋光裝置的拋光系統20的實例。拋光系統20包括可旋轉盤形平台24，拋光墊30位於此平台上。平台24可操作以在軸25四周旋轉。舉例而言，馬達22可轉動驅動桿28以旋轉平台24。拋光墊30可為兩層拋光墊，而具有外部層34及較軟背層32。

拋光系統20可包括供應通口或結合的供應沖洗臂39，以將例如研漿的拋光液體38配給至拋光墊30上。

拋光系統20亦可包括拋光墊調節器60，以研磨拋光墊30來維持拋光墊30在一致的研磨狀態。拋光墊調節器60包括底座、可在拋光墊30上橫向掃掠的臂62及藉由臂62連接至底座的調節器頭64。調節器頭64將研磨表面(例如，藉由調節器頭64保持的盤66的下部表面)與拋光墊30接觸以對其調節。研磨表面為可旋轉的，且可控制研磨表面抵靠拋光墊的壓力。

在某些實施方式中，臂62樞轉附接至底座，且來回掃掠以振盪掃掠運動橫跨拋光墊30移動調節器頭 64。調節器頭64的運動可與承載頭70的運動同步，以避免碰撞。

調節器頭64的垂直運動及在拋光墊30上調節表面的壓力的控制可藉由在調節器頭64上或內的垂直致動器68提供，例如，可加壓腔室定位以施加向下壓力至調節器頭64。或者，垂直運動及壓力控制可藉由底座中的垂直致動器提供，而抬升整個臂62及調節器頭64，或藉由臂62及底座之間的樞紐連接而准許臂62的傾斜的可控制角度，且因此准許調節器頭64在拋光墊30上方的高度。

調節盤66可為以例如金鋼石礫的研磨粒子塗佈的金屬盤。具體而言，調節盤66可為導電主體。

承載頭70可操作以保持基板10抵靠拋光墊30。承載頭70從例如轉盤或軌道的支撐結構72懸掛，且藉由驅動桿74連接至承載頭旋轉馬達76，使得承載頭可在軸71的四周旋轉。可選地，承載頭70可橫向振盪，例如在轉盤或軌道72的滑件上；或藉由轉盤本身的旋轉振盪。在操作中，平台在其中心軸25四周旋轉，且承載頭在其中心軸71四周旋轉，且在拋光墊30的整個頂部表面橫向轉移。

承載頭70可包括彈性膜80，該膜具有基板固定表面以接觸基板10的背側，及複數個可加壓腔室82，以施加不同壓力至基板10上的不同區，例如，不同的徑向區。承載頭亦可包括固持環84，以保持基板。

拋光系統20包括原位拋光墊厚度監控系統100，該系統產生代表拋光墊的厚度的訊號。具體而言，原位拋光墊厚度監控系統100可為電磁感應監控系統。電磁感應監控系統可藉由在導電層中產生渦電流或在導電圈中產生電流任一者而操作。在操作中，拋光系統20可使用監控系統100以決定是否需要替換調節器盤及/或拋光墊。

在某些實施方式中，監控系統包括安裝在平台中的凹槽26內的感測器102。感測器102可包括至少部分定位於凹槽26中的磁芯104，及纏繞在芯104四周的至少一個線圈106。驅動及感測電路系統108電氣連接至線圈106。驅動及感測電路系統108產生可發送至控制器90的訊號。

儘管圖示為處於平台24的外側，但驅動及感測電路系統48之某些或全部可安裝在平台24中。旋轉耦合器29可用以將可旋轉平台中的部件(例如，線圈106)電氣連接至平台外側的部件(例如，驅動及感測電路系統108)。

對於在平台中具有感測器102的感應監控系統，導電主體130放置與拋光墊30的頂部表面，即拋光表面接觸。因此，導電主體130定位在遠離感測器102的拋光墊30的遠側上。在某些實例中，導電主體為調節器盤66(見第1A圖)。在某些實例中，導電主體130可具有穿過其的一或更多裝置，例如，主體可為圈狀。在某些 實例中，導電主體為實心片而不具有穿孔。此等之任一者可為調節器盤66的部分。

隨著平台24旋轉，感測器102在導電主體130下方掃掠。藉由以特定頻率從電路系統108取樣訊號，監控系統100在橫跨導電主體130(例如，橫跨調節器盤66)的複數個地點處產生量測。對於每次掃掠，可選擇或結合在一或更多地點處的量測。

參照第3圖，線圈106產生磁場120。當磁場120到達導電主體130時，磁場120可通過且產生電流(例如，若主體130為圈)，及/或磁場產生渦電流(例如，若主體130為片)。此舉產生有效阻抗，此阻抗可藉由電路系統108量測，因此產生代表拋光墊30的厚度的訊號。

各種配置可能用於驅動及感測電路系統108。舉例而言，驅動及感測電路系統108可包括邊際振盪器，且維持恆定振幅的邊際振盪器的驅動電流可用作訊號。或者，驅動線圈106可以恆定頻率驅動，且來自感測線圈的電流的振幅或相位(相對於驅動振盪器)可用作訊號。

或者或額外的平台中的感測器，如第1B圖中所顯示，監控系統100可包括定位在拋光墊30上方的感測器102’。舉例而言，墊厚度感測器102’可定位在調節頭64中、在調節器臂62上、或在承載頭70上。感測器102’可例如藉由彈簧103偏移而與拋光墊30的拋光表面 34接觸。而且，感測器102’並不接觸拋光表面34，而是可懸掛在拋光墊30上方。舉例而言，若感測器102’從調節器臂62懸掛，且調節器頭64放置在拋光墊30上，則介於感測器102’及平台24之間的距離將取決於拋光墊30的厚度。在任何此等情況中，產生的訊號將取決於感測器到平台24的導電主體之距離，且因此將取決於拋光墊30的厚度。

墊厚度感測器102’亦可為電磁感應監控系統。在此情況中，感測器102’可類似於感測器102，且包括磁芯104、纏繞在芯104四周的至少一個線圈106、及電氣連接至線圈106的驅動及感測電路系統108。來自芯104的磁場可通過拋光墊且在下方導電主體，例如平台24中產生渦電流。有效阻抗取決於感測器102及平台24之間的距離，且此可藉由電路系統108感測，因此提供拋光墊30的厚度的量測。

或者，感測器102’可為接觸輪廓儀。

若感測器102定位在拋光墊30上方且量測至平台24的距離，則感測器102將產生不需要大量處理的有效連續訊號。

然而，若感測器102安裝成與平台24一起旋轉且量測至導電主體130的距離，則即使感測器102並非位於導電主體130下時亦可產生資料。第4圖圖示在平台24的兩次迴旋過程後來自感測器102的「原始」訊號150。平台的單一迴旋藉由時間段R來表示。

感測器102可經配置使得當越靠近導電主體130(且因此拋光墊30越薄)則訊號強度越強。如第4圖中所顯示，初始感測器102可在承載頭70及基板10下方。因為在基板上的金屬層為薄的，所以其僅建立藉由區域152表示的弱的訊號。相對地，當感測器102在導電主體130下方時，感測器102產生藉由區域154表示的強的訊號。介於此等時間之間，感測器102產生藉由區域156表示的甚至更低的訊號。

可使用數種技術以過濾出來自感測器102的訊號中並未對應至導電主體130的部分。拋光系統20可包括位置感測器，以感測何時感測器102在導電主體130下方。舉例而言，光學斷流器可固定在固定地點處，且標旗可附接至平台24的周圍。附接的點及標旗的長度經選擇使其發送感測器102在基板導電主體130下方掃掠的訊號。如另一實例，拋光系統20可包括編碼器，以決定平台24的角位置，且使用此資訊以決定感測器102何時在導電主體130下方掃掠。在任一情況中，控制器90可從時段排除訊號中感測器102並非在導電主體130下方的部分。若感測器102’在拋光墊30上方則可使用類似的技術，以過濾出訊號中對應至感測器102’定位在平台24中的訊窗或其他凹槽上的部分。

或者或額外的，控制器可僅將訊號150與臨界T(見第4圖)比較，且排除訊號中不符合臨界T的部分，例如，低於臨界T。

歸因於調節器頭64在整個拋光墊30的掃掠，感測器102可能並非僅通過導電主體130的中心下方。舉例而言，感測器102可僅沿著導電主體的邊緣通過。在此情況中，因為存在較少導電材料，所以訊號強度將較低(例如，藉由訊號150的區域158顯示)，且並非拋光墊30的厚度的可靠指示符。排除訊號中不符合臨界T的部分的優點在於控制器90亦可排除藉由感測器102沿著導電主體130的邊緣通過所造成的此等非可靠的量測。

在某些實例中，在每次掃掠中，訊號150的未排除的部分可被平均以產生針對掃掠的平均訊號強度。

例如通用可程式數位電腦的控制器90從原位拋光墊厚度監控系統100接收訊號，且可配置成從訊號產生拋光墊30的厚度的量測。如上所述，歸因於調節製程，拋光墊的厚度隨時間而改變，例如，在基板的數十或數百次拋光的過程中。因此，在多個基板上，來自原位拋光墊厚度監控系統100經選擇或結合的量測提供表示拋光墊30的厚度變化的隨時間改變的系列值。

感測器102的輸出可為數位電子訊號(若感測器的輸出為類比訊號，則其可藉由感測器或控制器中的ADC轉換成數位訊號)。數位訊號以一系列訊號值組成，具有取決於感測器的取樣頻率在訊號值之間的時段。此系列訊號值可稱為訊號對時間的曲線。系列訊號值可表示成一組值S_N。

為了建立訊號強度對拋光墊厚度的關係，已知厚度(例如，藉由輪廓儀、針規或類似者量測)的拋光墊可放置在平台上且量測訊號強度。

在某些實例中，來自感測器102的訊號強度線性相關於拋光層的厚度。在此情況中，值Th=S或Th=A * S，其中A為常數以將函數擬合至已知拋光墊厚度的資料。

然而，來自感測器102的訊號強度不需線性相關於拋光層的厚度。舉例而言，訊號強度可為拋光層的厚度的指數函數。

厚度的指數函數接著可擬合至資料。舉例而言，函數可為以下形式：S=Ae^{-B * Th}其中S為訊號強度，Th為拋光墊厚度，且A及B為常數而經調整以將函數擬合至已知拋光墊厚度的資料。

對於後續使用於拋光的拋光墊，控制器90可使用此函數以從訊號強度計算拋光墊厚度。更具體而言，控制器可配置成從訊號強度的等式對數函數產生拋光墊厚度Th的量測，例如以下：

然而，可使用其他函數，例如二階或更高階多項式函數或多線段。因此，訊號值S_N序列可轉換成厚度值Th_N序列。

如上所述，墊厚度量測遭受雜訊。具體而言，每次新的基板開始拋光及每次拋光系統進入濕式停留模 式可引入雜訊。然而，厚度量測系列可使用併入線性預測的濾波器而平滑化。此同一濾波器可用以計算目前墊切割速率。線性預測為統計技術，使用目前及以往資料以預測未來資料。

控制器90亦配置成從訊號產生墊切割速率的量測。此墊切割速率可藉由將線性函數擬合至隨著時間量測的墊厚度值S_N而計算得出。舉例而言，可從移動視窗將函數擬合至厚度值，例如最後N個晶圓，其中N取決於操作者是意欲計算接近瞬間切割速率還是接近平均墊切割速率的墊切割速率而選擇。較小的N值對雜訊更有反應。較大的N值較少反應但亦較少瞬時。在某些實例中，移動視窗為最後3-30次量測。舉例而言，移動視窗可為5-10次量測。

第5圖中圖示隨著時間的墊切割速率(圖表線160)的可能圖式。此圖表為多個基板的拋光之後(並非在單一基板的拋光之中)。如圖示，墊切割速率160可初始維持相當平坦(在區域162中)，例如，在已安裝嶄新調節器盤之後。然而，在一些時間之後，墊切割速率隨著調節器盤耗損且失去尖銳度而可開始下降(在區域164中)。

當墊切割速率160的量測低於臨界T’時，控制器90可對拋光系統20的操作者產生警報，而需要替換調節盤66。

在某些實施方式中，T’的值取決於消耗設定(例如，不同的調節盤)。舉例而言，控制器可儲存與具有不同消耗零件(例如，不同的調節盤)的T’的不同值相關聯的資料庫。零件可藉由製造商、品牌及製造、或零件號碼(例如，SKU)而規定，當操作者安裝新的調節盤時，可將零件識別資訊輸入控制器190中。控制器190可接著基於輸入的零件識別而自動設定臨界T’。

或者或額外的，控制器90可調整從調節器頭62在調節盤66上的向下力，以維持恆定的拋光墊耗損速率。可假設耗損速率與調節盤66上的向下力成正比。

然而，在某些情況中，即使在墊切割速率低於臨界T之前，墊切割速率可經歷一段增加的變異(例如，在區域166中)。此變化可指示調節器盤的問題或在拋光製程中某些其他問題任一者。墊切割速率中的變異(或時間上的非均勻性)可例如藉由計算移動視窗中墊切割速率量測的標準偏差(standard deviation)來決定，例如，最後M次墊切割速率量測。在某些實例中，若變異超過臨界，則控制器90可產生警報。此舉可觸發操作者替換調節盤或者檢查拋光系統中的問題。

當拋光系統20包括原位基板監控系統時，原位拋光墊監控系統100可為第一電磁感應監控系統，例如，第一渦電流監控系統，且基板監控系統可為第二電磁感應監控系統，例如，第二渦電流監控系統。然而，第一 及第二電磁感應監控系統歸因於已提及的不同元件而將以不同共振頻率建構。

原位拋光墊厚度監控系統可在各種拋光系統中使用。拋光墊或承載頭中任一者，或兩者可移動以提供拋光表面及基板之間的相對運動。拋光墊可為固定至平台的圓形(或某些其他形狀)墊、在供應及拾起滾輪之間延伸的條帶、或連續皮帶。拋光墊可固定在平台上、在拋光操作之間的平台上不斷行進、或在拋光期間連續在平台上驅動。墊在拋光期間可固定至平台，或在拋光期間可在平台及拋光墊之間具有流體軸承。拋光墊可為標準(例如，具有或不具有填充物的聚胺酯)粗製墊、軟墊或固定的研磨墊。

此外，儘管以上說明聚焦在拋光期間的監控，但拋光墊的量測可在基板拋光之前或之後獲得，例如當基板正在傳送至拋光系統時。

本發明的實施例及在此說明書中所述的所有功能性操作可在數位電子電路系統中實施，或在電腦軟體、任體或硬體中實施，包括在此說明書中所揭露的結構手段及結構均等物，或上述各者之組合。本發明的實施例可實施作為一或更多電腦程式產品，即，具體安裝在資訊載體中的一或更多電腦程式，例如，在非暫時性機器可讀取儲存媒體中或在傳播訊號中，藉由或控制資料處理裝置的操作，例如可程式處理器、電腦或多重處理器或電腦。電腦程式(亦已知為程式、軟體、軟體應用或編碼)可以 任何形式的程式語言撰寫，包括編譯或解釋語言，且其可以任何形式部署，包括作為獨立程式或作為模組、部件、子常式或其他適合在計算環境中使用的單元。電腦程式並非必須對應至檔案。程式可儲存在保持其他程式或資料的檔案的部分中、在專用於本程式的單一檔案中、或在多重協調檔案中(例如，儲存一或更多模組、子程式或編碼的部分的檔案)。電腦程式可經部署以於一個網站或分佈橫跨多個網站而在一個電腦上或在多重電腦上執行，且藉由通訊網路互連。

此說明書中所述的製程及邏輯流程可藉由執行一或更多電腦程式的一或更多可程式化處理器實行，以藉由在輸入資料上操作且產生輸出來實行功能。處理及邏輯流程亦可藉由(且裝置亦可實施作為)專用邏輯電路來實行，例如FPGA(現場可編程閘陣列)或ASIC(特定應用積體電路)。

已說明本發明的數個實施例。然而，應理解可作成各種修改而不會悖離本發明的精神及範疇。因此，其他實施例在以下申請專利範圍的範疇之中。

10‧‧‧基板

20‧‧‧拋光系統

22‧‧‧馬達

24‧‧‧平台

25‧‧‧軸

26‧‧‧凹槽

28‧‧‧驅動桿

29‧‧‧旋轉耦合器

30‧‧‧拋光墊

32‧‧‧背層

34‧‧‧外部層

38‧‧‧拋光液體

39‧‧‧沖洗臂

60‧‧‧拋光墊調節器

62‧‧‧臂

64‧‧‧調節器頭

66‧‧‧盤

68‧‧‧垂直致動器

70‧‧‧承載頭

71‧‧‧軸

72‧‧‧支撐結構

74‧‧‧驅動桿

76‧‧‧承載頭旋轉馬達

80‧‧‧彈性膜

82‧‧‧可加壓腔室

84‧‧‧固持環

90‧‧‧控制器

100‧‧‧監控系統

102‧‧‧感測器

104‧‧‧磁芯

106‧‧‧線圈

108‧‧‧驅動及感測電路系統

130‧‧‧導電主體

Claims (18)

1. 一種用於化學機械拋光之裝置，包含：一平台，具有一表面以支撐一拋光墊；一承載頭，保持一基板抵靠該拋光墊的一拋光表面；一墊調節器，保持一調節器盤抵靠該拋光表面；一原位拋光墊厚度監控系統；及一控制器，配置成：在替換一調節器盤之前，儲存將複數個調節器盤產品之每個相應調節器盤產品與一相應耗損速率臨界值進行相關聯的預設資料，接收識別一特定調節器盤產品的一資料輸入，基於該資料輸入，在所儲存的該預設資料中從該複數個調節器盤產品選擇該特定調節器盤產品，並基於所儲存的該預設資料，決定與該特定調節器盤產品相對應的一特定耗損速率臨界值，從該監控系統接收一訊號，從該訊號產生一墊耗損速率的一量測，及若該墊耗損速率跌出該特定耗損速率臨界值則產生一警報。
2. 如請求項1所述之裝置，其中該原位拋光墊 厚度監控系統包含一電磁感應監控系統。
3. 如請求項2所述之裝置，其中該電磁感應監控系統包含一感測器，該感測器具有保持在該平台中的一磁芯，以便產生一磁場以在該調節盤中於一金屬層中感應電流。
4. 如請求項2所述之裝置，其中該電磁感應監控系統包含一感測器，該感測器具有保持在該墊調節器上的一磁芯，以便產生一磁場以在該平台中感應電流。
5. 如請求項4所述之裝置，其中該墊調節器包含在該平台上延伸的一臂，且該磁芯支撐在該墊調節器的該臂上。
6. 如請求項5所述之裝置，其中該臂配置成對整個該拋光墊實行一振盪掃掠運動。
7. 如請求項5所述之裝置，其中該感測器接觸該拋光墊。
8. 如請求項1所述之裝置，其中該控制器配置成施加一預測濾波器至該訊號以產生一經過濾的訊號，該經過濾的訊號包括一調整的值序列，且其中該控制器配置成藉由以下步驟對該調整的值序列中包括各個調整的值產生該經過濾的訊號：從來自該訊號的一量測的值序列產生至少一個預測 值；及從該量測的值序列及該預測值計算該經調整的值。
9. 如請求項8所述之裝置，其中該控制器配置成使用線性預測，藉由從該量測值序列產生至少一個預測值來產生該至少一個預測值。
10. 一種用於化學機械拋光之裝置，包含：一平台，具有一表面以支撐一拋光墊；一承載頭，保持一基板抵靠該拋光墊的一拋光表面；一墊調節器，保持一調節盤抵靠該拋光表面；一原位拋光墊厚度監控系統；及一控制器，配置成從該監控系統接收一訊號、從該訊號產生一墊耗損速率的一量測、從該訊號決定該墊耗損速率隨著時間的一變異量測，及若該變異量測超過一臨界值則產生一警報。
11. 如請求項10所述之裝置，其中該控制器配置成藉由計算該墊耗損速率的一標準偏差(standard deviation)來決定一變數量測。
12. 如請求項11所述之裝置，其中該控制器配置成在量測的一移動視窗中計算該標準偏差。
13. 如請求項10所述之裝置，其中該原位拋光墊厚度監控系統包含一電磁感應監控系統。
14. 如請求項13所述之裝置，其中該電磁感應監控系統包含一感測器，該感測器具有保持在該墊調節器上的一磁芯，以便產生一磁場以在該平台中感應電流。
15. 如請求項14所述之裝置，其中該墊調節器包含延伸在該平台上的一臂，且該磁芯支撐在該墊調節器的該臂上。
16. 一種控制化學機械拋光之方法，包含以下步驟：將一基板與在一平台上的一拋光墊接觸；在該拋光墊及該基板之間產生相對運動；調節該拋光墊；以一原位墊厚度監控系統監控該拋光墊，且產生取決於該拋光墊的一厚度的一訊號；從該訊號產生一墊耗損速率的一量測；從該訊號決定該墊耗損速率隨著時間的一變異量測；及若該變異量測超過一臨界值則產生一警報。
17. 如請求項16所述之方法，包含以下步驟：藉由計算該墊耗損速率的一標準偏差來決定該變異量測。
18. 如請求項17所述之方法，包含以下步驟： 在量測的一移動視窗中計算該標準偏差。