JP2014096585A5 - - Google Patents

Description

いくつかの実施態様では、磁心１６４は、一次軸に垂直な面にＥ形状断面を有する。磁心１６４は、後部部分１７０と、後部部分１７０から延びる３つの突起部１７２ａ〜１７２ｃとを含むことができる。突起部は、一次軸および二次軸の両方に垂直な第３の軸に沿って後部部分１７０から離れるように延びる。加えて、突起部１７２ａ〜１７２ｃは、実質的に直線的であり、互いに平行に一次軸に沿って延びる。突起部は、二次軸において互いに離間される。各突起部は、二次軸に沿った幅Ｗ１を超える一次軸に沿った長さＬｔを有することができる。２つの外側突起部１７２ａ、１７２ｃは、中央突起部１７２ｂの反対側にある。外側突起部１７２ａ、１７２ｃは中央突起部１７２ｂから等距離とすることができる。

エッジ再構成アルゴリズムに送り込まれる各強度測定値は、計算された角度αを伴ってよい。

Claims (20)

1. 基板を化学機械研磨する方法であって、
   研磨ステーションにおいて前記基板上の層を研磨することと、
   研磨の間前記研磨ステーションにおいてインシトゥモニタシステムにより前記層をモニタすることであり、前記インシトゥモニタシステムが細長い領域をモニタし、測定信号を発生する、モニタすることと、
   前記細長い領域の一次軸と、前記基板のエッジの接線との間の角度を計算することと、
   前記角度に基づいて前記測定信号を変更して変更信号を発生することと、
   前記変更信号に基づいて、研磨終点を検出することおよび研磨パラメータを変更することの少なくとも一方と
   を含む方法。
2. 基板を化学機械研磨する方法であって、
   研磨ステーションにおいて前記基板上の層を研磨することと、
   研磨の間前記研磨ステーションにおいてインシトゥモニタシステムにより前記層をモニタすることであり、前記インシトゥモニタシステムが、異方性センサを含み、測定信号を発生する、モニタすることと、
   前記異方性センサの一次軸と、前記基板のエッジの接線との間の角度を計算することと、
   前記角度に基づいて前記測定信号を変更して変更信号を発生することと、
   前記変更信号に基づいて、研磨終点を検出することおよび研磨パラメータを変更することの少なくとも一方と
   を含む方法。
3. 基板を保持するためのキャリアと、
   研磨表面用の支持体と、
   センサを有するインシトゥモニタシステムであり、細長い領域をモニタし、測定信号を発生するように構成されるインシトゥモニタシステムと、
   前記センサと前記基板との間に相対運動を発生させるためのモータと、
   前記インシトゥモニタシステムから前記測定信号を受け取り、前記細長い領域の一次軸と、前記基板のエッジの接線との間の角度を計算し、前記角度に基づいて前記測定信号を変更して変更信号を発生し、前記変更信号に基づいて、研磨終点を検出することおよび研磨パラメータを変更することの少なくとも一方を行うように構成されたコントローラと
   を備える研磨システム。
4. 前記角度は、前記細長い領域が前記基板の前記エッジに隣接するときの前記角度を含む、請求項３に記載のシステム。
5. 前記コントローラが、前記信号のエッジ部分を検出するように構成されている、請求項４に記載のシステム。
6. 前記コントローラが、前記エッジ部分を圧縮または伸長することによって、前記測定信号を変更するように構成されている、請求項５に記載のシステム。
7. 前記圧縮または伸長することの圧縮比が前記角度の関数である、請求項６に記載のシステム。
8. 前記角度の前記関数は、前記角度が増加するとともに前記圧縮比が増加するようなものである、請求項７に記載のシステム。
9. 前記コントローラが、前記信号に利得係数を乗算することによって、前記測定信号を変更するように構成されている、請求項３に記載のシステム。
10. 前記利得係数は、前記角度が増加するにつれて前記利得係数が減少するような前記角度の関数である、請求項９に記載のシステム。
11. 前記インシトゥモニタシステムが、細長い磁心を有する渦電流モニタシステムを含む、請求項３に記載のシステム。
12. 基板を保持するためのキャリアと、
    研磨表面用の支持体と、
    測定信号を発生するように構成された異方性センサを有するインシトゥモニタシステムと、
    前記異方性センサと前記基板との間に相対運動を発生させるためのモータと、
    前記インシトゥモニタシステムから前記測定信号を受け取り、前記異方性センサの一次軸と、前記基板のエッジの接線との間の角度を計算し、前記角度に基づいて前記測定信号を変更して変更信号を発生し、前記変更信号に基づいて、研磨終点を検出することおよび研磨パラメータを変更することの少なくとも一方を行うように構成されたコントローラと
    を備える研磨システム。
13. 前記角度は、細長い領域が前記基板の前記エッジに隣接するときの前記角度を含む、請求項１２に記載のシステム。
14. 前記コントローラが、前記信号のエッジ部分を検出するように構成されている、請求項１３に記載のシステム。
15. 前記コントローラが、前記エッジ部分を圧縮または伸長することによって、前記測定信号を変更するように構成されている、請求項１４に記載のシステム。
16. 前記圧縮または伸長することの圧縮比が前記角度の関数である、請求項１５に記載のシステム。
17. 前記角度の前記関数は、前記角度が増加するとともに前記圧縮比が増加するようなものである、請求項１６に記載のシステム。
18. 前記コントローラが、前記信号に利得係数を乗算することよって、前記測定信号を変更するように構成されている、請求項１２に記載のシステム。
19. 前記利得係数は、前記角度が増加するにつれて前記利得係数が減少するような前記角度の関数である、請求項１８に記載のシステム。
20. 前記インシトゥモニタシステムが、細長い磁心を有する渦電流モニタシステムを含む、請求項１２に記載のシステム。