JP2011524945A - 11(ib)族−13(iiia)族−16(via)族の元素の、2成分、3成分、4成分もしくは5成分系合金を推積させるための電気メッキ用添加剤 - Google Patents
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- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title abstract description 15
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 91
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 70
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 40
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 20
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- -1 diamine compound Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 12
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 11
- BCSZNBYWPPFADT-UHFFFAOYSA-N 4-(1,2,4-triazol-4-ylmethyl)benzonitrile Chemical compound C1=CC(C#N)=CC=C1CN1C=NN=C1 BCSZNBYWPPFADT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZQLBQWDYEGOYSW-UHFFFAOYSA-L copper;disulfamate Chemical compound [Cu+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O ZQLBQWDYEGOYSW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 150000002540 isothiocyanates Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 3
- 125000005551 pyridylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- VUAQKPWIIMBHEK-UHFFFAOYSA-K bis(methylsulfonyloxy)indiganyl methanesulfonate Chemical compound [In+3].CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O VUAQKPWIIMBHEK-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- BSXVKCJAIJZTAV-UHFFFAOYSA-L copper;methanesulfonate Chemical compound [Cu+2].CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O BSXVKCJAIJZTAV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 abstract description 2
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 13
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- UIPVMGDJUWUZEI-UHFFFAOYSA-N copper;selanylideneindium Chemical compound [Cu].[In]=[Se] UIPVMGDJUWUZEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000003580 lung surfactant Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005917 3-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 125000005571 adamantylene group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 125000004653 anthracenylene group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNXFGYJLHNRUGS-UHFFFAOYSA-K bis(methylsulfamoyloxy)indiganyl N-methylsulfamate Chemical compound CNS(=O)(=O)[O-].[In+3].CNS(=O)(=O)[O-].CNS(=O)(=O)[O-] HNXFGYJLHNRUGS-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 159000000007 calcium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000005566 carbazolylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 125000005584 chrysenylene group Chemical group 0.000 description 1
- RMNHNKPSBYTKPO-UHFFFAOYSA-L copper N-methylsulfamate Chemical compound CNS(=O)(=O)[O-].[Cu+2].CNS(=O)(=O)[O-] RMNHNKPSBYTKPO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 235000019524 disodium tartrate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 125000005567 fluorenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910021513 gallium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- DNUARHPNFXVKEI-UHFFFAOYSA-K gallium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ga+3] DNUARHPNFXVKEI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 125000005835 indanylene group Chemical group 0.000 description 1
- IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K indium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[In+3] IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 125000005564 oxazolylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005550 pyrazinylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005548 pyrenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005576 pyrimidinylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 229940000207 selenious acid Drugs 0.000 description 1
- MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-N selenous acid Chemical compound O[Se](O)=O MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- HELHAJAZNSDZJO-OLXYHTOASA-L sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O HELHAJAZNSDZJO-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- WBHQBSYUUJJSRZ-UHFFFAOYSA-M sodium bisulfate Chemical compound [Na+].OS([O-])(=O)=O WBHQBSYUUJJSRZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000342 sodium bisulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000001433 sodium tartrate Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005557 thiazolylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005556 thienylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005558 triazinylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005559 triazolylene group Chemical group 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004832 voltammetry Methods 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C335/00—Thioureas, i.e. compounds containing any of the groups, the nitrogen atoms not being part of nitro or nitroso groups
- C07C335/04—Derivatives of thiourea
- C07C335/16—Derivatives of thiourea having nitrogen atoms of thiourea groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/58—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of copper
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
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Abstract
式中、X1およびX2は同一もしくは異なっていてもよく、アリーレンおよびヘテロアリーレンよりなる群から選ばれる。FG1とFG2は同一もしくは異なっていてもよく、−S(O)2OH、−S(O)OH、−COOH、−P(O)2OH、第1級、第2級、第3級アミノ基およびそれらの塩およびエステルよりなる群から選ばれる。Rはアルキレン、アリーレンまたはヘテロアリーレンよりなる群から選ばれる、mおよびnは1〜5の整数である。
【選択図】図5
Description
光電気産業は、参考地域単位として平方キロメーターを有する太陽光モジュールを製造する主産業になるだろう。シリコンまたは薄膜の(a−シリカ、μc−シリカ、CIGSまたはCdTe)のいずれかに基づく、すべての成熟した技術が本目的の達成を目指している。そのためのキーポイントは、変換効率を維持し、あるいは好ましくは増加しつつ、低いモジュール生産コストで加工できる、広い領域を開発することである。Cu(In,Ga,Al)(S,Se)2黄銅鉱吸収材同士に基づく結合はすでに高変換効率と前工業レベルにおいて効率的モジュールの広域生産との適合性を有することが示されている(ディ・リンコットら、ソーラーエネルギー77(2004)725−737)。
米国特許7,026,258B2は、薄膜CIGSの製造法に関し、それは次の工程からなる:CuInSe2に近い化学量論層を基質上に電気化学的に堆積し;そしてCISを再結晶化させるに十分な力のパルスを持つ光源から上記層を速やかにアニールする。電着された元素は予備混合される。したがって、堆積工程の後、上記速やかなアニール間の急激な温度上昇を支える均質マトリックスが得られる。
これらすべての工程はIB−IIIA−VIA族金属合金、特に銅、インジウムおよびセレンを含んでなる合金の調製に関係する。
しかしながら、上記元素を堆積させるための先行技術の方法はインジウムに対する堆積銅の比率が全基質表面を通じて一定でないという欠点を有している。特に、例えば10×10cm2の大きさの基質上に稼働太陽モジュールを製造するには銅−インジウム原子比率の変動があまりにも大きすぎる。
FG1およびFG2は同一もしくは異なってもよくそして−S(O)2OH,−S(O)OH,−COOH、−P(O)2OHおよび第1級、第2級および第3級アミノ基およびこれらの塩およびエステルよりなる群から選ばれる、
Rはアルキレン、アリーレンまたはヘテロアリーレンよりなる群から選ばれる、そして
nおよびmは1〜5の整数である。
添加剤は好ましくは次の群から選ばれる:
好ましくは、Ar1およびAr2はフェニレンまたはナフチレンラジカルを表す。
好ましくは、Het1およびHet2はピリジレンおよびキノリニレンを含む窒素含有モノ−およびポリ−ヘテロ環化合物から選ばれる。
このような塩はナトリウム、カリウムおよびカルシウムの塩のごときアルカリ金属およびアルカリ土類金属の塩を含む。
好適なエステルはアルキルエステル、特に、C1−6アルキルエステルである。ここで、C1−6アルキルエステルは、例えばメチル、エチル、プロピル、n−ブチル、1−メチルエチル、2−メチルプロピル、1,1−ジメチルエチル、2−メチルブチル、n−ペンチル、ジメチルプロピル、n−ヘキシル、2−メチルペンチル、3−メチルペンチルなどのような1から6の炭素原子を有する一価の直鎖および分岐鎖飽和炭化水素ラジカルを意味する。
好適なアンモニウム塩はアンモニウム(NH4 +)およびテトラ−n−ブチルまたはテトラ−n−メチルアンモニウム塩のようなテトラ−n−アルキルアンモニウムを含む。
1つの特に好ましい添加剤は、
を、式H2N−R−NH2、ここでRは上記に定義した通りである、のジアミン化合物と反応させる工程、
あるいは
下記アミン化合物類:
を、式SCN−R−NCS、ここでRは上記に定義した通りである、のビスイソシアネート化合物と反応させる工程、を有する方法によって製造することができる。
IB族メッキ用種は好ましくは銅を含有し、IIIA族メッキ用種はガリウムとインジウムとを含有しそしてVIA族メッキ用種はセレンと硫黄を含有する。
本発明の他の態様によれば、金属メッキ用組成物は、IB族メッキ用種として銅を、IIIA族メッキ用種としてガリウムおよび/またはインジウムを、そしてVIA族メッキ用種としてセレンおよび/または硫黄を含有する。
好ましくは、銅、インジウムおよびセレンメッキ用種は、銅:インジウム:セレン=1:0.1〜50:0.01〜40、および最も好ましくは1:1〜5:0.05〜2のモル比で組成物中に含有される。
(i) 銅メッキ用種
(ii) 銅とインジウムメッキ用種
(iii) 銅、インジウムとガリウムメッキ用種
(iv) 銅、インジウムとセレンメッキ用種
(v) 銅、インジウムと硫黄メッキ用種
(vi) 銅、インジウム、ガリウムとセレンメッキ用種
(vii) 銅、インジウム、ガリウムと硫黄メッキ用種および
(viii) 銅、インジウム、ガリウム、セレンと硫黄メッキ用種
一般に、本発明による金属メッキ用種組成物は、IB族メッキ用種特に銅を、0.5〜200mmol/l、好ましくは1〜100mmol/l、最も好ましくは3〜20mmol/lの量で(単独でまたはIIIA族および任意にVIA族メッキ用種と組合せて)含有する。
好ましくは、銅メッキ用種は硫酸銅、スルファミン酸銅またはメタンスルファミン酸銅でありそしてインジウムメッキ用種はスルファミン酸インジウムまたはメタンスルファミン酸インジウムである。本発明のさらに好ましい態様では、セレンメッキ用種が亜セレン酸を含んでなる。
錯形成剤は、0.001〜2mol/l、好ましくは0.005〜1mol/l、最も好ましくは0.02〜0.5mol/lの量で含有される。
好ましくは、組成物はさらに緩衝系を包含する。
緩衝系は、組成物が好ましくは約1〜約6のpH値、さらに好ましくは約1.8〜約5のpH値、最も好ましくは約2.5〜約4のpH値を持つような量で含有される。
さらに好ましくは、組成物は、さらに、少なくとも1種の湿潤剤を含んでなる。
本発明による層を製造するために、そのような層を受け取る基質表面は金属化前に予備洗滌に通常付される。基質は、表面から、グリース、汚れ、ダストあるいは酸化物を除去するために、出願人によって開発された湿式化学方法であるいは他の洗滌用薬品で、メッキ前に処理される。標準予備洗滌方法は第1表に記載されている。
Uniclean(登録商標)260は、カソード脱脂またはアノード脱脂へ使用するため、電気伝導性を持つ弱アルカリ性水酸化ナトリウム電解質洗滌剤である。
Uniclean(登録商標)675は、万能用の酸性活性化剤である。この洗滌剤は硫酸水素ナトリウムおよびフッ化ナトリウムを含有している。
基質を洗滌した後、銅−インジウム−セレン合金の如き所望の合金が基質上に堆積される。
温度:20〜35℃
pH:2.5〜3.8
電流密度:0.3〜2A/dm2
流体力学的/電解質流量:0〜10m3/h
堆積速度:1〜20分
堆積層の厚み:0.2〜3μm
堆積は直流メッキによってあるいは2つのカソード電位を持つパルスメッキ(定電位管理)によって実施することができる。一般に、次の電位がパルスメッキに用いられる:−0.5〜−2V(Ag/AgCl電極に対して測定された電位)、パルス時間はミリ秒の数10分の1〜数秒に亘る。アノードとして、ユニプレート基準不活性アノードの如き不活性アノードが用いられる。
添加剤濃度は1〜500ppm、好ましくは5〜100ppm、最も好ましくは10〜50ppmの範囲にある。
0.2molのイソチオシアネート、0.1molのジアミンおよび300mLのメタノールを反応フラスコに加えそして反応が完結するまで65℃で24時間反応を進めた。反応溶液を次いで0℃に冷却しそして生成する固形物を濾別しそしてメタノールで洗滌した。
残渣をメタノールから再結晶化させると白色固体が得られた。
0.2molのアミン、0.1molのジイソチオシアネートおよび300mLのメタノールを反応フラスコに添加し、そして反応が完結するまで65℃で24時間反応を進めた。反応溶液を次いで0℃に冷却しそして生成する固体を濾別しそしてメタノールで洗滌した。
残渣をメタノールから再結晶化させると白色固体が得られた。
15×15cm2のモリブデンフロートガラス材を第1表に記載の処理剤を用いて予備洗滌した。
1M スルファミン酸
1M 水酸化ナトリウム
0.3M 酒石酸ジナトリウム
1mM セレン(IV)−二酸化物
20mM スルファミン酸インジウム
9mM スルファミン酸銅
40mg/l 式IVによる添加剤
20μl/l Lutensit TC−CS40(テンサイド)
上記基質をこの金属メッキ用溶液中に浸漬しそしてCu/In/Se合金が下記作業条件を用いて基質上に電気分解的に堆積された:
温度:25℃
pH:〜3.2
直流電流:電流密度 1.3A/dm2
高流体力学的/電解質流量最大10m3/h、穴ノズル配列−1.5μm太陽電池吸収に〜3分の高堆積速度について必要とされる。
不活性アノード(ユニプレート基準不活性アノード)
15×15cm2のモリブデンフロートガラス材を実施例1に上記した如き方法で予備洗滌した。
さらに、金属メッキ用溶液を調製した。その組成は下記に示すとおりである:
1M スルファミン酸
1M 水酸化ナトリウム
16mM クエン酸−3−ナトリウム
12mM セレン(IV)−二酸化物
50mM スルファミン酸インジウム
3mM スルファミン酸銅
20μl/l Lutensit TC−CS40(テンサイド)
上記基質がこの金属メッキ用溶液中に浸漬されそしてCu/In/Se合金が下記作業条件を用いて基質上に電気分解的に堆積された:
温度:25℃
pH:〜2.3
2つのカソード電位を持つパルスメッキ(定電位管理):0.9sについて−0.75v/0.1sについて−1.1v(Ag/AgCl電極に対して測定された電位)
流体力学的/電解質流量最大600l/h、穴ノズル配列
1.5μm太陽電池吸収に〜15分の速度
不活性アノード(ユニプレート基準不活性アノード)
15×15cm2のモリブデンフロートガラス材を実施例1に上記した如き方法で予備洗滌した。
さらに、金属メッキ用溶液を調製した。その組成は下記に示すとおりである:
1M メタンスルホン酸
1M 水酸化ナトリウム
13.6mM クエン酸−3−ナトリウム
6mM セレン(IV)−二酸化物
50mM 水酸化インジウム
50mM 水酸化ガリウム(又は硫酸塩もしくは塩化物として)
3mM 酸化銅
40mg/l 式IVによる添加剤
20μl/l CUD50(テンサイド)
上記基質がこの金属メッキ用溶液中に浸漬されそしてCu/In/Se合金が下記作業条件を用いて基質上に電気分解的に堆積された:
温度:25℃
pH:〜1.5
2つのカソード電位を持つパルスメッキ(定電位管理):0.9sについて−0.75v/0.1sについて−1.1v(Ag/AgCl電極に対して測定された電位)
流体力学的/電解質流量最大600l/h、穴ノズル配列
1.5μm太陽電池吸収について〜15分の速度
不活性アノード(ユニプレート基準不活性アノード)
実施例1〜2で得られた合金をXRF表面スキャンに付した。
400nmのモリブデン被覆フロートガラス上に堆積された薄い合金フィルム(1〜2μm)の分析は複雑な仕事である。純粋な元素標準を用いた校正は不十分である。独自に作成した2成分、3成分、4成分または5成分の標準が必要であった。それらはICP−OES/ICP−MSによって交差分析された。
Cu/In原子比のこのような変化は、10×10cm2基質サイズで作動する太陽電池を製造するために受け入れられる。
XRF表面スキャンに基づいて、実施例1と2で得られた合金についての全平方質量(mg/cm2)がプロットされ、図2(実施例2)と図3(実施例1)に示されている。
一方、実施例1(本発明による)で得られた合金の全層厚は7%より小さい標準偏差で変化している。Mo基質内の、流体力学的条件と電位低下により起こされる不均一性は実施例2の合金におけるよりも遥かに著しく小さい。
図5は、また、メッキ浴のpHを変化させることによって実施例1(本発明の添加剤を含む)で得られたCu/In比を変化させることを可能にすることを示している。比較的低いpHは比較的低いCu/In比に、そして比較的高いpHは比較的高いCu/In比に、それぞれ対応している。
図6aと6bに示される曲線は、本願で用いられた基質にとって代表的なものである。従って、同じ効果が工業的規模で用いられる基質サイズでも起こるであろう。
式IVによる本発明の添加剤を、下記組成を持つ低酸銅浴中での銅の堆積のために用いた。
35g/l 硫酸
35g/l 硫酸銅・5水和物
100ppm 塩化物
100ppm プロピレングリコール
20mg/l 式IVによる添加剤
黄銅基質が全電流1.5Aを用いて、殻電池中で銅により堆積された。堆積時間は300sであった。
均一且つ光沢のある堆積が式IVによる添加剤を用いて得られた。
Claims (18)
- 一般式(A)の添加剤。
FG1およびFG2は同一もしくは異なっていてもよくそして−S(O)2OH、−S(O)OH、−COOH、−P(O)2OH、および
第1級、第2級および第3級アミノ基、これらの塩およびエステルよりなる群から選ばれる;
Rはアルキレン、アリーレンまたはヘテロアリーレンよりなる群から選ばれる;そして
nおよびmは1〜5の整数である。 - 一般式(I)〜(III)の化合物よりなる群から選ばれる請求項1による添加剤。
Het1およびHet2は同一もしくは異なっていてもよくそしてヘテロアリーレン基を示し、および
そしてFG1、FG2、mおよびnは請求項1におけると同じ定義である。 - Ar1およびAr2がフェニレンまたはナフチレン基を示す請求項2による添加剤。
- Het1およびHet2がピリジレンまたはキノリニレン基を示す請求項1による添加剤。
- 下記式を持つ請求項3による添加剤。
- 請求項1による添加剤を製造する方法であって、下記イソチオシアネート:
を、式H2N−R−NH2、ここでRは請求項1と同じ定義である、ジアミン化合物と反応させるか、あるいは
下記アミン化合物:
を、式SCN−R−NCS,ここでRは請求項1と同じ定義である、のビスイソシアネートと反応させる、工程からなる上記方法。 - 請求項1〜6による添加剤およびIB族メッキ用種を含有してなる金属メッキ用組成物。
- IIIA族メッキ用種をさらに含有する請求項7による金属メッキ用組成物。
- VIA族メッキ用種をさらに含有する請求項8による金属メッキ用組成物。
- IB族メッキ用種が銅を含有してなり、IIIA族メッキ用種がガリウムおよび/またはインジウムを含有してなりそしてVIA族メッキ用種がセレンおよび/または硫黄を含有してなる請求項7〜9による金属メッキ用組成物。
- (i) 銅メッキ用種、
(ii) 銅およびインジウムメッキ用種、
(iii) 銅、インジウムおよびガリウムメッキ用種、
(iv) 銅、インジウムおよびセレンメッキ用種、
(v) 銅、インジウムおよび硫黄メッキ用種、
(vi) 銅、インジウム、ガリウムおよびセレンメッキ用種、
(vii) 銅、インジウム、ガリウムおよび硫黄メッキ用種
および
(viii) 銅、インジウム、ガリウム、セレンおよび硫黄メッキ用種
から選ばれるメッキ用種を含有してなる請求項10による金属メッキ用組成物。 - 銅およびインジウムメッキ用種が銅:インジウムのモル比1:0.1〜50で組成物に含有されておりそして銅とセレンメッキ用種が銅:セレンのモル比1:0.01〜40で組成物に含有されている、請求項11による金属メッキ用組成物。
- 銅とインジウムメッキ用種が銅:インジウムのモル比1:1〜5で組成物に含有されておりそして銅とセレンメッキ用種が銅:セレンのモル比1:0.05〜2で組成物に含有されている請求項12による金属メッキ用組成物。
- 銅メッキ用種が硫酸銅、スルファミン酸銅およびメタンスルホン酸銅から選ばれそしてインジウムメッキ用種がスルファミン酸インジウムおよびメタンスルホン酸インジウムから選ばれる請求項10または11による金属メッキ用組成物。
- IB族金属/2成分もしくは3成分系IB族−IIIA族/3成分、4成分もしくは5成分系IB族−IIIA族−VIA族合金で基質を被覆する方法であって、下記工程:
(i)被覆される基質を予備洗滌し、そして
(ii)予備洗滌された基質を、請求項7〜20による金属用メッキ用組成物と約15℃〜約80℃で接触せしめてIB族金属/2成分もしくは3成分系IB族−IIIA族/3成分、4成分もしくは5成分系IB族−IIIA族−VIA族合金で被覆された基質を得る、
からなる上記方法。 - 請求項15による方法で得られうる被覆基質。
- XRF表面プロットにより得られたIB族金属対IIIA族金属比が4%より小さい標準偏差で変化する請求項16による被覆基質。
- 請求項16または17による基質を含有してなる薄膜太陽電池。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP08009979.9 | 2008-05-30 | ||
EP08009979.9A EP2128903B1 (en) | 2008-05-30 | 2008-05-30 | Electroplating additive for the deposition of a metal, a binary, ternary, quaternary or pentanary alloy of elements of group 11 (IB)-group 13 (IIIA)-group 16 (VIA) |
PCT/EP2009/003885 WO2009144036A1 (en) | 2008-05-30 | 2009-05-29 | Electroplating additive for the deposition of metal, a binary, ternary, quaternary or pentanary alloy of elements of group 11 (ib)-group 13 (iiia) -group 16 (via) |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011524945A true JP2011524945A (ja) | 2011-09-08 |
JP5286410B2 JP5286410B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=39869699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011510899A Expired - Fee Related JP5286410B2 (ja) | 2008-05-30 | 2009-05-29 | 11(ib)族−13(iiia)族−16(via)族の元素の、2成分、3成分、4成分もしくは5成分系合金を推積させるための電気メッキ用添加剤 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8828278B2 (ja) |
EP (1) | EP2128903B1 (ja) |
JP (1) | JP5286410B2 (ja) |
CN (1) | CN102047438B (ja) |
ES (1) | ES2624637T3 (ja) |
WO (1) | WO2009144036A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011103462A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光起電力デバイスの形成 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8304272B2 (en) | 2010-07-02 | 2012-11-06 | International Business Machines Corporation | Germanium photodetector |
US20120055612A1 (en) | 2010-09-02 | 2012-03-08 | International Business Machines Corporation | Electrodeposition methods of gallium and gallium alloy films and related photovoltaic structures |
US8545689B2 (en) * | 2010-09-02 | 2013-10-01 | International Business Machines Corporation | Gallium electrodeposition processes and chemistries |
US8840770B2 (en) * | 2010-09-09 | 2014-09-23 | International Business Machines Corporation | Method and chemistry for selenium electrodeposition |
JP5552042B2 (ja) | 2010-12-27 | 2014-07-16 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | プログラム解析の方法、システムおよびプログラム |
US20130327652A1 (en) * | 2012-06-07 | 2013-12-12 | International Business Machines Corporation | Plating baths and methods for electroplating selenium and selenium alloys |
US9495989B2 (en) | 2013-02-06 | 2016-11-15 | International Business Machines Corporation | Laminating magnetic cores for on-chip magnetic devices |
CN103924269B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-04-13 | 苏州昕皓新材料科技有限公司 | 一种非染料系整平剂的应用 |
CN103924268B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-04-13 | 苏州昕皓新材料科技有限公司 | 一种酸铜整平剂的应用 |
CN105696035A (zh) * | 2016-04-18 | 2016-06-22 | 程敏敏 | 一种高性能填孔镀铜溶液 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2849352A (en) * | 1956-06-15 | 1958-08-26 | Dehydag Gmbh | Electroplating process |
US5955053A (en) * | 1996-05-06 | 1999-09-21 | Emory University | Metal chelates as pharmaceutical imaging agents, processes of making such and uses thereof |
JP2001073182A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-21 | Boc Group Inc:The | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL274211A (ja) * | 1961-02-02 | |||
BE621297A (ja) * | 1961-08-10 | |||
DE2334355A1 (de) * | 1973-07-06 | 1975-01-16 | Hoechst Ag | Diphenylharnstoffderivate und ihre herstellung |
JPS5865439A (ja) * | 1981-10-15 | 1983-04-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光導電性組成物およびそれを用いた電子写真感光材料 |
AU2541592A (en) * | 1991-08-01 | 1993-03-02 | Hybritech Incorporated | Improvements in or relating to modified haptens useful as imaging and therapeutic agents |
US6875864B2 (en) * | 1991-08-01 | 2005-04-05 | Bracco International B.V. | Aminocarboxylate ligands having substituted aromatic amide moieties |
US5326856A (en) * | 1992-04-09 | 1994-07-05 | Cytogen Corporation | Bifunctional isothiocyanate derived thiocarbonyls as ligands for metal binding |
DE19917758C2 (de) | 1999-04-10 | 2003-08-28 | Cis Solartechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer CuInSe2(CIS)Solarzelle |
FR2839201B1 (fr) | 2002-04-29 | 2005-04-01 | Electricite De France | Procede de fabrication de semi-conducteurs en couches minces a base de composes i-iii-vi2, pour applications photovoltaiques |
US7507321B2 (en) * | 2006-01-06 | 2009-03-24 | Solopower, Inc. | Efficient gallium thin film electroplating methods and chemistries |
US20090188808A1 (en) * | 2008-01-29 | 2009-07-30 | Jiaxiong Wang | Indium electroplating baths for thin layer deposition |
-
2008
- 2008-05-30 ES ES08009979.9T patent/ES2624637T3/es active Active
- 2008-05-30 EP EP08009979.9A patent/EP2128903B1/en not_active Not-in-force
-
2009
- 2009-05-29 WO PCT/EP2009/003885 patent/WO2009144036A1/en active Application Filing
- 2009-05-29 US US12/995,078 patent/US8828278B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-29 CN CN2009801194459A patent/CN102047438B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-29 JP JP2011510899A patent/JP5286410B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2849352A (en) * | 1956-06-15 | 1958-08-26 | Dehydag Gmbh | Electroplating process |
US5955053A (en) * | 1996-05-06 | 1999-09-21 | Emory University | Metal chelates as pharmaceutical imaging agents, processes of making such and uses thereof |
JP2001073182A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-21 | Boc Group Inc:The | 改良された酸性銅電気メッキ用溶液 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011103462A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光起電力デバイスの形成 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES2624637T3 (es) | 2017-07-17 |
CN102047438B (zh) | 2013-10-09 |
CN102047438A (zh) | 2011-05-04 |
US20110094583A1 (en) | 2011-04-28 |
EP2128903A1 (en) | 2009-12-02 |
JP5286410B2 (ja) | 2013-09-11 |
WO2009144036A1 (en) | 2009-12-03 |
EP2128903B1 (en) | 2017-02-22 |
US8828278B2 (en) | 2014-09-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120822 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121012 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130123 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130327 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130423 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130522 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130603 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |