JP2011520245A - リソグラフィ装置のための剪断層チャック - Google Patents
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Abstract
【選択図】図3
Description
リソグラフィ装置
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
物体サポート構造の例示的実施形態
[0059] 図5〜図8は、予測される応力状態下におけるチャック321、ステージ230および細長要素325(図3に示す)の予測される変形を予想するために実行されたコンピュータシミュレーションの結果を示す。一例では、例えば(コンコルド、マサチューセッツのSolidworks社による)Solidworks(登録商標)などのコンピュータ援用設計(Computer Aided Design)(CAD)を使用してシミュレーションを実行するための概略的な幾何学的形状を構成することができる。応力状態下における実際のシミュレーションを行うためには、例えば(キャノンズバーグ、PAのANSYS社による)ANSYS(登録商標)などの設計解析ソフトウェアを使用してもよい。
剪断層ピン構成
中間膜を有する物体サポート構造の代替の実施形態
応力下における物体のずれを測定する方法
結論
Claims (35)
- 第1表面および前記第1表面の反対側に配置された第2表面を有し、前記第1表面は物体を支持する、チャックと、
第1端および第2端のそれぞれを有し、かつ前記チャックの前記第2表面に対して垂直の縦軸を有する細長要素のアレイであって、それによって前記第1端は前記チャックの前記第2表面に接触し、前記第2端はステージに接触する、細長要素のアレイとを含み、
前記細長要素のアレイを用いることによって、前記ステージと前記チャックとの間の応力の移動は実質的に均一になり、結果的に前記応力による前記チャックの変形中における前記チャックの前記第1表面に対する前記物体のずれを最小化する、システム。 - 前記チャックは、前記ステージの加速が前記応力を引き起こすように構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記チャックは、前記物体と、前記チャックと、前記ステージとの間の相対的な温度差が前記応力を生成するように構成されている、請求項1または2に記載のシステム。
- 前記チャックは、放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスを前記物体として支持する、請求項1、2または3に記載のシステム。
- 前記チャックは、パターン付けされた放射ビームによってパターンが上に生成される基板を前記物体として支持する、請求項1、2または3に記載のシステム。
- 別の物体が前記チャックの前記第1表面上に支持されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記別の物体は、前記物体の所望の位置決めまたはアライメントを決定する位置決めセンサである、請求項6に記載のシステム。
- 前記別の物体は、前記物体の位置決めまたはアライメントを可能にする基準マークである、請求項6または7に記載のシステム。
- 前記アレイの前記細長要素は、前記応力を均一に分配するように均等に構成されている、請求項1〜8のうちのいずれかに記載のシステム。
- 前記細長要素のアレイは、前記ステージと一体化され、かつ前記チャックに結合されている、請求項1〜9のうちのいずれかに記載のシステム。
- 前記細長要素のアレイは、前記チャックと一体化され、かつ前記ステージに結合されている、請求項1〜9のうちのいずれかに記載のシステム。
- 前記システムは、
前記細長要素のアレイが通り抜けるように、前記チャックと前記ステージとの間に配置された中間膜層をさらに含む、請求項1〜12のうちのいずれかに記載のシステム。 - 前記中間膜層および前記細長要素のアレイは同じ材料を含む、請求項12に記載のシステム。
- 前記チャック、前記細長要素のアレイおよび前記ステージは、コンプライアントエポキシ(compliant epoxy)によってお互いに結合されている、請求項1〜13のうちのいずれかに記載のシステム。
- 前記チャックおよび前記ステージのうちの少なくとも1つは、冷却チャネルを含む、請求項1〜14のうちのいずれかに記載のシステム。
- 放射ビームを生成する照明システムと、
前記放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスと、
基板上に前記パターン付けされた放射ビームを投影する投影システムとをさらに含み、
前記パターニングデバイスまたは前記基板は前記物体となるように構成されている、請求項1〜15のうちのいずれかに記載のシステム。 - 縦軸、第1端および第2端のそれぞれを有する細長要素のアレイをチャックとステージとの間で結合することであって、それによって前記縦軸は前記チャックおよび前記ステージに対して垂直であり、前記第1端は前記チャックの前記第2表面に接触し、前記第2端は前記ステージに接触し、応力状態下において、前記ステージと前記チャックとの間の前記応力の移動は実質的に均一である、ことと、
前記チャックの第1表面上で物体を支持することであって、前記第1表面は前記第2表面の反対側である、ことと、
前記チャックおよび前記ステージに前記応力状態を受けさせることと、
測定された変形を前記チャックの前記第1表面に対する前記物体のずれと相互に関連させるために前記応力状態下における前記チャックの変形を測定することとを
含む、方法。 - 放射ビームを生成する照明システムと、
前記放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスと、
前記パターン付けされた放射ビームを基板上に投影する投影システムと、
サポート構造であって、
第1表面および前記第1表面の反対側に配置された第2表面を有するチャックと、
第1端および第2端のそれぞれを有し、かつ前記チャックの前記第2表面に対して垂直の縦軸を有する細長要素のアレイであって、それによって前記第1端は前記チャックの前記第2表面に接触し、前記第2端はステージに接触する、細長要素のアレイとを含み、
前記細長要素のアレイを用いることによって、前記ステージと前記チャックとの間の応力の移動は実質的に均一になり、結果的に前記応力による前記チャックの変形中における前記チャックの前記第1表面に対する物体のずれを最小化する、サポート構造とを含み、
前記パターニングデバイスまたは基板は前記物体になるように構成されている、リソグラフィ装置。 - 物体を支持するシステムであって、
前記物体を支持する第1表面を有するチャックと、
1つ以上の移動方向または回転方向において前記チャックを支持するステージと、
他の移動方向または回転方向に対して少なくとも1つの移動方向または回転方向において相対的に低い剛性を有する前記チャックと前記ステージとの間の中間層であって、結果的に前記ステージと前記チャックとの間の応力による前記チャックの変形中における前記チャックの前記第1表面に対する前記物体のずれを最小化する、中間層と
を含む、システム。 - 前記応力は前記ステージの加速から生じる、請求項19に記載のシステム。
- 前記応力は、前記物体と、前記チャックと、前記ステージとの間の相対的な温度差によって生じる、請求項19または20に記載のシステム。
- 前記物体は、放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスである、請求項19、20または21に記載のシステム。
- 前記物体は、パターン付けされた放射ビームによってパターンが上に生成される基板である、請求項19、20または21に記載のシステム。
- 別の物体が前記チャックの前記第1表面上に支持されている、請求項19〜23のうちのいずれかに記載のシステム。
- 前記別の物体は、前記物体の所望の位置決めまたはアライメントを決定する位置決めセンサである、請求項24に記載のシステム。
- 前記別の物体は、前記物体の位置決めまたはアライメントを可能にする基準マークである、請求項24に記載のシステム。
- 前記中間層は、前記応力を均一に分配する細長要素のアレイを含む、請求項19〜26のうちのいずれかに記載のシステム。
- 前記細長要素のアレイは、前記ステージと一体化され、かつ前記チャックに結合されている、請求項27に記載のシステム。
- 前記細長要素のアレイは、前記チャックと一体化され、かつ前記ステージに結合されている、請求項27に記載のシステム。
- 前記システムは、
前記細長要素のアレイが通り抜けるように、前記チャックと前記ステージとの間に配置された中間膜層をさらに含む、請求項27、28または29に記載のシステム。 - 前記中間膜層および前記細長要素のアレイは同じ材料を含む、請求項30に記載のシステム。
- 前記チャック、前記細長要素のアレイおよび前記ステージは、コンプライアントエポキシによってお互いに結合されている、請求項27、28または29に記載のシステム。
- 前記チャックおよび前記ステージのうちの少なくとも1つは、冷却チャネルを含む、請求項19〜32のうちのいずれかに記載のシステム。
- 第1表面および前記第1表面の反対側に配置された第2表面を有し、物体を保持するチャックと、
第1端および第2端のそれぞれを有し、かつ前記チャックの前記第2表面に対して垂直の縦軸を有する細長要素のアレイであって、前記細長要素のアレイが前記チャックとステージとの間に応力を均一に分配するように前記チャックを前記ステージに堅く結合することによってチャックをステージから離すために第1端はチャックの第2表面に接触し、第2端はステージに接触する、細長要素のアレイと
を含む、システム。 - 前記細長要素のアレイを用いることによって、前記チャックの前記第1表面に対する前記物体のずれは、前記ステージが加速されたときの応力による前記チャックの変形中において最小化される、請求項34に記載のシステム。
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