JP2011520029A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011520029A5 JP2011520029A5 JP2010550720A JP2010550720A JP2011520029A5 JP 2011520029 A5 JP2011520029 A5 JP 2011520029A5 JP 2010550720 A JP2010550720 A JP 2010550720A JP 2010550720 A JP2010550720 A JP 2010550720A JP 2011520029 A5 JP2011520029 A5 JP 2011520029A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- processing chamber
- coupled
- substrate
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 8
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 4
- 229910000529 magnetic ferrite Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims 2
Claims (8)
- 複数の壁を有する基板処理チャンバと、
前記チャンバ内に配置された1つまたは複数の回転可能なプロセスドラムと、
前記基板処理チャンバ内に配置され、基板が前記基板処理チャンバを通過する際に基板がその間を通過できるように隔置された複数の充填剤ブロックと、
前記処理チャンバと結合された1つまたは複数のプラズマ源と、
を含む装置であって、前記プラズマ源が、
前記複数のチャンバ壁のうちの1つまたは複数に結合されたプラズマ管であって、中心本体から延びる2つのアーム部分をさらに含み、各アームの端部が前記チャンバ壁と結合された、プラズマ管と、
誘導結合されたプラズマを生じさせる手段とを含み、前記管の内部で誘導結合されたプラズマを生じさせる手段が、
前記プラズマ管を実質上取り囲む1つまたは複数のフェライトブロックと、
前記1つまたは複数のフェライトブロックを実質上取り囲む1つまたは複数の駆動コイルとを含む、装置。 - 前記処理チャンバを通過する基板と前記複数の充填剤ブロックとの間の距離がプラズマ暗部より短い、請求項1に記載の装置。
- 前記複数の充填剤ブロックと前記1つまたは複数の回転可能なプロセスドラムが、合わせて、前記処理チャンバ体積の約90%を含む、請求項2に記載の装置。
- 前記1つまたは複数の回転可能なプロセスドラムと前記1つまたは複数のプラズマ源の間の見通し経路内には、充填剤ブロックが配置されない、請求項3に記載の装置。
- 基板処理チャンバと、
前記処理チャンバと結合され、実質上線状のプラズマを発生させることが可能な1つまたは複数のプラズマ源と、
を含むウェブ処理装置であって、前記プラズマ源が、
前記処理チャンバに結合されたプラズマ管であって、中心本体から延びる2つのアーム部分をさらに含み、各アームの端部が前記処理チャンバと結合された、プラズマ管と、
前記プラズマ管を実質上取り囲む1つまたは複数のフェライトブロックと、
前記1つまたは複数のフェライトブロックを実質上取り囲む1つまたは複数の駆動コイルとを含む、ウェブ処理装置。 - 前記1つまたは複数の駆動コイルと結合された高周波電源をさらに含む、請求項5に記載の装置。
- 前記1つまたは複数の駆動コイルが多重巻きコイルを含む、請求項6に記載の装置。
- ロールツーロール基板移送システムをさらに含む、請求項5に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US3603108P | 2008-03-12 | 2008-03-12 | |
US61/036,031 | 2008-03-12 | ||
PCT/US2009/034262 WO2009114241A1 (en) | 2008-03-12 | 2009-02-17 | Linear plasma source for dynamic (moving substrate) plasma processing |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011520029A JP2011520029A (ja) | 2011-07-14 |
JP2011520029A5 true JP2011520029A5 (ja) | 2013-08-08 |
JP5535089B2 JP5535089B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=41063481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010550720A Expired - Fee Related JP5535089B2 (ja) | 2008-03-12 | 2009-02-17 | 動的な(移動する基板の)プラズマ処理のための線状のプラズマ源 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8377209B2 (ja) |
JP (1) | JP5535089B2 (ja) |
KR (1) | KR101333226B1 (ja) |
CN (1) | CN101971700B (ja) |
TW (1) | TWI407614B (ja) |
WO (1) | WO2009114241A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100252047A1 (en) | 2009-04-03 | 2010-10-07 | Kirk Seth M | Remote fluorination of fibrous filter webs |
JP5740203B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2015-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造 |
TWI486996B (zh) | 2013-12-04 | 2015-06-01 | Ind Tech Res Inst | 電漿裝置及電漿裝置的操作方法 |
CN103993297A (zh) * | 2014-06-09 | 2014-08-20 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种连续快速生长石墨烯的气相沉积装置 |
US11533801B2 (en) | 2017-11-30 | 2022-12-20 | Corning Incorporated | Atmospheric pressure linear rf plasma source for surface modification and treatment |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100212125B1 (ko) * | 1996-03-19 | 1999-08-02 | 윤종용 | 고밀도 플라즈마 소스의 이온화 증진 구조 |
KR100296692B1 (ko) * | 1996-09-10 | 2001-10-24 | 사토 도리 | 플라즈마cvd장치 |
JPH10219459A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-08-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | プラズマcvd装置およびこれを用いた磁気記録媒体の製造方法 |
US5998933A (en) * | 1998-04-06 | 1999-12-07 | Shun'ko; Evgeny V. | RF plasma inductor with closed ferrite core |
KR100320197B1 (ko) * | 1999-08-21 | 2002-01-10 | 구자홍 | 직류전원 플라즈마중합 연속처리장치 |
US6410449B1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-06-25 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a workpiece using an externally excited torroidal plasma source |
JP3509758B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2004-03-22 | シャープ株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理機、並びにプラズマ処理方法 |
EP1351321B1 (en) * | 2002-04-01 | 2013-12-25 | Konica Corporation | Support and organic electroluminescence element comprising the support |
US20050181535A1 (en) * | 2004-02-17 | 2005-08-18 | Yun Sun J. | Method of fabricating passivation layer for organic devices |
US20060027329A1 (en) * | 2004-08-09 | 2006-02-09 | Sinha Ashok K | Multi-frequency plasma enhanced process chamber having a torroidal plasma source |
US7422636B2 (en) * | 2005-03-25 | 2008-09-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system having reduced contamination |
US7109098B1 (en) * | 2005-05-17 | 2006-09-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor junction formation process including low temperature plasma deposition of an optical absorption layer and high speed optical annealing |
KR100897176B1 (ko) * | 2005-07-20 | 2009-05-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유도 결합형 플라즈마 처리 장치 |
KR20070094412A (ko) | 2006-03-17 | 2007-09-20 | 코스텍시스템(주) | 이 중 열 차단 보호벽을 갖는 플라즈마 화학 증착 챔버 |
EA020763B9 (ru) * | 2008-08-04 | 2015-05-29 | Эй-Джи-Си Флет Гласс Норт Эмерике, Инк. | Источник плазмы и способы нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы |
-
2009
- 2009-02-12 US US12/370,389 patent/US8377209B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-17 KR KR1020107022785A patent/KR101333226B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-17 CN CN200980109312.3A patent/CN101971700B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-17 WO PCT/US2009/034262 patent/WO2009114241A1/en active Application Filing
- 2009-02-17 JP JP2010550720A patent/JP5535089B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-11 TW TW098107930A patent/TWI407614B/zh not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011520029A5 (ja) | ||
WO2012057967A3 (en) | Methods and apparatus for controlling photoresist line width roughness | |
RU2015148609A (ru) | Устройство индукционного нагрева и система генерирования аэрозоля | |
TW201129257A (en) | Passive power distribution for multiple electrode inductive plasma source | |
MX2016017265A (es) | Herramientas de inspeccion de tuberias simetricas enfocadas. | |
MX339779B (es) | Bobina de calentamiento por induccion y aparato y metodo para la fabricacion de un miembro procesado. | |
WO2012054690A3 (en) | Apparatus for forming a magnetic field and methods of use thereof | |
FR2959737B1 (fr) | Procede de production d'alkylbenzenes ramifies utilisant une source de carbone renouvelable. | |
AU2011322252A8 (en) | Method and apparatus for treating fluid in a conduit with radio - frequencies | |
JP2006286536A5 (ja) | ||
MX342253B (es) | Dispositivo para la generacion de plasma que tiene un intervalo alto a lo largo de un eje por la resonancia ciclotronica de electrones (ecr) de un medio gaseoso. | |
TWD158417S (zh) | 用於半導體沉積設備之電漿功率轉接桿 | |
MX360902B (es) | Proceso y dispositivo para generar un plasma energizado mediante una energia de microondas en el campo de una resonancia ciclotronica electronica (rce) para ejecutar un tratamiento de superficie o aplicar un recubrimiento alrededor de un componente filiforme. | |
JP2012172208A5 (ja) | ||
WO2012158805A3 (en) | Plasma attentuation for uniformity control | |
TW201612944A (en) | Plasma processing apparatus | |
TW201614759A (en) | Plasma processing apparatus | |
RU2009124870A (ru) | Способ вакуумного ионно-плазменного азотирования изделий из стали | |
JP2016082180A5 (ja) | ||
GB201018676D0 (en) | Compact apparatus for generating an oscillating magnetic field | |
JP2012044035A5 (ja) | ||
GB201105370D0 (en) | Radiotherapeutic apparatus | |
JP2016530699A5 (ja) | ||
UA56078U (ru) | Электромеханическая система транспортировки труб | |
Tukasaki et al. | Effect of external floating electrode for enhancing efficiency of generating an atmospheric pressure inductively coupled microplasma |