KR20070094412A

KR20070094412A - 이 중 열 차단 보호벽을 갖는 플라즈마 화학 증착 챔버

Info

Publication number: KR20070094412A
Application number: KR1020060025065A
Authority: KR
Inventors: 배준호
Original assignee: 코스텍시스템(주)
Priority date: 2006-03-17
Filing date: 2006-03-17
Publication date: 2007-09-20

Abstract

본 발명은 플라즈마 화학증착 장치(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Apparatus 이하, PECVD 장치로 약칭함)의 공정 챔버(process chamber)에 관한 것으로서 공정 챔버의 히팅 매체인 서셉터(succeptor)의 열 손실을 억제함으로써, 챔버 내부의 열적 안정성과 서셉터 온도의 균일성을 향상시키기 위하여 고안되었으며, 또한 본 발명은 이에 부수적인 효과로 공정 시 챔버의 소비전력의 절감과 기판의 가장자리에 원하지 않는 증착막이 형성하는 것을 방지하여 액정표시장치나 반도체 제조 공정 단계의 단축을 가능하게 하는 기술에 관한 것이다. 자세하게 설명하면 본 발명의 새로운 플라즈마 증착 챔버는 서셉터와 챔버 벽 사이에 일정한 간격으로 열 차단벽(heat transfer blocking fence)을 설치하여 서셉터(succeptor)의 열 손실을 억제함으로써 챔버 내부의 열적 안정성과 서셉터 표면의 온도의 균일성이 크게 개선되는 특징을 가지며, 그에 따른 효과로 장비의 소비전력도 절감할 수 있게 된다. 한편 증착 공정 시 기판가장자리 위에 오버램(overlap)하여 기판 가장자리를 가릴 수 있는 플레임을 상기 열차단벽에 거치시켜 구비할 수 있게 됨으로써 기판 가장자리에 원치 않은 박막이 증착되는 것을 예방할 수 있는 기술도 제공한다.

플라즈마 화학 증착 챔버, 샤워헤드, 전극판, 서셉터 복사열 차단 펜스, CCP형 플라즈마 증착챔버

Description

이 중 열 차단 보호벽을 갖는 플라즈마 화학 증착 챔버 {Plasma enhanced chemical vapor deposition chamber having the dual heat blocking walls}

도 1은 종래의 일반적인 플라즈마 화학 증착 장비의 반응 챔버의 단면 구조

도 2는 본발명의 플라즈마 화학 증착 챔버의 단면 구조

도 3은 본 발명의 플라즈마 화학 증착 챔버의 한쪽 측면의 확대 도면

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

1 : 챔버 바디(chamber body) 2 : 글래스 기판(glass substrate)

3 : 챔버 리드(chamber lid)

4 : 진공실링 용 오링(O-ring for vacuum seal)

5 : 절연체1(insulator) 6 : 고주파(RF) 전극판

7 : 샤워헤드(shower head) 8 : 샤워헤드 체결 볼트

9 : 가스 분산 공간 10 : 공정가스 주입관(gas inlet)

11 : 고주파 발생장치(RF source) 12 : 절연체2(insulator)

13 : 서셉터 모쥴(suscepter modules)

14 : 기판 에쥐 가림 판(edge screening frame)

15 : 챔버 내벽 보호판(chamber liner)

16 : 원격 플라즈마 발생장치(remote plasma source)

25 : 서셉터 복사열 차단 펜스(blocking fence of heat radiation from susceptor)

35 : 서셉터 복사열 차단 펜스 하부 받침대

36 : 챔버벽 보호판 거치 장치(bracket fixing chamber liner)

37 : 서셉터 복사열 차단 펜스 상부 거치 장치(bracket settling radiation blocking fence)

본 발명의 목적은 반도체나 액정표시 장치를 제조하는 증착 장비에서 반도체 기판이나 액정표시장치의 대형화에 따른 증착 막의 균일성 저하의 문제를 해결하기 위하여 고안된 기술로서 공정챔버의 히팅 매체인 서셉터(succeptor)의 열 손실을 최소화 하고, 챔버 내부의 열적 안정성을 유도하여 서셉터 온도의 균일성을 개선하며, 동시에 공정 진행시 소모 전력을 절감하기 위하여 고안된 기술이다.

본 발명은 플라즈마 화학증착 장치(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Apparatus 이하, PECVD 장치로 약칭함)의 공정챔버(process chamber)에 관한 것으로서 공정 챔버의 히팅 매체인 서셉터(succeptor)의 열 손실을 최소화 하고, 챔버 내부의 열적 안정성을 유도하여 서셉터 온도의 균일성을 개선하며, 동 시에 공정 진행시 소모 전력을 절감하기 위하여 고안된 기술이다. 즉, 서셉터와 챔버 벽 사이에 일정한 간격으로 열 차단벽(heat transfer blocking fence)을 설치하는 것이 특징인 새로운 플라즈마 화학 증착 챔버에 관한 것이다.

상기 PECVD 장치는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Amorphous Silicon Thin Film Transistor) 를 이용하는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device) 및 유기물 발광다이오드의 트랜지스터를 형성하는데 필요한 박막을 증착하는 공정에 주로 사용되고 있다. 일반적으로 액정표시장치는 박막트랜지스터 어레이(TFT array) 기판과 컬러 필터(color filter) 기판 사이에 액정을 주입하여, 그 특성을 이용해 영상효과를 얻는 비 발광 소자를 뜻하고 유기물 발광다이오드는 상기 박막트랜지스터 어레이 기판이나 금속선 어레이 기판에 유기물 발광체를 도포하여 전압을 가함으로써 발광하는 특성을 이용하여 영상이미지를 표시하는 소자를 뜻한다. 상기 유기물 발광다이오드 및 액정표시장치의 제조공정 중 박막 증착을 위한 상기 PECVD 장치는 진공 챔버 내부에 증착에 필요한 가스를 주입하여 원하는 압력과 기판 온도를 설정하고, RF 파워를 이용하여 주입된 가스를 플라즈마 상태로 분해하여 기판위에 증착을 하는 장치로서, 증착 메커니즘(mechanism)은 챔버 내로 유입된 기체 화합물이 분해되는 1차 반응, 분해된 가스 이온들과 불안정한 이온상태인 라디칼 이온(Radical Ion)들이 상호 반응하는 2차 반응, 피 증착 기판 상에서 가스 이온과 라디칼 이온들의 재결합으로 생긴 원자들의 상호작용으로 핵 생성 후에 박막이 형성되는 3차 반응단계로 이루어진다. 유입되는 기체 화합물은 형성하는 막의 종류에 따라 달라지며, 일반적으로 실리콘 질화 막 경우는 SiH4 , H2 , NH3 , N2 의 혼합 Gas가 이용되고, 비정질 실리콘 막의 증착에는 SiH4 , H2 가 쓰이며, 인(P)을 도핑(Doping)하여 전자 이동도를 높이는 불순물 비정질 실리콘막(n+ a-Si)의 형성 시에는 상기 비정질 실리콘용 반응가스에 PH3 가 첨가된다. 상기 PECVD 장치에 의한 증착공정에서는, RF 파워(Radio Frequency Power), 증착 온도의 균일성(uniformity), 가스 유입량 및 전극과 기판 간의 거리에 의하여 형성되는 박막의 특성이 좌우된다. 상기 PECVD 장치는 액정표시 장치(LCD)와 차세대 유기물 발광다이오드(OLED) 제조 공정에 있어서 기술적인 면과 생산성 측면에서 가장 중요한 핵심공정을 수행한다.

근래 반도체 및 디스플레이 산업이 발달하면서 반도체의 고 집적화에 따른 실리콘 기판 사이즈의 증가와 디스플레이 패널 사이즈의 대형화 추세가 급격하게 진행되고 있다. 따라서 이들을 가공하는 장비의 크기도 급격하게 커지고 보다 정밀함을 요구하게 되었다. 그런데 이들 제조 장비의 크기와 규모가 거대해 지면서 기판에 증착되는 박막의 균일성을 유지하기가 점점 어려워지고 있다. 특히, 플라즈마 화학 증착 장비에 있어서는 그 대표적인 원인이 기판을 가열하는 서셉터 온도를 균일하게 유지가 더욱 어려워지기 때문으로 알려졌다. 이는 서셉터의 크기가 대형화 되면서 가열하는데 많은 전력을 공급하여야 하고, 챔버와 인접한 서셉터의 가장자리에서 서셉터에 가열되는 많은 양의 열이 챔버 벽에 복사되어 챔버 벽을 통해 방출하기 때문이며 따라서 서셉터의 가장자리의 온도를 서셉터의 중앙부와 동일하게 유지하기가 더욱 복잡하고 어려워지기 때문이다. 현재까지는 플라즈마 방식으로 챔버 클리링을 할때 챔버 내벽의 부식을 방지하기 위하여 챔버 내벽에 설치하는 부 식 방지 보호막을 세라믹 재질의 보호벽으로 하여 챔버의 열손실을 억제하는 부수적인 효과로써 챔버의 열손실 문제를 해결해 왔으나 7세대이상의 초대형 액정표시 장치 제조용 플라즈마 화학 증착 장치를 구현하는 데에는 많은 어려움과 한계에 이르렀다.

＜도1＞는 종래의 CCP형 프라즈마 화학 증착 챔버의 단면 구조이다. 종래기술의 CCP형 프라즈마 증착 챔버의 구조는 크게 챔버 바디(1, Chamber Body)와 챔버 리드(3, Chamber Lid)으로 구성되는데 챔버 리드에는 샤워헤드(7)와 고주파 전극 판(6)을 포함하는 플라즈마 상부 전극 모쥴이 부착되고, 챔버 바디(1)의 내부에는 챔버 바닥과 평행하게 하부 전극의 역할과 기판(2)을 가열 하는 역할을 하는 히터(heater, 미도시)가 내장된 서셉터(13)가 위치한다. 한편 챔버 바디(1)와 챔버 리드(3)가 접촉하는 부위에는 챔버 내부의 공기를 뽑아낸 후 진공 상태를 유지하기 위하여 오링(4, O-ring)을 두어 실링(sealing) 한다. 또한 고주파 전극판(6) 및 샤워헤드(7)와 챔버리드(3) 간에는 절연 및 단열을 위한 절연체(5, 12)와 진공을 유지하기 위한 오링(O-ring)이 위치하며 전극판(6)의 아래에는 샤워헤드가 전극판과 일정한 공간을 유지하며 부착되도록 샤워헤드의 주변부를 구부려 전극판과 볼트(8)로 체결하였다. 이때 전극판(6)과 샤워헤드(7) 사이에 이루어진 공간(9)은 외부로부터 유입된 반응 가스를 분산시키는 역할을 할 수 있도록 설계된다. 샤워헤드에는 다수의 미세한 구멍(hole, 미도시)이 반응가스가 기판(2)위에 골고루 균일하게 분사될 수 있도록 형성되어 있으며 전극판의 중앙부에는 원격플라즈마 발생장치(16)와연결 되는 공정가스를 공급하는 통로(10)가 있으며 고주파 전원을 공급할 수 있는 고주파 발생기(11)가 본 전극판에 연결된다. 그리고 챔버는 관을 통해 진공펌프(미도시)와 연결되어 있으며 챔버와 진공펌프 사이에는 이들을 차단할 수 있는 게이트밸브(미도시)와 압력을 조절할 수 있는 트로틀(Throttle)밸브(미도시)가 위치한다.

종래기술의 CCP형 플라즈마 증착 챔버의 동작은 다음과 같이 이루어진다. 챔버에 성막하고자 하는 반도체나 액정표시장치용 유리기판(2)을 서셉터(3) 위에 안치시키고 챔버에 연결된 진공펌프를 가동하여 챔버를 진공상태로 만든 후, 임의의 물질의 막(film)을 형성하는데 필요한 반응 가스를 가스 주입구(10)를 통해 전극판과 샤워헤드(7)로 둘러 쌓인 공간(9)에 공급하여 샤워헤드에 의하여 반응가스가 기판위에 균일하게 분사되게 한다. 이때 트로틀 밸브를 조절하여 챔버 내부의 가스의 량과 압력을 유지하며 이어 고주파 전원을 전극판(6)에 인가함으로써 전극판과 부착된 샤워헤드와 마주 보고 있는 서셉터가 대향전극 역할을 하며 플라즈마가 발생되게 한다. 플라즈마 내에는 여러 종류의 전하를 띤 입자나 이온, 전자, 레디컬(Radical)이 존재하며 이들이 서셉터(103)에 의하여 가열된 기판위에서 서로 결합하여 막을 형성하게 된다. 이때 형성되는 증착 막은 글래스 기판 뿐 아니라 챔버 내부의 거의 모든 부위에도 적층되기 때문에 일정 횟 수의 증착 공정을 반복한 후에는 챔버 벽이나 샤워헤드에 코팅(coating)된 증착 막을 제거하기 위하여 원격 플라즈마 발생장치(16)를 가동하며 불소(fluorine)계 가스인 NF3(질소 플로린 화합물)을 주입하여 원격 플라즈마를 만든 후 플라즈마 상태로 샤워헤드를 통하여 챔버 내에 주입한다. 챔버를 클리링함에 있어서, 챔버를 깨끗하 게 클리링하기 위하여 챔버의 부위에 따라서 박막의 잔류 적층 두께나 클리링 량(etching rate)의 차이 때문에 충분하게 오버에칭(over etching)하여야 한다. 이때 먼저 챔버벽이 노출된 부분에서는 챔버 벽이 부식되어 손상된다. 챔버벽의 손상은 주로 서셉터의 인접 부인 챔버 몸체(1)의 측벽에서 발생하며 그 이유는 챔버 몸체의 측벽이 서셉터에 인접하여 다른 챔버 부위에 비하여 높은 온도를 유지하기 때문에 에칭속도가 빨라서 나타나는 현상때문 이다. 그에 따라서 챔버 몸체 측벽의 부식을 방지하기 위하여 챔버 벽에 에칭 보호막으로 세라믹 재질의 얇은 판을 챔버 하부 벽을 따라서 부착하게 된다. 이를 챔버 내벽 보호판(15) 또는 챔버 라인너(liner)라 한다.

근래 반도체 및 디스플레이 산업이 발달하면서 생산성 향상을 위하여 좀더 큰 대면적의 기판을 제조를 요구하고 있으며 그에 따라서 이들 제조 장비의 크기와 규모가 갈수록 거대해 지고, 기판에 증착되는 박막의 균일성을 유지하기가 점점 어려워지고 있다. 특히, 플라즈마 화학 증착 장비에 있어서는 그 대표적인 원인이 기판을 가열하는 서셉터 온도를 균일하게 유지가 더욱 어려워지기 때문으로 알려져 있으며 이는 서셉터의 크기가 대형화 되면서 이를 가열하는데 많은 전력을 공급하여야 하고, 챔버와 인접한 서셉터의 가장자리에서 서셉터에 공급되는 많은 양의 열이 챔버 벽에 복사되어 챔버 벽을 통해 방출하기 때문이다. 따라서 장비의 사이즈를 크게 하더라도 서셉터 가장자리의 온도와 서셉터 중앙부의 온도의 편차는 더 이상 확대되지 않도록 하여야 하는 과제를 해결하여야 대면적의 플라즈마 화학 증착 장치를 구현할 수 있다. 본 발명은 상기과제를 해결하기 위하여 공정챔버의 히팅 매체인 서셉터(succeptor)의 열 손실을 최소화 하고, 챔버 내부의 열적 안정성을 유도하여 서셉터 온도의 균일성을 개선하며, 동시에 공정 진행시 소모 전력을 절감하기 위하여 고안된 기술이며 플라즈마 증착 챔버에 서셉터와 챔버 벽 사이에 일정한 간격으로 열 차단벽(heat transfer blocking fence)을 설치하는 것을 특징으로 한다.

본 발명은 플라즈마 화학증착 장치(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Apparatus 이하, PECVD 장치로 약칭함)의 공정챔버(process chamber)에 관한 것으로서 공정 챔버의 히팅 매체인 서셉터(succeptor)의 열 손실을 최소화 하고, 챔버 내부의 열적 안정성을 유도하여 서셉터 온도의 균일성을 개선하며, 동시에 공정 진행시 소모 전력을 절감하기 위하여 고안된 기술이다.

본 발명에 의한 새로운 플라즈마 화학 반응 챔버＜도2＞는 서셉터와 챔버 벽 사이에 일정한 간격으로 열 차단벽(heat transfer blocking fence)을 설치하는 것이 특징으로 한다. 구체적으로는 서셉터와 챔버 내벽 사이에 열 차단 벽(25) 즉, 서셉터 복사열 차단 펜스(blocking fence of heat radiation from susceptor)을 설치하여 챔버 벽을 통한 서셉터의 열 손실을 막아 서셉터 가장자리의 온도 저하 문제를 해결하여 서셉터의 중앙부위와 가장자리 부위 간의 온도편차가 최소화되도록 구현하였다.

＜도2＞와＜도3＞를 통하여 본 발명의 구성 및 특징을 설명하면, 챔버 측면 에 종래의 플라즈마 증착 챔버와 마찬가지로 플라즈마 클리링 시 챔버 벽 보호의 목적과 챔버의 열손실 방지를 위한 챔버 내벽 보호판(15), 즉 1차 챔버 라인너(chamber liner)가 부착되어 진다. 이때 상기 챔버 라인너를 설치 함에 있어서 챔버 바닦에 하부 받침대(35)를 챔버 내측 하단에 놓아 고정시키고 하부 받침대(35)와 챔버 내측 사이에 챔버 내벽 보호판(15)을 끼워 고정하며 챔버 측면 상부에 측면고정 브라켓(36)을 챔버에 고정하고 파여진 챔버 내벽 보호판의 상측 홈에 고정 브라켓에 끼워 고정시킴으로써 챔버 내벽 보호판(15, 1차 챔버 라인너)가 설치된다. 한편 본 발명의 핵심이 되는 서셉터 복사열 차단펜스(25, 제 2차 챔버 라인너) 를 서셉터에서 방출하는 복사열이 챔버 벽에 전달되어 챔버 밖으로 방출되는 것을 막기 위하여 챔버 벽과 서셉터 사이에 일정 간격을 두고 설치한다. 이때 서셉터 복사열 차단펜스(25)의 하부는 하부 받침대(35)의 홈에 끼우고 상부는 챔버의 상부에 매달려있는 연결 브라켓(37, 서셉터 복사열 차단 펜스 상부 거치 장치)에 홈을 판후 끼워서 고정시킨다. 상기와 같은 구조로 열 차단 벽 역할을 하는 보호벽을 2 중으로 챔버 벽과 서셉터 사이에 설치하면 서셉터 가장자리가 챔버벽에 직접 노출이 되지 않고 서셉터 복사열 차단 펜스(25)가 서셉터로부터 방출되는 복사열을 차단하여 서셉터 가장자리의 온도 저하를 방지 할 수 있게 된다. 서셉터 복사열 차단 펜스의 재질은 통상 열전도 율이 낮은 알루미나(Al2O3)와 같은 세라믹을 사용하거나 퀄츠(Quartz)등을 사용할수도 있고 알루미늄에 양극산화(anodizing)처리를 해서 표면을 산화시킨 알루미늄 판을 사용할수도 있다. 한편 본 발명은 종래와 동일한 목적 및 기능으로 설치하는 챔버 내벽 보호판(15, 1차 챔 버 liner)을 설치함에 있어서도 챔버 벽과는 1~3mm정도 띄어서 부착함으로써 종래와 같이 챔버 클리링(chamber cleaning)시 챔버의 부식을 막는 보호막 역할을 하는 것은 물론이고 동시에 서셉터로부터 방출되는 복사열이 챔버에 전달되는 것을 억제하는 기능을 좀더 효과적으로 할 수 있도록 하였다. 그러므로 서셉터로부터 방출되는 복사열이 1차적으로 복사열차단 펜스(35, 2차 챔버 라인너)에 의하여 차단되며 복사열 차단펜스를 거쳐 챔버 벽에 도달하는 복사열을 2차적으로 챔버벽에 부착한 챔버 내벽 보호판이 차단함으로써 서셉터의 열 손실을 최소화 할 수 있게 되며 이로 인하여 서셉터의 가장자리의 온도 저하를 억제할 수 있게 됨으로써 서셉터 표면의 온도가 균일한 온도특성을 유지 할수가 있게 된다. 또한 기판 가장자리에 막(film)이 증착되는 것을 방지하기위하여 기판 에쥐 가림판(14, substrate edge screening frame)을 서셉터 복사열 차단 벽(25) 위에 거치시키므로 기판을 서셉터 상에 안치한 후 공정을 진행하기 위하여 서셉터를 공정 진행위치로 들어 올리면 상기 기판에쥐 가림 플레임과 기판이 맞닿아 기판의 에쥐가 완전히 상기 플레임에 의하여 가려지게 된다. 그에 따라서 기판에쥐(edge)는 기판에쥐 가림판(14, substrate edge screening frame)에 의하여 보호됨으로 증착되지 않게 된다.

본 발명의 새로운 플라즈마 증착 챔버는 서셉터와 챔버 벽 사이에 일정한 간격으로 열 차단벽(heat transfer blocking fence)을 설치하여 서셉터(succeptor)의 열 손실을 최대한 억제할 수 있도록 구성되어 있어 챔버 내부의 열적 안정성과 서셉터 표면의 온도의 균일성이 크게 개선할 수 있으며 그에 따른 부수적인 결과로 챔버의 소비전력도 절감하는 효과를 얻을 수 있게 된다. 한편 증착 공정 시 기판가장자리 위에 오버램(overlap)하여 기판 가장자리를 가릴 수 있는 플레임을 상기 열차단벽이 설치되어있음으로 상기 열 차단벽에 거치시켜 구비할 수 있게 됨으로써 기판 가장자리에 원치 않은 박막이 증착되는 것을 예방할 수 있는 기술도 구현할 수 있게 되며, 따라서 대형 플라즈마 화학 증착 장치에 있어서 기판의 온도 특성에 기인하는 증착 막의 제반 물리적 특성, 즉 조성 두께 등의 균일성(uniformity)의 개선과 생산성 향상의 효과를 제공하게 된다.

Claims

플라즈마 화학 증착 장치에 있어서,

기판이 안치되는 서셉터를 구비한 챔버의 하부 몸체와;

상기 챔버의 하부몸체의 뚜껑으로 고주파 전극판과 샤워헤드를 포함하는

상기 하부몸체 위에 놓이는 챔버의 상부 몸체와;

상기 챔버의 하부 몸체에 있어서 서셉터와 챔버 내벽 사이에 일정 간격으로 서셉터로부터 방출되는 열을 차단하는 열 차단 격벽 과 상기 챔버의 벽에 인접하여 부착되는 챔버 클리링시 챔버의 내벽을 보호하는 보호판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학반응 증착 챔버.
제1항에 있어서,

챔버 하부 몸체의 내벽에 인접하여 부착되는 보호판은 알루미나 나 퀄츠로 된 세라믹 판 또는 스테인레스 스틸이나 알루미늄을 양극산화 처리하여 피막을 형성한 금속판으로 되어있다.
제1항에 있어서,

챔버 하부 몸체의 내벽에 인접하여 부착되는 보호판은 챔버 측벽으로부터 1~3mm의 간격을 두고 위치한다.
제1항에 있어서,

챔버 하부 몸체의 내벽과 서셉터 사이에 설치되며 서셉터로부터 방출되는 열을 차단하는 열 차단 격벽은 알루미나 나 퀄츠로 된 세라믹 판 또는 스테인레스 스틸이나 알루미늄을 양극산화 처리하여 피막을 형성한 금속판으로 되어있다.
제1항에 있어서,

챔버 하부 몸체의 내벽과 서셉터 사이에 설치되며 서셉터로부터 방출되는 열을 차단하는 열 차단 격벽은 챔버 측벽으로부터 10~100mm의 간격을 두고 위치한다.
플라즈마 화학 증착 장치에 있어서,

기판이 안치되는 서셉터를 구비한 챔버의 하부 몸체와;

상기 챔버의 하부몸체의 뚜껑으로 고주파 전극판과 샤워헤드를 포함하는 상기 하부몸체 위에 놓이는 챔버의 상부 몸체와;

상기 챔버의 하부 몸체에 있어서 서셉터와 챔버 내벽 사이에 일정 간격으로 서셉터로부터 방출되는 열을 차단하는 열 차단 격벽과;

상기 열 차단 격벽 위에 거치하며 기판이 안치된 서셉터를 공정수행을 위하여 챔버의 하부로 부터 상부의 위치로 이동시키게 되면 기판의 가장자리를 일정한 폭으로 가리는 역할을 하는 기판 가장자리 보호 플레임을 포함하는 플라즈마 화학반응 증착 챔버.
제6항에 있어서,

챔버 하부 몸체의 내벽에 인접하여 부착되는 보호판은 챔버 측벽으로부터 1~3mm의 간격을 두고 위치한다.
제6항에 있어서,

챔버 하부 몸체의 내벽과 서셉터 사이에 설치되며 서셉터로부터 방출되는 열을 차단하는 열 차단 격벽은 알루미나 나 퀄츠로 된 세라믹 판 또는 스테인레스 스틸이나 알루미늄을 양극산화 처리하여 피막을 형성한 금속판으로 되어있다.
제6항에 있어서,

챔버 하부 몸체의 내벽과 서셉터 사이에 설치되며 서셉터로부터 방출되는 열을 차단하는 열 차단 격벽은 챔버 측벽으로부터 10~100mm의 간격을 두고 위치한다.