KR20070094413A

KR20070094413A - 열응력 완충 구조의 샤워헤드를 갖는 플라즈마 화학 증착챔버

Info

Publication number: KR20070094413A
Application number: KR1020060025066A
Authority: KR
Inventors: 배준호
Original assignee: 코스텍시스템(주)
Priority date: 2006-03-17
Filing date: 2006-03-17
Publication date: 2007-09-20

Abstract

본 발명은 주로 반도체나 액정표시 장치 등을 제조하기 위하여 사용하는 플라즈마 화학 증착장치의 반응 챔버(Chamber)에 관한 것으로, 반응가스를 분산하여 반응 챔버에 공급하는 샤워헤드(Shower Head)와 샤워헤드 위에 위치하며 이와 결합되는 고주파(RF)전극 판에 있어서, 샤워헤드와 전극 판 간의 서로 다른 온도가 유지(일반적으로 샤워헤드가 전극판 보다 100℃이상 높은 온도를 유지함)됨에 따라 서로 다른 비율의 열 팽챙을 하게 되고, 전극판과 샤워헤드를 결합함에 있어서 구조적인 문제로 인하여 야기되는 샤워헤드의 심각한 불균형 변형의 문제를 해결하고자 고안된 기술이다.

본 발명에 의한 새로운 플라즈마 화학 반응 챔버는 전극 판과 샤워헤드를 구성하고 결합함에 있어서 샤워헤드를 전극판에 일체형으로 고착되지 않고, 전극판과 샤워헤드가 유동하는 플로팅(floating) 구조로 설계되었다. 따라서 샤워헤드가 전극판과 다른 온도를 유지하게 되어 열적으로 서로 다른 비율로 팽창한다 하더라도 전극판이 샤워헤드의 열적 팽창을 제한할 수 없게 된다. 그러므로 샤워헤드의 팽창에 대한 전극판의 반 작용으로 발생할 수 있는 압축 응력이 최소화되며 그에 따라서 샤워헤드의 불균형 변형(deformation)이 사라지게 된다.

따라서 본 발명은 상기 언급한 원인으로 인하여 종래의 플라즈마 화학 반응 챔버에서 발생하였던 샤워헤드의 중앙부가 늘어짐 현상과 그에 따른 증착박막의 제반 물리적 특성(예;두께, 조성, 조밀도 등)의 불균일성(non-uniformity) 문제를 해결하는 기술을 제공한다.

플라즈마 화학 증착 챔버, 샤워헤드, 전극판, 온도구배, CCP형 플라즈마 증착챔버

Description

열응력 완충 구조의 샤워헤드를 갖는 플라즈마 화학 증착 챔버 {Plasma enhanced chemical vapor deposition chamber having the shower head free from thermal stress-induced deformation}

도 1은 종래의 일반적인 플라즈마 화학 증착 장비의 반응 챔버의 단면 구조

도 2는 종래의 플라즈마 화학 증착 챔버에 있어서 공정 진행 중 샤워헤드의 변형 모습

도 3은 본 발명의 플라즈마 화학 증착 챔버의 단면 구조

도 4 는 본 발명의 플라즈마 화학 증착 챔버에 있어서 공정 중 가열된 샤워헤드의 움직임

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

100 : 플라즈마 증착 챔버(chamber) 101 : 챔버 바디(chamber Body)

102 : 챔버 리드(chamber Lid) 103 : 서셉터 모쥴(suscepter modules)

104 : 기판(substrate) 105 : 샤워헤드(shower Head)

106 : 고주파(RF) 전극판 107 : 진공 오링(O-ring)

108 : 단열 및 절연체(insulator) 109 : 결합 볼트(coupling bolt)

110 : 가스 분산 공간(cavity) 111 : 가스 주입구(gas inlet)

112 : 고주파 발생기(RF source)

213 : 샤워헤드 에쥐(edge)와 기판사이 간 거리

214 : 샤워헤드 중앙(center)와 기판사이 간 거리

301 : 샤워헤드 격벽(Shower Head Partition)

302 : 샤워헤드 행어(Shower Head Plate Hanger)

본 발명의 목적은 반도체나 액정표시 장치를 제조하는 증착 장비에서 반도체 기판이나 액정표시장치의 유리 기판 상에 임의의 막을 증착을 함에 있어서 기판을 가열하는 서셉터로부터 열을 vq불가피하게 전달 받아 샤워헤드가 열적 팽창하는 과정에서 중앙부위가 밑으로 늘어지는 현상이 나타나며 그로 인하여 야기되는 증착 박막의 제반 물리적 특성의 불균일성(non-uniformity) 문제를 해결하고자 고안된 기술로써 관련된 방법 및 기술을 제공하는 데 있다.

본 발명은 반도체 및 액정표시 장치 제조용 커패시티브 커플드 플라즈마(capacitive coupled plasma)형 화학 증착 장치의 반응 챔버에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 증착공정 진행시 서셉터(susceptor)로부터 열을 받아 샤워헤드가 불균일하게 변형함으로써 야기되는 증착 박막의 두께, 조성, 그리고 밀도 등의 제반 물리적 특성들의 불 균일 문제를 해결하고자 고안된 기술이다. 즉, CCP형 플라즈 마 화학 반응챔버에서 고주파 전극과 결합되는 샤워헤드가 하부에 위치하는 서셉터로부터 열을 받아 팽창하게 될 때 종래에는 샤워헤드가 하나의 몸체로 전 에지(edge)에 걸쳐 고주파 전극에 물리적으로 고착되어 구성됨＜도1＞으로써 고주파 전극에 구속 받아 자유롭게 팽창할 수 없어 샤워헤드의 변형(중앙부위의 늘어짐 현상)이 발생되었는데＜도2＞, 본 발명에서는 샤워헤드가 전극 플레이트에 물리적으로 고착되지 않고 자유롭게 유동되게 하여 샤워헤드가 서셉터로부터 열을 받아 팽창할 때 전극플레이트에 구속받지 않고 자유롭게 팽창할 수 있게 하여 샤워헤드의 변형에 따른 샤워헤드의 중앙부위의 늘어짐 현상을 해소함으로써 샤워헤드와 서셉터 간의 간격 불균일로 인한 증착 박막의 제반 물리적 특성의 불 균일성(non-uniformity) 문제를 해결한 새로운 플라즈마 화학 반응장치에 관한 것이다.

근래 반도체 및 디스플레이 산업이 발달하면서 반도체의 고 집적화에 따른 실리콘 기판 사이즈 의 증가와 디스플레이 패널 사이즈의 대형화 추세가 급격하게 진행되고 있다. 따라서 이들을 가공하는 장비의 크기도 급격하게 커지고 보다 정밀함을 요구하게 되었다. 그런데 이들 제조 장비의 크기와 규모가 거대해 지면서 기판에 증착되는 박막의 균일성을 유지하기가 점점 어려워지고 있다. 특히, CCP형 플라즈마 화학 증착 장비에 있어서는 그 대표적인 원인이 앞서 언급한 고주파 전극판과 샤워헤드간의 열팽창율의 불일치에 따른 샤워헤드의 변형(중앙부위의 늘어짐 현상) 때문으로 알려졌다.

＜도1＞, ＜도2＞는 종래의 CCP형 프라즈마 화학 증착 챔버의 구조와 공정 중 샤워헤드의 열 변형에 따른 서셉터와 샤워헤드 사이의 간격의 변화를 도식화 한 것이다.

종래기술의 CCP형 프라즈마 증착 챔버(100)의 구조는 크게 챔버바디(101, Chamber Body)와 챔버리드(102, Chamber Lid)으로 구성되는데 챔버리드에는 샤워헤드(105)와 고주파 전극 판(106)을 포함하는 플라즈마 상부 전극 모쥴이 부착되고, 챔버바디(101)의 내부에는 챔버 바닥과 평행하게 하부 전극의 역할을 하는 히터(heater, 미도시)가 내장된 서셉터(103)가 위치하며 챔버리드(102)에 부착된 고주파 전극판(106)이 외부에 노출된 구조를 특징으로 한다. 한편 챔버바디(101)와 챔버리드(102)가 접촉하는 부위에는 챔버 내부의 공기를 뽑아낸 후 진공 상태를 유지하기 위하여 오링(O-ring, 107)을 두어 실링(sealing) 한다. 또한 고주파 전극판(106) 및 샤워헤드(105)와 챔버리드(102) 간에는 절연 및 단열을 위한 절연체(108)와 진공을 유지하기 위한 오링(O-ring)이 위치하며 전극판(106)의 아래에는 샤워헤드가 전극판과 일정한 공간을 유지하며 부착되도록 샤워헤드의 주변부를 구부려 전극판과 볼트(109)로 체결하였다. 이때 전극판(106)과 샤워헤드(105) 사이에 이루어진 공간(110)은 외부로부터 유입된 반응 가스를 분산시키는 역할을 할 수 있도록 설계된다. 샤워헤드에는 다수의 미세한 구멍(hole, 미도시)이 반응가스가 기판(104)위에 골고루 균일하게 분사될 수 있도록 형성되어 있으며 전극판의 중앙부에는 반응가스를 공급하는 통로(111)가 있고 고주파 전원을 공급할 수 있는 고주파 발생기(112)가 연결된다. 그리고 챔버는 관을 통해 진공펌프(미도시)와 연결되어 있으며 챔버와 진공펌프 사이에는 이들을 차단할 수 있는 게이트밸브(미도시)와 압력을 조절할 수 있는 트로틀(Throttle)밸브(미도시)가 위치한다.

종래기술의 CCP형 플라즈마 증착 챔버의 동작은 다음과 같이 이루어진다. 챔버에 성막하고자 하는 반도체나 액정표시장치용 유리기판을 서셉터 위에 안치시키고 챔버에 연결된 진공펌프를 가동하여 챔버를 진공상태로 만든 후, 임의의 물질의 막(film)을 형성하는데 필요한 반응 가스를 가스 주입구(111)를 통해 전극판과 샤워헤드로 둘러 쌓인 공간(110)에 공급하여 샤워헤드에 의하여 반응가스가 기판위에 균일하게 분사되게 한다. 이때 트로틀 밸브를 조절하여 챔버 내부의 가스의 량과 압력을 유지하며 이어 고주파 전원을 전극판(106)에 인가함으로써 전극판과 부착된 샤워헤드와 마주 보고 있는 서셉터가 대향전극 역할을 하며 플라즈마가 발생되게 한다. 플라즈마 내에는 여러 종류의 전하를 띤 입자나 이온, 전자, 레디컬(Radical)이 존재하며 이들이 서셉터(103)에 의하여 가열된 기판위에서 서로 결합하여 막을 형성하게 된다. 이때 샤워헤드와 기판사이의 거리 즉, 전극 간 거리가 막을 균일하게 형성하는데 중요한 변수가 되며 중앙 부위와 주변부의 전극간 거리의 차이가 발생하면 형성된 막의 두께차이와 막의 물리적 특성차이가 발생하게 된다.

종래 기술의 플라즈마 증착 챔버는 고주파 전극판(106)이 챔버 외부에 노출되어 있기 때문에 챔버 외부로 열을 쉽게 방출하고 진공상태를 유지하기 위하여 사용되는 오링(107, O-ring)의 손상을 방지하기 위하여 전극판(106)의 온도를 200℃ 이하로 유지하여야 하는 구조적인 한계를 가지고 있다. 따라서 종래의 챔버 구조하에서는 전극판이 서셉터로부터 직접적으로 열을 받아 가열되는 샤워헤드와는 심한 열적 불균형을 피할 수 없게 된다. 일반적으로 액정표시장치 용 유리기판에 무정질 실리콘 막이나 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 형성하고자 할때 기판의 온도가 350℃ 이상으로 가열되며 그로인하여 샤워헤드의 온도가 300℃ 정도까지 상승한다. 반면에 샤워헤드와 접촉한 고주파 전극판은 200 ℃이하로 유지된다. 통상적으로 전극판과 샤워헤드는 알루미늄으로 만드는데 알루미늄은 열팽창계수가 다른 금속재료에 비하여 매우커서 전극판과 샤워헤드간의 온도차이가 100℃ 이상에서는 심한 열적 팽창의 불 균형이 발생될 수 있다. 참고로 알루미늄의 열팽창율은 24x 10-6 mm/ ℃이다. 이를 정량적으로 계산해 보면 액정표시장치 제조용 장비에 있어서 4세대 유리기판인 730*920mm사이즈를 가공하려면 이를 수용하기 위하여 전극의 장 방향 길이가 10,000mm이상이 되어야 하며 이때 전극판(200℃로 가열됨)과 샤워헤드 (300℃로 가열됨)의 열팽창 량은 장 방향을 기준으로 전극판은 4.8mm이 팽창하고 샤워헤드는 7.2mm 팽창한다. 더구나 기판의 사이즈가 더욱 증가하여 6세대 7세대가 되면 전극판의 길이는 20,000mm이상이 될 것이 며 이들 간의 열적 팽창의 불균형은 더욱 심각하게 됨을 예상할 수 있다.

＜도2＞는 공정진행 중에 전극판과 샤워헤드간의 열적 불균형에 따른 샤워헤드의 변형을 도식화한 그림인데, 전극판과 샤워헤드간의 상당한 열팽창율의 차이와 전극판과 샤워헤드가 접촉하는 샤워헤드의 가장자리가 볼트에 의해 체결되어 전극판에 고정됨으로써 샤워헤드가 열을 받아 팽창하고자 할 때 전극판에 의하여 제약을 받게 되는 현상이 수반되어 중앙부위가 밑으로 늘어지는 변형이 일어남을 설명하고 있다. ＜도2＞와 같이 샤워헤드의 중앙부가 늘어지는 변형이 일어나면 샤워헤드와 기판간의 간격(213, 214)이 중앙부위에서 좁아지며 그에 따라서 샤워헤 드의 중앙부위에서 양전극간에 유도되는 플라즈마의 밀도가 높아지고, 가스의 이동거리가 짧아지게 되어 기판의 중앙에서 막의 두께가 두꺼워지고 제반 물리적 특성상의 불 균형이 발생되게 된다. 이는 장비가 대형화될수록 정도가 심해지며 반도체나 액정표시장치의 대형화를 대응할 수 있는 플라즈마 화학증착 장비를 개발함에 있어서 해결하여야 할 기술적 과제다.

본 발명에서 해결하고자 하는 기술적 과제는 CCP형 플라즈마 화학증착 장비에 있어서 증착공정 시 서셉터(susceptor)로부터 열을 받아 샤워헤드가 변형되는 현상으로 인하여 초래되는 증착 박막의 두께, 조성, 그리고 밀도 등과 같은 제반 물리적 특성의 불 균일 문제 이다. 즉, 고주파 전극에 결합되는 샤워헤드를 열팽창 시 고주파 전극으로부터 구속받지 않고 자유롭게 하여 전극판과 샤워헤드간의 열팽창율의 심한 불균형이 발생하더라도 샤워헤드의 변형(중앙부위의 늘어짐 현상)이 발생되지 않게 하여 결과적으로 샤워헤드와 서셉터 사이의 간격의 불 균일성에 기인하는 증착 될 박막의 제반 물리적 특성의 불 균일성(non-uniformity)의 문제를 해결하는 것이다.

본 발명은 주로 반도체나 액정표시 장치 등을 제조하기 위하여 사용하는 플라즈마 화학 증착장치의 반응 챔버(Chamber)에 관한 것으로, 반응가스를 분산하여 반응 챔버에 공급하는 샤워헤드(Shower Head)와 샤워헤드 위에 위치하며 이와 결합되는 고주파(RF)전극 판에 있어서 샤워헤드와 전극 판 간의 온도 구배(gradient)에 따른 열 팽창율의 차이와 전극판과 샤워헤드를 결합하는 방식의 구조적인 문제점으로 인하여 야기되는 샤워헤드의 심각한 불균형 변형의 문제를 해결하고자 고안된 기술이다.

본 발명에 의한 새로운 플라즈마 화학 반응 챔버＜도3＞는 전극 판과 샤워헤드를 구성하고 결합함에 있어서 샤워헤드가 전극판에 고착되지 않고 유동하는 플로팅(floating) 구조의 특징을 가지고 있다. 구체적으로는 전극판과 샤워헤드 사이에 가스가 유입되고 분배되는 빈 공간(cavity)을 형성함에 있어서 전극판과 샤워헤드의 에쥐(edge)를 따라 도랑(trench)을 파고 각각의 상하 도랑사이에 격벽(301)을 끼워 샤워헤드의 공간을 만들며, 샤워헤드를 전극판에 물리적으로 고정시키고 전기적으로 연결하기 위한 전극과 샤워헤드를 연결하는 수단으로는 샤워헤드 행어(shower head hanger, 302)을 샤워헤드의 격벽과 동일한 위치에 일정한 간격을 두고 설치하여 구성한다. 이때 행어는 일정한 폭을 갖는 얇은 판일 수도 있고 폭이 거의 없는 로프(rope)의 형태일 수도 있다. 따라서 샤워헤드와 전극판 간에 공간이 만들어지고 샤워 헤드는 일정한 폭을 갖는 판이나 로프(rope)을 통하여 전극판에 매달리게 되는 효과을 얻을 수 있게 된다. 그로 인하여 샤워헤드가 전극판과 서로 다른 온도를 유지하게 됨으로써 열적으로 서로 다른 비율로 팽창한다 하더라도 전극판이 샤워헤드의 열적 팽창을 구속할 수 없게 된다. 그러므로 샤워헤드가 전극판에 구속 받게 됨에 따른 즉, 샤워헤드의 팽창에 대한 전극판의 반 작용의, 압축 응력이 샤워헤드에 발생하지 않게 되며 그로 인하여 샤워헤드의 불균일한 변형(deformation)이 해소되게 된다.

＜도4＞는 공정 진행 중에 샤워헤드가 서섭터로 부터 열을 받아 열적으로 팽창할 때 변형되지 않고 어떻게 열에 대한 반응을 하는지를 나타낸 도면이다. 도면에서는 샤워헤드가 팽창할 때 금속재질의 파티션과 샤워헤드의 고정 행어(hanger)가 유연하게 변형 되면서도 샤워헤드와 전극플레이트 사이에 가스가 머물 공간을 형성하고 있음을 보여 주고 있으며 전기적으로도 도통이 가능한 연결 경로를 구성하고 있음을 보여주고 있다. 한편 샤워헤드의 고정 행어(hanger)는 X축이나 Y축 방향으로 유연하게 변형될수 있도록 설계되어 있어, 그에 따라서 샤워헤드가 열팽창 시 자유롭게 팽창과 수축을 하면서 샤워헤드에 의하여 야기되는 열 응력을 흡수 완충하는 작용을 하게 되며 그에 따라서 샤워헤드는 열 팽창에 의하여 등 방성으로 면적만 커질 뿐 변형(deformation)은 나타나지 않게 된다. 그러므로 샤워헤드와 서섭터 사이의 간격의 불 균일성이 사라지며 샤워헤드와 서섭터 사이에 형성하는 플라즈마의 균일성을 유지할 수 있게 된다.

또한 금속재질의 파티션과 샤워헤드의 고정 행어(hanger)는 얇고 길기 때문에 샤워헤드에서 전극 플레이트로의 열전달에 의한 열 손실이 줄어들게 되어 샤워헤드의 가장자리와 중앙부위 와의 온도 편차가 감소하여 샤워헤드의 온도 분포를 보다 더 균일하게 유지할 수 있게 해 준다. 이런 결과로 샤워헤드와 마주보고 있는 서셉터는 종래의 플라즈마 공정 챔버에 비해 적은 열량의 공급만으로도 종래와 동일한 온도의 유지가 가능해 지며, 샤워헤드의 온도 편차의 감소로 서셉터의 온도도 보다 균일하게 유지하기가 용이해진다.

본 발명에 의한 플라즈마 화학반응 챔버는 공정 중에 샤워헤드가 변형(deformation)되는 문제와 샤워헤드를 통한 서셉터의 열손실에 의한 샤워헤드 및 서셉터의 온도 불균성 문제를 해결할 수 있는 기술로 구현되었다. 다시 말하면 샤워헤드의 변형 문제를 해결하여 샤워헤드와 서셉터 사이에 발생하는 플라즈마의 균일도를 크게 개선하였으며, 또한 샤워헤드를 통한 서셉터의 열손실을 최소화 하여 사워헤드와 서셉터의 온도 균일성도 크게 개선하였다. 그에 따라서 본 발명의 플라즈마 증착 챔버에서 막을 형성하게 되면 증착 박막의 제반 물리적 특성(막의 밀도, 막의 두께 및 조성의 균일성 etc.)이 크게 향상된다. 한편 본 발명의 플라즈마 증착 챔버는 우수한 공정 특성뿐만 아니라 샤워헤드의 수명(life time)의 증대와 장비의 신뢰성의 향상, 그리고 소모 전력의 절감 등으로 반도체 및 액정표시 장치의 제조 시 생산성 향상에 크게 기여할 수 있다.

본 발명에 의한 플라즈마 화학반응 챔버는 샤워헤드가 전극 플레이트에 물리적으로 고착되지 않고 자유롭게 유동되게 하여 샤워헤드가 서셉터로부터 열을 받아 팽창할 때 전극플레이트에 구속받지 않고 자유롭게 팽창할 수 있게 하여 샤워헤드의 변형에 따른 샤워헤드의 중앙부위의 늘어짐 현상을 해소함으로써 샤워헤드와 서셉터 간의 간격 불균일로 인한 증착 박막의 제반 물리적 특성의 불 균일성(non-uniformity) 문제를 해결한 새로운 플라즈마 화학 반응장치에 관한 것으로서, 반 도체나 액정표시 장치 제조용 플라즈마 화학증착 장치(PE-CVD)의 대형화에 있어서 해결하여야 하는 증착막의 두께 균일성(uniformity) 및 제반 물리적 특성의 균일성 확보 과제를 극복하는 기술적인 돌파구(technology break-through) 제공한다.

Claims

플라즈마 화학 증착 장치에 있어서

기판이 안치되는 서셉터를 구비한 챔버의 하부 몸체와;

상기 챔버의 하부몸체의 뚜껑으로 상기 하부몸체 위에 놓이는 챔버의 상부 몸체와;

상기 챔버의 상부 몸체에 장착되며 상기 상부 몸체의 가운데 부위 위에 걸쳐 놓이는 금속판으로 상기 금속판의 하부 면 가장자리 부위에 도랑이 형성되어있는 고주파 전극판과;

상기 고주파 전극 판 아래에 위치하며 상기 전극판을 마주보며 동일한 모양으로 가장자리 부위를 따라서 도랑이 형성되어 있는 샤워헤드를 포함하며,

상기 고주파 전극판과 샤워헤드를 결합에 있어서 전도성 얇은 금속판을 매개로 샤워헤드가 전극판에 연결되어 매달리는 것과 상기 고주파 전극판과 샤워헤드 사이에 상기 도랑을 따라서 격벽이 끼워진 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학반응 증착 챔버.
제1항에 있어서,

고주파 전극판과 샤워헤드를 연결함에 있어서 임의의 폭과 두께를 갖는 다수의 금속판을 전극판과 샤워헤드의 가장자리를 따라서 형성된 도랑 사이에 일정 간격으로 배치하여 설치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학반응 증착 챔버
제1항에 있어서,

전극판과 샤워헤드 사이에 설치되는 금속 격벽은 두께가 1 mm와 5 mm 사이의 두께를 가지며 알루미늄, 스테인레스 스틸, 니켈 등의 금속으로 만들어진다.
제1항에 있어서,

전극판과 샤워헤드를 결합하는 매체는 얇은 금속판으로 임의의 폭과 1 mm와 5 mm 사이의 두께를 갖으며 알루미늄, 스테인레스 스틸, 니켈 등의 금속으로 만들어진다.
플라즈마 화학 증착 장치의 고주파 전극판과 샤워헤드에 있어서

고주파 발생장치에 연결되며 하부 면의 가장자리를 따라서 임의의 폭으로 트랜치(Trench)형 도랑이 형성되어 있는 고주파 전극판과;

상기 고주파 전극 판 아래에 위치하며 상기 전극판을 마주보며 동일한 모양으로 가장자리 부위를 따라서 도랑이 형성되어 있는 샤워헤드와;

상기 고주파 전극판과 샤워헤드 사이에 공정가스가 머물게 될 공간을 형성하 기 위하여 상기 전극판과 샤워헤드의 상기 가장자리의 도랑을 따라서 끼워지는 얇은 금속판의 격벽과;

상기 전극판 아래에 샤워헤드를 결합함에 있어서 샤워헤드를 상기 전극판에 매달기 위하여 상기 격벽의 위치에 일정 간격으로 설치되는 금속판을 포함하는 고주파 전극판과 샤워헤드의 어셈블리.
제5항에 있어서,

고주파 전극판과 샤워헤드를 연결함에 있어서 임의의 폭과 두께를 갖는 다수의 금속판을 전극판과 샤워헤드의 가장자리를 따라서 형성된 도랑 사이에 일정 간격으로 배치하여 설치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학반응 증착 챔버
제5항에 있어서,

전극판과 샤워헤드 사이에 설치되는 금속 격벽은 두께가 1 mm와 5 mm 사이의 두께를 가지며 알루미늄, 스테인레스 스틸, 니켈 등의 금속으로 만들어진다.
제5항에 있어서,

전극판과 샤워헤드를 결합하는 매체는 얇은 금속판으로 임의의 폭과 1 mm 와 5 mm 사이의 두께를 가지며 알루미늄, 스테인레스 스틸, 니켈 등의 금속으로 만들어진다.