JP2011519747A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板処理表面に対して測定の第１のセットを実行する工程であって、前記測定の第１のセットが処理表面コンディショニングアームに結合された変位センサを使用して行われ、前記処理表面コンディショニングアームが前記基板処理表面に対して基板を保持するように適合されたキャリアヘッドから離れて位置するコンディショニングヘッドと結合される、実行する工程と、
   前記測定の第１のセットに基づいて基板処理表面プロファイルを決定する工程と、
   前記基板処理表面プロファイルを最小プロファイルしきい値と比較する工程と、
   前記プロファイル比較の結果を伝達する工程であって、前記結果を伝達する工程が前記プロファイル比較の前記結果を運ぶフィードバック信号を送る工程を包含する、伝達する工程と
   を含む、プラテン上に置かれた処理パッドの基板処理表面を維持する方法。
2. 前記基板処理表面の摩耗が一様であるかどうかを評価する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記基板処理表面の摩耗が一様であるかどうかを評価する工程が、前記基板処理表面プロファイルが前記最小プロファイルしきい値を満足する場合に実行される、請求項２に記載の方法。
4. 前記一様摩耗評価の前記結果を伝達する工程であって、前記一様摩耗評価の前記結果を伝達する工程が、前記基板処理表面の摩耗が一様でない場合には、エラーメッセージを生成する工程を含む、伝達する工程をさらに含む、請求項２に記載の方法。
5. 前記基板処理表面に対して測定の第２のセットを実行する工程であって、前記測定の第２のセットが前記変位センサを使用して行われる、実行する工程をさらに含む、請求項２に記載の方法。
6. 前記基板処理表面を修復する工程と、
   前記基板処理表面に対して測定の第２のセットを実行する工程であって、前記測定の第２のセットが前記変位センサを使用して行われる、実行する工程と
   をさらに含む、請求項２に記載の方法。
7. 前記プロファイル比較の結果を伝達する工程が、前記基板処理表面プロファイルが前記最小プロファイルしきい値を満足しない場合には、エラーメッセージを生成する工程を含む、請求項１に記載の方法。
8. 基板から物質を除去するための基板処理表面と、
   前記基板処理表面の研磨性能を回復させるためのコンディショニングヘッドと、
   前記基板処理表面に接触するように前記コンディショニングヘッドの位置を定めるためのコンディショニングアームと、
   前記基板処理表面に対して測定のセットを実行するために、前記コンディショニングアームに結合された変位センサと、
   論理であって、
   前記測定のセットに基づいて処理表面プロファイルを決定し、
   前記処理表面プロファイルを最小プロファイルしきい値と比較し、
   前記プロファイル比較の結果を伝達する
   ように構成された論理と
   を含む基板処理装置。
9. 前記コンディショニングヘッドが、前記基板処理表面上に制御可能なダウンフォース圧力を与えるように構成され、前記ダウンフォース圧力が０．７ｐｓｉ（約４９０ｋｇ／ｍ^２）と２ｐｓｉ（約１４００ｋｇ／ｍ^２）との間の範囲にある、請求項８に記載の装置。
10. 前記コンディショニングアームが、前記基板処理表面に対して、回転軸の周りを横方向に回転する、請求項８に記載の装置。
11. 前記論理が、
    前記基板処理表面の摩耗が一様であるかどうかを評価し、
    前記一様摩耗評価の前記結果を伝達し、
    前記基板処理表面の摩耗が一様でない場合には、前記基板処理表面を修復し、
    前記基板処理表面に対して測定の第２のセットを実行する、ここでは、前記基板処理表面の摩耗が一様でない場合には、前記測定の第２のセットが前記コンディショニングアームに結合された前記変位センサを使用して行われる
    ようにさらに構成される、請求項８に記載の装置。
12. 基板から物質を除去するための処理パッドの基板処理表面と、
    前記基板処理表面を回転させるためのプラテンと、
    前記基板処理表面の研磨性能を回復させるためのコンディショニングヘッドと、
    前記基板処理表面に接触するように前記コンディショニングヘッドの位置を定めるためのコンディショニングアームと、
    前記基板処理表面に対して測定のセットを実行するように構成され、前記コンディショニングアームに結合された変位センサと、
    前記処理パッドの前記基板処理表面の上方に配置され、前記基板処理表面に対して基板を保持するように適合されたキャリアヘッドと、
    論理であって、
    前記測定のセットに基づいて処理表面プロファイルを決定し、
    前記処理表面プロファイルを最小プロファイルしきい値と比較する
    ように構成された論理と
    を含む基板処理システム。
13. 前記コンディショニングヘッドが、前記基板処理表面上に制御可能なダウンフォース圧力を与えるように構成され、前記ダウンフォース圧力が０．７ｐｓｉ（約４９０ｋｇ／ｍ^２）と２ｐｓｉ（約１４００ｋｇ／ｍ^２）との間の範囲にある、請求項１２に記載のシステム。
14. 前記コンディショニングアームが、前記基板処理表面に対して、回転軸の周りを横方向に回転する、請求項１２に記載のシステム。
15. 前記論理が、
    前記基板処理表面の摩耗が一様であるかどうかを評価し、
    前記一様摩耗評価の前記結果を伝達し、
    前記基板処理表面の摩耗が一様でない場合には、前記基板処理表面を修復し、
    前記基板処理表面の摩耗が一様でない場合には、前記基板処理表面を較正し、
    前記基板処理表面に対して測定のもう１つのセットを実行する、ここでは、前記基板処理表面の摩耗が一様でない場合には、前記測定のセットが処理表面コンディショニングアームに結合された変位センサを使用して行われる
    ようにさらに構成された、請求項１２に記載のシステム。