JP2007523756A5 - - Google Patents
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
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Claims (15)
- 基板の処理を監視する方法において、
基板の処理中に、上記基板の面を横切って現場の監視システムのセンサを走査させることにより測定トレースを発生するステップであって、上記測定トレースは、上記センサの感知領域が上記基板を横切って進むときに上記感知領域内にある上記基板の特徴部により値が影響を受けるデータ点を含むものであるステップと、
上記基板の面を横切る上記現場の監視システムの上記センサの走査を表す基準トレースを使用して上記測定トレースを変更するステップと、
上記変更された測定トレースから、上記基板の局部的特性を評価するステップと、
を備えた方法。 - 上記測定トレースを発生する上記ステップは、上記基板内の渦電流により値が影響を受けるデータ点を取得する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 上記測定トレースを変更する上記ステップは、上記基準トレースを使用して、上記感知領域が上記基板を横切って進むときに上記基板の縁により上記測定トレースに生じる縁作用を補償する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 縁作用を補償する上記段階は、上記感知領域と上記基板との間の部分的重畳による信号ロスを補償することを含む、請求項3に記載の方法。
- 上記測定トレースを変更する上記ステップは、上記基準トレースを使用して、上記感知領域が上記基板を横切って進むときに上記センサの局部的感度変化を補償する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 上記測定トレースを変更する上記ステップは、上記基準トレースを使用して、上記感知領域が上記基板を横切って進むときに上記測定トレースにおける局部的バイアス変化を補償する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 上記測定トレースを変更する上記ステップは、上記測定トレースを上記基準トレースで除算する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 上記測定トレースを変更する上記ステップは、上記測定トレースから上記基準トレースを減算する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 上記基準トレースを発生するステップを更に備えた、請求項1に記載の方法。
- 上記基準トレースを発生する上記ステップは、
上記センサの感知領域と上記基板との間の重畳を計算する段階と、
上記計算された重畳に基づき上記基準トレースに1つ以上の基準点を発生する段階と、
を含む請求項9に記載の方法。 - 上記基準トレースを発生する上記ステップは、上記基板の処理前に上記基板の面を横切って上記センサを走査させることにより上記基板を測定する段階を含む、請求項9に記載
の方法。 - 上記基板の処理は、上記基板を研磨することを含み、
上記基板の局部特性を評価する上記ステップは、上記変更された測定トレースから上記基板の金属層の厚みを評価する段階を含む、
請求項1に記載の方法。 - 上記厚みの評価に基づいて、研磨プロセスの1つ以上のパラメータを変更することを更に含む、請求項12に記載の方法。
- 上記厚みの評価に基づいて、研磨終了点を検出することを更に含む、請求項12に記載の方法。
- 基板を保持するためのキャリアと、
研磨表面と、
上記キャリア及び上記研磨表面の少なくとも一方に接続され、上記基板と上記研磨表面との間に相対的運動を発生させるモーターと、
上記基板が上記研磨表面に接触している間に上記基板の面を横切って走査して測定トレースを発生するセンサを含む監視システムと、
コントローラであって、
上記基板の面を横切る上記現場の監視システムの上記センサの走査を表す基準トレースを使用して上記測定トレースを変更し、更に、
上記変更された測定トレースから研磨終了点を検出する、
というように構成されたコントローラと、
を備えた研磨装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/464,673 US7008296B2 (en) | 2003-06-18 | 2003-06-18 | Data processing for monitoring chemical mechanical polishing |
US10/464,673 | 2003-06-18 | ||
PCT/US2004/019171 WO2004113021A1 (en) | 2003-06-18 | 2004-06-16 | Data processing for monitoring chemical mechanical polishing |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010243759A Division JP5419846B2 (ja) | 2003-06-18 | 2010-10-29 | 化学的機械的研磨を監視するためのデータ処理 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007523756A JP2007523756A (ja) | 2007-08-23 |
JP2007523756A5 true JP2007523756A5 (ja) | 2009-10-08 |
JP4750022B2 JP4750022B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=33517327
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006517311A Expired - Lifetime JP4750022B2 (ja) | 2003-06-18 | 2004-06-16 | 化学的機械的研磨を監視するためのデータ処理 |
JP2010243759A Expired - Lifetime JP5419846B2 (ja) | 2003-06-18 | 2010-10-29 | 化学的機械的研磨を監視するためのデータ処理 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010243759A Expired - Lifetime JP5419846B2 (ja) | 2003-06-18 | 2010-10-29 | 化学的機械的研磨を監視するためのデータ処理 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7008296B2 (ja) |
JP (2) | JP4750022B2 (ja) |
KR (1) | KR101097873B1 (ja) |
CN (1) | CN1805825B (ja) |
TW (1) | TWI283618B (ja) |
WO (1) | WO2004113021A1 (ja) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7008296B2 (en) * | 2003-06-18 | 2006-03-07 | Applied Materials, Inc. | Data processing for monitoring chemical mechanical polishing |
US8392012B2 (en) * | 2008-10-27 | 2013-03-05 | Applied Materials, Inc. | Multiple libraries for spectrographic monitoring of zones of a substrate during processing |
US8260446B2 (en) | 2005-08-22 | 2012-09-04 | Applied Materials, Inc. | Spectrographic monitoring of a substrate during processing using index values |
US7226339B2 (en) * | 2005-08-22 | 2007-06-05 | Applied Materials, Inc. | Spectrum based endpointing for chemical mechanical polishing |
JP4808453B2 (ja) | 2005-08-26 | 2011-11-02 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法及び研磨装置 |
JP4790475B2 (ja) * | 2006-04-05 | 2011-10-12 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、研磨方法、および基板の膜厚測定プログラム |
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-
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- 2004-06-16 JP JP2006517311A patent/JP4750022B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-16 CN CN2004800169226A patent/CN1805825B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-16 WO PCT/US2004/019171 patent/WO2004113021A1/en active Application Filing
- 2004-06-18 TW TW093117789A patent/TWI283618B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-09-08 US US11/222,561 patent/US7500901B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2005-12-14 KR KR1020057024023A patent/KR101097873B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-10-29 JP JP2010243759A patent/JP5419846B2/ja not_active Expired - Lifetime
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