JP5481472B2 - Cmpパッド厚みおよびプロファイル監視システム - Google Patents
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Description
図1は、ECMPシステムの研磨ステーション100の模式的な側面図である。例えば、ECMPステーションは、Applied Materials Reflexion LK ECMP(商標)または別の製造業者の類似の装置であってもよい。研磨ステーション100は、一般に、コンディショニング装置170およびモータ(図示せず)によって回転されるプラテン240を含む。パッドアセンブリ200では、導電性処理表面210が研磨ステーション100の処理表面を定めるようにプラテン240の上側表面上に配置される。キャリアヘッド110は、パッドアセンブリ200の上方に配置され、処理中にパッドアセンブリ200に対して基板を保持するように適合されている。キャリアヘッド110は、処理中に基板とパッドアセンブリ200との間に与えられる相対的な運動の一部を伝えることができる。一実施形態では、キャリアヘッド110は、Santa Clara, CalforniaのApplied Materials Inc.から入手可能なTITAN HEAD(商標)ウェーハキャリアまたはTITAN PROFILER(商標)ウェーハキャリアであってもよい。電解液等の処理流体を、処理流体源(図示せず)に結合されたノズル120によってパッドアセンブリ200の処理表面210へ供給することができる。
Claims (12)
- 基板処理表面に対して測定の第1のセットを実行する工程であって、前記測定の第1のセットが処理表面コンディショニングアームに結合された変位センサを使用して行われ、前記処理表面コンディショニングアームが前記基板処理表面に対して基板を保持するように適合されたキャリアヘッドから離れて位置するコンディショニングヘッドと結合される、実行する工程と、
前記測定の第1のセットに基づいて基板処理表面プロファイルを決定する工程と、
前記基板処理表面プロファイルを最小プロファイルしきい値と比較する工程と、
前記プロファイル比較の結果を伝達する工程であって、前記結果を伝達する工程が前記プロファイル比較の前記結果を運ぶフィードバック信号を送る工程を包含する、伝達する工程と、
前記基板処理表面の摩耗が一様であるかどうかを評価する工程と、
前記基板処理表面の摩耗が一様でない場合には、コンディショニングヘッドのスイープ頻度および/またはスイープ範囲を調節することにより、前記基板処理表面を修復する工程と
を含む、プラテン上に置かれた処理パッドの基板処理表面を維持する方法。 - 前記一様摩耗評価の前記結果を伝達する工程であって、前記一様摩耗評価の前記結果を伝達する工程が、前記基板処理表面の摩耗が一様でない場合には、エラーメッセージを生成する工程を含む、伝達する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基板処理表面に対して測定の第2のセットを実行する工程であって、前記測定の第2のセットが前記変位センサを使用して行われる、実行する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プロファイル比較の結果を伝達する工程が、前記基板処理表面プロファイルが前記最小プロファイルしきい値を満足しない場合には、エラーメッセージを生成する工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 基板から物質を除去するための基板処理表面と、
前記基板処理表面の研磨性能を回復させるためのコンディショニングヘッドと、
前記基板処理表面に接触するように前記コンディショニングヘッドの位置を定めるためのコンディショニングアームと、
前記基板処理表面に対して測定のセットを実行するために、前記コンディショニングアームに結合された変位センサと、
論理であって、
前記測定のセットに基づいて処理表面プロファイルを決定し、
前記処理表面プロファイルを最小プロファイルしきい値と比較し、
前記プロファイル比較の結果を伝達し、
前記基板処理表面の摩耗が一様であるかどうかを評価し、
前記一様摩耗評価の結果を伝達し、
前記基板処理表面の摩耗が一様でない場合には、コンディショニングヘッドのスイープ頻度および/またはスイープ範囲を調節することにより、前記基板処理表面を修復する
ように構成された論理と
を含む基板処理装置。 - 前記コンディショニングヘッドが、前記基板処理表面上に制御可能なダウンフォース圧力を与えるように構成され、前記ダウンフォース圧力が0.7psi(約490kg/m2)と2psi(約1400kg/m2)との間の範囲にある、請求項5に記載の装置。
- 前記コンディショニングアームが、前記基板処理表面に対して、回転軸の周りを横方向に回転する、請求項5に記載の装置。
- 前記論理が、
前記基板処理表面に対して測定の第2のセットを実行する、ここでは、前記基板処理表面の摩耗が一様でない場合には、前記測定の第2のセットが前記コンディショニングアームに結合された前記変位センサを使用して行われる
ようにさらに構成される、請求項5に記載の装置。 - 基板から物質を除去するための処理パッドの基板処理表面と、
前記基板処理表面を回転させるためのプラテンと、
前記基板処理表面の研磨性能を回復させるためのコンディショニングヘッドと、
前記基板処理表面に接触するように前記コンディショニングヘッドの位置を定めるためのコンディショニングアームと、
前記基板処理表面に対して測定のセットを実行するように構成され、前記コンディショニングアームに結合された変位センサと、
前記処理パッドの前記基板処理表面の上方に配置され、前記基板処理表面に対して基板を保持するように適合されたキャリアヘッドと、
論理であって、
前記測定のセットに基づいて処理表面プロファイルを決定し、
前記処理表面プロファイルを最小プロファイルしきい値と比較し、
前記基板処理表面の摩耗が一様であるかどうかを評価し、
前記一様摩耗評価の結果を伝達し、
前記基板処理表面の摩耗が一様でない場合には、コンディショニングヘッドのスイープ頻度および/またはスイープ範囲を調節することにより、前記基板処理表面を修復する
ように構成された論理と
を含む基板処理システム。 - 前記コンディショニングヘッドが、前記基板処理表面上に制御可能なダウンフォース圧力を与えるように構成され、前記ダウンフォース圧力が0.7psi(約490kg/m2)と2psi(約1400kg/m2)との間の範囲にある、請求項9に記載のシステム。
- 前記コンディショニングアームが、前記基板処理表面に対して、回転軸の周りを横方向に回転する、請求項9に記載のシステム。
- 前記論理が、
前記基板処理表面の摩耗が一様でない場合には、前記基板処理システムを較正し、
前記基板処理表面に対して測定のもう1つのセットを実行する、ここでは、前記基板処理表面の摩耗が一様でない場合には、前記測定のセットが処理表面コンディショニングアームに結合された変位センサを使用して行われる
ようにさらに構成された、請求項9に記載のシステム。
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US20120270474A1 (en) * | 2011-04-20 | 2012-10-25 | Nanya Technology Corporation | Polishing pad wear detecting apparatus |
US20120270477A1 (en) * | 2011-04-22 | 2012-10-25 | Nangoy Roy C | Measurement of pad thickness and control of conditioning |
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US20130017762A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Infineon Technologies Ag | Method and Apparatus for Determining a Measure of a Thickness of a Polishing Pad of a Polishing Machine |
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US20140329439A1 (en) * | 2013-05-01 | 2014-11-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for acoustical monitoring and control of through-silicon-via reveal processing |
US9312142B2 (en) * | 2014-06-10 | 2016-04-12 | Globalfoundries Inc. | Chemical mechanical polishing method and apparatus |
US9669514B2 (en) * | 2015-05-29 | 2017-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | System and method for polishing substrate |
TW201819107A (zh) * | 2016-08-26 | 2018-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於化學機械研磨的研磨墊厚度監測 |
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US10792783B2 (en) | 2017-11-27 | 2020-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System, control method and apparatus for chemical mechanical polishing |
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KR102601619B1 (ko) | 2018-11-12 | 2023-11-13 | 삼성전자주식회사 | 연마 패드 모니터링 방법 및 연마 패드 모니터링 장치 |
US11359906B2 (en) * | 2020-05-29 | 2022-06-14 | Ta Liang Technology Co., Ltd. | Method, system and apparatus for uniformed surface measurement |
US11794305B2 (en) | 2020-09-28 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Platen surface modification and high-performance pad conditioning to improve CMP performance |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3489272B2 (ja) * | 1995-06-16 | 2004-01-19 | ソニー株式会社 | 研磨装置およびこれを用いた研磨方法 |
US5875559A (en) | 1995-10-27 | 1999-03-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for measuring the profile of a polishing pad in a chemical mechanical polishing system |
JPH1086056A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-07 | Speedfam Co Ltd | 研磨パッドの管理方法及び装置 |
US6045434A (en) | 1997-11-10 | 2000-04-04 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus of monitoring polishing pad wear during processing |
JP3821985B2 (ja) * | 1998-05-07 | 2006-09-13 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
JPH11333697A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-07 | Nkk Corp | Cmp装置のドレッサーシステム |
SE517293C2 (sv) | 1999-06-30 | 2002-05-21 | Abb Ab | Förfarande och anordning för induktiv mätning av geometrisk dimension och elektrisk egenskap med motriktade magnetfält |
JP2001079752A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-03-27 | Hitachi Ltd | 化学的機械研磨装置およびこれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2001096455A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Ebara Corp | 研磨装置 |
US6517414B1 (en) * | 2000-03-10 | 2003-02-11 | Appied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus |
US6616513B1 (en) | 2000-04-07 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile |
EP1270148A1 (en) | 2001-06-22 | 2003-01-02 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Arrangement and method for conditioning a polishing pad |
JP2003019657A (ja) * | 2001-07-06 | 2003-01-21 | Toshiba Corp | ドレッシング方法及び研磨装置 |
TW574085B (en) * | 2001-12-27 | 2004-02-01 | Vanguard Int Semiconduct Corp | Device and method for measuring and monitoring polishing pad |
JP2003200342A (ja) | 2001-12-28 | 2003-07-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工装置用コンディショナー装置 |
US6872132B2 (en) | 2003-03-03 | 2005-03-29 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for monitoring characteristics of a polishing pad used in polishing micro-device workpieces |
KR100630754B1 (ko) | 2005-07-15 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 유막 두께 변화량을 이용한 연마패드의 마모 및마찰 측정방법 및 장치 |
JP2008284645A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨装置および研磨方法 |
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