JP2011519165A - Sttmram磁気トンネル接合アーキテクチャおよび集積化 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図4
Description
Claims (24)
- 第1の金属配線を有する基板と;
前記基板上に形成される第1の誘電体保護バリア層と、なお前記第1の誘電体保護バリア層は、前記第1の金属配線を露出するために第1のマスクパターンで形成される第1のコンタクトビアを有する;
前記第1の誘電体保護バリア層および前記第1のコンタクトビア上に形成される第1の電極層と、なお前記第1の電極層は前記第1の金属配線とつながる;
前記第1の電極層上に形成される固定磁化層と;
前記固定磁化層上に形成されるトンネルバリア層と;
前記トンネルバリア層上に形成される自由磁化層と;
前記自由磁化層上に形成される第2の電極層と、なお、少なくとも前記第2の電極層および前記自由磁化層は、第2のマスクパターンに基づく形状を有し、前記第1のコンタクトビア上に配置される;
前記固定磁化層上、および前記トンネルバリア層、前記自由磁化層および前記第2の電極層の周りに形成される第2の誘電体保護バリア層と、なお、前記第2の誘電体保護バリア層は、前記第2の電極層を部分的にのみカバーし、前記第2の誘電体保護バリア層および前記固定磁化層の少なくとも第1の部分は第3のマスクパターンに基づく形状を有する;
を備える磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスのための磁気トンネル接合(MTJ)デバイス。 - 前記トンネルバリア層の形状は前記第2のマスクパターンに基づく、請求項1の磁気トンネル接合デバイス。
- 前記第1のコンタクトビアは前記第1の金属配線と少なくとも同じ幅である、請求項1の磁気トンネル接合デバイス。
- 少なくとも前記固定磁化層の第2の部分は、前記第2のマスクパターンによって定義される形状を有する、請求項1の磁気トンネル接合デバイス。
- 前記第2の電極層とつながる前記第2の誘電体保護バリア層上に形成される第3の電極層をさらに備え、前記第3の電極層は、前記第3のマスクパターンによって定義される形状を有する、請求項1の磁気トンネル接合デバイス。
- 前記第3の電極層上に配置されるグローバル誘電体保護バリア層をさらに備える、請求項5の磁気トンネル接合デバイス。
- 前記グローバル誘電体保護バリア層上に配置される第2の中間層誘電体と;
前記第3の電極層の一部を露出するための前記グローバル誘電体保護バリア層内のビアと;
をさらに備える、請求項6の磁気トンネル接合デバイス。 - 前記第2のマスクパターンは楕円形である、請求項1の磁気トンネル接合デバイス。
- 前記MRAMデバイスはスピン・トルク転送(STT)MRAMデバイスである、請求項1の磁気トンネル接合デバイス。
- 半導体ダイに集積化される、請求項1の磁気トンネル接合デバイス。
- セットトップボックス、ミュージックプレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータから成るグループから選択されるデバイスに集積化される、請求項1の磁気トンネル接合デバイス。
- 磁気トンネル接合(MTJ)デバイスを集積回路に集積化するための方法であって:
半導体BEOL(back-end-of-line)プロセスフローにおいて、第1の中間誘電体層および第1の金属配線を有する基板を提供することと;
前記第1の金属配線を露出するために、第1のマスクパターンで形成される第1のコンタクトビアを有する第1の誘電体保護バリア層を前記基板上に堆積することと;
前記第1の中間誘電体層上に前記第1の金属配線および前記第1の誘電体保護バリア層を、前記第1の金属配線とつながる第1の電極層を、前記第1の電極層上に固定磁化層を、前記固定磁化層上にトンネルバリア層を、前記トンネルバリア層上に自由磁化層を、前記自由磁化層上に第2の電極層を堆積することと、;
前記第1のコンタクトビア上で、MTJスタックを第2のマスクパターンを用いてパターニングすることと、なお前記MTJスタックは前記自由磁化層および前記第2の電極層を備える;
前記MTJスタックの周りに前記第2の誘電体保護バリア層を堆積することと、なお前記第2の誘電体保護バリア層は前記第2の電極層が露出されたままになるように形成される;
前記第2の電極層とつながる前記第2の誘電体保護バリア層の上に第3の電極層を堆積することと;
前記第1の電極層、前記固定磁化層の少なくとも一部、および前記第2の誘電体保護バリア層を第3のマスクパターンを用いてパターニングすることと;
を備える方法。 - 前記MTJスタックをパターニングすることは、前記第2のマスクパターンを用いて前記トンネルバリア層をパターニングすることをさらに含む、請求項12の方法。
- 前記第3のマスクパターンで前記トンネルバリア層をパターニングすることをさらに備える、請求項12の方法。
- 前記第3のマスクパターンで前記第3の電極層をパターニングすることをさらに備える、請求項12の方法。
- 前記第3の電極層とつながる第2の金属配線を形成することをさらに備える、請求項12の方法。
- 前記第3のマスクパターンでパターニングした後に、前記第3の電極層上にグローバル誘電体保護バリア層を堆積することをさらに備える、請求項12の方法。
- 前記グローバル誘電体保護バリア層上に第2の中間層誘電体を堆積することと;
前記第3の電極層上の前記グローバル誘電体保護バリア層を露出するために、前記第2の中間層誘電体を平坦化することと;
前記第3の電極層の一部を露出するために、前記グローバル誘電体保護バリア層内に第2のコンタクトビアを形成することと;
をさらに備える、請求項17の方法。 - 前記集積回路は、前記集積回路が集積化されるセットトップボックス、ミュージックプレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータから成るグループから選択される電子デバイスに適用される、請求項12の方法。
- 少なくとも1つの制御デバイスとつながるための第1の配線手段と;
第1のマスクを使用して誘電体保護バリア内に形成されるコンタクトビアを通して前記第1の配線手段と結合するための第1の電極手段と;
データを記憶するためのMTJ手段と、なお前記MTJ手段は、前記第1の電極手段に結合され、前記MTJ手段の一部の横寸法は第2のマスクによって定義される;
前記MTJ手段に結合するための第2の電極手段と、なお前記第2の電極手段は、前記第2のマスクによって定義される前記MTJ手段の前記一部と同じ横寸法を有する;
前記第2の電極手段に結合するための第3の電極手段と、なお前記第3の電極手段、前記MTJ手段の一部および前記第1の電極手段は第3のマスクに基づく形状を有する;
前記第3の電極手段および少なくとも1つの別の制御デバイスに結合するための第2の配線手段と;
を備える磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)のための磁気トンネル接合(MTJ)構造。 - スピン・トルク転送(STT)MRAM半導体ダイに集積化される、請求項20のMTJ構造。
- 前記MTJ構造は、セットトップボックス、ミュージックプレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータから成るグループから選択されるデバイスに集積化される、請求項20のMTJ構造。
- 半導体BEOL(back-end-of-line)プロセスフローにおいて、第1の中間誘電体層および第1の金属配線を有する基板を提供するステップと;
前記第1の金属配線を露出するために、第1のマスクパターンで形成される第1のコンタクトビアを有する第1の誘電体保護バリア層を前記基板上に堆積するステップと;
前記第1の中間誘電体層上に前記第1の金属配線および前記第1の誘電体保護バリア層を、前記第1の金属配線とつながる第1の電極層を、前記第1の電極層の上に固定磁化層を、前記固定磁化層の上にトンネルバリア層を、前記トンネルバリア層の上に自由磁化層を、前記自由磁化層の上に第2の電極層を堆積するステップと;
前記第1のコンタクトビアの上でMTJスタックを第2のマスクパターンを用いてパターニングするステップと、なお前記MTJスタックは前記自由磁化層および前記第2の電極層を備える;
前記MTJスタックの周りに前記第2の誘電体保護バリア層を堆積するステップと、なお前記第2の誘電体保護バリア層は前記第2の電極層が露出されたままになるように形成される;
前記第2の電極層とつながる前記第2の誘電体保護バリア層上に第3の電極層を堆積するステップと;
前記第1の電極層、前記固定磁化層の少なくとも一部、および前記第2の誘電体保護バリア層を第3のマスクパターンを用いてパターニングするステップと;
を備える、磁気トンネル接合(MTJ)デバイスを集積回路に集積化するための方法。 - 前記集積回路は、前記集積回路が集積化されるセットトップボックス、ミュージックプレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータから成るグループから選択される電子デバイスに適用される、請求項23の方法。
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