JP2011508429A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- エピタキシャル成長チャンバの中にガス状前駆体を分配するための注入器装置であって、
前記エピタキシャル成長チャンバ内に水平に配置された2つ以上の平面的な材料を備え、
該平面的な材料のうちの少なくとも1つは、そこに形成された1つ以上の溝を有し、
該2つ以上の平面的な材料は該1つ以上の溝をシールしてそれにより1つ以上の導管を形成するように、一緒になるように、シールするように結合され、
それにより形成された各導管は、前記平面的な材料のうちの少なくとも1つを通過する複数のポートを有し、
前記1つ以上の導管は、チャンバ壁に隣接する基端部分から前記エピタキシャル成長チャンバ内のエピタキシャル成長基板の近くの末端部分まで前記エピタキシャル成長チャンバの中に水平に延在し、
各導管は、チャンバ壁に隣接する基端部分であってガスの流れを受け入れるための少なくとも1つの開口を有する基端部分を有し、
各導管は、前記エピタキシャル成長基板の近くの末端部分であって前記エピタキシャル成長チャンバの中へのガスの流れを分配するための複数のポートを有する末端部分を有する
、装置。 - 少なくとも1つの導管の前記末端部分における前記ポートは、前記エピタキシャル成長基板の面の少なくとも一部にガスを分配するように配置されている、請求項1に記載の装置。
- 少なくとも2つの末端部分は、互いに対して平行に配置された直線的な形状の1つ以上に構成されるか、または、互いに対して同心円状に配置された少なくとも部分的に円形形状に構成されている、請求項2に記載の装置。
- 少なくとも2つのガスを分配することが可能である少なくとも2つの導管であって、それらの末端部に、ポートであって1つの末端部のポートが他の末端部のポートに隣接してあるように配置されたポートを有する少なくとも2つの導管をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 前記注入器装置に前記チャンバの前記内部からの熱の移動を改善するための熱移動手段をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 約2mmと約8mmとの間の厚さを有し、前記成長チャンバ内の状態および前記導管内の状態に耐性のある材料をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 少なくとも1つの導管の部分は、前記基端部分と前記末端部分との間の曲がりくねったコースをたどる、請求項1に記載の装置。
- 少なくとも1つの溝は垂直に広がりを決められ、少なくとも1つの他の溝から離され、故に、シールされたとき、溝は、前記導管間のガス連通なしに垂直方向に離間された少なくとも2つの導管を形成し、少なくとも1つの導管は、前記導管間のガス連通なしに少なくとも1つの他の導管を横切る、請求項1に記載の装置。
- ガスが1つの導管の基端部分と他の導管の末端部分との間を流れることができるように垂直に離間された2つの導管間にポートをさらに備える、請求項8に記載の装置。
- 1つの末端部によって生じたポートが他の2つの末端部によって生じたポート間にあるように構成されかつ配置された末端部を有する少なくとも3つの導管をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 内部に配置される成長基板を有するエピタキシャル成長チャンバと、そして、
前記成長基板の面に複数のガスを分配するように配置された、請求項1から10のいずれか一項に記載の注入器装置と
を備えた、エピタキシャル成長装置。 - 前記成長チャンバ内の材料を熱するための放射要素をさらに備え、
前記成長チャンバは該放射要素によって放出された放射線に少なくとも部分的に透過性があり、
前記注入器装置は放出された放射線を少なくとも部分的に吸収することができる材料を備える
、請求項11に記載の装置。 - 前記吸収材料は、前記注入器装置の不可欠な部分であり、前記注入器装置のガス運搬部分と接触するかあるいは近接する平面的な材料として構成されている、請求項12に記載の装置。
- 挿入/取り出しポートと、
前記成長チャンバの中に成長基板を配置し前記成長チャンバ内から成長基板を取り除くために前記挿入/取り出しポートを通して前記成長チャンバの中に入り前記成長チャンバから出る挿入/取り出し機構と
をさらに備え、
前記注入器装置は、前記挿入/取り出し機構を妨げないように前記成長チャンバ内に寸法付けられ、構成され、配置された
請求項11に記載の装置。 - 前記注入器装置は、1つの内側の末端部によって生じるポートが他の2つの外側の末端部によって生じるポート間にあるように構成され配置された末端部を有する少なくとも3つの導管をさらに備え、
NH3およびGaCl3は前記外側の末端部のポートを通して分配され、
非反応性ガスは前記内側の末端部のポートを通して分配される、
請求項11に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US1552407P | 2007-12-20 | 2007-12-20 | |
US61/015,524 | 2007-12-20 | ||
PCT/US2008/085715 WO2009082608A1 (en) | 2007-12-20 | 2008-12-05 | Apparatus for delivering precursor gases to an epitaxial growth substrate |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011508429A JP2011508429A (ja) | 2011-03-10 |
JP2011508429A5 true JP2011508429A5 (ja) | 2012-01-26 |
JP5587205B2 JP5587205B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=40340674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010539610A Expired - Fee Related JP5587205B2 (ja) | 2007-12-20 | 2008-12-05 | エピタキシャル成長基板に前駆体ガスを送出するための装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9175419B2 (ja) |
EP (1) | EP2227576B1 (ja) |
JP (1) | JP5587205B2 (ja) |
KR (1) | KR101579217B1 (ja) |
CN (1) | CN101849042B (ja) |
WO (1) | WO2009082608A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101094913B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2011-12-16 | 소이텍 | Iii-v 족 반도체 물질을 형성하기 위한 제조 공정 시스템 |
US9481944B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same |
US9481943B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gallium trichloride injection scheme |
US20090223441A1 (en) * | 2006-11-22 | 2009-09-10 | Chantal Arena | High volume delivery system for gallium trichloride |
KR101353334B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2014-02-18 | 소이텍 | 갈륨 질화물 증착에서의 반응 가스 감소 |
JP5656184B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2015-01-21 | ソイテック | 三塩化ガリウムの噴射方式 |
WO2008064077A2 (en) | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials |
KR101390425B1 (ko) | 2006-11-22 | 2014-05-19 | 소이텍 | 화학기상증착 챔버용 온도제어 퍼지 게이트 밸브 |
KR101379410B1 (ko) | 2006-11-22 | 2014-04-11 | 소이텍 | 3-5족 반도체 재료들의 대량생산을 위한 설비 |
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FR2968830B1 (fr) | 2010-12-08 | 2014-03-21 | Soitec Silicon On Insulator | Couches matricielles ameliorees pour le depot heteroepitaxial de materiaux semiconducteurs de nitrure iii en utilisant des procedes hvpe |
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-
2008
- 2008-12-05 KR KR1020107015883A patent/KR101579217B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-12-05 US US12/747,969 patent/US9175419B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-05 JP JP2010539610A patent/JP5587205B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-05 CN CN200880114701.0A patent/CN101849042B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-05 EP EP08865457.9A patent/EP2227576B1/en not_active Not-in-force
- 2008-12-05 WO PCT/US2008/085715 patent/WO2009082608A1/en active Application Filing
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