JP2011508429A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. エピタキシャル成長チャンバの中にガス状前駆体を分配するための注入器装置であって、
   前記エピタキシャル成長チャンバ内に水平に配置された２つ以上の平面的な材料を備え、
   該平面的な材料のうちの少なくとも１つは、そこに形成された１つ以上の溝を有し、
   該２つ以上の平面的な材料は該１つ以上の溝をシールしてそれにより１つ以上の導管を形成するように、一緒になるように、シールするように結合され、
   それにより形成された各導管は、前記平面的な材料のうちの少なくとも１つを通過する複数のポートを有し、
   前記１つ以上の導管は、チャンバ壁に隣接する基端部分から前記エピタキシャル成長チャンバ内のエピタキシャル成長基板の近くの末端部分まで前記エピタキシャル成長チャンバの中に水平に延在し、
   各導管は、チャンバ壁に隣接する基端部分であってガスの流れを受け入れるための少なくとも１つの開口を有する基端部分を有し、
   各導管は、前記エピタキシャル成長基板の近くの末端部分であって前記エピタキシャル成長チャンバの中へのガスの流れを分配するための複数のポートを有する末端部分を有する
   、装置。
2. 少なくとも１つの導管の前記末端部分における前記ポートは、前記エピタキシャル成長基板の面の少なくとも一部にガスを分配するように配置されている、請求項１に記載の装置。
3. 少なくとも２つの末端部分は、互いに対して平行に配置された直線的な形状の１つ以上に構成されるか、または、互いに対して同心円状に配置された少なくとも部分的に円形形状に構成されている、請求項２に記載の装置。
4. 少なくとも２つのガスを分配することが可能である少なくとも２つの導管であって、それらの末端部に、ポートであって１つの末端部のポートが他の末端部のポートに隣接してあるように配置されたポートを有する少なくとも２つの導管をさらに備える、請求項１に記載の装置。
5. 前記注入器装置に前記チャンバの前記内部からの熱の移動を改善するための熱移動手段をさらに備える、請求項１に記載の装置。
6. 約２ｍｍと約８ｍｍとの間の厚さを有し、前記成長チャンバ内の状態および前記導管内の状態に耐性のある材料をさらに備える、請求項１に記載の装置。
7. 少なくとも１つの導管の部分は、前記基端部分と前記末端部分との間の曲がりくねったコースをたどる、請求項１に記載の装置。
8. 少なくとも１つの溝は垂直に広がりを決められ、少なくとも１つの他の溝から離され、故に、シールされたとき、溝は、前記導管間のガス連通なしに垂直方向に離間された少なくとも２つの導管を形成し、少なくとも１つの導管は、前記導管間のガス連通なしに少なくとも１つの他の導管を横切る、請求項１に記載の装置。
9. ガスが１つの導管の基端部分と他の導管の末端部分との間を流れることができるように垂直に離間された２つの導管間にポートをさらに備える、請求項８に記載の装置。
10. １つの末端部によって生じたポートが他の２つの末端部によって生じたポート間にあるように構成されかつ配置された末端部を有する少なくとも３つの導管をさらに備える、請求項１に記載の装置。
11. 内部に配置される成長基板を有するエピタキシャル成長チャンバと、そして、
    前記成長基板の面に複数のガスを分配するように配置された、請求項１から１０のいずれか一項に記載の注入器装置と
    を備えた、エピタキシャル成長装置。
12. 前記成長チャンバ内の材料を熱するための放射要素をさらに備え、
    前記成長チャンバは該放射要素によって放出された放射線に少なくとも部分的に透過性があり、
    前記注入器装置は放出された放射線を少なくとも部分的に吸収することができる材料を備える
    、請求項１１に記載の装置。
13. 前記吸収材料は、前記注入器装置の不可欠な部分であり、前記注入器装置のガス運搬部分と接触するかあるいは近接する平面的な材料として構成されている、請求項１２に記載の装置。
14. 挿入／取り出しポートと、
    前記成長チャンバの中に成長基板を配置し前記成長チャンバ内から成長基板を取り除くために前記挿入／取り出しポートを通して前記成長チャンバの中に入り前記成長チャンバから出る挿入／取り出し機構と
    をさらに備え、
    前記注入器装置は、前記挿入／取り出し機構を妨げないように前記成長チャンバ内に寸法付けられ、構成され、配置された
    請求項１１に記載の装置。
15. 前記注入器装置は、１つの内側の末端部によって生じるポートが他の２つの外側の末端部によって生じるポート間にあるように構成され配置された末端部を有する少なくとも３つの導管をさらに備え、
    ＮＨ₃およびＧａＣｌ₃は前記外側の末端部のポートを通して分配され、
    非反応性ガスは前記内側の末端部のポートを通して分配される、
    請求項１１に記載の装置。