JP5587205B2 - エピタキシャル成長基板に前駆体ガスを送出するための装置 - Google Patents
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Description
HVPE法により成長されるGaNのために、この発明の内部注入器は石英から作られることができ、SiCプレートが該注入器の加熱およびそこに流れるガスの加熱を促進するように該注入器の上に位置付けられる。SiCプレートは、放射線加熱源からの熱の注入器機構へのより効率的な移動をもたらす。前駆体はNH3とGaCl3である。NH3は約1〜5SLM(標準リットル毎分)のペースで内部注入器を通して流される。GaCl3を含むN2キャリアガスはまた約1〜5SLMのペースで内部注入器を通して流される。加えて、さらなるガスは、成長基板の上のガス流をさらに良好に最適化するために、約0SLMと約50SLMとの間の流量で付加的な交差流入力ポートを通して導かれることができる。図3A〜C、4、5において表された成長チャンバにおいて表された実施形態に類似する内部注入器は、この応用に適している。
Claims (13)
- エピタキシャル成長チャンバの中にガス状前駆体を分配するための注入器装置であって、
前記エピタキシャル成長チャンバ内に水平に配置された2つ以上の平面的な材料を備え、
該2つ以上の平面的な材料のうちの少なくとも1つは、そこに形成された少なくとも3つの溝を有し、
該2つ以上の平面的な材料は該少なくとも3つの溝をシールしてそれにより少なくとも3つの導管を形成するように、一緒になるように、シールするように結合され、
それにより形成された前記少なくとも3つの導管の各々は、前記2つ以上の平面的な材料のうちの少なくとも1つを通過する複数のポートを有し、
前記少なくとも3つの導管の各々は、チャンバ壁に隣接する基端部分から前記エピタキシャル成長チャンバ内のエピタキシャル成長基板の近くの末端部分まで前記エピタキシャル成長チャンバの中に水平に延在し、
前記少なくとも3つの導管の各々は、前記チャンバ壁に隣接する前記基端部分であってガスの流れを受け入れるための少なくとも1つの開口を有する前記基端部分を有し、
前記少なくとも3つの導管の各々は、前記エピタキシャル成長基板の近くの前記末端部分であって前記エピタキシャル成長チャンバの中へのガスの流れを分配するための前記複数のポートを有する前記末端部分を有し、
前記少なくとも3つの導管の各々の前記末端部分における前記複数のポートは、前記エピタキシャル成長基板の面の少なくとも一部にガスを分配するように配置されていて、
前記少なくとも3つの導管の少なくとも3つの前記末端部分は、互いに対して平行に配置された直線的な形状に構成されるか、または、互いに対して同心円状に配置された少なくとも部分的に円形形状に構成されていて、
第1導管と、第2導管と、第3導管とは前記少なくとも3つの導管により提供され、該第1導管からの第1ガスと該第2導管からの第2ガスとの間に該第3導管からの第3ガスのカーテンを提供するように第1から第3導管はそれぞれ前記複数のポートを有する
、装置。 - 前記第1から第3導管の各々は、その前記末端部分に、他の導管の前記末端部分の前記複数のポートに隣接してあるように配置された前記複数のポートを有する、請求項1に記載の装置。
- 前記注入器装置に前記チャンバの前記内部からの熱の移動を改善するための熱移動手段をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 前記装置の全体的な厚さは2mmと8mmとの間であり、前記2つ以上の平面的な材料は前記成長チャンバ内の状態および前記導管内の状態に耐性のある材料である、請求項1に記載の装置。
- 前記少なくとも3つの導管の各々の部分は、前記基端部分と前記末端部分との間の曲がりくねったコースをたどる、請求項1に記載の装置。
- 前記少なくとも3つの溝のうちの少なくとも1つの溝は、少なくとも1つの他の溝から垂直に間隔をあけられて離され、故に、シールされたとき、前記少なくとも1つの溝と前記少なくとも1つの他の溝とは、前記導管間のガス連通なしに垂直方向に離間された少なくとも2つの導管を形成し、該少なくとも2つの導管のうちの少なくとも1つの導管は、前記導管間のガス連通なしに該少なくとも2つの導管のうちの少なくとも1つの他の導管を横切る、請求項1に記載の装置。
- 前記少なくとも3つの導管のうちの、垂直に離間された2つの導管間に穴をさらに備え、該2つの導管のうちの1つの導管の前記基端部分と該2つの導管のうちの他の導管の前記末端部分との間をガスが流れることができる、請求項6に記載の装置。
- 前記第1から第3導管は、該第3導管の前記末端部分の前記複数のポートが該第1導管の前記末端部分の前記複数のポートと該第2導管の前記末端部分の前記複数のポートとの間にあるように構成されかつ配置されている、請求項1に記載の装置。
- 内部に配置される成長基板を有するエピタキシャル成長チャンバと、そして、
前記成長基板の面に複数のガスを分配するように配置された、請求項1から8のいずれか一項に記載の注入器装置と
を備えた、エピタキシャル成長装置。 - 前記成長チャンバ内の材料を熱するための放射要素をさらに備え、
前記成長チャンバは該放射要素によって放出された放射線に少なくとも部分的に透過性があり、
前記注入器装置は放出された放射線を少なくとも部分的に吸収することができる材料を備える
、請求項9に記載の装置。 - 前記吸収材料は、前記注入器装置の不可欠な部分であり、前記注入器装置のガス運搬部分と接触するかあるいは近接する平面的な材料として構成されている、請求項10に記載の装置。
- 挿入/取り出しポートと、
前記成長チャンバの中に成長基板を配置し前記成長チャンバ内から成長基板を取り除くために前記挿入/取り出しポートを通して前記成長チャンバの中に入り前記成長チャンバから出る挿入/取り出し機構と
をさらに備え、
前記注入器装置は、前記挿入/取り出し機構を妨げないように前記成長チャンバ内に寸法付けられ、構成され、配置された
請求項9に記載の装置。 - 前記注入器装置は、1つの内側の末端部分の前記複数のポートが他の2つの外側の末端部分の前記複数のポート間にあるように構成され配置された前記末端部分を有する前記第1から第3導管を備え、
NH3およびGaCl3は前記外側の末端部分の前記複数のポートを通して分配され、
非反応性ガスは前記内側の末端部分の前記複数のポートを通して分配される、
請求項9に記載の装置。
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