KR20100093974A - 반도체 제조장치 - Google Patents

반도체 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20100093974A
KR20100093974A KR1020090013154A KR20090013154A KR20100093974A KR 20100093974 A KR20100093974 A KR 20100093974A KR 1020090013154 A KR1020090013154 A KR 1020090013154A KR 20090013154 A KR20090013154 A KR 20090013154A KR 20100093974 A KR20100093974 A KR 20100093974A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer carrier
chamber
wafer
manufacturing apparatus
coupled
Prior art date
Application number
KR1020090013154A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101091369B1 (ko
Inventor
김종학
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020090013154A priority Critical patent/KR101091369B1/ko
Publication of KR20100093974A publication Critical patent/KR20100093974A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101091369B1 publication Critical patent/KR101091369B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

실시 예는 반도체 제조장치에 관한 것이다.
실시 예에 따른 반도체 제조장치는, 챔버; 상기 챔버 중앙에서 포켓을 구비한 원판형 제1웨이퍼 캐리어; 포켓을 구비하고 상기 제1웨이퍼 캐리어의 둘레에 링 형상으로 배치된 제2웨이퍼 캐리어를 포함한다.
챔버, 웨이퍼 캐리어

Description

반도체 제조장치{Semiconductor Manufacturing Apparatus}
실시 예는 반도체 제조장치에 관한 것이다.
반도체 소자는 증착 공정, 포토공정, 식각공정, 확산공정을 통하여 제조될 수 있으며, 이러한 공정들이 수 차례에서 수십 차례 반복되어야 적어도 하나의 반도체 장치가 탄생될 수 있다. 특히, 상기 증착 공정은 반도체 소자 제조의 재현성 및 신뢰성에 있어서 개선이 요구되는 필수적인 공정으로 졸겔(sol-gel)방법, 스퍼터링(sputtering)방법, 전기도금(electro-plating)방법, 증기(evaporation)방법, 화학기상증착(chemical vapor deposition)방법, 분자 빔 에피탁시(molecule beam eptaxy)방법, 원자층 증착방법 등에 의하여 반도체 기판 상에 상기 가공막을 형성하는 공정이다.
그 중 화학기상증착방법은 다른 증착방법보다 반도체 기판 상에 형성되는 박막의 스텝커버리지(step coverage), 균일성(uniformity) 및 양산성 등 같은 증착 특성이 우수하기 때문에 가장 보편적으로 사용되고 있다. 이와 같은 화학기상증착방법에는 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition), APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition), LTCVD(Low Temperature Chemical Vapor Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 등으로 나눌 수 있다.
예컨대, 상기 MOCVD는 유기금속의 열분해반응을 이용해 반도체 기판상에 금속화합물을 형성하는 공정이다. 그리고, 최근에 반도체 장치가 고집적화되고 고성능화가 요구됨에 따라 새로운 물질이 도입이 필요해지고 있고, 상기 반도체 기판 상에 상기 MOCVD 공정이 수행된 이후에는 상기 화학기상증착설비 내부에 존재하는 잔류가스 및 반응생성물을 제거하는 세정 및 퍼지공정을 수행하고 있다. 따라서, 이러한 MOCVD 공정과 같은 화학기상증착 공정은 원료물질을 기체상태로 반응챔버에 유입시켜 반도체 기판 상에서 화학반응을 통하여 소정의 막질이 증착되도록 하는 공정이다.
실시 예는 복수개의 웨이퍼 캐리어을 갖는 반도체 제조장치를 제공한다.
실시 예는 원판 형상의 웨이퍼 캐리어 및 이의 둘레에 다중의 링 형상을 갖는 웨이퍼 캐리어를 배치할 수 있도록 한 반도체 제조장치를 제공한다.
실시 예에 따른 반도체 제조장치는, 챔버; 상기 챔버 중앙에서 포켓을 구비한 원판형 제1웨이퍼 캐리어; 포켓을 구비하고 상기 제1웨이퍼 캐리어의 둘레에 링 형상으로 배치된 제2웨이퍼 캐리어를 포함한다.
실시 예는 웨이퍼 캐리어를 복수개로 분리하여 가스의 배기를 원활하게 할 수 있는 효과가 있다.
실시 예는 원판 형상의 웨이퍼 캐리어의 외측 둘레에 하나 또는 복수개의 링 형상의 웨이퍼 캐리어를 배치할 수 있어, 챔버 사이즈에 따라 웨이퍼 캐리어를 확장시켜 줄 수 있는 효과가 있다.
실시 예는 대형 사이즈의 챔버 내에서도 가스 흐름 속도를 일정하게 유지할 수 있는 효과가 있다.
실시 예에는 대형 사이즈의 챔버 내에서도 반도체 성장 두께가 달라지는 것을 개선시켜 줄 수 있다.
이하, 실시 예에 따른 반도체 제조장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 실시 예에 따른 반도체 제조장치의 측 단면도이고, 도 2는 도 1의 반응 용기 내의 웨이퍼 캐리어 배치 예를 나타낸 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 제조장치(100)는 챔버(110)를 갖는 반응 용기(112), 통로(118), 배출구(119), 제1웨이퍼 캐리어(120), 제2웨이퍼 캐리어(130), 제1히터(123), 제2히터(153), 회전축(125), 지지부(160), 회전부(170), 벨트(175), 제1모터(180) 및 제2모터(180)를 포함한다.
이러한 반도체 제조장치(100)는 화학적 기상 증착공정에 사용되기에 적당한 어떠한 전구체 가스들을 이용하여 웨이퍼에 증착하게 된다. 즉, 상기 챔버(110)에 유입된 전구체 가스들은 혼합되어 웨이퍼에 증착물을 형성하며, 캐리어 가스들은 통상적으로 웨이퍼 캐리어에서 층류를 유지하기 위한 것이다. 이런 방법으로, 예를들어 GaAs, GaN, GaAlAs, InGaAsSb, InP, ZnSe, ZnTe, HgCdTe, InAsSbP, InGaN, AlGaN, SiGe, SiC, ZnO 및 InGaAlP 등과 같은 반도체 화합물의 에피텍셜 성장이 얻어지며, 이에 한정하지는 않는다.
상기 반응 용기(112)는 실린더로서 기능하며, 내부에 챔버(110)가 구비된다. 상기 반응 용기(112)의 상부에는 상부판(113)이 배치되며, 상기 상부판(113)을 통해 각종 공급 가스가 공급된다. 이러한 상부판(113)은 공급 가스의 경로나 형성 위치에 의해 변경될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 통로(118)는 상기 챔버(110)의 내부 및 외부로 상기 웨이퍼 캐리 어(130)의 이송을 용이하게 하기 위한 구멍이다. 이러한 통로(118)는 상기 웨이퍼 캐리어(130)의 크기 변경에 따라 변경될 수 있으며, 그 구체적인 크기나 형상에 대해 한정하지는 않는다.
상기 배출구(119)는 상기 챔버(110)의 바닥면 둘레에 배치되며, 가스를 외부통로(미도시)를 통해 배출하게 된다. 상기 배출구(119)는 상기 제1웨이퍼 캐리어(120)와 제2웨이퍼 캐리어(130) 사이의 가스 구멍(117)에 대응되는 위치에 형성되며, 상기 가스 구멍(117) 및 외주변을 통해 내려오는 공급 가스를 외부로 배출하게 된다. 이러한 배출구 구조에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 및 제2웨이퍼 캐리어(120,130)는 상면 평평한 형태이고, 적어도 하나의 포켓(121,131)이 형성된다. 상기 포켓(121,131)에는 웨이퍼가 로딩된다.
상기 제1웨이퍼 캐리어(120)은 챔버(110)의 센터에 원판 형상으로 형성되며, 상기 제2웨이퍼 캐리어(130)은 상기 제1웨이퍼 캐리어(120)의 외측 둘레를 따라 링 형상으로 형성된다. 여기서, 상기 제2웨이퍼 캐리어(130)의 외측 둘레에 다른 웨이퍼 캐리어가 링 형상을 갖고, 이중 또는 삼중으로 배치될 수 있으며, 이는 상기 챔버(110)의 크기에 대응하여 링 형상의 웨이퍼 캐리어를 다중으로 배치할 수 있다.
만약, 챔버(110)의 사이즈가 증가되면, 단일 원판의 웨이퍼 캐리어에 공급된 가스는 내부와 외부의 흐름이 상이하게 되며, 이는 외부로 갈수록 가스 흐름이 더 빨라져 반도체 성장 두께가 얇아질 수 있다. 또한 단일 원판인 경우, 서셉터의 균일도(uniformity)를 확보하기가 어려워진다.
이에 따라 링 형태의 제2웨이퍼 캐리어(130)를 다중으로 배치한 경우, 웨이 퍼 캐리어와의 사이에 가스 구멍(117)이 형성됨으로써, 가스 흐름 속도가 변화되지 않도록 조절할 수 있다.
상기 제1웨이퍼 캐리어(120)의 아래에는 제1히터(123)이 배치되고, 상기 제1히터(123)의 아래에는 제1히터 전체를 지지하는 제1베이스 플레이트(125)가 배치된다.
상기 제2웨이퍼 캐리어(130)의 아래에는 제2히터(153)이 배치되고, 상기 제2히터(153)의 아래에는 제2히터 전체를 지지하는 제2베이스 플레이트(155)가 배치된다. 상기 제1 및 제2베이스 플레이트(125,155)는 단일 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 제1 및 제2히터(123,153)에는 가열 전극(127,145)이 연결된다. 상기 제 1 및 제2히터(123,153)는 상기 가열 전극(127,145)으로 전달되는 열을 방출하여, 각 웨이퍼 캐리어(120,130)를 가열시켜 준다.
상기 제1웨이퍼 캐리어(120)의 배면 센터에는 회전 축(125)의 일단에 결합되며, 상기 회전축(125)은 하부의 제1모터(180)에 의해 지지되고 회전하게 된다. 상기 제1모터(180)는 자성 유체(ferro fluidic) 타입으로 구현될 수 있다.
상기 제2웨이퍼 캐리어(130)의 외주변에는 수직하게 하 방향으로 연장된 측면 커버(132)가 형성된다. 상기 측면 커버(132)는 원통 형태로 형성되며, 그 내주변에서 내측 방향으로 기어 구조(134)로 결합된다.
상기 측면 커버(132)의 내측에 형성된 기어 구조(134)는 상기 웨이퍼 캐리어(130)를 회전시켜 주기 위해 지지부(160)의 상단과 서로 맞물려 있는 구조 즉, 치 구조 또는 요철 구조로 결합된다. 이에 따라 상기 지지부(160)의 회전에 따라 상기 제2웨이퍼 캐리어(130)는 회전하게 된다.
상기 지지부(160)는 상기 측면 커버(132)에 대응되는 구조로 예컨대, 원통 형상으로 형성될 수 있으며, 상기 측면 커버(132)의 내주변으로 결합된다. 상기 지지부(160)는 몰디(Moly) 재질로 이루어질 수 있다.
상기 지지부(160)의 하단(162)은 외측으로 돌출되며, 상기 회전부(170)의 상단과 볼트(163)로 체결된다. 상기 회전부(170)는 벨트(175)에 의해 회전하게 된다. 상기 벨트(175)는 상기 회전부(170)에 밀착 결합되어, 상기 반응 용기(112)의 외측에 배치된 제2모터(180)에 의해 회전하면서 상기 회전부(170)를 회전시켜 준다. 여기서, 상기 지지부(160)과 회전부(170) 사이의 결합 구조는 외측에 배치하여, 챔버 내부에서 볼트 결합을 용이하게 할 수 있다.
상기 제1모터(180) 및 회전 축(125)에 의해 상기 제1웨이퍼 캐리어(120)는 회전하게 되며, 하부의 제1히터(123)에 의해 가열된다.
상기 제2모터(182)에 의한 구동력은 상기 벨터(175), 상기 회전부(170) 및 상기 지지부(160)을 통해 상기 제2웨이퍼 캐리어(130)에 전달되어, 상기 제2웨이퍼 캐래어(130)는 회전하게 되며, 하부의 제2히터(153)에 의해 가열된다.
그리고 상기 제1 및 제2웨이퍼 캐리어(120,130)은 서로 다른 회전 시스템으로 회전될 수 있으며, 각 웨이퍼 캐리어(120,130) 간에 간섭은 발생되지 않게 된다.
그리고, 상부판(113)을 통해 각종 공급 가스가 공급되면, 상기 제1 및 제2웨 이퍼 캐리어(120,130)의 포켓(121,131)에 로딩된 웨이퍼(미도시)에 반도체 박막이 형성될 수 있으며, 상기 공급 가스는 상기 제1 및 제2웨이퍼 캐리어(120,130) 사이의 가스 구멍(117) 및 외주변을 따라 하부의 배출구(119)를 통해 외부 통로로 유출될 수 있다.
이러한 반도체 제조장치(100)는 상기 제1 및 제2웨이퍼 캐리어(120,130) 사이에 공급 가스의 통로를 확보해 줌으로써, 외측으로 진행할수록 가스 흐름 속도가 빨라지는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명의 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 실시 예에 따른 반도체 제조장치를 나타낸 측 단면도이다.
도 2는 도 1의 반응 용기 내의 웨이퍼 캐리어 배치 예를 나타낸 평면도이다.

Claims (5)

  1. 챔버;
    상기 챔버 중앙에서 포켓을 구비한 원판형 제1웨이퍼 캐리어;
    포켓을 구비하고 상기 제1웨이퍼 캐리어의 둘레에 링 형상으로 배치된 제2웨이퍼 캐리어를 포함하는 반도체 제조장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제2웨이퍼 캐리어의 둘레에 다중 구조로 링 형상을 갖고 형성된 제3웨이퍼 캐리어를 포함하는 반도체 제조장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2웨이퍼 캐리어의 아래에 배치된 제1 및 제2히터를 포함하는 반도체 제조장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1웨이퍼 캐리어의 중심 아래에 결합된 회전축 및 상기 회전축에 결합된 제1모터를 포함하며,
    상기 제2웨이퍼 캐리어의 외주변에 결합된 원통형의 지지부, 상기 원통형의 지지부를 회전시켜 주는 원통형의 회전부, 상기 회전부에 결합된 벨트 및 상기 벨 트를 구동하는 제2모터를 포함하는 반도체 제조장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1웨이퍼 캐리어와 상기 제2웨이퍼 캐리어의 사이, 챔버 외측으로 흐르는 가스를 배출하기 위해 상기 챔버의 바닥 둘레를 따라 형성된 배출구를 포함하는 반도체 제조장치.
KR1020090013154A 2009-02-17 2009-02-17 반도체 제조장치 KR101091369B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090013154A KR101091369B1 (ko) 2009-02-17 2009-02-17 반도체 제조장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090013154A KR101091369B1 (ko) 2009-02-17 2009-02-17 반도체 제조장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100093974A true KR20100093974A (ko) 2010-08-26
KR101091369B1 KR101091369B1 (ko) 2011-12-07

Family

ID=42758214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090013154A KR101091369B1 (ko) 2009-02-17 2009-02-17 반도체 제조장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101091369B1 (ko)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5444217A (en) 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
US6530994B1 (en) 1997-08-15 2003-03-11 Micro C Technologies, Inc. Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing
JP2003347228A (ja) 2002-05-30 2003-12-05 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101091369B1 (ko) 2011-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI649781B (zh) 用於化學氣相沈積之自定中心晶圓載具系統
JP4958798B2 (ja) 化学気相成長リアクタ及び化学気相成長法
TWI385274B (zh) 氣相成長裝置及氣相成長方法
US9175392B2 (en) System for multi-region processing
US6821347B2 (en) Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
EP2227576B1 (en) Apparatus for delivering precursor gases to an epitaxial growth substrate
US9637822B2 (en) Multi-rotation epitaxial growth apparatus and reactors incorporating same
TWI503867B (zh) Ｃｖｄ製程及ｃｖｄ反應器
US20110073039A1 (en) Semiconductor deposition system and method
WO2008088743A1 (en) Gas treatment systems
KR20090038606A (ko) 서셉터 및 이를 이용한 반도체 제조방법
US20190032244A1 (en) Chemical vapor deposition system
CN108630594B (zh) 衬底处理设备
JP4600820B2 (ja) エピタキシャル成長装置
KR101091369B1 (ko) 반도체 제조장치
JP2007109685A (ja) 化合物半導体製造装置および化合物半導体製造方法
JPH09266173A (ja) 有機金属気相成長装置
KR20090114132A (ko) 반도체 제조장치
TWI745656B (zh) 氣相成長方法
JP5493062B2 (ja) 有機金属気相成長装置
WO2016209647A1 (en) Self-centering wafer carrier system for chemical vapor deposition
JP2012084581A (ja) 気相成長装置
KR101804127B1 (ko) 박막 증착 방법
KR20090114825A (ko) 반도체 제조장치
JP7002722B2 (ja) 気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141106

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151105

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161104

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171107

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee