JP2011501435A - レシピ制御されたメニスカスによるウエハ表面の処理においてギャップ値をメニスカスの安定性に相関させるための方法および装置 - Google Patents
レシピ制御されたメニスカスによるウエハ表面の処理においてギャップ値をメニスカスの安定性に相関させるための方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011501435A JP2011501435A JP2010529954A JP2010529954A JP2011501435A JP 2011501435 A JP2011501435 A JP 2011501435A JP 2010529954 A JP2010529954 A JP 2010529954A JP 2010529954 A JP2010529954 A JP 2010529954A JP 2011501435 A JP2011501435 A JP 2011501435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- meniscus
- gap
- recipe
- current
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 title claims abstract description 407
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 197
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 112
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 147
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 101
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 49
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 15
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 10
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 claims description 4
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 176
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 34
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- JBYXPOFIGCOSSB-GOJKSUSPSA-N 9-cis,11-trans-octadecadienoic acid Chemical compound CCCCCC\C=C\C=C/CCCCCCCC(O)=O JBYXPOFIGCOSSB-GOJKSUSPSA-N 0.000 description 1
- 101000577080 Homo sapiens Mitochondrial-processing peptidase subunit alpha Proteins 0.000 description 1
- 101000740659 Homo sapiens Scavenger receptor class B member 1 Proteins 0.000 description 1
- 102100025321 Mitochondrial-processing peptidase subunit alpha Human genes 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】装置は、ウエハに対して実行されるメニスカスプロセスを監視する。プロセッサによって受信される現在の処理の監視データは、ウエハおよび処理ヘッドの間のギャップの特徴を示す。プロセッサは、姿勢監視信号の形態であるデータと現行レシピとに応答するよう構成される。プロセッサは、さらなるメニスカス処理においてメニスカスを安定に保つことを可能にするためのメニスカス監視信号を生成する。監視は、現在のギャップが、(i)現行レシピの所望のギャップ以外のギャップであり、かつ、(ii)安定したメニスカスに対応するか否かを判定するために現在のメニスカス処理に対して行われる。その場合、較正レシピが、現在の、ギャップを指定するものとして特定される。この較正レシピは、現在のギャップによるウエハ面のメニスカス処理のためのパラメータを指定する。ウエハ面のメニスカス処理は、特定された較正レシピによって指定されたパラメータを用いて継続される。
【選択図】図2E
Description
Claims (24)
- ウエハ面のメニスカス処理を監視してメニスカスの安定性を維持するための装置であって、前記処理はレシピに応じた処理であり、前記装置は、
流体放出面を備えるよう構成された近接ヘッドであって、前記流体放出面は、前記流体放出面および前記ウエハ面の間のギャップにわたって広がる前記メニスカスを規定するために流体を供給および収集し、メニスカスの安定性は前記メニスカスの連続的な構造によって特徴付けられ、メニスカスの不安定性は前記メニスカスの不連続な構造によって特徴付けられる、近接ヘッドと、
前記メニスカス処理のために前記ヘッドに対して移動できるように前記ウエハを載置するよう構成されたキャリアであって、前記移動中に、前記ウエハ面および前記流体放出面の相対的な所望の姿勢が、望ましくない相対姿勢に変化しうる、キャリアと、
前記ヘッドに取り付けられたメニスカス監視システムであって、前記ギャップを横切って前記メニスカスの第1の位置へ第1の監視ビームを向けるよう構成された第1のメニスカスモニタと、前記ギャップを横切って前記メニスカスの第2の位置へ、前記第1のビームとは別個に第2の監視ビームを向けるよう構成された第2のメニスカスモニタとを備え、前記メニスカスモニタの各々は、現行レシピに応じた処理中に、それぞれの前記メニスカス位置において、前記ウエハ面および前記流体放出面の相対姿勢を表す別個の姿勢監視信号を生成するためにそれぞれの前記監視ビームの反射を別個に受信するよう構成されている、メニスカス監視システムと、
前記姿勢監視信号と前記現行レシピとに応答して、前記メニスカスの安定性の維持を可能にするためにメニスカス監視信号を生成するよう構成されたプロセッサと
を備える装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記キャリアは、さらに、前記ウエハ面の両側にあるキャリアサイドを備えるよう構成されており、前記所望の姿勢では、前記キャリアサイドは、前記ウエハ面と同一平面上に存在し、
前記第1のメニスカスモニタは、前記ギャップを横切って一方の前記キャリアサイド上に前記第1の監視ビームを向けるよう構成されており、
前記第2のメニスカスモニタは、前記ギャップを横切って他方の前記キャリアサイド上に前記第2の監視ビームを向けるよう構成されており、
前記メニスカスモニタの各々は、さらに、前記別個の姿勢監視信号を生成するために、それぞれの前記キャリアサイドから、それぞれの前記監視ビームの前記反射を別個に受信するよう構成されている装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記ヘッドは、さらに、前記キャリアに対する前記流体放出面の前記姿勢を変化させる前記ヘッドの調整のために物理的パラメータを備えるよう構成されており、
前記プロセッサは、さらに、前記物理的パラメータの内の特定の1または複数の物理的パラメータの定量的調整量を表す前記メニスカス監視信号を生成するよう構成されており、前記特定の1または複数の物理的パラメータは、前記メニスカスの安定性を維持しつつ処理の継続を可能にするために調整される前記物理的パラメータである装置。 - 請求項3に記載の装置であって、
前記キャリアは、さらに、前記ウエハ面の両側にあるキャリアサイドを備えるよう構成されており、前記所望の姿勢では、前記キャリアサイドは、前記ウエハ面と同一平面上に存在し、
前記調整のための前記さらなる構成の前記ヘッドは、前記キャリアの前記両側のサイドと前記流体放出面とが非一様なギャップだけ互いに離間される傾斜を回避するためのものであり、
前記さらなる構成の前記プロセッサは、前記傾斜の定量的調整量を前記特定の物理的パラメータとして表すために前記メニスカス監視信号を生成し、前記傾斜の前記定量的調整量は、前記メニスカスの安定性を維持しつつ処理の継続を可能にするような量である装置。 - 請求項2に記載の装置であって、
前記現行レシピは、前記メニスカスを構成するためのプロセスパラメータを指定し、
前記プロセッサは、さらに、前記現行レシピの前記プロセスパラメータの内の特定の1または複数のプロセスパラメータの定量的調整量を表す前記メニスカス監視信号を生成するよう構成され、前記特定の1または複数のプロセスパラメータは、前記メニスカスの安定性の維持を可能にするために調整される前記現行レシピの前記プロセスパラメータである装置。 - 請求項5に記載の装置であって、特定のプロセスパラメータは、
前記流体が前記ギャップに供給される圧力、
前記流体が前記ギャップから収集される圧力、
前記近接ヘッドに対する前記ウエハの移動の速度、
前記近接ヘッドに対する前記ウエハの移動の速度のタイミング、
前記流体が前記ギャップに供給される位置であって、前記センサの位置に対する位置、および、
前記流体が前記ギャップから収集される位置
の内の1または複数である装置。 - 請求項2に記載の装置であって、
前記現行レシピは、前記ウエハ面および前記流体放出面の間に一様なギャップを有する前記所望の姿勢を提供するように、現在のプロセスパラメータを指定し、
前記姿勢監視信号は、現在のギャップと前記現在のギャップのギャップ値とを表し、前記現在のギャップは望ましくないギャップであり、
前記プロセッサは、さらに、前記姿勢監視信号に応答して前記望ましくないギャップをメニスカスの安定性と相関させて、前記プロセスパラメータの内の特定の1または複数のプロセスパラメータの定量的調整量を含む修正済みレシピを表す前記メニスカス監視信号を生成するよう構成されており、前記特定の1または複数のプロセスパラメータは、前記現在のギャップにおいて前記メニスカスの安定性を維持できるように調整される前記現在のプロセスパラメータである、装置。 - 請求項7に記載の装置であって、前記相関させるよう構成された前記プロセッサは、
複数の較正レシピを含む行列を格納するためのデータベースであって、各較正レシピは、前記望ましくないギャップの1つ、および、前記1つの望ましくないギャップにわたって安定的であるメニスカスに対応する特定のプロセスパラメータの値を規定する、データベースと、
前記現在のギャップを規定する較正レシピを特定すると共に、前記現行レシピを修正して前記修正済みの現行レシピに応じた前記ウエハのさらなる処理中に前記メニスカスの安定性を維持するのに前記現行レシピのどの特定のプロセスパラメータを量的に調整するかを決定するために、前記現在のギャップを、前記行列に含まれる前記較正レシピの1つの前記望ましくないギャップの1つと照合するための命令と、を備える装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記プロセッサは、さらに、前記現行レシピによって指定された近接ヘッド姿勢のための物理的パラメータを用いたセットアップモードでの動作のために構成されており、前記動作はメニスカスなしに実行され、
前記セットアップモードにおいて、前記姿勢監視信号は、前記ウエハ面および前記流体放出面の相対姿勢が、前記所望の姿勢であるか前記望ましくない姿勢であるかを集合的に示し、
前記プロセッサは、さらに、前記セットアップモード中に生成された前記姿勢監視信号と次のレシピとに応答して、前記ヘッドの前記物理的パラメータの内の1または複数を前記キャリアに対して調整するための少なくとも1つの定量的調整量を規定するセットアップ信号を生成するよう構成されており、前記調整は、前記次のレシピに従った前記ウエハの処理中に前記メニスカスを安定させるために前記次のレシピによって指定された一様なギャップの値を提供する装置。 - メニスカスを用いたウエハ面の処理を監視するための装置であって、前記監視は、前記処理中に前記メニスカスを安定に維持することによってメニスカス分断を回避し、前記処理はレシピに応じて実行され、前記装置は、
流体放出面を備えるよう構成された近接ヘッドであって、前記流体放出面は、前記流体放出面および前記ウエハ面の間のギャップを横切る構造で広がる前記メニスカスを規定するために流体を供給および収集し、前記メニスカス分断は、連続的なメニスカス構造を不連続なメニスカス構造に変化させる、近接ヘッドと、
前記流体放出面が前記ウエハ面に対する所望の姿勢にある状態で、前記ヘッドと相対的に移動させるために前記ウエハを載置するよう構成されたキャリアであって、前記ウエハの移動は、前記流体放出面が前記ウエハ面に対する望ましくない姿勢にある状態での移動をさらに含み、前記キャリアは、さらに、前記ウエハ面の両側に位置し、前記所望の姿勢では前記ウエハ面と同一平面上に存在するキャリアサイドを備えるよう構成されている、キャリアと、
前記近接ヘッド上に取り付けられたメニスカス監視システムであって、前記ギャップを横切って前記キャリアサイドの一方の上に第1のレーザビームを向けるよう構成された第1のメニスカスモニタと、前記ギャップを横切って前記キャリアサイドの他方の上に、前記第1のビームとは別個に第2のレーザビームを向けるよう構成された第2のメニスカスモニタとを備え、前記メニスカスモニタの各々は、それぞれの前記キャリアサイドで前記ウエハ面および前記流体放出面の相対姿勢を表す別個の姿勢監視信号を生成するために前記キャリアのそれぞれの前記キャリアサイドからのそれぞれの前記レーザビームの反射を別個に受信するよう構成されている、メニスカス監視システムと、
前記姿勢監視信号および現行レシピに応答して、さらなるメニスカス処理中に前記メニスカスを安定に維持できるようにするメニスカス監視信号を生成するよう構成されたプロセッサと
を備える装置。 - 請求項10に記載の装置であって、
前記近接ヘッドは、さらに、前記キャリアに対して前記ヘッドの前記流体放出面を調整するよう構成された調整器を備え、
前記キャリアは、さらに、前記近接ヘッドが前記キャリアに対して調整された姿勢にある状態で、前記近接ヘッドの近傍を通過するように前記ウエハを案内するよう構成され、
前記プロセッサは、さらに、前記現行レシピ後の次のレシピに応じたウエハの処理中に前記近接ヘッドの近傍で別のウエハを通過させる移動の際に、前記流体放出面が、前記次のレシピに従った処理中に安定した前記メニスカスを維持できるような前記キャリアに対する相対姿勢に配置されるように、前記調整器が前記キャリアに対して前記ヘッドの前記流体放出面を調整する量である前記近接ヘッドの定量的調整量を表す前記メニスカス監視信号を生成するよう構成されている装置。 - 請求項11に記載の装置であって、
前記調整器は、前記ヘッドの前記定量的調整量を表す前記メニスカス監視信号に応答するよう構成され、前記応答は、前記キャリアに対して前記流体放出面を移動させるための前記ヘッドの調整であり、
前記ヘッドが調整された状態で、前記キャリアは、前記次のレシピに応じた処理中に前記メニスカスの安定性を維持できるように前記次のレシピによって指定された前記所望の相対姿勢にある前記近接ヘッドの近傍を通過するよう前記ウエハを案内する装置。 - 請求項10に記載の装置であって、
前記プロセッサは、前記ウエハ面に対する前記望ましくない姿勢から前記所望の姿勢に前記流体放出面を方向付けて、さらなるメニスカス処理中に安定した前記メニスカスの維持を可能にするために前記ヘッドに対してなされる調整の形態で、前記生成されたメニスカス監視信号を表示するよう構成されている装置。 - 請求項10に記載の装置であって、
前記現行レシピは、前記ウエハ面および前記流体放出面の間に一様なギャップを有する前記所望の姿勢を提供するように、プロセスパラメータを指定し、
前記メニスカス監視システムは、さらに、前記ウエハ面および前記流体放出面の間の非一様なギャップを表す前記姿勢監視信号を生成するよう構成され、
前記プロセッサは、さらに、前記非一様なギャップを較正レシピと相関させるよう構成されており、前記較正レシピは、前記非一様なギャップと、前記ギャップが前記非一様なギャップの値を有していても安定したメニスカスを生成するプロセスパラメータとを指定し、前記相関の結果、前記較正レシピによって修正された前記現行レシピに従って前記処理を継続することにより、前記非一様なギャップが前記ウエハ面および前記流体放出面の間に残ったままであっても前記安定したメニスカスが維持されることが可能になる装置。 - 請求項10に記載の装置であって、さらに、複数の行列レシピを含む行列を格納するデータベースを備え、
行列レシピの各々は、前記ギャップの非一様な値を指定し、非一様なギャップの各々は、前記ウエハ面および前記流体放出面の間に存在し前記望ましくない姿勢の1つに対応するギャップであり、非一様なギャップの各々に対して、前記行列レシピは、安定したメニスカスに対応する特定のプロセスパラメータの値を含み、
前記現行レシピは、前記ウエハ面および前記流体放出面の間に一様なギャップを有する前記所望の姿勢を提供するように、プロセスパラメータを指定し、
前記メニスカス監視システムは、さらに、前記ウエハ面および前記流体放出面の間の現在の非一様なギャップを表す前記姿勢監視信号を生成するよう構成され、
前記プロセッサは、さらに、前記現行レシピによって指定された前記プロセスパラメータの内の特定の1または複数のプロセスパラメータの定量的調整量を生成するよう構成されており、前記特定のプロセスパラメータは、前記姿勢監視信号によって表された前記現在のギャップと同じである非一様なギャップを有する前記行列レシピに従って調整される前記現行レシピの前記プロセスパラメータであり、前記定量的調整量で前記現行レシピを修正することにより、前記現在の非一様なギャップが前記ウエハ面および前記流体放出面の間に残っていても、さらなるメニスカス処理中の前記安定したメニスカスの維持が可能になる装置。 - メニスカスを安定させるためにウエハ面のメニスカス処理を監視する方法であって、前記処理は、前記ウエハ面および近接ヘッドの間の所望のギャップを規定する現行レシピに応じた処理であり、前記方法は、
現在のギャップが前記所望のギャップではないと判定するために現在のメニスカス処理を監視する工程と、
前記現在のギャップを指定する較正レシピを特定する工程と、
前記特定された較正レシピによって指定されたプロセスパラメータを用いて、前記ウエハ面の前記メニスカス処理を継続する工程と
を備える方法。 - 請求項16に記載の方法であって、さらに
前記現在のギャップが、許容可能なギャップの範囲内にあるか否かを最初に決定する工程であって、前記範囲内の前記ギャップは、安定したメニスカスを用いたメニスカス処理に対応する、工程と、
前記現在のギャップが前記許容可能なギャップの範囲内にある場合にのみ、前記特定工程および前記継続工程を実行する工程と
を備える方法。 - 請求項16に記載の方法であって、さらに
前記現在のギャップが、許容可能なギャップの範囲内にあるか否かを最初に決定する工程であって、前記範囲内の前記ギャップは、安定したメニスカスを用いたメニスカス処理に対応する、工程と、
前記現在のギャップが前記許容可能なギャップの範囲内にない場合に、前記メニスカス処理を中断する工程と
を備える方法。 - 請求項16に記載の方法であって、前記特定工程は、安定したメニスカスのためのプロセスパラメータをそれぞれ指定するものとして知られている複数の較正レシピをレビューする工程を備える方法。
- 請求項19に記載の方法であって、前記特定工程は、さらに、
前記現在のギャップを、前記現在のギャップと同じであるギャップを指定する前記複数の較正レシピの内の1つ較正レシピによって指定されたギャップと照合する工程と、
前記継続工程で用いる前記1つの較正レシピの前記プロセスパラメータを特定する工程と
を備える方法。 - 請求項20に記載の方法であって、前記ウエハ面の前記メニスカス処理を継続する工程は、
新しい現行レシピを規定するために、前記1つの較正レシピによって指定された前記プロセスパラメータと一致するように、前記現行レシピの前記プロセスパラメータを調整する工程と、
前記継続工程で前記新しい現行レシピの前記プロセスパラメータを用いて、前記ウエハを処理する工程と
を備える方法。 - 請求項21に記載の方法であって、さらに、
前記新しい現行レシピの前記プロセスパラメータを表すプロセス制御信号を生成する工程と、
前記ウエハを処理する工程が、前記新しい現行レシピによって特定された前記プロセスパラメータを用いて前記ウエハを処理するように、前記プロセス制御信号に応答して自動的に前記調整工程を実行する工程と
を備える方法。 - 請求項21に記載の方法であって、前記調整工程は、前記特定の1つの較正レシピによって指定された前記プロセスパラメータと一致するように、前記現行レシピの前記プロセスパラメータを手動で調整させる工程を備える方法。
- ウエハ面のメニスカス処理を監視してメニスカスを安定状態に維持するための方法であって、前記処理は、前記ウエハ面および近接ヘッドの間の所望のギャップを指定する現行レシピに応じた処理であり、前記現行レシピは、さらに、前記メニスカス処理のためのプロセスパラメータを指定しており、前記方法は、
現在のギャップが、所望のギャップ以外であり、かつ、メニスカスを前記安定状態に維持することを許容するギャップ値で構成されているか否かを判定するために、現在のメニスカス処理を監視する工程と、
現在のギャップが、所望のギャップ以外のものであり、かつ、前記構成を有すると判定された場合に、前記現在のギャップと、前記現在のギャップにわたって安定したメニスカスを確立するのに用いるための較正済みプロセスパラメータとを指定する較正レシピを特定する工程と、
前記現行レシピの前記プロセスパラメータを、前記特定された較正レシピの前記プロセスパラメータに自動的に調整する工程と、
前記特定された較正レシピによって指定された前記プロセスパラメータを用いて、前記ウエハ面の前記メニスカス処理を継続する工程と
を備える方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US99958507P | 2007-10-18 | 2007-10-18 | |
US60/999,585 | 2007-10-18 | ||
US12/246,461 US8051863B2 (en) | 2007-10-18 | 2008-10-06 | Methods of and apparatus for correlating gap value to meniscus stability in processing of a wafer surface by a recipe-controlled meniscus |
US12/246,461 | 2008-10-06 | ||
PCT/US2008/011869 WO2009051795A1 (en) | 2007-10-18 | 2008-10-17 | Methods of and apparatus for correlating gap value to meniscus stability in processing of a wafer surface by a recipe-controlled meniscus |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011501435A true JP2011501435A (ja) | 2011-01-06 |
JP2011501435A5 JP2011501435A5 (ja) | 2011-11-24 |
JP5313258B2 JP5313258B2 (ja) | 2013-10-09 |
Family
ID=40562224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010529954A Expired - Fee Related JP5313258B2 (ja) | 2007-10-18 | 2008-10-17 | レシピ制御されたメニスカスによるウエハ表面の処理においてギャップ値をメニスカスの安定性に相関させるための方法および装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8051863B2 (ja) |
JP (1) | JP5313258B2 (ja) |
KR (1) | KR101555390B1 (ja) |
CN (1) | CN102318053B (ja) |
TW (1) | TWI414918B (ja) |
WO (1) | WO2009051795A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8143074B2 (en) * | 2007-11-16 | 2012-03-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor processing system and method of processing a semiconductor wafer |
KR20100066631A (ko) * | 2008-12-10 | 2010-06-18 | 삼성전자주식회사 | 세정설비 및 그의 세정방법 |
WO2012064868A2 (en) * | 2010-11-09 | 2012-05-18 | Suganit Systems, Inc. | Ionic liquid recovery and purification in biomass treatment processes |
US11220737B2 (en) * | 2014-06-25 | 2022-01-11 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
US11267012B2 (en) * | 2014-06-25 | 2022-03-08 | Universal Display Corporation | Spatial control of vapor condensation using convection |
EP2960059B1 (en) | 2014-06-25 | 2018-10-24 | Universal Display Corporation | Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials |
US10566534B2 (en) | 2015-10-12 | 2020-02-18 | Universal Display Corporation | Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP) |
US20210331287A1 (en) * | 2020-04-22 | 2021-10-28 | Industrial Technology Research Institute | Grinding and polishing simulation method and system and grinding and polishing process transferring method |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006501691A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-01-12 | ラム リサーチ コーポレーション | 動的液体メニスカスを使用して基板を処理する方法及びシステム |
JP2006255590A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2007208247A (ja) * | 2005-12-30 | 2007-08-16 | Lam Res Corp | 基板を洗浄するための装置およびシステム |
JP2007524225A (ja) * | 2003-06-24 | 2007-08-23 | ラム リサーチ コーポレーション | ウェハプロセス内でのインサイチュ測定を統合するシステム及び方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3953265A (en) * | 1975-04-28 | 1976-04-27 | International Business Machines Corporation | Meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers |
US4021278A (en) * | 1975-12-12 | 1977-05-03 | International Business Machines Corporation | Reduced meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers |
US4544446A (en) * | 1984-07-24 | 1985-10-01 | J. T. Baker Chemical Co. | VLSI chemical reactor |
TW494714B (en) * | 1995-04-19 | 2002-07-11 | Tokyo Electron Ltd | Method of processing substrate and apparatus for processing substrate |
US6021789A (en) * | 1998-11-10 | 2000-02-08 | International Business Machines Corporation | Wafer cleaning system with progressive megasonic wave |
US6539952B2 (en) * | 2000-04-25 | 2003-04-01 | Solid State Equipment Corp. | Megasonic treatment apparatus |
US6488040B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-12-03 | Lam Research Corporation | Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying |
US6379982B1 (en) | 2000-08-17 | 2002-04-30 | Micron Technology, Inc. | Wafer on wafer packaging and method of fabrication for full-wafer burn-in and testing |
US6688784B1 (en) * | 2000-10-25 | 2004-02-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Parallel plate development with multiple holes in top plate for control of developer flow and pressure |
JP4189141B2 (ja) * | 2000-12-21 | 2008-12-03 | 株式会社東芝 | 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 |
DE60218163T2 (de) * | 2001-06-12 | 2007-11-22 | Akrion Technologies Inc., Wilmington | Megaschallreinigungs- und trocknungsvorrichtung |
CN1165075C (zh) * | 2001-08-06 | 2004-09-01 | 矽统科技股份有限公司 | 晶片洗净装置和方法 |
US6742279B2 (en) * | 2002-01-16 | 2004-06-01 | Applied Materials Inc. | Apparatus and method for rinsing substrates |
JP4033689B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2008-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
US6796054B2 (en) * | 2002-03-12 | 2004-09-28 | Tokyo Electron Limited | Low-pressure dryer and low-pressure drying method |
JP4570008B2 (ja) * | 2002-04-16 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP2003340386A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-02 | Toshiba Corp | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
JP4005879B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 現像方法、基板処理方法、及び基板処理装置 |
US6988327B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus |
US7093375B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US7389783B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-24 | Lam Research Corporation | Proximity meniscus manifold |
US6998327B2 (en) * | 2002-11-19 | 2006-02-14 | International Business Machines Corporation | Thin film transfer join process and multilevel thin film module |
JP2005093733A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Ebara Corp | 基板処理装置 |
US7078344B2 (en) | 2003-03-14 | 2006-07-18 | Lam Research Corporation | Stress free etch processing in combination with a dynamic liquid meniscus |
US7675000B2 (en) | 2003-06-24 | 2010-03-09 | Lam Research Corporation | System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology |
US7476290B2 (en) * | 2003-10-30 | 2009-01-13 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP4271109B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2009-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置 |
-
2008
- 2008-10-06 US US12/246,461 patent/US8051863B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-17 JP JP2010529954A patent/JP5313258B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-17 KR KR1020107010810A patent/KR101555390B1/ko active IP Right Grant
- 2008-10-17 WO PCT/US2008/011869 patent/WO2009051795A1/en active Application Filing
- 2008-10-17 CN CN200880113114.XA patent/CN102318053B/zh active Active
- 2008-10-20 TW TW097140157A patent/TWI414918B/zh not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-09-22 US US13/241,122 patent/US8287656B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006501691A (ja) * | 2002-09-30 | 2006-01-12 | ラム リサーチ コーポレーション | 動的液体メニスカスを使用して基板を処理する方法及びシステム |
JP2007524225A (ja) * | 2003-06-24 | 2007-08-23 | ラム リサーチ コーポレーション | ウェハプロセス内でのインサイチュ測定を統合するシステム及び方法 |
JP2006255590A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2007208247A (ja) * | 2005-12-30 | 2007-08-16 | Lam Res Corp | 基板を洗浄するための装置およびシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI414918B (zh) | 2013-11-11 |
WO2009051795A1 (en) | 2009-04-23 |
US8287656B2 (en) | 2012-10-16 |
US20090101173A1 (en) | 2009-04-23 |
US20120006359A1 (en) | 2012-01-12 |
US8051863B2 (en) | 2011-11-08 |
TW200943013A (en) | 2009-10-16 |
KR101555390B1 (ko) | 2015-09-23 |
KR20100080615A (ko) | 2010-07-09 |
CN102318053B (zh) | 2014-12-24 |
JP5313258B2 (ja) | 2013-10-09 |
CN102318053A (zh) | 2012-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5313258B2 (ja) | レシピ制御されたメニスカスによるウエハ表面の処理においてギャップ値をメニスカスの安定性に相関させるための方法および装置 | |
JP4384662B2 (ja) | ウェハプロセス内でのインサイチュ測定を統合するシステム及び方法 | |
KR100809127B1 (ko) | 가스 공급 장치, 기판 처리 장치 및 가스 공급 방법 | |
US20090269171A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate transfer method adopted therein | |
JP2018098239A (ja) | 載置台及びプラズマ処理装置 | |
US7535688B2 (en) | Method for electrically discharging substrate, substrate processing apparatus and program | |
JP6183705B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US8623152B2 (en) | Reduction of entrance and exit marks left by a substrate-processing meniscus | |
JP6758247B2 (ja) | 洗浄装置および基板処理装置、洗浄装置のメンテナンス方法、並びにプログラム | |
JP2020057696A5 (ja) | ||
JP5103517B2 (ja) | 傾斜した真空導管システムを備えた近接ヘッド、並びに、その装置および方法 | |
US7352461B2 (en) | Particle detecting method and storage medium storing program for implementing the method | |
JP2021091033A (ja) | 研磨装置、研磨ヘッド、研磨方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007294490A (ja) | 基板の洗浄装置およびこれを用いた基板の洗浄方法 | |
JP2017118049A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP5616279B2 (ja) | 基板保持装置、基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2018170370A (ja) | 研磨装置、研磨方法、およびプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111004 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120807 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121105 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130611 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130703 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5313258 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |