JP2011238675A - 電子回路構成部品実装構造 - Google Patents
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 157
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 51
- 238000010828 elution Methods 0.000 claims description 15
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 abstract description 8
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 abstract 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0364—Conductor shape
- H05K2201/0367—Metallic bump or raised conductor not used as solder bump
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/0989—Coating free areas, e.g. areas other than pads or lands free of solder resist
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/099—Coating over pads, e.g. solder resist partly over pads
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【課題】はんだ接合部の内部におけるボイドを低減する。
【解決手段】回路基板の基材2の表面に設けた電極ランド3、4と、回路基板に実装する部品22と、電極ランド3、4と部品22の端子21とを電気的に接続するはんだ5とを含む電子回路構成部品実装構造において、電極ランドの表面の中央領域とその周辺領域とで成分を異ならせる。これにより、はんだ5を溶融した際、電極ランド3、4の成分の溶出における物質伝達速度に差が生じ、液状となったはんだ5の内部における電極ランド3、4の成分の拡散に伴う流動により撹拌が促進される。
【選択図】図4
【解決手段】回路基板の基材2の表面に設けた電極ランド3、4と、回路基板に実装する部品22と、電極ランド3、4と部品22の端子21とを電気的に接続するはんだ5とを含む電子回路構成部品実装構造において、電極ランドの表面の中央領域とその周辺領域とで成分を異ならせる。これにより、はんだ5を溶融した際、電極ランド3、4の成分の溶出における物質伝達速度に差が生じ、液状となったはんだ5の内部における電極ランド3、4の成分の拡散に伴う流動により撹拌が促進される。
【選択図】図4
Description
本発明は、電子回路構成部品実装構造に関する。
回路基板に集積回路等を実装する技術の一つとしてボールグリッドアレイ実装技術(BGA実装技術)がある。
従来のBGA実装技術は、回路基板の電極ランドにはんだペーストを印刷し、その上部にボールグリッドアレイ(Ball Grid Array:BGA)をはんだリフローにより実装するものであり、電極ランドの表面は、1種類の金属材料で形成されている。この1種類の金属材料に含まれる成分がはんだリフロー時にはんだ中の金属に溶解して相互拡散し、金属結合を形成する。
ここで、BGAとは、集積回路等のパッケージの底面に径の小さいはんだで形成されたボール状電極(バンプともいう。)をディスペンサで格子状に並べたものをいう。
特許文献1には、導体金属部材との金属の拡散性が異なる複数種類の電極ランドが各々、導体金属部材と接合されている接合構造が開示されている。
特許文献2には、半導体チップのボンディングパッド上に形成された金属薄膜と、この金属薄膜上に突出して形成された、銅などで構成された逆台形状の第1の金属層、及びはんだで構成された第2の金属層からなるバンプ電極とを具備し、第2の金属層が炭素、硫黄及び酸素を含有する半導体装置が開示されている。
特許文献1の接合構造は、異なる電極ランドの長所を利用するものであるが、はんだ溶融時における流動性に着眼したものではない。
また、特許文献2の半導体装置の電極構造は、接合されて固定された電極構造の内部における応力を緩和するものであり、これもはんだ溶融時における流動性に着眼したものではない。
従来技術においては、リフロー工程におけるはんだ溶融時、電極ランドの表面又ははんだ合金の内部に残留したフラックス、及びフラックスから発生するガスがはんだ外部へ抜け難く、リフロー後のはんだの内部にボイドが残留しやすい。はんだ内部のボイドは、はんだの機械的及び電気的な接合信頼性に影響を与えるため、フラックス及びボイドを極力低減することが課題となっている。
はんだの内部のフラックス及びボイドを除去するためには、はんだを溶融させた際に液状のはんだを十分に流動させる必要がある。しかし、BGAのように多数のはんだボールのリフローを行う場合、はんだの内部に機械的な攪拌手段を設けることは困難である。
本発明は、機械的な攪拌手段を用いることなく、溶融状態にあるはんだを流動させ、はんだ接合部の内部におけるボイドを低減することを目的とする。
本発明の電子回路構成部品実装構造は、回路基板の基材の表面に設けた電極ランドと、端子を有し前記回路基板に実装する電子回路構成部品と、前記電極ランドと前記端子とを電気的に接続するはんだとを含むものであって、前記電極ランドは、その表面の中央領域とその周辺領域とで成分が異なることを特徴とする。これにより、前記はんだを溶融した際、前記中央領域及び前記周辺領域の成分の溶出における物質伝達速度(拡散速度)に差が生じ、液状となった前記はんだの内部における前記中央領域及び前記周辺領域の成分の拡散に伴う流動により撹拌が促進される。
本発明によれば、はんだ接合部の内部のフラックス及びボイドが極めて少ない電子回路構成部品実装構造を実現することができ、はんだの接合信頼性を向上させることができる。
本発明は、ボールグリッドアレイ(以下、BGAとも呼ぶ。)等、はんだを用いる回路基板の電子回路構成部品実装構造に関し、特に、はんだ接続の長期信頼性が求められる車載用コントロールユニット、又は、小型化が急速に進む民生電子機器に用いる電子回路構成部品実装構造に関する。
以下、本発明の一実施形態に係る電子回路構成部品実装構造並びにこの電子回路構成部品実装構造を有する実装基板、半導体装置及び電子機器について説明する。
前記電子回路構成部品実装構造は、回路基板の基材の表面に設けた電極ランドと、端子を有し基材に実装する電子回路構成部品と、電極ランドと端子とを電気的に接続するはんだとを含むものであって、電極ランドは、その表面の中央領域とその周辺領域とで成分が異なっている。
前記電子回路構成部品実装構造において、中央領域の成分のはんだの内部における物質伝達速度は、周辺領域の成分のはんだの内部における物質伝達速度に比べて小さい。
前記電子回路構成部品実装構造において、中央領域の成分のはんだの内部における物質伝達速度は、周辺領域の成分のはんだの内部における物質伝達速度に比べて大きい。
前記電子回路構成部品実装構造において、はんだは、スズ(Sn)を含む。
前記電子回路構成部品実装構造において、温度が等しい場合に、中央領域の成分がスズ中に拡散する際の拡散係数は、周辺領域の成分がスズ中に拡散する際の拡散係数に比べて小さい。
前記電子回路構成部品実装構造において、温度が等しい場合に、中央領域の成分がスズ中に拡散する際の拡散係数は、周辺領域の成分がスズ中に拡散する際の拡散係数に比べて大きい。
前記電子回路構成部品実装構造において、中央領域の成分のはんだへの中央領域の単位面積当たりの溶出量は、周辺領域の成分のはんだへの周辺領域の単位面積当たりの溶出量に比べて小さい。
前記電子回路構成部品実装構造において、中央領域の成分のはんだへの中央領域の単位面積当たりの溶出量は、周辺領域の成分のはんだへの周辺領域の単位面積当たりの溶出量に比べて大きい。
前記電子回路構成部品実装構造において、中央領域の面積は、電極ランド全体の面積の25分の1〜4分の1である。
前記電子回路構成部品実装構造において、中央領域の高さは、周辺領域の高さよりも高い。
前記電子回路構成部品実装構造において、電子回路構成部品は、ボールグリッドアレイであり、はんだは、ボールグリッドアレイのはんだボールである。
前記実装基板は、上記の電子回路構成部品実装構造を有する。
前記半導体装置は、上記の実装基板を含む。
前記電子機器は、上記の半導体装置を含む。
前記電子回路構成部品実装構造においては、BGA等、はんだを用いる回路基板の電極ランドの表面部に、その中央領域と中央領域以外の部分(電極ランドの表面部の中央領域に対して周辺領域と呼ぶ。)とではんだの成分であるスズ(Sn)への拡散速度が同一温度において異なる成分を含む材料を配置する。Snは、はんだ接合において電極ランドの溶出成分と合金を形成して接合を確実にする成分であるため、電極ランドの溶出成分は、Snに溶出しやすく、拡散しやすいことがその特性として要求される。
ここで、拡散速度は、物質伝達速度N(kg/(m2・s))として下記数式(1)で表されるものであり、拡散係数及び濃度勾配に依存する。
ここで、DABは拡散係数(m2/s)、dC/dx(kg/m4)は濃度勾配である。
したがって、電極ランドから溶出してSnと合金を形成する成分の拡散速度(物質伝達速度N)が速いほど、すなわち、拡散係数が高く、濃度勾配が大きいほど、拡散に伴うはんだの流動による攪拌が促進される。また、濃度勾配に影響を与える因子として、電極ランドから溶出してSnと合金を形成する成分の溶解度がある。
両成分の同一温度におけるSn中における拡散係数の関係は、(中央領域の成分の拡散係数)<(周辺領域の成分の拡散係数)又は(中央領域の成分の拡散係数)>(周辺領域の成分の拡散係数)である。また、中央領域と周辺領域とでSnとの共晶温度が異なる成分を含む材料を配置する。
はんだを溶融した際、中央領域及び周辺領域の成分の溶出における物質伝達速度(拡散速度)に差が生じ、液状となったはんだの内部における中央領域及び周辺領域の成分の拡散に伴う流動により撹拌が促進される。
これにより、リフロー時においてはんだ合金の内部にはんだの流れを発生させ、はんだ内部に残留するフラックス及びボイドがはんだ合金の外部へ抜け易くなり、リフロー後にはんだ内部に残留するフラックス及びボイドが極めて少ない電子回路構成部品実装構造を実現する。
ここで、電子機器には、各種の車載用コントロールユニット、民生電子機器等が含まれる。車載用コントロールユニットには、エンジン、ブレーキ等の制御機器、カーナビゲーションシステム等も含まれる。民生電子機器には、パーソナルコンピュータ、携帯電話、ゲーム機、液晶ディスプレイ及びプラズマディスプレイを含む表示機器、ビデオカメラ、プリンタ、電子手帳、電子辞書等も含まれる。
以下、図を用いて説明する。
図1は、BGA実装後の全体構造断面図を示したものである。
本図において、回路基板の基材2の表面には、BGA基板6がはんだボール5を介して接合されている。BGA基板6の接合面と反対側の表面は、封止樹脂10で被覆されている。
破線で囲んで示した8はBGAであり、9ははんだ接合部である。
図2は、BGAはんだボールを実装する回路基板の電極ランドを示す上面図である。
電極ランド3、4は、回路基板の基材2の表面に設置してある。電極ランド101は、電極ランド3、4を合わせた電極ランド全体を表す。
電極ランド4の周辺の基材2の表面は、レジスト1によって被覆してある。ただし、本図においては、電極ランド4とレジスト1との間に隙間が設けてあり、基材2の表面を露出させている。すなわち、レジスト1が電極ランド3、4にかからないNSMD構造(Non Solder Mask Defined)を有している。
また、電極ランド4は円形であり、その表面の中央領域に円形の電極ランド3が設置してある。すなわち、電極ランド4の中央領域は電極ランド3によって被覆され、電極ランド4の周辺領域(周辺部分)が露出した構成としてある。
さらに、電極ランド3と電極ランド4とは互いに異なる材料を用いている。これらの材料としては、金属材料、又ははんだ付けの際にはんだに溶出する成分を含むセラミックス等が望ましい。
図3は、図2の電極ランドの断面図である。
本図においては、回路基板の基材2の表面に設置された電極ランド4の表面の中央領域に電極ランド3が設置してある。すなわち、電極ランド3の高さは、電極ランド4の高さよりも高くなっている。また、電極ランド4において表面が露出した部分は、電極ランド3、4の周辺領域(周縁部)を構成している。
ここで、電極ランド3に含まれる成分であってはんだ付けの際にはんだに溶出する成分と、電極ランド4に含まれる成分であってはんだ付けの際にはんだに溶出する成分とに関して、はんだに含まれるスズ(Sn)中における拡散速度(拡散係数)を比較すると、電極ランド3に含まれる成分のSn中における拡散速度(拡散係数)は、電極ランド4に含まれる成分のそれよりも小さくしてある。
また、電極ランド3に含まれる成分であってはんだ付けの際にはんだに溶出する成分のSnとの共晶温度は、電極ランド4に含まれる成分であってはんだ付けの際にはんだに溶出する成分のSnとの共晶温度とは異なる。
図4は、BGA実装後のはんだ接合部を示す断面図である。
本図は、図1のはんだ接合部9を拡大して示したものであり、電極ランド3、4は、図2及び3に示したものである。
BGA基板6の回路基板側の表面には、端子21及びレジスト7が設けてある。端子21とレジスト7との間には隙間が設けてある。
本図において、はんだボール5は、レジスト1、7に接触することなく、端子21及び電極ランド3、4に接合されている。1か所の電極ランド3及び4に対してBGA基板6の1個のはんだボール5が対応して接合されている。
本図に示す電子回路構成部品実装構造は、回路基板の基材2の表面に設けた電極ランド3、4と、基材2に実装する集積回路等の部品22(電子回路構成部品)と、電極ランド3、4と部品22の端子21とを電気的に接続するはんだ5とを含み、電極ランド3、4の表面において中央領域と周辺領域とで成分を異ならせる。これにより、はんだ5を溶融した際における電極ランド3、4の成分の拡散速度に差が生じ、液状となったはんだ5の内部において拡散に伴う流動が生じ、はんだ5の撹拌が促進される。
ここで、回路基板とは、集積回路(チップ)等の部品を実装する前の基板をいう。また、実装基板とは、部品を実装した後の基板をいう。
電極ランド3、4の形状は、図2に示す円形だけではなく、例えば、楕円の形状も可能である。
図5は、電極ランドの中央領域のみを楕円形状とした例を示したものである。
本図においては、電極ランド4を円形とし、電極ランド3(中央領域)を楕円形状としてある。
図6は、電極ランドの中央領域及び周辺領域を楕円形状とした例を示したものである。
本図においては、電極ランド3(中央領域)だけでなく、電極ランド4(周辺領域)も楕円形状としてある。これに伴って、レジスト1と電極ランド4との間の隙間の形状も楕円の環状部の形状となっている。
図7は、電極ランドがSMD構造(Solder Mask Defined)を有するものである。図8は、図7の電極ランドの断面図を示したものである。
すなわち、これらの図においては、電極ランド4の外周部の一部がレジスト1によって覆われた構造となっている。
図9は、電極ランドがSMD構造を有し、かつ、楕円形状である例を示したものである。
この場合の電極ランドの断面形状は、図8に示したものと同様の形状となる。
以上のように、実施例の電極ランドは、NSMD構造だけではなく、SMD構造も採用可能である。
次に、実装工程を説明する。
図10A、10B及び10Cは、実装工程のフローを示したものである。これらの図は、BGAを回路基板に設置する工程を表したものである。
まず、回路基板の基材2に設けた電極ランド101にはんだペースト11を印刷する(図10A:印刷工程)。
つぎに、BGA8(封止樹脂10で被覆されたBGA基板6を含む。)のBGA基板6にあらかじめ付着させたはんだボール102をはんだペースト11の表面に設置する(図10B:設置工程)。
その後、BGA8を設置した回路基板をリフロー炉に入れて加熱し、はんだを溶融させてBGA8と回路基板とを接合し、実装基板12とする(図10C:リフロー工程)。ここで、リフロー炉の内部は、窒素雰囲気(酸素濃度は、例えば1000ppm以下である。)とする。
リフロー工程においてはんだが溶融した際、はんだの内部にフラックスが残留し、さらにフラックスからガスが発生する。
従来のように、1種類の電極ランドを用いた場合、これらのフラックス及びガスがはんだの外部に抜けずにボイドとして残留し、はんだの接続信頼性が低下する要因となる。
一方、実施例においては、はんだボールを設置する電極ランドが2種類の材料を組み合わせたものであり、電極ランドの中央領域と周辺領域とで材料を異ならせてある。そして、〔電極ランド中央領域の成分のSn中での拡散速度(拡散係数)〕<〔電極ランド周辺領域の成分のSn中での拡散速度(拡散係数)〕又は〔電極ランド中央領域の成分のSn中での拡散速度(拡散係数)〕>〔電極ランド周辺領域の成分のSn中での拡散速度(拡散係数)〕であるため、リフロー工程におけるはんだ溶融時に、電極ランド中央領域と電極ランド周辺領域とで電極ランドの成分の拡散速度の違いに基づいてはんだ合金内部に流れが発生する。
このため、はんだ内部に取り残されたフラックス及びフラックスから発生したガスは、はんだ溶融時にはんだの外部へ排出され易く、リフロー後は、ボイドが極めて少ないはんだ接合部を形成することができる。これにより、はんだ接合部の長寿命化や、良好かつ設計値通りの放熱性の確保を実現することが可能となる。
図11〜図13は、電極ランドの変形例を示したものである。
図11は、電極ランドの外形が横長の長方形であって、電極ランド中央領域が略正方形である場合を示す上面図である。
本図において、電極ランドの周辺領域を構成する電極ランド4は横長の長方形であり、電極ランドの中央領域を構成する電極ランド3は略正方形である。この電極ランド3、4に接合するはんだは、ボール状(はんだボール)であってもよいし、線状(糸状)であってもよい。
図12は、電極ランドの外形が横長の長方形であって、電極ランド中央領域が縦長の長方形である場合を示す上面図である。
本図において、電極ランドの周辺領域を構成する電極ランド4は横長の長方形である。また、電極ランドの中央領域を構成する電極ランド3は縦長の長方形であり、その端部が電極ランド4の上辺及び下辺に達している。この電極ランド3、4に接合するはんだは、ボール状(はんだボール)であってもよいし、線状(糸状)であってもよい。
図13は、電極ランドが縦長の長方形であって、電極ランド中央領域が縦長の長方形である場合を示す上面図である。
本図において、電極ランドの周辺領域を構成する電極ランド4は縦長の長方形である。また、電極ランドの中央領域を構成する電極ランド3も縦長の長方形であり、その端部が電極ランド4の上辺及び下辺に達している。この電極ランド3、4に接合するはんだは、ボール状(電極ランド3の表面に直線状に配列した複数個のはんだボール)であってもよいし、線状(糸状又は板状)であってもよい。
図11〜13においても、電極ランド3、4の中央領域と周辺領域とで成分を異ならせることにより、円形の電極ランドと同様の撹拌作用を生じさせることができる。はんだが線状(糸状)である場合、はんだの側面部に上昇流又は下降流が生じることにより、撹拌作用が生じる。
図14は、電極ランドとはんだボールとの組み合わせの変形例であって、1か所の電極ランドを4個のはんだボールで接合する場合を示す上面図である。
本図においては、電極ランド3、4がともに横長の長方形であり、電極ランド3の長方形の4角にはんだボール5を設置している。この場合、4個のはんだボールが溶融時に合体することにより、1個のはんだとなって電極ランド3、4の中央領域と周辺領域に接し、所望の拡散による流動を生じさせることができる。
図15A〜15Dは、側面部に端子を有する集積回路を回路基板に実装する場合について示したものである。
図15Aは、6か所の電極ランドを有する回路基板を示す上面図である。
本図に示す回路基板は、1個の集積回路に設けた6個の端子を6か所の電極ランド31に接合するためのものである。
本図において、電極ランド31は、周辺領域を構成する縦長の長方形状の電極ランド41、及び中央領域を構成する横長の長方形状の電極ランド42で形成されている。これにより、図12の場合と同様の撹拌作用を生じさせることができる。
図15Bは、集積回路を回路基板に設置する工程(集積回路設置工程)を示す断面図である。
本図において、集積回路33の両側面部には、端子34が設けてある。一方、回路基板の基材2の電極ランド31には、はんだペースト32が塗布(印刷)してある。端子34と電極ランド31(はんだペースト32)とが接するように回路基板の上に集積回路33を設置する。
図15Cは、図15Bの集積回路実装工程(集積回路設置工程)を示す上面図である。
本図において、端子34は、電極ランド31に接するように設置される。
図15Dは、集積回路を回路基板に接合する工程(集積回路接合工程)を示す断面図である。
本図においては、リフローによってはんだ35(図15Aのはんだペースト32)が溶融し、端子34と電極ランド31とがはんだ付け(接合)されている。はんだ35は、端子34の側面部だけでなく、上面部にも付着している。これは、はんだ35の端子34の表面に対する濡れ性によるものである。
図16は、加熱時のはんだボールの流動状態の一例を示す断面図である。
基本的な構成は、図4の電子回路構成部品実装構造と同様である。
加熱時(はんだ溶融時)においては、はんだボール5の内部に電極ランド3、4の成分が溶出し、それぞれの成分の拡散係数及び溶出量の違いによってはんだボール5の内部に流動が生ずる。
本図において、周辺領域を構成する電極ランド4の拡散成分111は、中央領域を構成する電極ランド3の拡散成分112よりも拡散に起因する流速が速い。このため、液状のはんだボール5の外表面近傍においては、図中上方に向かう流速が速く、液状のはんだボール5の中心軸部分においては、図中下方に向かう流速が速くなる傾向がある。
すなわち、電極ランド3の成分に比べて電極ランド4の成分の拡散係数が大きい場合、又は、電極ランド4の成分の溶出量が多い場合に、これらの成分の拡散に伴う流動によって液状のはんだボール5の内部における撹拌が促進される。
図17は、加熱時のはんだボールの流動状態の他の例を示す断面図である。
本図の場合、中央領域からの拡散の影響が大きくなっている。
本図において、中央領域を構成する電極ランド3の拡散成分112は、周辺領域を構成する電極ランド4の拡散成分111よりも拡散に起因する流速が速い。このため、液状のはんだボール5の外表面近傍においては、図中下方に向かう流速が速く、液状のはんだボール5の中心軸部分においては、図中上方に向かう流速が速くなる傾向がある。
すなわち、電極ランド4の成分に比べて電極ランド3の成分の拡散係数が大きい場合、又は、電極ランド3の成分の溶出量が多い場合に、これらの成分の拡散に伴う流動によって液状のはんだボール5の内部における撹拌が促進される。
はんだが線状(糸状)である場合も、はんだの断面を図示すると、図16及び17に示すようになる。したがって、ボール状のはんだ(はんだボール)の場合と同様の撹拌作用が生じることになる。
次に、実施例の電極ランドの成分について具体的に説明する。
電極ランド3(中央領域)の材料がニッケル(Ni)を主成分とする合金であって、電極ランド4(周辺領域)の材料が金(Au)を主成分とする合金である場合、同一温度において、〔NiのSn中での拡散速度(拡散係数)〕<〔AuのSn中での拡散速度(拡散係数)〕となる。
また、NiとAuとではSnとの共晶温度が異なり、NiとSnとの共晶温度は221℃であり、AuとSnとの共晶温度は280℃である。
電極ランド3(中央領域)の材料がニッケル(Ni)を主成分とする合金であって、電極ランド4(周辺領域)の材料が銅(Cu)を主成分とする合金である場合、同一温度において、〔NiのSn中での拡散速度(拡散係数)〕<〔CuのSn中での拡散速度(拡散係数)〕となる。
また、NiとCuとではSnとの共晶温度が異なり、NiとSnとの共晶温度は221℃であり、CuとSuとの共晶温度は227℃である。
電極ランド3(中央領域)の材料が銅(Cu)を主成分とする合金であって、電極ランド4(周辺領域)の材料が金(Au)を主成分とする合金である場合、同一温度において、〔CuのSn中での拡散速度(拡散係数)〕<〔AuのSn中での拡散速度(拡散係数)〕となる。
また、CuとAuとではSnとの共晶温度が異なり、CuとSnとの共晶温度は227℃であり、AuとSuとの共晶温度は280℃である。
本発明によれば、BGA等のはんだ接合部におけるはんだ内部のフラックス及びボイドが極めて少ない電子回路構成部品実装構造を実現することができ、はんだの接合信頼性を向上させることができる。
特に、自動車に搭載するコントロールユニットにおいては、10年或いはそれ以上の長い寿命が求められており、はんだ接合部の接合信頼性が非常に重要となる。本発明によれば、はんだの破壊進行を促進することが懸念されるはんだ内部のボイドやフラックスが極めて少ないため、はんだの接合長寿命化を図ることが可能となる。
また、自動車に搭載するコントロールユニットのように使用環境の温度条件が非常に厳しい製品の場合、ボイドが残存すると、ボイドの内部の空気等が膨張収縮を繰り返すため、はんだ接合部の疲労破壊が生じやすくなる。パワーモジュールのように放熱量を大きくする必要がある製品の場合、はんだ接合部を介して放熱量を確保するため、はんだ内部のボイドを低減することが必須となる。
本発明によれば、放熱を妨げるボイドが極めて少ないため、設計値通りの放熱量を確保することが可能となる。
さらに、携帯電話やデジタルカメラ等小型化が急速に進む民生機器の場合、BGAはんだ接合部の電極ランドの直径が小さくなり、電極ランドのピッチも狭くなってきている。このため、はんだ内部のボイドがはんだ接合の信頼性にこれまで以上に影響してくる。
本発明によれば、はんだ内部のボイドが極めて少ないため、電極ランドの小径化や狭ピッチ化に対応する信頼の高いはんだ接合を実現することができる。
1:レジスト、2:基材、3、4:電極ランド、5:はんだボール、6:BGA基板、7:レジスト、8:BGA、9:はんだ接合部、10:封止樹脂、11:はんだペースト、12:実装基板、21:端子、22:BGA、31:電極ランド、32:はんだペースト、33:集積回路、34:端子、35:はんだ、101:電極ランド、102:はんだボール、111、112:拡散成分。
Claims (14)
- 回路基板の基材の表面に設けた電極ランドと、端子を有し前記回路基板に実装する電子回路構成部品と、前記電極ランドと前記端子とを電気的に接続するはんだとを含む電子回路構成部品実装構造であって、前記電極ランドは、その表面の中央領域とその周辺領域とで成分が異なることを特徴とする電子回路構成部品実装構造。
- 前記中央領域の成分の前記はんだの内部における物質伝達速度は、前記周辺領域の成分の前記はんだの内部における物質伝達速度に比べて小さいことを特徴とする請求項1記載の電子回路構成部品実装構造。
- 前記中央領域の成分の前記はんだの内部における物質伝達速度は、前記周辺領域の成分の前記はんだの内部における物質伝達速度に比べて大きいことを特徴とする請求項1記載の電子回路構成部品実装構造。
- 前記はんだは、スズを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子回路構成部品実装構造。
- 温度が等しい場合に、前記中央領域の成分がスズ中に拡散する際の拡散係数は、前記周辺領域の成分がスズ中に拡散する際の拡散係数に比べて小さいことを特徴とする請求項4記載の電子回路構成部品実装構造。
- 温度が等しい場合に、前記中央領域の成分がスズ中に拡散する際の拡散係数は、前記周辺領域の成分がスズ中に拡散する際の拡散係数に比べて大きいことを特徴とする請求項4記載の電子回路構成部品実装構造。
- 前記中央領域の成分の前記はんだへの前記中央領域の単位面積当たりの溶出量は、前記周辺領域の成分の前記はんだへの前記周辺領域の単位面積当たりの溶出量に比べて小さいことを特徴とする請求項1記載の電子回路構成部品実装構造。
- 前記中央領域の成分の前記はんだへの前記中央領域の単位面積当たりの溶出量は、前記周辺領域の成分の前記はんだへの前記周辺領域の単位面積当たりの溶出量に比べて大きいことを特徴とする請求項1記載の電子回路構成部品実装構造。
- 前記中央領域の面積は、前記電極ランド全体の面積の25分の1〜4分の1であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子回路構成部品実装構造。
- 前記中央領域の高さは、前記周辺領域の高さよりも高いことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の電子回路構成部品実装構造。
- 前記電子回路構成部品は、ボールグリッドアレイであり、前記はんだは、前記ボールグリッドアレイのはんだボールであることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の電子回路構成部品実装構造。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の電子回路構成部品実装構造を有することを特徴とする実装基板。
- 請求項12記載の実装基板を含むことを特徴とする半導体装置。
- 請求項13記載の半導体装置を含むことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010107017A JP2011238675A (ja) | 2010-05-07 | 2010-05-07 | 電子回路構成部品実装構造 |
PCT/JP2011/060345 WO2011138921A1 (ja) | 2010-05-07 | 2011-04-28 | 電子回路構成部品実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010107017A JP2011238675A (ja) | 2010-05-07 | 2010-05-07 | 電子回路構成部品実装構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011238675A true JP2011238675A (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=44903773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010107017A Pending JP2011238675A (ja) | 2010-05-07 | 2010-05-07 | 電子回路構成部品実装構造 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011238675A (ja) |
WO (1) | WO2011138921A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014192496A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Tdk Corp | 電子デバイス用の接合構造及び電子デバイス |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004047510A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-12 | Fujitsu Ltd | 電極構造体およびその形成方法 |
JP2006216766A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Toshiba Corp | セラミックス配線基板とそれを用いた半導体装置 |
JP2008042071A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 無電解めっき方法 |
-
2010
- 2010-05-07 JP JP2010107017A patent/JP2011238675A/ja active Pending
-
2011
- 2011-04-28 WO PCT/JP2011/060345 patent/WO2011138921A1/ja active Application Filing
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014192496A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Tdk Corp | 電子デバイス用の接合構造及び電子デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011138921A1 (ja) | 2011-11-10 |
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