JP2011238103A - 電源回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】回路規模を増大させることなく、要求に応じた複数の電源を選択的に生成すること。
【解決手段】本発明にかかる電源回路は、出力電圧VOUTAを分圧する第1のフィードバック回路と、出力電圧VOUTBを分圧する第2のフィードバック回路と、第1及び第2のフィードバック回路から出力される分圧電圧のいずれかを切替制御信号に基づいて選択し、出力する第1の選択回路と、第1の選択回路によって選択された分圧電圧と、基準電圧と、を比較し、比較結果に応じた電圧を出力するオペアンプ1と、オペアンプ1の出力電圧に応じた出力電圧VOUTAを生成するトランジスタMN1と、オペアンプ1の出力電圧に応じた出力電圧VOUTBを生成するトランジスタMN2と、切替制御信号に基づいて選択されたトランジスタMN1、MN2のいずれかのゲートに対し、オペアンプ1の出力電圧を出力する第2の選択回路と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明にかかる電源回路は、出力電圧VOUTAを分圧する第1のフィードバック回路と、出力電圧VOUTBを分圧する第2のフィードバック回路と、第1及び第2のフィードバック回路から出力される分圧電圧のいずれかを切替制御信号に基づいて選択し、出力する第1の選択回路と、第1の選択回路によって選択された分圧電圧と、基準電圧と、を比較し、比較結果に応じた電圧を出力するオペアンプ1と、オペアンプ1の出力電圧に応じた出力電圧VOUTAを生成するトランジスタMN1と、オペアンプ1の出力電圧に応じた出力電圧VOUTBを生成するトランジスタMN2と、切替制御信号に基づいて選択されたトランジスタMN1、MN2のいずれかのゲートに対し、オペアンプ1の出力電圧を出力する第2の選択回路と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、電源回路に関し、特に駆動能力の異なる複数の電源を生成する電源回路に関する。
近年、半導体集積回路の高集積化及び小面積化が進んでいる。特に、通信分野では、転送速度を上げるために新しい通信規格が規格化されている。したがって、半導体集積回路は、例えば、新規格のUSB3.0に対応可能な内部回路と、旧規格のUSB2.0に対応可能な内部回路と、を混載する必要が生じている。それに伴い、各内部回路の要求に応じた複数の電源(バイアス電圧、バイアス電流を含む)を選択的に生成可能な電源回路が求められている。
例えば、電源回路は、ある内部回路を駆動するための電源を生成する場合、重い負荷に対応するため、高い駆動能力の電源を生成する必要がある。また、電源回路は、ある内部回路に対してバイアス電圧やバイアス電流を供給する場合、軽い負荷のため駆動能力を重視しなくて良いが、高精度の電源(バイアス電圧、バイアス電流)を生成する必要がある。このように、電源回路は、接続先の負荷に応じた複数の電源を選択的に生成する必要がある。
特許文献1〜特許文献4に、関連する技術が開示されている。
特許文献1に開示されている関連する技術の不揮発性半導体記憶装置は、レギュレート比の異なる複数のレギュレータ回路を備え、それぞれの出力を選択的に切り替えることにより、所望の電源をメモリセルアレイに対して供給する。
特許文献2に開示されている関連する技術の電源装置は、出力電圧を生成するレギュレータ回路と、レギュレータ回路の出力電圧を分圧して当該レギュレータ回路にフィードバックする抵抗回路と、を備える。この電源装置は、負荷に対する電源供給において、所定箇所の電圧レベルが所定の閾値以上となった場合、抵抗回路の分圧比を制御することにより、レギュレータ回路の出力電圧を第二電圧レベルから第一電圧レベルに切り替える。なお、レギュレータ回路は、抵抗回路からの帰還電圧(分圧電圧)と基準電圧とを比較する誤差増幅器と、誤差増幅器の出力結果に応じた電流が流れるトランジスタQ1と、を備える。そして、レギュレータ回路は、トランジスタQ1に流れる電流に応じた出力電圧を生成する。
特許文献3に開示されている関連する技術の電源電圧制御回路は、ボルテージレギュレータ回路において、第1の基準電圧と出力端子の出力電圧とを比較し、当該出力端子の出力電圧を第1の基準電圧に近づけるように調整するオペアンプを備える。そして、この電源電圧制御回路は、電圧レベルの異なる第1及び第2の電源端子のいずれかを選択的に出力端子に接続することにより、当該出力端子の出力電圧の電圧レベルを切り替える。
特許文献4に開示されている関連する技術のレギュレータ回路は、基準電圧出力部と、抵抗分圧回路(フィードバック回路)と、電圧検出コンパレータと、第1及び第2のアンプ回路と、を備える。基準電圧出力部は基準電圧を出力する。抵抗分圧回路は、出力端子に現れる電圧を分圧して電圧レベルの異なる第1及び第2の分圧電圧を出力する。電圧検出コンパレータは、第2の分圧電圧と基準電圧とに基づいて、第2の分圧電圧の検出結果を出力する。第1のアンプ回路は、基準電圧と第1の基準電圧とを比較し、その比較結果に基づいて前記出力端子の出力電圧を制御する。第2のアンプ回路は、基準電圧と第2の基準電圧とを比較し、その比較結果に基づいて前記出力端子の出力電圧を制御する。このレギュレータ回路は、電圧検出コンパレータの検出結果に基づいて、第1及び第2のアンプ回路のいずれか一方を駆動する。また、特許文献4には、第1のアンプ回路がコンパレータを有し、第2のアンプ回路がコンパレータを有さない回路構成が開示されている(特許文献4の図6参照)。
しかし、従来技術の電源回路では、以下のような問題があった。特許文献1に示す回路は、所望の電源を生成するために複数のレギュレータ回路を備えるため、回路規模が増大するという問題があった。
特許文献2に示す回路では、誤差増幅器と、トランジスタQ1と、抵抗回路と、が1つのフィードバックループを形成する。そのため、レギュレータ回路によって生成される出力電圧の駆動能力は、トランジスタQ1に依存してしまう。したがって、特許文献2に示す回路は、接続先の負荷がトランジスタQ1の駆動能力を超えて大きく変動する場合、要求に応じた駆動能力の電源を生成することができないという問題があった。言い換えると、特許文献2に示す回路は、要求に応じた複数の電源を選択的に生成することができないという問題があった。
特許文献3に示す回路は、出力端子の出力電圧を分圧する抵抗回路を備えていない。そのため、特許文献3に示す回路は、当該出力電圧の駆動能力を自由に調整することができないという問題があった。つまり、特許文献3に示す回路は、要求に応じた複数の電源を選択的に生成することができないという問題があった。
特許文献4に示す回路は、出力端子の出力電圧を分圧する抵抗回路を備えている。しかし、当該抵抗回路は2つのアンプ回路によって共用されている。そのため、特許文献4に示す回路は、アンプ回路ごとに駆動能力を自由に調整することができないという問題があった。つまり、特許文献4に示す回路は、要求に応じた複数の電源を選択的に生成することができないという問題があった。
以上のように、従来技術の電源回路では、要求に応じた複数の電源を選択的に生成することができない等の問題があった。
本発明にかかる電源回路は、第1の外部出力端子の出力電圧を分圧し、第1のフィードバック電圧を生成する第1のフィードバック回路と、第2の外部出力端子の出力電圧を分圧し、前記第1のフィードバック電圧と異なる第2のフィードバック電圧を生成する第2のフィードバック回路と、外部からの切替制御信号に基づいて前記第1及び第2のフィードバック電圧のいずれかを選択し、出力する第1の選択回路と、前記第1の選択回路によって選択されたフィードバック電圧と、基準電圧と、を比較し、比較結果に応じた電圧を出力するオペアンプと、前記オペアンプの出力電圧に応じた電圧を、前記第1の外部出力端子の出力電圧として生成する第1のトランジスタと、前記オペアンプの出力電圧に応じた電圧を、前記第2の外部出力端子の出力電圧として生成する第2のトランジスタと、前記切替制御信号に基づいて選択された前記第1及び第2のトランジスタのいずれかの制御端子に対し、前記オペアンプの出力電圧を出力する第2の選択回路と、を備える。
上述のような回路構成により、回路規模を増大させることなく、要求に応じた複数の電源を選択的に生成することができる。
本発明により、回路規模を増大させることなく、要求に応じた複数の電源を選択的に生成することが可能な電源回路を提供することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。なお、図面は簡略的なものであるから、この図面の記載を根拠として本発明の技術的範囲を狭く解釈してはならない。また、同一の要素には、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
実施の形態1
図1は、本発明の実施の形態1にかかる電源回路の回路図である。本実施の形態にかかる電源回路は、1つのオペアンプを共用する複数のフィードバック回路及び対応する複数の出力回路を備えることにより、回路規模を増大させることなく、要求に応じた複数の電源を選択的に生成することを特徴とする。なお、本実施の形態では、図1に示す回路が、高い駆動能力の電源と、駆動能力を重視せず高い精度の電源(定電圧、定電流)と、を選択的に生成する場合を例に説明する。
図1は、本発明の実施の形態1にかかる電源回路の回路図である。本実施の形態にかかる電源回路は、1つのオペアンプを共用する複数のフィードバック回路及び対応する複数の出力回路を備えることにより、回路規模を増大させることなく、要求に応じた複数の電源を選択的に生成することを特徴とする。なお、本実施の形態では、図1に示す回路が、高い駆動能力の電源と、駆動能力を重視せず高い精度の電源(定電圧、定電流)と、を選択的に生成する場合を例に説明する。
図1に示す電源回路は、オペアンプ1と、スイッチ回路2と、レギュレータ出力回路3と、バイアス出力回路4と、レギュレータフィードバック回路5と、バイアスフィードバック回路6と、インバータ7と、電源8と、を備える。
また、スイッチ回路2は、スイッチ21〜24を有する。なお、スイッチ21,22により第2の選択回路を構成する。スイッチ23,24により第1の選択回路を構成する。レギュレータ出力回路3は、NMOSトランジスタ(第1のトランジスタ)MN1と、NMOSトランジスタ(第1のクランプ用トランジスタ)MN3と、を有する。バイアス出力回路4は、PMOSトランジスタMP1と、PMOSトランジスタ(定電流用トランジスタ)MP2と、PMOSトランジスタ(第3のクランプ用トランジスタ)MP3と、NMOSトランジスタ(第2のトランジスタ)MN2と、NMOSトランジスタ(第2のクランプ用トランジスタ)MN4と、を有する。レギュレータフィードバック回路(第1のフィードバック回路)5は、抵抗R1,R2を有する。バイアスフィードバック回路(第2のフィードバック回路)6は、抵抗R3,R4を有する。なお、電源8は、オペアンプ1と、レギュレータ出力回路3と、バイアス出力回路4と、に電源を供給する。
なお、電源回路の入力端子REFには、外部から基準電圧VREFが供給される。電源回路の入力端子SWには、外部から切替制御信号が供給される。電源回路の出力端子(第1の外部出力端子)VOUTAは、電源回路がレギュレータ回路として動作する場合に、レギュレータ電圧を外部に出力する。電源回路の出力端子IOUTは、電源回路がバイアス回路として動作する場合に、バイアス電流を外部に出力する。電源回路の出力端子(第2の外部出力端子)VOUTBは、電源回路がバイアス回路として動作する場合に、バイアス電圧を外部に出力する。
まず、図1に示す電源回路の回路構成について説明する。オペアンプ1の非反転入力端子は、入力端子REFに接続される。オペアンプ1の反転入力端子は、スイッチ23の端子Bとスイッチ24の端子Bとに接続される。オペアンプ1の出力端子は、スイッチ21の端子Bとスイッチ22の端子Bとに接続される。
レギュレータ出力回路3において、NMOSトランジスタMN1はソースフォロア回路を構成する。具体的には、NMOSトランジスタMN1では、ソースが出力端子VOUTAに接続され、ドレインが電源8の高電位側端子(第1の電源端子)に接続され、ゲートがスイッチ21の端子C及びNMOSトランジスタMN3のドレインに接続される。NMOSトランジスタMN3では、ソースが電源8の低電位側端子(第2の電源端子)に接続され、ゲートがインバータ7を介して入力端子SWに接続される。
NMOSトランジスタMN3は、レギュレータ出力回路3の停止時においてNMOSトランジスタMN1のゲートをグランド(接地電位)にクランプするためのものである。具体的には、NMOSトランジスタMN3は、ゲートに印加される切替制御信号に基づいてオンオフが制御される。NMOSトランジスタMN3がオンに制御された場合、電源8の低電位側端子とNMOSトランジスタMN1のゲートとが導通するため、NMOSトランジスタMN1はオフする。それにより、NMOSトランジスタMN1のリーク電流が抑制される。
バイアス出力回路4において、NMOSトランジスタMN2では、ソースが出力端子VOUTBに接続され、ゲートがスイッチ22の端子C及びNMOSトランジスタMN4のドレインに接続される。NMOSトランジスタMN4では、ソースが電源8の低電位側端子に接続され、ゲートが入力端子SWに接続される。
PMOSトランジスタMP1,MP2は、カレントミラー回路を構成する。具体的には、PMOSトランジスタMP1,MP2のソースは、電源8の高電位側端子に接続される。PMOSトランジスタMP1のドレイン及びゲートとPMOSトランジスタMP2のゲートとは、共通してNMOSトランジスタMN2のドレインに接続される。PMOSトランジスタMP2のドレインは、出力端子IOUTに接続される。PMOSトランジスタMP3では、ソースが電源8の高電位側端子に接続され、ドレインがPMOSトランジスタMP1,MP2のゲートに接続され、ゲートがインバータ7を介して入力端子SWに接続される。
PMOSトランジスタMP3は、バイアス出力回路4の停止時においてPMOSトランジスタMP1,MP2のゲートを電源8の高電位側にクランプするためのものである。具体的には、PMOSトランジスタMP3は、ゲートに印加される切替制御信号に基づいてオンオフが制御される。PMOSトランジスタMP3がオンに制御された場合、電源8の高電位側端子とPMOSトランジスタMP1,MP2のゲートとが導通するため、PMOSトランジスタMP1,MP2はオフする。それにより、PMOSトランジスタMP1,MP2のリーク電流が抑制される。
NMOSトランジスタMN4は、バイアス出力回路4の停止時においてNMOSトランジスタMN2のゲートをグランド(接地電位)にクランプするためのものである。具体的には、NMOSトランジスタMN4は、ゲートに印加される切替制御信号に基づいてオンオフが制御される。NMOSトランジスタMN4がオンに制御された場合、電源8の低電位側端子とNMOSトランジスタMN2のゲートとが導通するため、NMOSトランジスタMN2はオフする。それにより、NMOSトランジスタMN2のリーク電流が抑制される。
レギュレータフィードバック回路5において、抵抗R1,R2は、出力端子VOUTAと電源8の低電位側端子との間に直列に接続される。具体的には、抵抗R1では、一方の端子が電源8の低電位側端子に接続され、他方の端子が接続点101に接続される。抵抗R2では、一方の端子が出力端子VOUTAに接続され、他方の端子が接続点101に接続される。接続点101は、さらにスイッチ23の端子Cに接続される。したがって、出力端子VOUTAと電源8の低電位側端子との間の電圧差を抵抗R1,R2の抵抗比に応じて分圧した電圧(分圧電圧)が、接続点101から出力される。この分圧電圧は、フィードバック電圧(第1のフィードバック電圧)として、オン状態のスイッチ23を介して、オペアンプ1の反転入力端子に入力される。
バイアスフィードバック回路6において、抵抗R3,R4は、出力端子VOUTBと電源8の低電位側端子との間に直列に接続される。具体的には、抵抗R3では、一方の端子が電源8の低電位側端子に接続され、他方の端子が接続点102に接続される。抵抗R4では、一方の端子が出力端子VOUTBに接続され、他方の端子が接続点102に接続される。接続点102は、さらにスイッチ24の端子Cに接続される。したがって、出力端子VOUTBと電源8の低電位側端子との間の電圧差を抵抗R3,R4の抵抗比に応じて分圧した電圧(分圧電圧)が、接続点102から出力される。この分圧電圧は、フィードバック電圧(第2のフィードバック電圧)として、オン状態のスイッチ24を介して、オペアンプ1の反転入力端子に入力される。
スイッチ回路2において、スイッチ21は、前述のように、オペアンプ1の出力端子とNMOSトランジスタMN1のゲートとの間に設けられ、制御端子Aが入力端子SWに接続される。スイッチ22は、前述のように、オペアンプ1の出力端子とNMOSトランジスタMN2のゲートとの間に設けられ、制御端子Aがインバータ7を介して入力端子SWに接続される。スイッチ23は、前述のように、オペアンプ1の反転入力端子と接続点101との間に設けられ、制御端子Aが入力端子SWに接続される。スイッチ24は、前述のように、オペアンプ1の反転入力端子と接続点102との間に設けられ、制御端子Aがインバータ7を介して入力端子SWに接続される。各スイッチ21〜24において、制御端子Aの電圧レベルがLowレベルの場合に端子Bと端子Cとがオープンとなり、制御端子Aの電圧レベルがHighレベルの場合に端子Bと端子Cとがショートする。言い換えると、各スイッチ21〜24は、切替制御信号の電圧レベルに応じて端子Bと端子Cとの間のオンオフが制御される。
次に、図1に示す電源回路の動作について説明する。なお、図1に示す電源回路は、レギュレータ回路として動作する場合と、バイアス回路として動作する場合と、を切り替えることができる。図1に示す電源回路は、レギュレータ回路として動作する場合、高い駆動能力の電源を生成する。図1に示す回路は、バイアス回路として動作する場合、駆動能力を重視せず高精度の電源(定電圧及び定電流)を生成する。なお、バイアス回路として動作する場合とは、例えば、コンパレータ回路の基準電圧や、PLL回路の発振器、ドライバー回路等の基準電流を生成する場合のことである。以下、詳細を説明する。
なお、外部から入力端子REFに供給される基準電圧VREFは、オペアンプ1のリファレンス電圧として用いられるため、温度や電源電圧が変動しても、一定の電圧レベルであることが望ましい。これは、公知の技術として知られているバンドギャップレギュレータ回路等を用いれば容易に実現可能である。
まず、図1に示す電源回路が、レギュレータ回路として動作する場合について説明する。つまり、図1に示す電源回路が、高い駆動能力の電源を生成する場合について説明する。この場合、入力端子SWには、外部からHighレベルの切替制御信号が供給される。したがって、インバータ7の出力は、Lowレベルとなる。
このとき、スイッチ21,23はオンし、スイッチ22,24はオフする。より具体的には、各スイッチ21,23では、制御端子Aの電圧レベルがHighレベルとなるため、端子Bと端子Cとがショートする。各スイッチ22,24では、制御端子Aの電圧レベルがLowレベルとなるため、端子Bと端子Cとがオープンとなる。それにより、オペアンプ1の出力端子とNMOSトランジスタMN1のゲートとの間がショートする。オペアンプ1の反転入力端子とレギュレータフィードバック回路5内の接続点101との間がショートする。一方、オペアンプ1の出力端子とNMOSトランジスタMN2のゲートとの間がオープンとなる。オペアンプ1の反転入力端子とバイアスフィードバック回路6内の接続点102との間がオープンとなる。
また、NMOSトランジスタMN4は、ゲートにHighレベルの電圧が印加されるため、オン状態となる。NMOSトランジスタMN4のドレインと電源8の低電位側端子とが導通するため、NMOSトランジスタMN4のドレイン電圧はグランドレベル(Lowレベル)にまで下がる。それに伴い、NMOSトランジスタMN2のゲート電圧もグランドレベル(Lowレベル)にまで下がる。したがって、NMOSトランジスタMN2はオフ状態となる。それにより、NMOSトランジスタMN2のリーク電流が抑制される。
同様に、PMOSトランジスタMP3は、ゲートにLowレベルの電圧が印加されるため、オン状態となる。PMOSトランジスタMP3のドレインと電源8の高電位側端子とが導通するため、PMOSトランジスタMP3のドレイン電圧は電源電圧レベル(Highレベル)にまで上がる。それに伴い、PMOSトランジスタMP1,MP2のゲート電圧も電源電圧レベル(Highレベル)にまで上がる。したがって、PMOSトランジスタMP1,MP2はオフ状態となる。それにより、PMOSトランジスタMP1,MP2のリーク電流が抑制される。
一方、NMOSトランジスタMN3は、ゲートにLowレベルの電圧が印加されるため、オフ状態となる。したがって、NMOSトランジスタMN3のドレインと電源8の低電位側端子とは導通しない。つまり、NMOSトランジスタMN3のドレインと電源8の低電位側端子との間はHighインピーダンス状態となる。したがって、NMOSトランジスタMN1は、NMOSトランジスタMN3によってオフに制御されない。つまり、NMOSトランジスタMN1は、NMOSトランジスタMN3に影響を受けることなく動作する。このとき、NMOSトランジスタMN1は、オペアンプ1の出力電圧に応じて制御される。より具体的には、NMOSトランジスタMN1では、オペアンプ1の出力電圧に応じてゲート−ソース間電圧、ソース−ドレイン間電圧およびドレイン電流が制御される。
図2は、図1に示す電源回路からレギュレータ回路部分を抜き出した回路図である。図2に示すように、電源回路がレギュレータ回路として動作する場合、オペアンプ1の出力電圧が、順に、スイッチ21、NMOSトランジスタMN1、レギュレータフィードバック回路5及びスイッチ23を介して、フィードバック電圧として、オペアンプ1の反転入力端子に入力される。即ち、基準電圧VREFの信号経路は、入力端子REF→オペアンプ1の非反転入力端子→オペアンプ1の出力端子→スイッチ21→NMOSトランジスタMN1→レギュレータフィードバック回路5→スイッチ23→オペアンプ1の反転入力端子、というループを形成する。このループは、基準電圧VREFを入力とするネガティブフィードバックループである。したがって、入力端子REFとオペアンプ1の反転入力端子とはバーチャルショート状態となる。そのため、出力端子VOUTAから外部に出力される電圧(以下、レギュレータ電圧VOUTAと称す)は、以下のように表すことができる。
なお、基準電圧VREFは、例えば、電源回路の外部に設けられたバンドギャップレギュレータ回路等によって生成され、温度や電源電圧の依存性が小さい。また、抵抗R1,R2の温度依存は、式(1)に示すように、分母と分子とでキャンセルされる。したがって、レギュレータ電圧VOUTAも温度や電源電圧の依存性が小さい。
また、レギュレータ電圧VOUTAは、予め高い駆動能力に設定されているが、NMOSトランジスタMN1のゲート長及びゲート幅を変更することにより、接続先の負荷に応じた駆動能力に調整可能である。
このように、本実施の形態にかかる電源回路は、入力端子SWにHighレベルの切替制御信号が入力された場合、レギュレータ回路として動作し、基準電圧VREF及び抵抗R1,R2に基づいて高い駆動能力のレギュレータ電圧VOUTAを出力する。
次に、図1に示す電源回路が、バイアス回路として動作する場合について説明する。つまり、図1に示す電源回路が、駆動能力を重視せず高い精度の電源(定電圧及び定電流)を生成する場合について説明する。この場合、入力端子SWには、外部からLowレベルの切替制御信号が供給される。したがって、インバータ7の出力は、Highレベルとなる。
このとき、スイッチ22,24はオンし、スイッチ21,23はオフする。より具体的には、各スイッチ22,24では、制御端子Aの電圧レベルがHighレベルとなるため、端子Bと端子Cとがショートする。各スイッチ21,23では、制御端子Aの電圧レベルがLowレベルとなるため、端子Bと端子Cとがオープンとなる。それにより、オペアンプ1の出力端子とNMOSトランジスタMN2のゲートとの間がショートする。オペアンプ1の反転入力端子とバイアスフィードバック回路6内の接続点102との間がショートする。一方、オペアンプ1の出力端子とNMOSトランジスタMN1のゲートとの間がオープンとなる。オペアンプ1の反転入力端子とレギュレータフィードバック回路5内の接続点101との間がオープンとなる。
また、NMOSトランジスタMN3は、ゲートにHighレベルの電圧が印加されるため、オン状態となる。NMOSトランジスタMN3のドレインと電源8の低電位側端子とが導通するため、NMOSトランジスタMN3のドレイン電圧はグランドレベル(Lowレベル)にまで下がる。それに伴い、NMOSトランジスタMN1のゲート電圧もグランドレベル(Lowレベル)にまで下がる。したがって、NMOSトランジスタMN1はオフ状態となる。それにより、NMOSトランジスタMN1のリーク電流が抑制される。
一方、NMOSトランジスタMN4は、ゲートにLowレベルの電圧が印加されるため、オフ状態となる。したがって、NMOSトランジスタMN4のドレインと電源8の低電位側端子とは導通しない。つまり、NMOSトランジスタMN4のドレインと電源8の低電位側端子との間はHighインピーダンス状態となる。したがって、NMOSトランジスタMN2は、NMOSトランジスタMN4によってオフに制御されない。つまり、NMOSトランジスタMN2は、NMOSトランジスタMN4に影響を受けることなく動作する。このとき、NMOSトランジスタMN2は、オペアンプ1の出力電圧に応じて制御される。より具体的には、NMOSトランジスタMN2では、オペアンプ1の出力電圧に応じてゲート−ソース間電圧、ソース−ドレイン間電圧およびドレイン電流が制御される。
同様に、PMOSトランジスタMP3は、ゲートにHighレベルの電圧が印加されるため、オフ状態となる。したがって、PMOSトランジスタMP3のドレインと電源8の低電位側端子とは導通しない。つまり、PMOSトランジスタMP3のドレインと電源8の低電位側端子との間はHighインピーダンス状態となる。したがって、PMOSトランジスタMP1,MP2は、PMOSトランジスタMP3によってオフに制御されない。つまり、PMOSトランジスタMP1,MP2は、PMOSトランジスタMP3に影響を受けることなく動作する。
図3は、図1に示す電源回路からバイアス回路部分を抜き出した回路図である。図3に示すように、電源回路がバイアス回路として動作する場合、オペアンプ1の出力電圧が、順に、スイッチ22、NMOSトランジスタMN2、バイアスフィードバック回路6及びスイッチ24を介して、フィードバック電圧として、オペアンプ1の反転入力端子に入力される。即ち、基準電圧VREFの信号経路は、入力端子REF→オペアンプ1の非反転入力端子→オペアンプ1の出力端子→スイッチ22→NMOSトランジスタMN2→バイアスフィードバック回路6→スイッチ24→オペアンプ1の反転入力端子、というループを形成する。このループは、基準電圧VREFを入力とするネガティブフィードバックループである。したがって、入力端子REFとオペアンプ1の反転入力端子とはバーチャルショート状態となる。そのため、出力端子VOUTBから外部に出力される電圧(以下、バイアス電圧VOUTBと称す)は、以下のように表すことができる。
なお、基準電圧VREFは、例えば、電源回路の外部に設けられたバンドギャップレギュレータ回路等によって生成され、温度や電源電圧の依存性が小さい。また、抵抗R3,R4の温度依存は、式(2)に示すように、分母と分子とでキャンセルされる。したがって、バイアス電圧VOUTBも温度や電源電圧の依存性が小さい。
また、図1に示す電源回路がバイアス回路として動作する場合、出力端子VOUTBから接続先に向けて電流を供給しない。したがって、NMOSトランジスタMN2のドレイン電流IDMN2は、以下の式(3)に示すように、基準電圧VREFと抵抗R3の比によって決まる。
また、PMOSトランジスタMP1は、NMOSトランジスタMN2と直列接続されている。したがって、PMOSトランジスタMP1のドレイン電流もIDMN2と等しくなる。ここで、PMOSトランジスタMP1,MP2は、カレントミラー回路を構成している。したがって、PMOSトランジスタMP1のゲート長をLMP1、ゲート幅をWMP1、PMOSトランジスタMP2のゲート長をLMP2,ゲート幅をWMP2とすると、出力端子IOUTから外部に出力される電流(以下、バイアス電流IOUTと称す)は、以下のように表すことができる。
式(4)は、抵抗R3に温度依存の小さい種類の抵抗を用いることにより、バイアス電流IOUTも温度や電源電圧の依存性が小さくなることを示している。なお、基準電圧VREFには、前述のように、温度や電源電圧の依存性の小さいものが用いられる。
このように、本実施の形態にかかる電源回路は、入力端子SWにLowレベルの切替制御信号が入力された場合、バイアス回路として動作する。そして、本実施の形態にかかる電源回路は、バイアス回路として動作する場合、式(2)に示すように、基準電圧VREF及び抵抗R3,R4に基づいてバイアス電圧VOUTBを出力するとともに、式(4)に示すように、基準電圧VREF及び抵抗R3に基づいてバイアス電流IOUTを出力する。
本実施の形態にかかる電源回路がバイアス回路として動作する場合、バイアス電圧VOUTBは、負荷が軽く電流供給を必要としない接続先への安定した電圧供給として好適に用いられる。例えば、バイアス電圧VOUTBは、コンパレータのようなMOSトランジスタのゲートを入力に持つ回路に対する電圧供給として好適に用いられる。また、バイアス電流IOUTは、PLL回路の発振器やドライバー回路等の基準電流として好適に用いられる。
このように、本実施の形態にかかる電源回路は、複数のフィードバック回路及び対応する複数の出力回路が1つのオペアンプを共用して、対応する複数のネガティブフィードバックループを形成する。このような回路構成により、本実施の形態にかかる電源回路は、複数のネガティブフィードバックループに応じた数のオペアンプを設ける必要が無いため、回路規模を増大させることなく、駆動能力の異なる複数の電源を選択的に生成することができる。
特に、本実施の形態にかかる電源回路は、複数のフィードバック回路を備えるため、それぞれに設けられた抵抗の抵抗比を調整することにより、生成される電源ごとに駆動能力を容易に調整することが可能である。また、本実施の形態にかかる電源回路は、複数のフィードバック回路に対応する複数の出力回路を備えるため、出力回路ごとに要求に応じた回路を構成することができる。それにより、本実施の形態にかかる電源回路は、駆動能力を重視した電源を生成したり、駆動能力を重視せず精度の高い電源(定電圧、定電流)を生成したり、要求に応じた複数の電源を選択的に生成することができる。
実施の形態2
図4は、本発明の実施の形態2にかかる電源回路の回路図である。本実施の形態にかかる電源回路は、実施の形態1にかかる電源回路(図1)と比較して、レギュレータ出力回路3に代えてレギュレータ出力回路3aを、バイアス出力回路4に代えてバイアス出力回路4aを備える。
図4は、本発明の実施の形態2にかかる電源回路の回路図である。本実施の形態にかかる電源回路は、実施の形態1にかかる電源回路(図1)と比較して、レギュレータ出力回路3に代えてレギュレータ出力回路3aを、バイアス出力回路4に代えてバイアス出力回路4aを備える。
具体的には、レギュレータ出力回路3aは、PMOSトランジスタ(第1のトランジスタ)MP4と、PMOSトランジスタ(第1のクランプ用トランジスタ)MP6と、を備える。バイアス出力回路4aは、PMOSトランジスタ(定電流用トランジスタ)MP2と、PMOSトランジスタ(第2のトランジスタ)MP5と,PMOSトランジスタ(第2のクランプ用トランジスタ)MP7と、を備える。
レギュレータ出力回路3aにおいて、PMOSトランジスタMP4では、ソースが電源8の高電位側端子に接続され、ドレインが出力端子VOUTAに接続され、ゲートがスイッチ21の端子C及びPMOSトランジスタMP6のドレインに接続される。PMOSトランジスタMP6では、ソースが電源8の高電位側端子に接続され、ゲートが入力端子SWに接続される。ここで、PMOSトランジスタMP4は、図1におけるNMOSトランジスタMN1と同様の役割を有し、PMOSトランジスタMP6は、図1におけるNMOSトランジスタMN3と同様の役割を有する。
バイアス出力回路4aにおいて、PMOSトランジスタMP5では、ソースが電源8の高電位側端子に接続され、ドレインが出力端子VOUTBに接続され、ゲートがスイッチ22の端子C、PMOSトランジスタMP7のドレイン及びPMOSトランジスタMP2のゲートに接続される。PMOSトランジスタMP7では、ソースが電源8の高電位側端子に接続され、ゲートがインバータ7を介して入力端子SWに接続される。PMOSトランジスタMP2では、ソースが電源8の高電位側端子に接続され、ドレインが出力端子IOUTに接続される。ここで、PMOSトランジスタMP5,MP2は、カレントミラー回路を構成する。また、PMOSトランジスタMP5は、図1におけるトランジスタMN2,MP1と同様の役割を有し、PMOSトランジスタMP7は、図1におけるトランジスタMN4,MP3と同様の役割を有する。その他の回路構成及び動作は、実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。
このような回路構成により、本実施の形態にかかる電源回路は、実施の形態1の場合と同様の効果を得ることができる。
以上のように、上記実施の形態にかかる電源回路は、複数のフィードバック回路及び対応する複数の出力回路が1つのオペアンプを共用して、対応する複数のネガティブフィードバックループを形成する。このような回路構成により、上記実施の形態にかかる電源回路は、複数のネガティブフィードバックループに応じた数のオペアンプを設ける必要が無いため、回路規模を増大させることなく、駆動能力の異なる複数の電源を選択的に生成することができる。
特に、上記実施の形態にかかる電源回路は、複数のフィードバック回路を備えるため、それぞれに設けられた抵抗の抵抗比を調整することにより、生成される電源ごとに駆動能力を容易に調整することが可能である。また、上記実施の形態にかかる電源回路は、複数のフィードバック回路に対応する複数の出力回路を備えるため、出力回路ごとに要求に応じた回路を構成することができる。それにより、上記実施の形態にかかる電源回路は、駆動能力を重視した電源を生成したり、駆動能力を重視せず精度の高い電源(定電圧、定電流)を生成したり、要求に応じた複数の電源を選択的に生成することができる。
それにより、本実施の形態にかかる電源回路は、例えば、通信分野の半導体集積回路において、新旧規格の通信回路に対して排他的に電源を供給する場合、回路規模を増大させることなく、新規格の通信回路に対しては高い駆動能力の電源を、旧規格の通信回路に対してはバイアス電圧及びバイアス電流を、選択的に供給することができる。あるいは、本実施の形態にかかる電源回路は、例えば、新旧規格の通信回路に対して排他的に電源を供給する場合、回路規模を増大させることなく、各通信回路に対して異なる電源電圧を選択的に供給することができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。上記実施の形態では、1つのオペアンプを共用する2つのフィードバック回路(及び対応する出力回路)を備えた場合を例に説明したが、これに限られない。例えば、1つのオペアンプを共用する3つ以上のフィードバック回路(及び対応する出力回路)を備えた回路構成にも適宜変更可能である。それにより、本発明の電源回路は、要求に応じた3つ以上の電源を選択的に生成することが可能となる。
1 オペアンプ
2 スイッチ回路
21〜24 スイッチ
3、3a レギュレータ出力回路
4、4a バイアス出力回路
5 レギュレータフィードバック回路
6 バイアスフィードバック回路
7 インバータ
8 電源
101、102 接続点
MN1〜MN4 NMOSトランジスタ
MP1〜MP7 PMOSトランジスタ
R1〜R4 抵抗
REF 入力端子
SW 入力端子
IOUT 出力端子
VOUTA 出力端子
VOUTB 出力端子
2 スイッチ回路
21〜24 スイッチ
3、3a レギュレータ出力回路
4、4a バイアス出力回路
5 レギュレータフィードバック回路
6 バイアスフィードバック回路
7 インバータ
8 電源
101、102 接続点
MN1〜MN4 NMOSトランジスタ
MP1〜MP7 PMOSトランジスタ
R1〜R4 抵抗
REF 入力端子
SW 入力端子
IOUT 出力端子
VOUTA 出力端子
VOUTB 出力端子
Claims (8)
- 第1の外部出力端子の出力電圧を分圧し、第1のフィードバック電圧を生成する第1のフィードバック回路と、
第2の外部出力端子の出力電圧を分圧し、前記第1のフィードバック電圧と異なる第2のフィードバック電圧を生成する第2のフィードバック回路と、
外部からの切替制御信号に基づいて前記第1及び第2のフィードバック電圧のいずれかを選択し、出力する第1の選択回路と、
前記第1の選択回路によって選択されたフィードバック電圧と、基準電圧と、を比較し、比較結果に応じた電圧を出力するオペアンプと、
前記オペアンプの出力電圧に応じた電圧を、前記第1の外部出力端子の出力電圧として生成する第1のトランジスタと、
前記オペアンプの出力電圧に応じた電圧を、前記第2の外部出力端子の出力電圧として生成する第2のトランジスタと、
前記切替制御信号に基づいて選択された前記第1及び第2のトランジスタのいずれかの制御端子に対し、前記オペアンプの出力電圧を出力する第2の選択回路と、を備えた電源回路。 - 前記第1のトランジスタは、
第1の電源端子と前記第1の外部出力端子との間に設けられ、前記オペアンプの出力電圧に応じて制御され、
前記第2のトランジスタは、
前記第1の電源端子と前記第2の外部出力端子との間に設けられ、前記オペアンプの出力電圧に応じて制御されることを特徴とする請求項1に記載の電源回路。 - 前記第1のトランジスタは、NチャネルMOSトランジスタであって、
当該第1のトランジスタのゲートと第2の電源端子との間に設けられたNチャネル型の第1のクランプ用MOSトランジスタをさらに備えた請求項1又は2に記載の電源回路。 - 前記第1のトランジスタは、PチャネルMOSトランジスタであって、
当該第1のトランジスタのゲートと第1の電源端子との間に設けられたPチャネル型の第1のクランプ用MOSトランジスタをさらに備えた請求項1又は2に記載の電源回路。 - 前記第2のトランジスタは、NチャネルMOSトランジスタであって、
当該第2のトランジスタのゲートと第2の電源端子との間に設けられたNチャネル型の第2のクランプ用MOSトランジスタをさらに備えた請求項1〜4のいずれか一項に記載の電源回路。 - 前記第2のトランジスタは、PチャネルMOSトランジスタであって、
当該第2のトランジスタのゲートと第1の電源端子との間に設けられたPチャネル型の第2のクランプ用MOSトランジスタをさらに備えた請求項1〜4のいずれか一項に記載の電源回路。 - 前記第2のトランジスタのドレイン電流に応じた電流を出力する定電流用トランジスタをさらに備えた請求項1〜6のいずれか一項に記載の電源回路。
- 前記定電流用トランジスタは、PチャネルMOSトランジスタであって、
当該定電流用トランジスタのゲートと第1の電源端子との間に設けられたPチャネル型の第3のクランプ用MOSトランジスタをさらに備えた請求項7に記載の電源回路。
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