JP2011221431A - 液晶装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶装置100の素子基板10において、層間絶縁膜72(第1層間絶縁膜)の表面では、表示領域10aの表示領域側第1スルーホール72aと周辺領域10bの周辺領域側第1スルーホール72bとが同等の密度で開口している。また、層間絶縁膜73(第2層間絶縁膜)の表面では、表示領域10aの表示領域側第2スルーホール73aと周辺領域10bの周辺領域側第2スルーホール73bとが同等の密度で開口している。このため、層間絶縁膜72、73の表面を研磨する際、表示領域10aと周辺領域10bとでは研磨速度が同等であるため、表示領域10aと周辺領域10bとの間に段差が発生しない。
【選択図】図4
Description
図1は、本発明を適用した液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。図2は、本発明を適用した液晶装置の具体的構成例を示す説明図であり、図2(a)、(b)、(c)は各々、本発明を適用した電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、H−H′断面図、およびJ−J′断面図である。
図3は、本発明を適用した液晶装置100の素子基板10上における表示領域10aおよび周辺領域の平面構成を示す説明図であり、表示領域10aに形成された第1画素電極9aおよび周辺領域10bに形成された第2画素電極9bについては四角形で表してある。また、図3(a)には、素子基板10の第1層間絶縁膜に形成された第1スルーホールを丸で表し、図3(b)には、素子基板10の第2層間絶縁膜に形成された第2スルーホールを丸で表してある。図4は、本発明を適用した液晶装置100の素子基板10上における表示領域10aおよび周辺領域10bの断面構成を示す説明図である。
図5は、本発明を適用した液晶装置100の表示領域10aに構成した画素100aの構成を示す説明図であり、図5(a)、(b)は各々、本発明を適用した液晶装置100の相隣接する画素1つ分の平面図、および画素1つ分の断面図である。なお、図5(b)は図5(a)のX−X′線における断面図であり、図5(a)では、走査線3aおよびそれと同時形成された導電膜は太い実線で示し、データ線6a等の配線層6は太い一点鎖線で示し、ドレイン電極等の第2導電層は二点鎖線で示し、フィールド酸化膜の除去領域は短い点線で示し、第1画素電極9aは長い点線で示してある。
図6は、本発明を適用した液晶装置100の周辺領域10bの構成を示す説明図であり、図6(a)、(b)は各々、本発明を適用した液晶装置100の周辺領域10bにおいて、相隣接する第2画素電極9b1つ分の平面図、および断面図である。なお、図6(b)は図6(a)のY−Y′線における断面図であり、図6(a)では、配線層6は太い一点鎖線で示し、フィールド酸化膜の除去領域は短い点線で示してある。
図7は、本発明を適用した液晶装置100の製造工程のうち、層間絶縁膜表面を研磨する工程を示す説明図であり、図7(a)、(b)は各々、層間絶縁膜72の表面に対する化学機械研磨工程の説明図、および層間絶縁膜73の表面に対する化学機械研磨工程の説明図である。図8は、本発明を適用した液晶装置100の素子基板10に形成した周辺領域側第1スルーホール72b等のレイアウトを示す説明図である。なお、図7において、導電膜はスルーホールを完全に埋める厚さに形成されるが、図7では、スルーホールの外側に形成される導電膜を薄く表してある。
以上説明したように、本発明を適用した液晶装置100の素子基板10では、層間絶縁膜72(第1層間絶縁膜)の表面では、表示領域10aの表示領域側第1スルーホール72aと周辺領域10bの周辺領域側第1スルーホール72bとが同等の密度で開口しているため、層間絶縁膜72の表面を研磨する際、表示領域10aと周辺領域10bとでは層間絶縁膜72の研磨速度が同等である。従って、層間絶縁膜72の表面を研磨した際、表示領域10aと周辺領域10bとの間に大きな段差が発生せず、層間絶縁膜72の表面を、表示領域10aと周辺領域10bとにおいて連続した平坦面とすることができる。
上記実施の形態では、スルーホール内の全てに接続プラグを埋め込んだ構成であったが、層間絶縁膜上層に形成した導電膜自身がスルーホールの底部で下層側の導電膜と電気的に接する構成を採用した液晶装置に本発明を適用してもよい。この場合も、層間絶縁膜にスルーホールを形成した後、層間絶縁膜の表面を研磨するにあたって本発明を適用すれば、層間絶縁膜の表面を表示領域10aと周辺領域10bとにおいて連続した平坦面とすることができる。
図9は、本発明を適用した液晶装置100を備えた電子機器の説明図である。本発明に係る反射型の液晶装置100は、図9(a)に示す投射型表示装置(液晶プロジェクター/電子機器)や、図9(b)、(c)に示す携帯用電子機器等に用いることができる。
Claims (8)
- 素子基板上に、
画素スイッチング素子および該画素スイッチング素子に対応して設けられた第1画素電極が複数配列された表示領域と、
該表示領域より外側において前記第1画素電極と同一層に形成された第2画素電極が複数配列された周辺領域と、
前記素子基板の基板本体と前記第1画素電極および前記第2画素電極との層間に設けられた配線層と、
該配線層と前記第1画素電極および前記第2画素電極との層間に設けられた遮光層と、
前記配線層と前記遮光層との層間に位置する第1層間絶縁膜のうち、前記表示領域に位置する部分に設けられた複数の表示領域側第1スルーホールと、
前記第1層間絶縁膜のうち、前記周辺領域に位置する部分に前記表示領域側第1スルーホールと同等の開口密度をもって設けられた複数の周辺領域側第1スルーホールと、
前記遮光層と前記第1画素電極との層間に位置する第2層間絶縁膜のうち、前記表示領域に位置する部分に設けられた複数の表示領域側第2スルーホールと、
前記第2層間絶縁膜のうち、前記周辺領域に位置する部分に前記表示領域側第2スルーホールと同等の開口密度をもって設けられた複数の周辺領域側第2スルーホールと、
を有していることを特徴とする液晶装置。 - 前記第1層間絶縁膜の表面は、前記表示領域と前記周辺領域とにおいて連続した平坦面であり、
前記第2層間絶縁膜の表面は、前記表示領域と前記周辺領域とにおいて連続した平坦面であることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。 - 前記表示領域側第1スルーホールおよび前記表示領域側第2スルーホールは各々、前記第1画素電極と同数形成され、
前記周辺領域側第1スルーホールおよび前記周辺領域側第2スルーホールは各々、前記第2画素電極と同数形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶装置。 - 前記複数の周辺領域側第1スルーホールのうち、一部の周辺領域側第1スルーホールは前記周辺領域側第2スルーホールと平面的に重なり、他の周辺領域側第1スルーホールは前記周辺領域側第2スルーホールと平面的に重なっていないことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の液晶装置。
- 前記第1層間絶縁膜は、前記周辺表示領域側第1スルーホールの配置密度が相対的に疎な領域と密な領域とを備えていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の液晶装置。
- 前記第1画素電極および前記第2画素電極は、反射性導電膜からなることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の液晶装置。
- 請求項1乃至6の何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
- 前記液晶装置に光を供給する光源部と、前記液晶装置によって光変調された光を投射する投射光学系と、を有していることを特徴とする請求項7に記載の電子機器。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008241974A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2009258359A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Canon Inc | アクティブマトリクス基板、反射型液晶表示装置、及び液晶プロジェクターシステム |
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