JP2011221072A5 - 電気光学装置及び電子機器並びにトランジスター - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備える電子機器、並びにトランジスターの技術分野に関する。

本発明の一態様の電気光学装置は、基板と、前記基板の上の表示領域に配置されるデータ線と、前記表示領域に配置され、前記データ線に交差するように配置される走査線と、画素電極と、ゲート電極及び半導体層を含む画素スイッチング用のトランジスターと、前記データ線と前記走査線との間に配置される絶縁膜と、を含み、前記絶縁膜は、前記データ線と前記走査線との交差部に開孔を有し、前記半導体層は、前記開口の底に配置され、前記データ線と電気的に接続される第１のソースドレイン領域と、前記開口の側壁に接するように配置されたチャネル領域と、少なくとも前記絶縁膜の上に配置され、前記画素電極に電気的に接続される第２のソースドレイン領域と、を含み、前記ゲート電極は、少なくとも前記チャネル領域に対向するように前記開孔の内部に配置され、前記走査線と電気的に接続されることを特徴とする。
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上の表示領域で互いに交差するデータ線及び走査線と、前記データ線及び前記走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、ゲート電極及び半導体層を含み、前記画素電極をスイッチング制御する画素スイッチング用のトランジスターと、前記データ線と前記走査線とを層間絶縁する絶縁膜とを備え、前記絶縁膜は、前記データ線及び前記走査線の交差部に重なって開孔された開孔部を有し、前記半導体層は、前記開孔部内から前記開孔部外にまで連続的に形成されると共に、前記開孔部の底面に露出する前記データ線の表面部分と電気的に接続される第１のソースドレイン領域と、前記開孔部の側壁に配置されたチャネル領域と、前記開孔部外に形成され前記画素電極と電気的に接続される第２のソースドレイン領域とを有し、前記ゲート電極は、少なくとも前記チャネル領域に重なるように前記開孔部内に形成され、前記走査線と電気的に接続される。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備えてなるので、高品位な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
本発明の一態様のトランジスターは、ゲート電極と、半導体層と、を含み、前記半導体層は、前記開口の底に配置され、第１電極と電気的に接続される第１のソースドレイン領域と、絶縁膜の開口の側壁に接するように配置されるチャネル領域と、少なくとも前記絶縁膜の上に配置され、第２電極に電気的に接続される第２のソースドレイン領域と、を含み、前記ゲート電極は、少なくとも前記チャネル領域に対向するように前記開孔の内部に配置されることを特徴とする。

Claims (4)

1. 基板と、
   前記基板の上の表示領域に配置されるデータ線と、
   前記表示領域に配置され、前記データ線に交差するように配置される走査線と、
   画素電極と、
   ゲート電極及び半導体層を含む画素スイッチング用のトランジスターと、
   前記データ線と前記走査線との間に配置される絶縁膜と、
   を含み、
   前記絶縁膜は、前記データ線と前記走査線との交差部に開孔を有し、
   前記半導体層は、
   前記開口の底に配置され、前記データ線と電気的に接続される第１のソースドレイン領域と、
   前記開口の側壁に接するように配置されたチャネル領域と、
   少なくとも前記絶縁膜の上に配置され、前記画素電極に電気的に接続される第２のソースドレイン領域と、
   を含み、
   前記ゲート電極は、少なくとも前記チャネル領域に対向するように前記開孔の内部に配置され、前記走査線と電気的に接続されることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記絶縁膜には前記交差部に重なるように凸部が形成されており、前記開孔は前記凸部の少なくとも一部を貫通するように配置されると共に、
   前記ゲート電極は、前記開孔の内部から前記凸部を覆うように前記開孔の外部にまで配置されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 請求項１又は２に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
4. ゲート電極と、
   半導体層と、
   を含み、
   前記半導体層は、
   前記開口の底に配置され、第１電極と電気的に接続される第１のソースドレイン領域と、
   絶縁膜の開口の側壁に接するように配置されるチャネル領域と、
   少なくとも前記絶縁膜の上に配置され、第２電極に電気的に接続される第２のソースドレイン領域と、
   を含み、
   前記ゲート電極は、少なくとも前記チャネル領域に対向するように前記開孔の内部に配置されることを特徴とするトランジスター。