JP2011220722A - 圧力センサー - Google Patents

圧力センサー Download PDF

Info

Publication number
JP2011220722A
JP2011220722A JP2010087282A JP2010087282A JP2011220722A JP 2011220722 A JP2011220722 A JP 2011220722A JP 2010087282 A JP2010087282 A JP 2010087282A JP 2010087282 A JP2010087282 A JP 2010087282A JP 2011220722 A JP2011220722 A JP 2011220722A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
pressure sensor
joint
base
sensor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2010087282A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011220722A5 (ja
Inventor
Kenta Sato
健太 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2010087282A priority Critical patent/JP2011220722A/ja
Publication of JP2011220722A publication Critical patent/JP2011220722A/ja
Publication of JP2011220722A5 publication Critical patent/JP2011220722A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

【課題】製造が簡単で歩留まりが高く、かつ機械的強度に優れた圧力センサーを提供すること。
【解決手段】圧力センサー1は、パッケージ2にセンサーチップ3を搭載してなる。センサーチップ3は、平面視形状が矩形をなし、下面32には、互いに離間した第1の接合部321、第2の接合部322および第3の接合部323が設定されている。第1の接合部321は、下面32が有する4つの角部のうちの1つの角部に設定され、第2の接合部322は、第1の接合部321が設定された角部とY軸方向に隣り合う角部に設定され、第3の接合部323は、X軸方向の第1、第2の接合部321、322と反対側の端部でかつY軸方向の中央部に設定されている。また、下面32のX軸方向の長さをLxとし、Y軸方向の長さをLyとしたとき、Ly/Lxが、0.6以上1.0以下である。
【選択図】図6

Description

本発明は、圧力センサーに関する。
従来から、圧力センサーとして、受圧部を構成する薄肉部および当該薄肉部の周囲に形成された厚肉部で構成されたダイヤフラム層と、例えば双音叉型の圧電振動片が作り込まれた圧電振動片層と、基台とが積層して構成されたものが知られている(例えば特許文献1参照)。
このような構成の圧力センサーでは、加わった圧力によりダイヤフラムが変形するとともに圧電振動片が変形し、圧電振動片の変形の度合いに対応して変化する圧電振動片の共振周波数を検知することにより、加わった圧力の大きさを検出する。
ここで、通常、圧力センサーは、破損防止や搭載容易性などの観点から接着剤を用いてパッケージ内に固定されている。例えば特許文献1では、圧力センサーに形成された一対の端子が圧力センサーの長手方向の一端部に並んで設けられているため、各端子の下方に位置する2箇所を接着剤を用いてパッケージに固定する。端子の下方を接着剤で固定するのは、例えば、パッケージに形成された電極とセンサーチップに形成された前記端子とをワイヤボンディングにより接続する工程を簡単かつ確実に行うためである。
しかしながら、このような固定位置では、圧力センサーを片持ち支持することとなるため、圧力センサーに衝撃が加わると圧力センサーの自由端側が振動し、圧力センサーがパッケージから離脱したり、圧力センサーがパッケージに衝突することで破壊したりするおそれがある。
このようなおそれを無くすために、例えば、圧力センサーの前記2箇所を接着剤でパッケージに固定するとともに、前記2箇所を結ぶ線分上からなるべく離間した箇所をさらに接着剤で固定する方法が考えられる。このような方法によれば、圧力センサーが3点で支持されることとなり、前述の問題を解消することができるが、代わりに次の問題が発生する。
通常、パッケージは、絶縁性および機械的強度等の観点からセラミックや樹脂等で構成されている。一方の圧力センサーは、優れた分解能等の観点から水晶で構成されている。このように、接着剤を介して固定されたパッケージおよび圧力センサーが互いに熱膨張率の異なる材料で構成されていると、パッケージの熱膨張と圧力センサーの熱膨張が相殺されず、その結果、圧力センサー(特に圧電振動片)に歪み応力が加わる。このように、検知対象である圧力以外の応力が圧電振動片に加わると、圧力センサーが受けた圧力の大きさを正確に検知することができなくなる。
そこで、従来から、前述のような熱膨張に起因した圧力値のズレを補正する方法が知られている。しかしながら、熱膨張により圧力センサーに加わる歪み応力(熱膨張により生じる圧電振動片の共振周波数のズレ)は、センサーチップの形状(平面視形状)および3つの接着剤の配設位置によって大きく異なる。そのため、これらの要素を高精度に設定しなければ、前述したような補正を行っても、圧力センサーが受けた圧力の大きさを正確に検知することができなくなる。
このように、3つ接着剤を用いる固定方法では、製造に求められる精度が高くなることによる製造の困難化と、歩留まりの低下とが問題となる。
特開2008−275445号公報
本発明の目的は、製造が簡単で歩留まりが高く、かつ機械的強度に優れた圧力センサーを提供することにある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
本発明の圧力センサーは、パッケージの内部にセンサーチップを搭載してなる圧力センサーであって、
前記センサーチップの平面視形状は、矩形であり、
前記センサーチップの一方の主面には、互いに離間した第1の接合部、第2の接合部および第3の接合部が設定されており、前記第1の接合部、前記第2の接合部および前記第3の接合部が、それぞれ、第1の接着剤、第2の接着剤および第3の接着剤によって前記パッケージに接合されることにより、前記センサーチップが前記パッケージに固定されており、
前記センサーチップの平面視にて、前記主面の1つの辺に平行な軸をX軸とし、前記X軸に直交する軸をY軸としたとき、前記第1の接合部は、前記主面が有する4つの角部のうちの1つの角部に設定され、前記第2の接合部は、前記主面が有する4つの角部のうちの前記第1の接合部が設定された角部と前記Y軸方向に隣り合う角部に設定され、前記第3の接合部は、前記X軸方向の前記第1の接合部および前記第2の接合部と反対側の端部でかつY軸方向の中央部に設定されており、
前記主面の前記X軸方向の長さをLxとし、前記Y軸方向の長さをLyとしたとき、Ly/Lxが、0.6以上1.0以下であることを特徴とする。
これにより、製造が簡単で歩留まりが高く、かつ機械的強度に優れた圧力センサーを提供することができる。さらには、熱膨張(熱撓み)により生じる圧電振動片の共振周波数のズレがほとんど生じない。
[適用例2]
本発明の圧力センサーでは、前記第1の接合部、前記第2の接合部および前記第3の接合部は、それぞれ、円形状であることが好ましい。
これにより、圧力センサーの製造の容易化を図ることができる。
[適用例3]
本発明の圧力センサーでは、前記第1の接合部、前記第2の接合部および前記第3の接合部の直径は、それぞれ、200μm以上500μm以下であることが好ましい。
これにより、センサーチップの下面と第1、第2および第3の接着剤との接着面積を十分広くすることができ、センサーチップをパッケージにより確実に固定することができる。
[適用例4]
本発明の圧力センサーでは、前記第1の接合部、前記第2の接合部および前記第3の接合部は、互いに直径が同じであることが好ましい。
これにより、センサーチップに局所的に応力が加わるのを防止することができ、圧力センサーは、より優れた機械的強度を得ることができる。
[適用例5]
本発明の圧力センサーでは、前記センサーチップは、ダイヤフラムと、該ダイヤフラムと対向配置された基台と、前記ダイヤフラムに固定され、前記X軸方向に延在する少なくとも1つの振動アームを備える圧電振動片とを有し、前記ダイヤフラム、前記基台および前記圧電振動片のうちの少なくとも前記基台が水晶で構成され、
前記パッケージは、前記第1の接着剤、前記第2の接着剤および前記第3の接着剤を介して前記センサーチップが接合された板状の基部を有し、前記基部がセラミックスで構成されていることが好ましい。
これにより、線膨張率の違いから生じる圧電振動片本体の不本意な反りや撓みを抑制することができ、圧力センサーの検知精度を向上させることができる。また、圧電振動片層を水晶で構成することにより、優れた温度特性および振動特性を有するセンサーチップを得ることができる。
[適用例6]
本発明の圧力センサーでは、前記基台の厚さは、200μm以上であることが好ましい。
これにより、基台の厚みに依存したセンサーチップの熱歪みを防止することができる。
[適用例7]
本発明の圧力センサーでは、前記センサーチップの前記主面には、前記圧電振動片が有する一対の励振電極と電気的に接続された一対の端子が形成されており、
前記パッケージの前記基部には、前記パッケージの内外を電気的に接続し得る一対の導電部が形成されており、
前記第1の接着剤、前記第2の接着剤および前記第3の接着剤のうちの少なくとも前記第1の接着剤および前記第2の接着剤が導電性を有しており、
前記第1の接着剤によって前記一対の端子のうちの一方の前記端子と前記一対の導電部のうちの一方の前記導電部とを導通し、前記第2の接着剤によって、他方の前記端子と他方の前記導電部とを導通することが好ましい。
これにより、圧力センサーの部品点数の削減や製造の容易化を図ることができる。
[適用例8]
本発明の圧力センサーでは、前記圧電振動片は、双音叉型をなしていることが好ましい。
これにより、優れた圧力検知能力を発揮することのできる圧電振動片が得られる。
[適用例9]
本発明の圧力センサーでは、前記主面の前記X軸方向の長さは、4.0mm以上6.5mm以下であることが好ましい。
これにより、センサーチップの分解能を高く維持しつつ、センサーチップの小型化を図ることができる。
[適用例10]
本発明の圧力センサーでは、前記第1の接着剤、前記第2の接着剤および前記第3の接着剤の厚さは、それぞれ、40μm以上60μm以下であることが好ましい。
これにより、圧力センサーの信頼性を確保しつつ、圧力センサーの小型化を図ることができる。
図1は、本発明の圧力センサーの第1実施形態を示す断面図である。 図1に示す圧力センサーが有するセンサーチップの平面図である。 図2に示すセンサーチップの断面図(図2中A−A線断面図)である。 図3に示すセンサーチップが有する圧電振動片層の平面図である。 図3に示すセンサーチップが有する双音叉型圧電振動片の斜視図である。 センサーチップの固定箇所を示す平面図である。 センサーチップの作動を説明する断面図である。 本発明の第2実施形態に係る圧力センサーが有するセンサーチップの断面図である。 本発明の第2実施形態に係る圧力センサーが有するセンサーチップの断面図である。 本発明の圧力センサーの実施例を示す平面図である。
以下、本発明の圧力センサーを添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
図1は、本発明の圧力センサーの第1実施形態を示す断面図、図2は、図1に示す圧力センサーが有するセンサーチップの平面図、図3は、図2に示すセンサーチップの断面図(図2中A−A線断面図)、図4は、図3に示すセンサーチップが有する圧電振動片層の平面図、図5は、図3に示すセンサーチップが有する双音叉型圧電振動片の斜視図、図6は、センサーチップの固定箇所を示す平面図、図7は、センサーチップの作動を説明する断面図である。
なお、以下の説明では、図1、図3、図7中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、以下では、図1に示すように、圧力センサーの平面視にて、互いに直交する2つの軸をX軸およびY軸とし、X軸およびY軸のそれぞれの軸に直交する軸をZ軸とする。また、X軸に平行な方向を「X軸方向」と言い、Y軸に平行な方向を「Y軸方向」と言い、Z軸に平行な方向を「Z軸方向」と言う(他の図についても同様)。
図1に示す圧力センサー1は、パッケージ2と、パッケージ2に収容されたセンサーチップ(センサー素子)3とを有している。以下、圧力センサー1が有する各構成について、順次詳細に説明する。
(パッケージ)
パッケージ2の平面視形状(XY平面における形状)は、矩形である。なお、以下では、説明の便宜上、パッケージの平面視にて、図1中横方向へ延びる一対の辺に平行な軸をX軸とし、図1中縦方向へ延びる一対の辺に平行な軸をY軸として説明する。
ただし、パッケージ2の平面視形状としては、これに限定されず、例えば円形、五角形以上の多角形、異形等であってもよい。
図1に示すように、パッケージ2は、ベース(本体)21とリッド(蓋体)22とを接合して構成されている。ベース21とリッド22との接合方法としては、特に限定されず、例えばシリコーン系、エポキシ系の接着剤等を用いて接合することができる。その他、ベース21およびリッド22の構成材料等によっては、陽極接合や、直接接合等の各種接合方法を用いることもできる。
ベース21は、平板状の底部(基部)211と、底部211の縁部から立設する枠状の枠部212とを有し、箱状(枡上)をなしている。
ベース21の構成材料としては特に限定されないが、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物セラミックス、窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス等の各種セラミックスや、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ABS樹脂、エポキシ樹脂等の各種樹脂材料などの絶縁性材料であることが好ましい。これらの中でも、ベース21の構成材料としては各種セラミックスが好ましい。これにより、優れた機械的強度を有するパッケージ2を得ることができる。また、ベース21に設けられた一対の電極23、24を簡単に絶縁することができる。
ベース21は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、アルミナやシリカなどの原料粉末を有機溶剤および樹脂バインダーとともにシート状に成形してセラミックグリーンシート(以下、「グリーンシート」とも言う)と用意する。例えば、グリーンシートにアルミナを用いる場合には、酸化アルミニウム粉末にマグネシア、シリカ、カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチフタレート等の可塑剤、アクリル樹脂等のバインダーおよびトルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加え、十分に混練して脱泡し、粘度2000〜40000cpsのスラリーを作製し、ドクターブレード法等によって焼成した後、所望の厚み、例えば、0.12mmになるようにシート状に乾燥させた後、所望の大きさの矩形状に切断することにより得られる。
次いで、グリーンシートを複数枚積層し、この状態で焼成することにより、ベース21が得られる。
ベース21の底部211に形成された一対の電極(導電部)23、24は、パッケージ2の内外を電気的に接続する機能を有している。一対の電極23、24は、底部211の上面(パッケージ2の内面)に形成された内部電極231、241と、底部211の下面(パッケージ2の外面)に形成された外部電極232、242と、底部211に形成された貫通孔に導電性の部材を充填することにより形成された導電スルーホール233、243とを有しており、導電スルーホール233、243を介して、内部電極231、241と外部電極232、242とが電気的に接続されている。
このような各電極23、24の構成材料としては、実質的に導電性を有していれば特に限定されず、例えば、金、銀、銅、アルミニウムまたはこれらを含む合金等の金属材料、カーボンブラック等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリフルオレンまたはこれらの誘導体等の電子導電性高分子材料、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート等のマトリックス樹脂中に、NaCl、Cu(CFSO等のイオン性物質を分散させたイオン導電性高分子材料、インジウム酸化物(IO)、インジウムスズ酸化物(ITO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)等の導電性酸化物材料のような各種導電性材料が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
リッド22は、平板状をなし、ベース21の開口を塞ぐように設けられている。これにより、ベース21およびリッド22の内壁で囲まれた空間(キャビティ)S1が形成される。また、リッド22には、パッケージ2の内外、すなわち圧力センサー1の外部と空間S1とを連通する貫通孔221が形成されている。これにより、圧力センサー1の外部および空間S1の圧力を等しく保つことができる。
リッド22の構成材料としては、特に限定されず、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物セラミックス、窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス等の各種セラミックスや、ポリエチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ABS樹脂、エポキシ樹脂等の各種樹脂材料や、鉄、銅、アルミニウム等の各種金属材料(合金を含む)等が挙げられる。また、リッド22は、前述したベース21と同様にして製造することができる。
以上、パッケージ2の構成について詳細に説明した。
(センサーチップ)
図1に示すように、センサーチップ3は、パッケージ2内に搭載されている。具体的には、センサーチップ3は、パッケージ2の空間S1にパッケージ2の内壁と接触しないように収容されており、かつ、3つの接着剤すなわち第1の接着剤41、第2の接着剤42および第3の接着剤43によってパッケージ2の底部211に固定されている。
図2に示すように、センサーチップ3の平面視形状(XY平面における形状)は、矩形であり、4辺のうちの一方の対向する一対の辺がX軸と平行であり、他方の対向する一対の辺がY軸と平行である。
センサーチップ3の大きさ(XY平面でのサイズ)は、X軸方向の長さLxとY軸方向の長さLyの比(Ly/Lx)が0.6以上1.0以下となるように設計されている。このような形状(アスペクト比)とすれば、3つの接着剤41、42、43(すなわち3つの接合部321、322、323)を後述するような配置とすることにより、圧力センサー1は、製造が簡単で歩留まりが高く、機械的強度にも優れ、さらには後述する双音叉型圧電振動片8の熱歪みによる共振周波数変化を抑制することができる。
また、センサーチップ3のX軸方向の長さLxが4.0mm以上6.5mm以下程度であるのが好ましい。これにより、センサーチップ3の分解能を高く維持しつつ、センサーチップ3の小型化を図ることができる。特に、センサーチップ3のX軸方向の長さLxが4.0mm以上6.5mm以下である場合には、後述する実施例から判るように、(Ly/Lx)が0.6以上1.0以下のいずれかの点で、熱歪みによる双音叉型圧電振動片8の共振周波数のズレを0(ゼロ)にすることができる。そのため、双音叉型圧電振動片8の熱歪みによる共振周波数変化をより効果的に抑制することができる。
このようなセンサーチップ3は、図3に示すように、ダイヤフラム5と、圧電振動片層6と、基台7とを有しており、これらを図3中上側から順に積層することにより構成されている。また、センサーチップ3は、圧電振動片層6および基台7がダイヤフラム5からX軸方向に突出した突出部31を有している。
ダイヤフラム5、圧電振動片層6および基台7は、それぞれ水晶で構成されている。このように、ダイヤフラム5、圧電振動片層6および基台7を互いに同一の材料で構成することにより、線膨張率の違いから生じる圧電振動片本体61の不本意な反りや撓みを抑制することができ、圧力センサー1の検知精度を向上させることができる。センサーチップ3の不本意な反りや撓み、およびこれらに起因するクラックの発生等を抑制することもできる。また、圧電振動片層6を水晶で構成することにより、優れた温度特性および振動特性を有するセンサーチップ3を得ることができる。
ダイヤフラム5と圧電振動片層6および圧電振動片層6と基台7は、それぞれ、例えば低融点ガラスやエポキシ系の接着剤等を用いて接合されている。これにより、各部材を強固に接合することができる。
ダイヤフラム5は、外部からの圧力(図3では上方からの圧力)を受けることにより変形する薄肉部51と、この薄肉部51の周囲に形成された枠部52とを有している。すなわち、ダイヤフラム5は、その下面の縁部を除く中央部に開放する凹部を有し、底面が薄肉な箱状(枡状)をなしているとも言える。
また、ダイヤフラム5は、薄肉部51の下面(基台7側の面)に形成された一対の支持部53、54を有している。一対の支持部53、54には、圧電振動片層6が有する後述する圧電振動片本体61(双音叉型圧電振動片8)が固定されている。
このようなダイヤフラム5と対向して基台7が設けられている。基台7は、板状の基部71と、基部71の縁部から立設した枠部72とを有している。すなわち、基台7は、上面の縁部を除く中央部に開放する凹部を有する箱状(枡状)をなしているとも言える。そして、基台7に形成された前記凹部が、ダイヤフラム5に形成された前記凹部と対向することにより空間S2が形成され、この空間S2内に、双音叉型圧電振動片8が収容されている。
基部71の厚さとしては、特に限定されないが、200μm以上であるのが好ましい。これにより、基部71の厚みに依存したセンサーチップ3の熱歪みを防止することができる。そのため、温度特性のより優れたセンサーチップ3を得ることができる。基部71の厚さの上限値としては特に限定されないが、センサーチップ3の大型化を防止する観点から、800μm以下程度であるのが好ましい。
空間S2は、真空状態であるのが好ましい。これにより、双音叉型圧電振動片8のCI(Crystal Impedance)値を低下させ、周波数安定性を向上させることができる。空間S2を真空状態とするには、例えば、真空状態(真空の環境下)でダイヤフラム5、圧電振動片層6および基台7を接合する方法や、基台7に貫通孔をあけておき、常圧下でダイヤフラム5、圧電振動片層6および基台7を接合した後、前記貫通孔を介して空間S2を真空状態とし、貫通孔に充填物(例えば金錫AuSや金ゲルマAuGe等)を充填し封止する方法などが挙げられる。
このような基台7とダイヤフラム5に狭持されるように圧電振動片層6が設けられている。図4に示すように、圧電振動片層6は、圧電振動片本体61と、圧電振動片本体61の周囲を囲むように設けられた枠状の枠部62と、圧電振動片本体61と枠部62とを連結する4本の連結部631、632、633、634とを有している。このような圧電振動片層6は、一対の対角線の交点に対する回転体形状をなしている。
圧電振動片本体61は、互いに離間して設けられた一対の基部611、612および基部611、612を連結する双音叉型の振動部613で構成されている。振動部613は、間隔を隔てて互いに平行にかつX軸方向に延在する長手形状の2本の振動ビーム613a、613bを有している。このように2本の振動ビーム613a、613bを備えることにより、振動部613の振動漏れ等を抑制することができ、優れた分解能を発揮するセンサーチップ3を得ることができる。なお、振動ビームの数としては、本実施形態のような2本に限定されず、1本であっても、3本以上であってもよい。
この圧電振動片本体61は、基部611、612でダイヤフラム5の支持部53、54に固定されている。基部611、612と支持部53、54との固定方法としては、特に限定されず、例えば低融点ガラスやエポキシ系の接着剤等を用いて接合することができる。
枠部62は、圧電振動片本体61の周囲を囲むように設けられており、その内形および外形ともに矩形をなしている。
4本の連結部631〜634のうちの連結部631、632は、圧電振動片本体61の基部611と枠部62とを連結し、連結部633、634は、基部612と枠部62とを連結している。また、これら4本の連結部631〜634は、それぞれ、Y軸方向に延在するように設けられている。なお、連結部の数や延在方向としては、圧電振動片本体61を枠部62に連結することができれば特に限定されず、例えば、各基部611、612に対して1本または3本以上の連結部が形成されていてもよい。
以上、ダイヤフラム5、圧電振動片層6および基台7の構成(形状)について説明したが、これらの外形形状は、それぞれ、例えば、フォトリソグラフィ技法とドライエッチングやウエットエッチング等の各種エッチング法とを用いて一枚の水晶平板から形成することができる。
圧電振動片本体61には、図5に示すような一対の励振電極91、92が形成されており、圧電振動片本体61と一対の励振電極91、92とで双音叉型圧電振動片8が構成されている。双音叉型圧電振動片8は、伸張・圧縮応力に対する感度が良好であり、感圧素子としての分解能が優れている。そのため、このような双音叉型圧電振動片8を用いたセンサーチップ3は、優れた圧力検知能力を発揮することができる。
一対の励振電極91、92は、双音叉型圧電振動片8の振動モードが双音叉型圧電振動片8の中心軸に対して対称なモードで振動するように配置されている。
図5(A)は、双音叉型圧電振動片8を基台7側から見た斜視図であり、図5(B)〜(D)は、それぞれ、双音叉型圧電振動片8の断面図である。図5(A)〜(D)に示すように、励振電極91は、振動ビーム613a、613b上に形成された複数の電極片911と、基部611に形成された引き出し電極912とを有しており、これらが電気的に接続されている。これと同様に、励振電極92も、振動ビーム613a、613b上に形成された複数の電極片921と、基部612に形成された引き出し電極922とを有し、これらが電気的に接続されている。なお、引き出し電極912、922は、それぞれ、圧電振動片層6の基台7側の面に形成されている。
電極片911、921は、振動ビーム613a、613bの長手方向および周方向のそれぞれの方向について交互に位置するように形成されており、かつ、振動ビーム613aと振動ビーム613bとで配置が逆となるように形成されている。このような電極配置とすることにより、効率的に前述の振動モードで双音叉型圧電振動片8を振動させることができる。
励振電極91は、連結部631および枠部62上に形成された図示しない配線を介して枠部62上に形成された端子93に電気的に接続されている。端子93は、導電スルーホール97を介してセンサーチップ3の下面32に形成された端子95に電気的に接続されている。さらに、端子95は、後述するように、第1の接着剤41によってパッケージ2に形成された内部電極231と電気的に接続されている。これにより、励振電極91および外部電極232が電気的に接続され、励振電極91が圧力センサー1の外部へ引き出される。なお、導電スルーホール97は、枠部62の上面とセンサーチップ3の下面32とを貫通する貫通孔に、ペースト状の金属材料(例えば、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、銀(Ag)、等の高融点金属材料)を充填することにより得られる。
同様に、励振電極92は、連結部631および枠部62上に形成された図示しない配線を介して枠部62上に形成された端子94に電気的に接続されている。端子94は、導電スルーホール98を介してセンサーチップ3の下面32に形成された端子96に電気的に接続されている。さらに、端子96は、後述するように、第2の接着剤42によってパッケージ2に形成された内部電極241と電気的に接続されている。これにより、励振電極92および外部電極242が電気的に接続され、励振電極92が圧力センサー1の外部へ引き出される。
励振電極91、92、端子93、94、95、96および前記配線の構成材料としては、実質的に導電性を有していれば特に限定されず、例えば、前述した電極23、24と同様の構成材料を用いることができる。
以上、センサーチップ3の構成について詳細に説明した。
このようなセンサーチップ3は、前述したように、第1の接着剤41、第2の接着剤42および第3の接着剤43を介してパッケージ2の底部211に接合(固定)されている。
第1の接着剤41、第2の接着剤42および第3の接着剤43は、互いに同じものであり導電性を有している。そして、第1の接着剤41は、内部電極231および端子95に接触するように設けられており、第2の接着剤42は、内部電極241および端子96に接触するように設けられている。なお、第3の接着剤43は、端子95、96のいずれにも接触せずに設けられている。
これにより、3つの接着剤41、42、43によってセンサーチップ3を底部211に固定するとともに、第1の接着剤41によって端子95と内部電極231を、第2の接着剤42によって端子96と内部電極241を、それぞれ、電気的に接続することができる。そのため、圧力センサー1の部品点数の削減を図ることができるとともに、製造の容易化を図ることができる。
なお、第3の接着剤43は、第1の接着剤41および第2の接着剤42のように導通を取る役目を有していないが、第3の接着剤43を第1の接着剤41および第2の接着剤42と同一の接着剤とすることにより、圧力センサー1の構成の簡易化を図ることができる。
このような第1の接着剤41、第2の接着剤42および第3の接着剤43としては、それぞれ、特に限定されないが、例えば、金属フィラー(銀粉、銅粉等の金属微粒子)やカーボンファイバー等の導電性粒子を混合したシリコーン系、エポキシ系、ポリイミド系等の接着剤を用いることができる。
図6は、センサーチップ3の下面(一方の主面、底部211側の面)32を示した平面図である。センサーチップ3の下面32(なお、下面32の端子95、96が形成されている領域では、端子97、98の下面を「下面32」と言う。)には、パッケージ搭載時に、第1の接着剤41と接触する第1の接合部321、第2の接着剤42と接触する第2の接合部322および第3の接着剤43と接触する第3の接合部323が設定されている。すなわち、センサーチップ3は、第1の接合部321にて第1の接着剤41を介して底部211に接合され、第2の接合部322にて第2の接着剤42を介して底部211に接合され、第3の接合部323にて第3の接着剤43を介して底部211に接合されている。
第1の接着剤41、第2の接着剤42および第3の接着剤43の厚さとしては、特に限定されないが、40μm以上60μm以下程度であるのが好ましく、50μm程度であるのがより好ましい。これにより、センサーチップ3とパッケージ2(底部211)との接触を防止することができるとともに、圧力センサー1の厚さを抑えることができる。すなわち、圧力センサー1の信頼性を確保しつつ、圧力センサー1の小型化を図ることができる。
次いで、3つの接合部321、322、323について説明する。
図6に示すように、第1の接合部321は、下面32が有する4つの角部のうちの同図中右上に位置する角部に設定されている。また、第2の接合部322は、同図中右下に位置する角部に設定されている。すなわち、第2の接合部322は、下面32が有する4つの角部のうちの第1の接合部321が設定された角部とY軸方向に隣り合う角部に設定されている。なお、第1の接合部321と第2の接合部322の中心同士を結ぶ線分は、Y軸と平行となっている。また、第3の接合部323は、X軸方向の第1、第2の接合部321、322と反対側の端部(縁部)でかつY軸方向の中央に設定されている。
第1の接合部321、第2の接合部322および第3の接合部323の形状は、それぞれ、円形である。これにより、第1の接着剤41、第2の接着剤42および第3の接着剤43の塗布が簡単となる。その結果、圧力センサー1の製造のさらなる容易化を図ることができる。なお、第1の接合部321、第2の接合部322および第3の接合部323の形状は、それぞれ、円形に限定されず、例えば楕円形、正方形、三角形等であってもよい。
第1の接合部321、第2の接合部322および第3の接合部323の直径は、それぞれ、特に限定されないが、200μm以上500μm以下程度であるのが好ましい。これにより、センサーチップ3の下面32と、3つの接着剤41、42、43との接着面積を十分大きくすることができ、センサーチップ3を底部211により強固に固定することができる。
また、第1の接合部321、第2の接合部322および第3の接合部323の直径は、互いに同じであるのが好ましい。これにより、熱膨張による応力が3つの接合部321、322、323から均等にセンサーチップ3に加わるため、センサーチップ3に局所的に応力が加わるのを防止することができる。そのため、圧力センサー1は、より優れた機械的強度を得ることができる。
以上のような構成の圧力センサー1は、次のようにして圧力を検知する。
圧力センサー1(センサーチップ3)は、図7(a)に示すような圧力が加わると、図7(b)に示すように、2つの支持部53、54の下面(双音叉型圧電振動片8との接合面)が拡開するようにダイヤフラム5の薄肉部51が撓む。薄肉部51の撓みによって、支持部53、54に固定された双音叉型圧電振動片8にも曲げ方向の力が加えられると共に、一対の支持部53、54の拡開に伴う引っ張り(長手方向に向けた延び)の力が加えられる。双音叉型圧電振動片8は、振動部613の振動ビーム613a、613bに引っ張りの応力が付与されると発振周波数が高くなる特性を有しているため、圧力センサー1(センサーチップ3)に付与された圧力の大きさは、図示しない検知部によって、双音叉型圧電振動片8の発振周波数の変化量を検知し、検知された発振周波数の変化量に基づいて導き出すことができる。
このように、圧力センサー1では、双音叉型圧電振動片8の変形に伴う共振周波数の変化に基づいて加わった圧力の大きさを検知している。そのため、圧力センサー1では、圧力以外の応力(外力)によって双音叉型圧電振動片8が変形してしまうと、加わった圧力の大きさを正確に検知することができなくなるという問題がある。そして、圧力以外に双音叉型圧電振動片8に加わりうる応力として、圧力センサー1の熱膨張により発生する応力が考えられる。
環境温度の変化等により、圧力センサー1に熱が加わると、パッケージ2およびセンサーチップ3がそれぞれ膨張するが、パッケージ2とセンサーチップ3とでは、構成材料の違いから膨張率が互いに異なる。このような熱膨張率の異なる2つの部材(パッケージ2およびセンサーチップ3)が第1の接着剤41、第2の接着剤42および第3の接着剤43によって接合されているため、センサーチップ3には、パッケージ2の熱膨張によって生じた応力が加わる。
このような応力がセンサーチップ3に加わった場合には、前記応力によって双音叉型圧電振動片8に検知対象である圧力以外の応力が加わり、それにより双音叉型圧電振動片8が不本意に変形して共振周波数が変化し、前述したように圧力センサー1の信頼性が低下する。そこで、従来では、検知した圧力を環境温度に応じて補正する手段を設けて信頼性の低下を防止している。
しかしながら、熱膨張によりセンサーチップ3に加わる応力(すなわち双音叉型圧電振動片8の共振周波数のズレ)は、センサーチップの形状(特に、平面視でのアスペクト比)や、第1の接合部321、第2の接合部322および第3の接合部323の配置によって大きくことなり、センサーチップの形状や、接合部321〜323の配設位置を高精度に制御しなければ、前記補正手段を有していても、正確に補正することができず、圧力センサー1に加わった圧力を正確に検知することができない。
そこで、本発明の圧力センサーでは、センサーチップ3の形状(平面視形状:アスペクト比)と、第1の接合部321、第2の接合部322および第3の接合部323の配置とを前述のように規定することにより、センサーチップ3の(Ly/Lx)が0.6以上1.0以下の間で所望の値から多少ずれても、熱膨張によりセンサーチップ3に加わる応力(双音叉型圧電振動片8の共振周波数)に大きな差異を生じなくしている。
これにより、センサーチップ3の製造が容易となることによる圧力センサー1の製造の容易化と、歩留まりの向上とを図ることができる。さらには、熱歪みによる双音叉型圧電振動片8の共振周波数のズレを抑制することもできる。
また、下面32内において、第1の接合部321と第2の接合部とがY軸方向に大きく離間しているとともに、第1、第2の接合部321、322の中心同士を結んだ線分に対して、第3の接合部323がX軸方向に大きく離間しているため、センサーチップ3を安定してパッケージ2に固定することができる。そのため、機械的強度に優れた圧力センサー1を得ることができる。
<第2実施形態>
次に、本発明の圧力センサーの第2実施形態について説明する。
図8および図9は、それぞれ、本発明の第2実施形態に係る圧力センサーが有するセンサーチップの断面図である。
以下、第2実施形態の圧力センサーについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第2実施形態にかかる圧力センサーは、センサーチップの形状と、一対の励振電極の引き出し方が異なる以外は、前述した第1実施形態と同様である。なお、図8および図9にて、前述した第1実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
図8および図9に示すように、本実施形態の圧力センサー1Aが有するセンサーチップ3Aは、ダイヤフラム5に対して圧電振動片層6および基台7が突出して形成された突出部31を有している。この突出部31の上面には、励振電極91、92から引き出された端子93、94が形成されている。また、端子93は、導電性を有するワイヤ991によって内部電極231と電気的に接続されている。同様に、端子94は、導電性を有するワイヤ992によって内部電極241と電気的に接続されている。これにより、励振電極91、92および外部電極232、242が電気的に接続され、励振電極91、92が圧力センサー1の外部へ引き出される。
このような実施形態では、3つの接合部321〜323の設定は、センサーチップ3Aに下面32の突出部31に含まれる部分を除いて設定される。すなわち、下面32のうちダイヤフラム5と重なり合っている領域内にて、3つの接合部321〜323を設定する。
以上のような第2実施形態によっても、第1実施形態と同様の効果を発揮することができる。
以上、本発明の圧力センサーを、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。
次に、本発明の具体的実施例について説明する。しかしながら、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
1.圧力センサーの製造
以下のようにして圧力センサーを製造した。
<実施例1>
(A)センサーチップの作製
(A−1)ダイヤフラムの作成
まず、Xカットで切り出された水晶基板(熱膨張係数:13.5ppm/℃)を容易した。次いで、この水晶基板の一方の面に、真空蒸着によってSiO膜を形成した。次いで、SiO膜を枠部および一対の支持部の形状に対応するようにパターニングした。次いで、SiO膜を介して水晶基板をエッチングし、その後SiO膜を削除した。これによりダイヤフラムを得た。得られたダイヤフラムの長さ(X軸方向の長さ)×幅(Y軸方向の長さ)×厚さ(Z軸方向の長さ)は、4.2mm×3.4mm×0.9mmであった。また、薄肉部の厚さは、0.05mmであった。また、枠部の幅(X軸方向に延在する部分のY軸方向の長さ、Y軸方向に延在する部分のX軸方向の長さ)は、0.3mmであった。
(A−2)圧電振動片層の作製
まず、Xカットで切り出された水晶基板(熱膨張係数:13.5ppm/℃)を容易した。次いで、この水晶基板の一方の面に、真空蒸着によってSiO膜を形成した。次いで、SiO膜を圧電振動片本体、枠部および各連結部の形状に対応するようにパターニングした。次いで、SiO膜を介して水晶基板をエッチングし、その後SiO膜を削除した。これにより圧電振動片層を得た。得られた圧電振動片層の長さ(X軸方向の長さ)×幅(Y軸方向の長さ)×厚さ(Z軸方向の長さ)は、4.2mm×3.4mm×0.1mmであった。
次いで、得られた圧電振動片層の枠部に形成された各貫通孔にペースト状のタングステン(W)を充填し導電スルーホールを形成した。次いで、圧電振動片層の表面に、真空蒸着によりニッケルと金の積層体で構成される金属薄膜を形成した。金属薄膜の膜圧(平均膜厚)は、60μmであった。次いで、真空蒸着によって金属薄膜上にSiO膜を形成し、SiO膜を励振電極、端子およびこれらを接続する配線の形状に対応するようにパターニングした。次いで、SiO膜を介して金属膜をエッチングし、その後SiO膜を削除した。
(A−3)基台の作製
まず、Xカットで切り出された水晶基板(熱膨張係数:13.5ppm/℃)を容易した。次いで、この水晶基板の一方の面に、真空蒸着によってSiO膜を形成した。次いで、SiO膜を枠部の形状に対応するようにパターニングした。次いで、SiO膜を介して水晶基板をエッチングし、その後SiO膜を削除した。これにより、基台を得た。得られた基台の長さ(X軸方向の長さ)×幅(Y軸方向の長さ)×厚さ(Z軸方向の長さ)は、4.2mm×3.4mm×0.4mmであった。また、基台の基部の厚さは、0.3mmであった。
次いで、基台に形成された各貫通孔にペースト状のタングステン(W)を充填し導電スルーホールを形成した。次いで、基体の下面に、真空蒸着によりニッケルと金の積層体で構成される金属薄膜を形成した。金属薄膜の膜圧(平均膜厚)は、60μmであった。次いで、真空蒸着によって金属薄膜上にSiO膜を形成し、SiO膜を端子の形状に対応するようにパターニングした。次いで、SiO膜を介して金属膜をエッチングし、その後SiO膜を削除した。
(A−4)接合
ダイヤフラムの枠部および支持部と、基台の枠部とに、スクリーン印刷法により、焼成温度が400℃の低融点ガラスを形成した(この際、圧電振動片層の導電スルーホールと、基台の導電性スルーホールとの電気的接続が阻害されないように低融点ガラスを形成する)。次いで、ダイヤフラム、圧電振動片層および基台を突き合わせて圧力を加えた状態で上記温度で焼成することにより、これら3つの部材を接着封止した。これにより、センサーチップを得た。なお、得られたセンサーチップの低融点ガラスで構成された一対の接着層の厚さは、それぞれ、30μmであった。
(B)パッケージの作成
(B−1)ベースの作製
複数のセラミックシート(セラミックグリーンシート)を用意し、これらを積層した状態で焼成することにより箱状のベースを得た。得られたベースの長さ(X軸方向の長さ)×幅(Y軸方向の長さ)×厚さ(Z軸方向の長さ)は、10mm×10mm×1.5mmであった。また、得られたベースの底部の厚さは、0.3mmであった。また、得られたベースの熱膨張係数は、7.5ppm/℃であった。
(B−2)電極の形成
次いで、ベースの基部に設けられた各スルーホールにペースト状の銀(Ag)を充填し固化し連通部を得た。次いで、連通部に接触するようにアルミニウム(Al)からなる金属薄膜を形成し、内部電極および外部電極を得た。これによりベースにパッケージの内外を導通する一対の電極が形成された。
(B−3)リッドの作製
前述のベースの作製で用いたセラミックシートを複数用意し、これらを積層した状態で焼成した。次いで、焼成物に貫通孔を形成し、板状のリッドを得た。得られたリッドの長さ(X軸方向の長さ)×幅(Y軸方向の長さ)×厚さ(Z軸方向の長さ)は、10mm×10mm×0.1mmであった。また、得られたリッドの熱膨張係数は、7.5ppm/℃であった。
(C)センサーチップのパッケージへの搭載
(C−1)
まず、ベースの底部の内面の3箇所に導電性のポリイミド系接着剤を塗布した。各接着剤の熱膨張係数は、20ppm/℃であった。次いで、これら3つの接着剤上にセンサーチップを基台の底部が接触するように搭載した後、各接着剤を硬化することにより、センサーチップをベースに搭載した。硬化した状態での各接着剤の厚さは、50μmであった。
図10に示すように、各接着剤との接触により形成されるセンサーチップの3つの接合部は、それぞれ、直径500μmの円形状であった。
また、3つの接合部のうちの1つの接合部(第1の接合部)は、センサーチップの下面の図8中右上に位置する角部に設けられており、当該角部を形成する2つの辺と第1の接合部の中心との離間距離L1、L2は、それぞれ300μmであった。
また、残りの2つの接合部のうちの1つの接合部(第2の接合部)は、センサーチップの下面の図8中右下に位置する角部に設けられており、当該角部を形成する2つの辺と第1の接合部の中心との離間距離L3、L4は、それぞれ300μmであった。
また、残り1つの接合部(第3の接合部)は、下面のX軸方向の左側(第1、第2の接合部と反対側の)端部でかつY軸方向の中央に中心が位置するように設けられており、その中心と右側端部を形成する辺との離間距離L5は、300μmであった。
次いで、エポキシ系の接着剤を介してベースとリッドとを接合した。
以上のようにして、圧力センサーを得た。
<実施例2>
ダイヤフラムの長さ×幅を、4.2mm×3.6mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、4.2mm×3.6mmとし、基台の長さ×幅を4.2mm×3.6mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、実施例2の圧力センサーを得た。
<実施例3>
ダイヤフラムの長さ×幅を、4.2mm×3.8mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、4.2mm×3.8mmとし、基台の長さ×幅を4.2mm×3.8mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、実施例3の圧力センサーを得た。
<実施例4>
ダイヤフラムの長さ×幅を、4.2mm×4.0mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、4.2mm×4.0mmとし、基台の長さ×幅を4.2mm×4.0mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、実施例4の圧力センサーを得た。
<実施例5>
ダイヤフラムの長さ×幅を、4.2mm×4.2mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、4.2mm×4.2mmとし、基台の長さ×幅を4.2mm×4.2mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、実施例5の圧力センサーを得た。
<実施例6>
ダイヤフラムの長さ×幅を、6.3mm×4.0mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、6.3mm×4.0mmとし、基台の長さ×幅を6.3mm×4.0mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、実施例6の圧力センサーを得た。
<実施例7>
ダイヤフラムの長さ×幅を、6.3mm×4.5mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、6.3mm×4.5mmとし、基台の長さ×幅を6.3mm×4.5mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、実施例7の圧力センサーを得た。
<実施例8>
ダイヤフラムの長さ×幅を、6.3mm×5.0mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、6.3mm×5.0mmとし、基台の長さ×幅を6.3mm×5.0mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、実施例8の圧力センサーを得た。
<実施例9>
ダイヤフラムの長さ×幅を、6.3mm×5.5mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、6.3mm×5.5mmとし、基台の長さ×幅を6.3mm×5.5mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、実施例9の圧力センサーを得た。
<実施例10>
ダイヤフラムの長さ×幅を、6.3mm×6.0mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、6.3mm×6.0mmとし、基台の長さ×幅を6.3mm×6.0mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、実施例10の圧力センサーを得た。
<実施例11>
ダイヤフラムの長さ×幅を、6.3mm×6.3mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、6.3mm×6.3mmとし、基台の長さ×幅を6.3mm×6.3mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、実施例11の圧力センサーを得た。
<比較例1>
ダイヤフラムの長さ×幅を、4.2mm×2.5mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、4.2mm×2.5mmとし、基台の長さ×幅を4.2mm×2.5mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、比較例1の圧力センサーを得た。
<比較例2>
ダイヤフラムの長さ×幅を、4.2mm×2.3mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、4.2mm×2.3mmとし、基台の長さ×幅を4.2mm×2.3mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、比較例2の圧力センサーを得た。
<比較例3>
ダイヤフラムの長さ×幅を、6.3mm×3.8mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、6.3mm×3.8mmとし、基台の長さ×幅を6.3mm×3.8mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、比較例3の圧力センサーを得た。
<比較例4>
ダイヤフラムの長さ×幅を、6.3mm×3.3mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、6.3mm×3.3mmとし、基台の長さ×幅を6.3mm×3.3mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、比較例4の圧力センサーを得た。
<比較例5>
ダイヤフラムの長さ×幅を、6.3mm×2.8mmとし、圧電振動片層の長さ×幅を、6.3mm×2.8mmとし、基台の長さ×幅を6.3mm×2.8mmとした以外は、前記実施例1と同様にして、比較例5の圧力センサーを得た。
2.評価
各実施例および各比較例について、それぞれ、環境温度の変化によって生じる双音叉型圧電振動片の熱歪みによる共振周波数の変化を測定した。具体的には、まず、圧力が1気圧に維持されたキャビティ内に、各実施例および各比較例の圧力センサーを配置した。次いで、圧力センサーを駆動し、双音叉型圧電振動片の共振周波数の検知を開始した。次いで、キャビティ内の温度を変化させ、23℃での双音叉型圧電振動片の共振周波数と、43℃での双音叉型圧電振動片の共振周波数とを測定した。そして、23℃での双音叉型圧電振動片の共振周波数と、43℃での双音叉型圧電振動片の共振周波数との差異から1℃当たりの双音叉型圧電振動片の共振周波数の変化を算出した。これらの測定結果を、以下の表1に示す。
Figure 2011220722
表1から明らかなように、実施例1〜実施例5の間では、センサーチップの形状(Ly/Lx)が変化しても、双音叉型圧電振動子の共振周波数の変化が小さいのに対して、これら実施例に対応する比較例1、比較例2では、センサーチップの形状(Ly/Lx)が変化すると双音叉型圧電振動子の共振周波数が大きく変化しているのが判った。また、実施例1〜実施例5の間では、熱膨張熱(熱撓み)による双音叉型圧電振動片の共振周波数の変化が絶対値で1ppm/℃以下と極めて小さいのに対して、これら実施例に対応する比較例1、比較例2では、熱膨張熱(熱撓み)による双音叉型圧電振動片の共振周波数の変化が絶対値で7ppm/℃以上と極めて大きいことが判った。
同様に、実施例6〜実施例11の間では、センサーチップの形状(Ly/Lx)が変化しても、双音叉型圧電振動子の共振周波数の変化が小さいのに対して、これら実施例に対応する比較例3〜比較例5の間では、センサーチップの形状(Ly/Lx)が変化すると双音叉型圧電振動子の共振周波数が大きく変化しているのが判った。また、実施例6〜実施例11の間では、熱膨張熱(熱撓み)による双音叉型圧電振動片の共振周波数の変化が絶対値で1.3ppm/℃以下と極めて小さいのに対して、これら実施例に対応する比較例3〜比較例5では、熱膨張熱(熱撓み)による双音叉型圧電振動片の共振周波数の変化が絶対値で2.0ppm/℃以上と大きいことが判った。
なお、各実施例の圧力センサーについて、ダイヤフラムの厚さ、圧電振動片層の厚さ、圧電振動片本体の形状(振動ビームの長さ等)、接着剤の種類を変えても各実施例と同様の効果が得られた。
1、1A‥‥圧力センサー 2‥‥パッケージ 21‥‥ベース(本体) 211‥‥底部(基部) 212‥‥枠部 22‥‥リッド(蓋体) 221‥‥貫通孔 23、24‥‥電極 231、241‥‥内部電極 232、242‥‥外部電極 233、243‥‥導電スルーホール 3、3A‥‥センサーチップ 31‥‥突出部 32‥‥下面 321‥‥第1の接合部 322‥‥第2の接合部 323‥‥第3の接合部 41‥‥第1の接着剤 42‥‥第2の接着剤 43‥‥第3の接着剤 5‥‥ダイヤフラム 51‥‥薄肉部 52‥‥枠部 53、54‥‥支持部 6‥‥圧電振動片層 61‥‥圧電振動片本体 611、612‥‥基部 613‥‥振動部 613a、613b‥‥振動ビーム 62‥‥枠部 631、632、633、634‥‥連結部 7‥‥基台 71‥‥基部 72‥‥枠部 8‥‥双音叉型圧電振動片 91、92‥‥励振電極 911、921‥‥電極片 912、922‥‥引き出し電極 93、94、95、96‥‥端子 97、98‥‥導電スルーホール 991、992‥‥ワイヤ S1、S2‥‥空間

Claims (10)

  1. パッケージの内部にセンサーチップを搭載してなる圧力センサーであって、
    前記センサーチップの平面視形状は、矩形であり、
    前記センサーチップの一方の主面には、互いに離間した第1の接合部、第2の接合部および第3の接合部が設定されており、前記第1の接合部、前記第2の接合部および前記第3の接合部が、それぞれ、第1の接着剤、第2の接着剤および第3の接着剤によって前記パッケージに接合されることにより、前記センサーチップが前記パッケージに固定されており、
    前記センサーチップの平面視にて、前記主面の1つの辺に平行な軸をX軸とし、前記X軸に直交する軸をY軸としたとき、前記第1の接合部は、前記主面が有する4つの角部のうちの1つの角部に設定され、前記第2の接合部は、前記主面が有する4つの角部のうちの前記第1の接合部が設定された角部と前記Y軸方向に隣り合う角部に設定され、前記第3の接合部は、前記X軸方向の前記第1の接合部および前記第2の接合部と反対側の端部でかつY軸方向の中央部に設定されており、
    前記主面の前記X軸方向の長さをLxとし、前記Y軸方向の長さをLyとしたとき、Ly/Lxが、0.6以上1.0以下であることを特徴とする圧力センサー。
  2. 前記第1の接合部、前記第2の接合部および前記第3の接合部は、それぞれ、円形状である請求項1に記載の圧力センサー。
  3. 前記第1の接合部、前記第2の接合部および前記第3の接合部の直径は、それぞれ、200μm以上500μm以下である請求項2に記載の圧力センサー。
  4. 前記第1の接合部、前記第2の接合部および前記第3の接合部は、互いに直径が同じである請求項2または3に記載の圧力センサー。
  5. 前記センサーチップは、ダイヤフラムと、該ダイヤフラムと対向配置された基台と、前記ダイヤフラムに固定され、前記X軸方向に延在する少なくとも1つの振動アームを備える圧電振動片とを有し、前記ダイヤフラム、前記基台および前記圧電振動片のうちの少なくとも前記基台が水晶で構成され、
    前記パッケージは、前記第1の接着剤、前記第2の接着剤および前記第3の接着剤を介して前記センサーチップが接合された板状の基部を有し、前記基部がセラミックスで構成されている請求項1ないし4のいずれかに記載の圧力センサー。
  6. 前記基台の厚さは、200μm以上である請求項5に記載の圧力センサー。
  7. 前記センサーチップの前記主面には、前記圧電振動片が有する一対の励振電極と電気的に接続された一対の端子が形成されており、
    前記パッケージの前記基部には、前記パッケージの内外を電気的に接続し得る一対の導電部が形成されており、
    前記第1の接着剤、前記第2の接着剤および前記第3の接着剤のうちの少なくとも前記第1の接着剤および前記第2の接着剤が導電性を有しており、
    前記第1の接着剤によって前記一対の端子のうちの一方の前記端子と前記一対の導電部のうちの一方の前記導電部とを導通し、前記第2の接着剤によって、他方の前記端子と他方の前記導電部とを導通する請求項5または6に記載の圧力センサー。
  8. 前記圧電振動片は、双音叉型をなしている請求項5ないし7のいずれかに記載の圧力センサー。
  9. 前記主面の前記X軸方向の長さは、4.0mm以上6.5mm以下である請求項1ないし8のいずれかに記載の圧力センサー。
  10. 前記第1の接着剤、前記第2の接着剤および前記第3の接着剤の厚さは、それぞれ、40μm以上60μm以下である請求項1ないし9のいずれかに記載の圧力センサー。
JP2010087282A 2010-04-05 2010-04-05 圧力センサー Withdrawn JP2011220722A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010087282A JP2011220722A (ja) 2010-04-05 2010-04-05 圧力センサー

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010087282A JP2011220722A (ja) 2010-04-05 2010-04-05 圧力センサー

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011220722A true JP2011220722A (ja) 2011-11-04
JP2011220722A5 JP2011220722A5 (ja) 2013-05-16

Family

ID=45037912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010087282A Withdrawn JP2011220722A (ja) 2010-04-05 2010-04-05 圧力センサー

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011220722A (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56125630A (en) * 1980-03-07 1981-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin type electronic balance
JPH0566528U (ja) * 1992-02-17 1993-09-03 アンリツ株式会社 計量コンベア
JPH09219462A (ja) * 1996-02-08 1997-08-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP2002168715A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Toyoda Mach Works Ltd 半導体圧力検出装置及びその組立て方法
JP2007139517A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Epson Toyocom Corp 圧力センサの製造方法並びに圧力センサ及び圧力センサの実装方法
JP2008241287A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Epson Toyocom Corp 圧力センサ用の感圧素子、及びその製造方法
JP2009128121A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Panasonic Electric Works Co Ltd センサモジュール

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56125630A (en) * 1980-03-07 1981-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thin type electronic balance
JPH0566528U (ja) * 1992-02-17 1993-09-03 アンリツ株式会社 計量コンベア
JPH09219462A (ja) * 1996-02-08 1997-08-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP2002168715A (ja) * 2000-12-04 2002-06-14 Toyoda Mach Works Ltd 半導体圧力検出装置及びその組立て方法
JP2007139517A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Epson Toyocom Corp 圧力センサの製造方法並びに圧力センサ及び圧力センサの実装方法
JP2008241287A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Epson Toyocom Corp 圧力センサ用の感圧素子、及びその製造方法
JP2009128121A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Panasonic Electric Works Co Ltd センサモジュール

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5678741B2 (ja) 加速度検出器、加速度検出デバイス及び電子機器
JP4998860B2 (ja) 圧力センサー素子、圧力センサー
JP4332859B2 (ja) 圧力センサ
JP2008252859A (ja) 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法
JP5911349B2 (ja) 水晶デバイス
US11662204B2 (en) Vibrator device
JP2011203139A (ja) 圧力センサー
JP5712755B2 (ja) 加速度検出器、加速度検出デバイス及び電子機器
JP2010272783A (ja) 表面実装型デバイス
JP2011220722A (ja) 圧力センサー
JP2011257366A (ja) 圧力センサー
JP2011203141A (ja) 圧力センサー
JP2013186108A (ja) 物理量センサーモジュール及び電子機器
JP2014030126A (ja) 水晶デバイス
JP2011203140A (ja) 圧力センサー
JP5838694B2 (ja) 物理量検出器、物理量検出デバイス及び電子機器
JP2010239342A (ja) 圧電デバイス
JP5368135B2 (ja) 圧電デバイス
US9666497B2 (en) Crystal device
JP5867631B2 (ja) 加速度検出器、加速度検出デバイス及び電子機器
JP2013024828A (ja) 物理量検出器、物理量検出デバイス、電子機器及び物理量検出器の製造方法
JP2012242344A (ja) 加速度検出器、加速度検出デバイス及び電子機器
JP2012084669A (ja) 電子部品装置及びその製造方法
JP2011163884A (ja) 圧力センサー
JP6567878B2 (ja) 水晶デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130403

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130403

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130911

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130917

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20131023