JP2011205030A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】下部拡散層の抵抗値のばらつきが小さく、信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Y方向に延在し、内面に絶縁膜104の設けられたビット線トレンチ2a、2b内に、埋め込みビット線105a、105bを形成する工程と、X方向に延在し、底面の一部に半導体基板100が露出されたワード線トレンチ8aを、底面が埋め込みビット線105a、105bの上面105dよりも浅い位置となるように形成する工程とを行った後に、ワード線トレンチ8aの底面に露出された半導体基板100に不純物を導入して下部拡散層106a、106b、106cを形成する工程と、埋め込みビット線105a、105bと下部拡散層106a、106b、106cとを接続するコンタクト部3a、3bを形成する工程とを行う方法とする。
【選択図】図3
【解決手段】Y方向に延在し、内面に絶縁膜104の設けられたビット線トレンチ2a、2b内に、埋め込みビット線105a、105bを形成する工程と、X方向に延在し、底面の一部に半導体基板100が露出されたワード線トレンチ8aを、底面が埋め込みビット線105a、105bの上面105dよりも浅い位置となるように形成する工程とを行った後に、ワード線トレンチ8aの底面に露出された半導体基板100に不純物を導入して下部拡散層106a、106b、106cを形成する工程と、埋め込みビット線105a、105bと下部拡散層106a、106b、106cとを接続するコンタクト部3a、3bを形成する工程とを行う方法とする。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
近年、半導体装置の微細化が進むにつれて、平面的に半導体素子の占める領域が減少し、トランジスタの形成される領域(活性領域)が減少している。プレナー型トランジスタでは、活性領域の大きさが減少するにつれて、チャネル長やチャネル幅が減少し、短チャネル効果等の問題が発生している。
そこで、プレナー型トランジスタに代わり、微細化された領域でもチャネル長及びチャネル幅を確保できる縦型トランジスタを備えた半導体装置が提案されている。
そこで、プレナー型トランジスタに代わり、微細化された領域でもチャネル長及びチャネル幅を確保できる縦型トランジスタを備えた半導体装置が提案されている。
縦型トランジスタは、プレナー型トランジスタとは異なり、半導体基板の主面に垂直な方向にピラーが形成され、ON時には、このピラー内の該主面に垂直な方向にチャネルが形成される。したがって、縦型トランジスタは、プレナー型トランジスタと比較して、微細化したDRAMに代表される半導体メモリ素子に有効に適用することができる。
半導体装置を構成する縦型トランジスタのソース又はドレイン領域には、埋め込みビット線が接続されている。埋め込みビット線としては、内壁に絶縁膜の設けられたトレンチ内に埋め込まれ、トレンチの側壁に設けられた導電材料からなるコンタクト部を介して、トランジスタのソース又はドレインを構成する拡散層と接続されているものがある。
このような埋め込みビット線を形成する方法としては、例えば、シリコン基板に、ビット線方向に延在するビットトレンチを形成し、ビットトレンチの表面に露出するシリコン基板をシリコン酸化膜で覆い、ビットトレンチの一方の側壁を露出させた後、ビットトレンチの底部にビット線となる材料を埋め込んで、露出させたシリコン基板と接触するビット線を形成し、露出させたシリコン基板と接触するビット線から熱処理により不純物を拡散させてトランジスタのソース又はドレインとなる拡散層を形成する方法がある(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、下部拡散層と接触された埋め込みビット線を備えた従来の半導体装置では、下部拡散層の抵抗値のばらつきが大きいため、半導体の信頼性が不十分であった。
ここで、従来の半導体装置の問題点について図面を用いて詳細に説明する。
図22は、従来の半導体装置の一例として半導体記憶装置(DRAM(Dynamic Random Access Memory))の一部を示した縦断面図である。図23〜図30は、図22に示すDRAMの問題点を説明するための図であり、従来の半導体装置の製造方法を用いて図22に示すDRAMを製造している途中の一工程を示したDRAMの一部の縦断面図である。図31は、従来の半導体装置の製造方法を用いて図22に示すDRAMを製造している途中の一工程を示したDRAMの一部の平面図である。
ここで、従来の半導体装置の問題点について図面を用いて詳細に説明する。
図22は、従来の半導体装置の一例として半導体記憶装置(DRAM(Dynamic Random Access Memory))の一部を示した縦断面図である。図23〜図30は、図22に示すDRAMの問題点を説明するための図であり、従来の半導体装置の製造方法を用いて図22に示すDRAMを製造している途中の一工程を示したDRAMの一部の縦断面図である。図31は、従来の半導体装置の製造方法を用いて図22に示すDRAMを製造している途中の一工程を示したDRAMの一部の平面図である。
図22に示す従来の半導体記憶装置では、シリコンからなる半導体基板200にトレンチ202a、202bが形成されている。トレンチ202a、202b間の領域は、トランジスタのチャネルとなるシリコンピラー203a、203b、203cとなっている。シリコンピラー203aの両側壁には、一対のゲート電極208a、208bが埋め込まれ、隣接するシリコンピラー203bの両側壁には一対のゲート電極208c、208dが埋め込まれている。ゲート電極208a、208b、208c、208dはワード線として機能する。
トレンチ202a、202bの底部201a、201bの内壁には、熱酸化膜からなる絶縁膜204が形成されている。絶縁膜204の内側には、埋め込みビット線205a、205bが形成されている。ビット線205a、205bの延在方向は、平面視においては、ワード線(図22におけるゲート電極208a、208b、208c、208d)の延在方向に直交する方向となっている。埋め込みビット線205a、205bは、トランジスタのソース又はドレイン領域(S/D)の一方である下部拡散層206a、206bと、導電材料からなるコンタクト部13a、13bを介してそれぞれ接続されている。
シリコンピラー203a、203b、203c各々の上部には、トランジスタの他方のソース又はドレイン領域(S/D)である上部拡散層210が形成されている。上部拡散層210の上には、コンタクトプラグ212を介してキャパシタ213が形成されている。キャパシタ213は、下部電極213aと容量絶縁膜213bと上部電極213cとを備えている。シリコンピラー203a、203b、203cおよびコンタクトプラグ212の各々は、層間絶縁膜209、211により絶縁分離されている。
ここで、シリコンピラー203bに注目して説明すると、ビット線205bに接続されている下部拡散層206bと、シリコンピラー203bの両側壁にゲート絶縁膜(図22においては図示略)を介して対向して配置された一対のゲート電極208c、208dと、キャパシタ213に接続されている上部拡散層210とによって、一つの縦型トランジスタが構成されている。
次に、図22に示す半導体記憶装置の製造方法を図23〜図31を用いて説明する。
まず、シリコンからなる半導体基板200上に、シリコン窒化膜140を成膜し、フォトリソグラフィとドライエッチングとにより、図23に示すように、底部に半導体基板200の露出されたビット線開口105cを形成する。
次に、図24に示すように、シリコン窒化膜140をマスクとして半導体基板200を異方性ドライエッチングしてトレンチ202a、202bを形成し、熱酸化法によりトレンチ202a、202bの内壁に熱酸化膜からなる絶縁膜204を形成する。
まず、シリコンからなる半導体基板200上に、シリコン窒化膜140を成膜し、フォトリソグラフィとドライエッチングとにより、図23に示すように、底部に半導体基板200の露出されたビット線開口105cを形成する。
次に、図24に示すように、シリコン窒化膜140をマスクとして半導体基板200を異方性ドライエッチングしてトレンチ202a、202bを形成し、熱酸化法によりトレンチ202a、202bの内壁に熱酸化膜からなる絶縁膜204を形成する。
次に、図25に示すように、トレンチ202a、202b内を埋め込むように、CVD法により全面にポリシリコン膜111を形成する。次に、図26に示すように、ドライエッチングによりエッチバックして、ポリシリコン膜111の上面がコンタクト部13a、13b(図22参照)の上端の位置となるようにポリシリコン膜111を除去する。
次に、トレンチ202a、202bの側壁に、絶縁膜204と異なるエッチングレートの材料からなるサイドウォール115を形成し、ドライエッチングによりポリシリコン膜111をエッチバックして、図26に示すように、ポリシリコン膜111の上面がコンタクト部13a、13b(図22参照)の下端の位置となるようにポリシリコン膜111を除去する。
次に、トレンチ202a、202bの側壁に、絶縁膜204と異なるエッチングレートの材料からなるサイドウォール115を形成し、ドライエッチングによりポリシリコン膜111をエッチバックして、図26に示すように、ポリシリコン膜111の上面がコンタクト部13a、13b(図22参照)の下端の位置となるようにポリシリコン膜111を除去する。
その後、コンタクト部13a、13bの形成される位置を除くトレンチ202a、202bの側壁に、絶縁膜204と異なるエッチングレートの材料からなるマスクを形成し、ウェットエッチングにより絶縁膜204の一部を除去する。このことにより、図26に示すように、トレンチ202a、202bの側壁に半導体基板200の一部が露出された開口部100aを形成する。
なお、開口部100aを形成するウェットエッチングを施す工程の前に、図31に示すように、ビット線用のトレンチ202a、202bの端部に位置するビット線引き上げコンタクト部202aa、202bbをホトレジスト膜で覆うリソグラフィ工程を行なう。ビット線引き上げコンタクト部202aa、202bbにも開口部100aが形成されてしまうと、この部分にも後の工程で拡散層が形成されてしまい、隣接ビット線間のショートが発生する問題が生じる。この問題を回避するために、ビット線引き上げコンタクト部202aa、202bbには拡散層が形成されないようにする。すなわち、図31に示すように、メモリセル領域の内、ピラートランジスタが形成される領域以外の領域をホトレジスト膜で覆うリソグラフィ工程を実施し、開口パターン202cを形成した状態でトレンチ202a、202bに開口部100aを形成する。
開口部100aを形成した後、ホトレジスト膜を除去する。
開口部100aを形成した後、ホトレジスト膜を除去する。
開口部100aを形成した後、サイドウォール115を除去する。さらに、次に、CVD法により全面に、ヒ素やリンなどの不純物の添加されたポリシリコン膜117を形成して、図27に示すように、ポリシリコン膜117をトレンチ202a、202b内に埋め込み、ドライエッチングによりエッチバックして、開口部100aにのみポリシリコン膜117を残存させる。このことにより、図28に示すように、トレンチ202a、202b内のコンタクト部13a、13bとなる部分以外のポリシリコン膜117が除去されて、コンタクト部13a、13bが形成される。
次に、図29に示すように、トレンチ202a、202bを埋め込むように、CVD法により全面にビット線205a、205bとなる導電材料からなる導電膜120を形成する。
次いで、熱処理を行い、コンタクト部13a、13bに添加されている不純物を半導体基板200に拡散させて、下部拡散層206a、206bを形成する。
次いで、熱処理を行い、コンタクト部13a、13bに添加されている不純物を半導体基板200に拡散させて、下部拡散層206a、206bを形成する。
次に、図30に示すように、異方性ドライエッチングにより、コンタクト部13a、13bの上端の位置まで導電膜120をエッチバックする。これにより、図30に示すように、トレンチ202a、202bの絶縁膜204の内側に埋め込まれ、コンタクト部13a、13bを介して下部拡散層206a、206bに接続された埋め込みビット線205a、205bが形成される。
その後、図22に示すように、ビット線205a、205bよりも上方に位置し、ビット線205a、205bの延在方向に直交する方向に延在するゲート電極208a、208b、208c、208d(ワード線)を形成する。
その後、シリコン窒化膜140を除去してシリコンピラー203a、203b、203cの上部にトランジスタの他方のソース又はドレイン領域(S/D)を構成する上部拡散層210を形成する工程と、上部拡散層210の上にコンタクトプラグ212を形成する工程と、コンタクトプラグ212の上にキャパシタ213を形成する工程を経て、図22に示す半導体記憶装置が得られる。
その後、シリコン窒化膜140を除去してシリコンピラー203a、203b、203cの上部にトランジスタの他方のソース又はドレイン領域(S/D)を構成する上部拡散層210を形成する工程と、上部拡散層210の上にコンタクトプラグ212を形成する工程と、コンタクトプラグ212の上にキャパシタ213を形成する工程を経て、図22に示す半導体記憶装置が得られる。
このような製造方法を用いて得られた図22に示す半導体記憶装置では、面積の小さいコンタクト部13a、13bに添加されている不純物を、熱処理により半導体基板200に拡散させて、下部拡散層206a、206bを形成しているので、下部拡散層206a、206bの抵抗値のばらつきが大きくなりやすかった。
本発明者は、上記問題を解決し、下部拡散層の抵抗値のばらつきが小さく、信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供するために、鋭意検討を重ねた。
その結果、内面に溝底絶縁膜の設けられたビット線トレンチ内に埋め込みビット線を形成した後、埋め込みビット線の延在方向と交差する方向に延在し、底面が埋め込みビット線の上面よりも浅く、底面の一部に半導体基板が露出されたワード線トレンチを形成し、ワード線トレンチ内にワード線を形成する前に、下部拡散層と、埋め込みビット線と下部拡散層とを接続するコンタクト部とをワード線トレンチ内に形成すればよいことを見出した。
その結果、内面に溝底絶縁膜の設けられたビット線トレンチ内に埋め込みビット線を形成した後、埋め込みビット線の延在方向と交差する方向に延在し、底面が埋め込みビット線の上面よりも浅く、底面の一部に半導体基板が露出されたワード線トレンチを形成し、ワード線トレンチ内にワード線を形成する前に、下部拡散層と、埋め込みビット線と下部拡散層とを接続するコンタクト部とをワード線トレンチ内に形成すればよいことを見出した。
従来方法では、ビット線トレンチを形成する工程、下部拡散層を形成する工程、ビット線を形成する工程、ワード線トレンチを形成する工程、ワード線を形成する工程を順次に行なっていた。しかし、本願では上記工程に代えて、ビット線トレンチを形成する工程、ビット線を形成する工程、ワード線トレンチを形成する工程、下部拡散層を形成する工程、ワード線を形成する工程を順次に実施することとし、下部拡散層の形成工程をビット線形成工程より後で、ワード線形成より前の段階で行なう方法とした。
すなわち、底面の一部に半導体基板が露出されたワード線トレンチを形成した状態で、ワード線を形成する前に、ワード線トレンチの底面に露出している半導体基板に対して下部拡散層を形成する。この場合、底面に露出された状態の半導体基板に不純物を導入することにより、下部拡散層を形成できる。底面が露出しているので、下部拡散層となる半導体基板に不純物を導入する方法として、不純物の導入量を容易に高精度で制御できるイオン注入法を用いることができる。その結果、下部拡散層の抵抗値のばらつきが小さく、信頼性に優れた半導体装置が得られる。
本発明の半導体装置の製造方法は、第1方向に延在し、内面に溝底絶縁膜の設けられたビット線トレンチ内に、埋め込みビット線を形成する工程と、前記第1方向と交差する第2方向に延在し、底面の一部に前記半導体基板が露出されたワード線トレンチを、前記底面が前記埋め込みビット線の上面よりも浅い位置となるように形成する工程とを行った後に、前記ワード線トレンチの底面に露出された前記半導体基板に不純物を導入して下部拡散層を形成する工程と、前記埋め込みビット線と前記下部拡散層とを接続するコンタクト部を形成する工程とを少なくとも行うことを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、第1方向に延在し、内面に溝底絶縁膜の設けられたビット線トレンチ内に、埋め込みビット線を形成する工程と、前記第1方向と交差する第2方向に延在し、底面の一部に前記半導体基板が露出されたワード線トレンチを、前記底面が前記埋め込みビット線の上面よりも浅い位置となるように形成する工程とを行った後に、前記ワード線トレンチの底面に露出された前記半導体基板に不純物を導入して下部拡散層を形成する工程と、前記埋め込みビット線と前記下部拡散層とを接続するコンタクト部を形成する工程とを少なくとも行う方法であるので、下部拡散層を形成するために半導体基板に不純物を導入する方法として、熱処理を行ってコンタクト部に添加されている不純物を拡散させる熱拡散法と比較して、不純物の導入量を容易に高精度で制御できるイオン注入法を用いることができる。したがって、下部拡散層の抵抗値のばらつきが小さく、信頼性に優れた半導体装置を容易に提供できる。
しかも、本発明の半導体装置の製造方法では、下部拡散層を形成するために半導体基板に不純物を導入する方法として、熱処理を行ってコンタクト部に添加されている不純物を拡散させる熱拡散法を用いなくてもよい。このため、本発明の半導体装置の製造方法では、熱拡散法を行う場合のように、コンタクト部に使用する材料として不純物の添加されたものを用いる必要はない。よって、本発明の半導体装置の製造方法は、コンタクト部に使用可能な材料の自由度が高い方法となり、例えば、熱拡散法を行う場合と比較して、コンタクト部を安全性や導電性に優れた材料を用いて形成することができる。
具体的には、従来技術では、下部拡散層を熱拡散法で形成するための不純物拡散源としてヒ素ドープシリコン膜を用いていたが、ヒ素ドープシリコン膜の形成には猛毒のアルシン(AsH3)ガスを用いるため、使用時の安全確保に膨大なコストを費やすこととなる。本願では安全性が確立されているヒ素イオン注入を用いることができるので、安全性を確保すると共に低コスト化に寄与できる。
また、本発明の半導体装置の製造方法では、内面に溝底絶縁膜の設けられたビット線トレンチ内に、埋め込みビット線を形成する工程を行った後に、コンタクト部を形成する工程を行うので、溝底絶縁膜が埋め込みビット線によって保護された状態で、コンタクト部を形成することができる。このため、コンタクト部を形成する工程を行うことによる溝底絶縁膜の損傷を防止することができ、溝底絶縁膜の損傷に起因する埋め込みビット線と半導体基板との短絡や、隣接する埋め込みビット線間の短絡を抑制できる。
さらに、本発明の半導体装置の製造方法では、下部拡散層が、メモリセル領域の内、ピラートランジスタが形成される領域のワード線トレンチ内のみに形成されるので、ビット線引き上げコンタクト部には下部拡散層が形成されない。したがって、従来技術において必要であった図31に示したビット線引き上げコンタクト部を覆うためのリソグラフィ工程を不要とすることができる。また、従来技術において、下部拡散層を形成するめに必要であった、複数のサイドウォール形成および除去、複数の埋め込み膜の形成およびエッチバックなどの工程を省略でき、大幅な製造工程の簡略化を図れるので製造歩留まりの向上および製造コストの低減に寄与する効果がある。
本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図1〜図3は、本発明の半導体装置の一例である半導体記憶装置(DRAM)を説明するための図である。図1は、DRAMのメモリセル部を模式的に示した斜視図であり、図2は、図1に対応する平面図である。また、図3(a)は、図2のA−A断面を示した縦断面図であり、図3(b)は、図2のB−B断面を示した縦断面図である。
なお、図1および図2においては、シリコンピラー、ワード線、埋め込みビット線の配置関係の説明を容易とするために、シリコンピラー、ワード線、埋め込みビット線の配置関係の説明に関わらない部材の一部の図示を省略し、図面を見やすくしている。
図1〜図3は、本発明の半導体装置の一例である半導体記憶装置(DRAM)を説明するための図である。図1は、DRAMのメモリセル部を模式的に示した斜視図であり、図2は、図1に対応する平面図である。また、図3(a)は、図2のA−A断面を示した縦断面図であり、図3(b)は、図2のB−B断面を示した縦断面図である。
なお、図1および図2においては、シリコンピラー、ワード線、埋め込みビット線の配置関係の説明を容易とするために、シリコンピラー、ワード線、埋め込みビット線の配置関係の説明に関わらない部材の一部の図示を省略し、図面を見やすくしている。
図1〜図3に示すDRAMは、半導体基板100に備えられたトランジスタのチャネルとなる複数のシリコンピラー(ピラー)101a、101b、101c、102a、102b、102c、103a、103b、103c(図1においては102c、103a、103b、103cは図示略)を有している。シリコンピラー101a〜103cは、図2に示すように、シリコンからなる半導体基板100を掘り込んで形成した複数のビット線トレンチ(図2、図3(a)、図3(b)における2a、2b)と複数のワード線トレンチ(図2および図3(a)における8aおよび図2における8b)との間に形成されている。すなわち、Y方向に平行に延在する2本のビット線トレンチと、Y方向に直交するX方向に平行に延在する2本のワード線トレンチに囲まれた位置に一つのシリコンピラーが構成される。
図1〜図3に示すDRAMでは、ビット線トレンチ2a、2bが図1および図2に示すY方向(第1方向)に延在し、ワード線トレンチ8a、8bが図1および図2に示すY方向と略直交するX方向(第2方向)に延在していることにより、シリコンピラー101a〜103cが、X方向およびY方向に規則的に並べられている。
図1〜図3に示すDRAMでは、各シリコンピラー101a〜103cを取り囲むように、トランジスタのゲート電極108a、108b、108c、108d、108e、108f(図1においては108e、108fは図示略)であるワード線と、埋め込みビット線(配線)105a、105bとが、各々異なる深さで且つ直交する方向に交差して延在している。
図1〜図3に示すDRAMでは、各シリコンピラー101a〜103cを取り囲むように、トランジスタのゲート電極108a、108b、108c、108d、108e、108f(図1においては108e、108fは図示略)であるワード線と、埋め込みビット線(配線)105a、105bとが、各々異なる深さで且つ直交する方向に交差して延在している。
図1〜図3に示すDRAMでは、ゲート電極108a〜108fは、ワード線として機能するものとされている。ゲート電極108a〜108fは、ワード線トレンチ8a、8b内に形成され、埋め込みビット線105a、105bの上面より浅い(上方の)位置で図1および図2に示すX方向に延在している。浅い位置とは、シリコンピラー上面からの深さが浅いことを意味している。
また、埋め込みビット線105a、105bは、ビット線トレンチ内2a、2bに形成され、Y方向に延在している。各埋め込みビット線は、Y方向に配置された複数のシリコンピラーで共有されている。具体的には、例えば、埋め込みビット線105aは、シリコンピラー101a、102a、103aで共有されている。
また、埋め込みビット線105a、105bは、ビット線トレンチ内2a、2bに形成され、Y方向に延在している。各埋め込みビット線は、Y方向に配置された複数のシリコンピラーで共有されている。具体的には、例えば、埋め込みビット線105aは、シリコンピラー101a、102a、103aで共有されている。
図1〜図3に示すDRAMにおいて、単位セルを構成するトランジスタは、トランジスタのチャネルとなるシリコンピラーと、シリコンピラーに接続された1本の埋め込みビット線と、シリコンピラーの両側壁にゲート絶縁膜(図1〜図3においては図示略)を介して対向して配置され、セル領域端部で互いに接続されている一対のゲート電極(ワード線)とを備えている。
具体的には、例えば、シリコンピラー101aは、埋め込みビット線105aと接続され、一対のゲート電極(ワード線)108a、108bと対向している。同様に、例えば、シリコンピラー102aは、埋め込みビット線105aと接続され、一対のゲート電極(ワード線)108c、108dと対向している。他のシリコンピラー101c〜103cも同様である。
埋め込みビット線は、導電材料からなるものであればよく、特に限定されない。埋め込みビット線に用いられる導電材料としては、例えば、窒化チタンとタングステンとが底面側および側面側からこの順で積層されてなる積層膜からなるものとすることができる。
また、ゲート電極(ワード線)は、導電材料からなるものであればよく、特に限定されない。ゲート電極(ワード線)に用いられる導電材料としては、例えば、埋め込みビット線と同じ材料が挙げられる。
また、ゲート電極(ワード線)は、導電材料からなるものであればよく、特に限定されない。ゲート電極(ワード線)に用いられる導電材料としては、例えば、埋め込みビット線と同じ材料が挙げられる。
また、図1〜図3に示すDRAMにおいては、隣接するシリコンピラー間に配置された2本のワード線の間(例えば図2に示すゲート電極(ワード線)108cと108bとの間)は、ワード線間を分離する分離溝83に埋め込まれた層間絶縁膜で分離されている。また、図1〜図3に示すDRAMでは、2本のワード線が1つのシリコンピラーに接続されたダブルゲートとなっているが、埋め込みビット線は、片側のシリコンピラーだけに接続されている。
図1〜図3に示すDRAMでは、図3(a)および図3(b)に示すように、ビット線トレンチ2a、2bの底部の内面に、熱酸化膜からなる絶縁膜104(溝底絶縁膜)が形成されている。絶縁膜104の設けられたビット線トレンチ2a、2b内の底部には、埋め込みビット線105a、105bが設けられている。埋め込みビット線105a、105bは、図3(a)に示すように、コンタクト部3a、3bを介して下部拡散層106b、106cにそれぞれ接続されている。また、図3(a)および図3(b)に示すように、ビット線トレンチ2a、2bの内壁の埋め込みビット線105a、105b上においてY方向に沿う対向面の一方の全面には、サイドウォール15が備えられている。
コンタクト部3a、3bは、図3(a)に示すように、埋め込みビット線105a、105bとワード線トレンチ8aとが平面視で交差する領域に形成されている。コンタクト部3a、3bは、ワード線トレンチ8aの底面81aに開口するコンタクト穴31a、31bに導電材料が埋め込まれてなるものである。
コンタクト部3a、3bを形成する導電材料は、特に限定されるものではなく、例えば、埋め込みビット線105a、105bと同様の材料で形成することができる。具体的には、コンタクト部3a、3bは、例えば、窒化チタンとタングステンとが底面側および側面側からこの順で積層されてなる積層膜からなるものとすることができる。
コンタクト部3a、3bを形成する導電材料は、特に限定されるものではなく、例えば、埋め込みビット線105a、105bと同様の材料で形成することができる。具体的には、コンタクト部3a、3bは、例えば、窒化チタンとタングステンとが底面側および側面側からこの順で積層されてなる積層膜からなるものとすることができる。
コンタクト穴31a、31bは、図3(a)に示すように、埋め込みビット線105a、105bが露出された底面8cと、側面とを備えるものである。コンタクト穴31a、31bの側面は、Y方向に沿う対向面の一方のみに下部拡散層106a、106b、106cとなる半導体基板100が露出されてなる露出面8dと、絶縁膜で覆われた絶縁面8eとからなる。図3(a)に示すように、コンタクト穴31a、31bの絶縁面8eのうち、露出面8dと対向する絶縁面8fにはサイドウォール15が露出され、X方向に沿う対向面には図3(b)に示す層間絶縁膜109bが露出されている。
下部拡散層106a、106b、106cは、トランジスタのソース又はドレイン領域(S/D)の一方を構成するものであり、図2および図3(a)に示すように、ワード線108bと平面視で重なる領域の半導体基板100に不純物が拡散されたものである。下部拡散層106a、106b、106cは、図3(a)に示すように、上面106dがワード線108bの下面よりも深い位置に配置され、層間絶縁膜109a(ワード線トレンチ内絶縁膜)によってワード線108bと絶縁されている。
層間絶縁膜109aは、ワード線108bとコンタクト部3a、3bと下部拡散層106a、106b、106cとを絶縁できるものであればよく、特に限定されないが、例えば、図3(a)に示すように、外側のシリコン酸窒化膜9aと内側のシリコン酸化膜9bとの積層膜からなるものとすることができる。
本実施形態においては、下部拡散層106a、106b、106cには、不純物としてヒ素またはリンが添加されている。下部拡散層106a、106b、106cに拡散されている不純物濃度は、上から下に向かって低くなる分布を有している。
本実施形態においては、下部拡散層106a、106b、106cには、不純物としてヒ素またはリンが添加されている。下部拡散層106a、106b、106cに拡散されている不純物濃度は、上から下に向かって低くなる分布を有している。
また、図3(a)および図3(b)に示すように、埋め込みビット線105a、105bの底面および側面は、ビット線トレンチ2a、2bの底面および底部の内壁に配置された絶縁膜104よって半導体基板100と絶縁されている。また、埋め込みビット線105a、105bの上面105dは、図3(a)に示すように、ワード線トレンチ8aと平面視で交差する領域ではコンタクト部3a、3bに接続されており、図3(b)に示すように、平面視でワード線トレンチ8a間に位置する領域では層間絶縁膜109bによって絶縁されている。
層間絶縁膜109bは、Y方向に隣接するシリコンピラー間を絶縁できるものであればよく特に限定されないが、例えば、図3(b)に示すように、外側のシリコン酸窒化膜9aと内側のシリコン酸化膜9bとの積層膜からなるものとすることができる。
層間絶縁膜109bは、Y方向に隣接するシリコンピラー間を絶縁できるものであればよく特に限定されないが、例えば、図3(b)に示すように、外側のシリコン酸窒化膜9aと内側のシリコン酸化膜9bとの積層膜からなるものとすることができる。
また、コンタクト部3a、3bのY方向に沿う対向面のうちの一方側は、図3(a)に示すように、コンタクト穴31a、31bの半導体基板100が露出されてなる露出面8dにおいて下部拡散層106b、106cと接続されることによって、Y方向に沿う対向面のうちの一方側のシリコンピラーと接続されている。具体的には、図3(a)に示すコンタクト部3aはシリコンピラー106bと接続され、コンタクト部3bはシリコンピラー106cと接続されている。
また、コンタクト部3a、3bは、コンタクト穴31a、31bの露出面8d以外の側面である絶縁面8eにおいて絶縁されることによって、Y方向に沿う対向面のうちの他方側のシリコンピラーと未接続状態になっている。より詳細には、コンタクト部3a、3bのY方向に沿う対向面のうちの他方側は、図3(a)に示すように、コンタクト穴31a、31bの絶縁面8eに露出されたサイドウォール15と、サイドウォール15の外側に配置された絶縁膜104とによって絶縁され、コンタクト部3a、3bのX方向に沿う対向面は、コンタクト穴31a、31bの絶縁面8eに露出された図3(b)に示す層間絶縁膜109bによって絶縁されている(図16参照)。
すなわち、本実施形態においては、埋め込みビット線105a、105bは、コンタクト部3a、3bを介して、ビット線トレンチ2a、2b内に露出されている接続する側の下部拡散層106a、106b、106cと接続してシリコンピラーと接続されており、接続する側と反対側の下部拡散層、シリコンピラーとは未接続状態とされている。
具体的には、例えば、埋め込みビット線105aは、図3(a)、図3(b)に示すように、コンタクト部3a、下部拡散層106b、シリコンピラー101bと接続され、下部拡散層106bと反対側の下部拡散層106a、シリコンピラー101aとは未接続状態とされている。
具体的には、例えば、埋め込みビット線105aは、図3(a)、図3(b)に示すように、コンタクト部3a、下部拡散層106b、シリコンピラー101bと接続され、下部拡散層106bと反対側の下部拡散層106a、シリコンピラー101aとは未接続状態とされている。
また、図1〜図3に示すDRAMを構成する各シリコンピラー101a〜103cの上部には、図3(b)に示すように、上部拡散層110が形成されている。上部拡散層110は、トランジスタの他方のソース又はドレイン領域(S/D)を構成するものであり、不純物が拡散されているものである。
また、上部拡散層110の上には、図3(b)に示すように、コンタクトプラグ112を介してキャパシタ113が形成されている。キャパシタ113は、下部電極113aと容量絶縁膜113bと上部電極113cとを備えている。また、図3(a)および図3(b)に示すように、シリコンピラー101a〜103cおよびコンタクトプラグ112の各々は、層間絶縁膜109a、109b、11により絶縁分離されている。
また、上部拡散層110の上には、図3(b)に示すように、コンタクトプラグ112を介してキャパシタ113が形成されている。キャパシタ113は、下部電極113aと容量絶縁膜113bと上部電極113cとを備えている。また、図3(a)および図3(b)に示すように、シリコンピラー101a〜103cおよびコンタクトプラグ112の各々は、層間絶縁膜109a、109b、11により絶縁分離されている。
ここで、図3(b)に示すシリコンピラー101bに注目して説明すると、埋め込みビット線105aに接続されている図3(a)に示す下部拡散層106bと、キャパシタ113に接続されている上部拡散層110と、下部拡散層106bと上部拡散層110との間の深さにおいてシリコンピラー101bの両側壁に対向配置されている図2に示す(図3(a)にはゲート電極108bのみ示す)一対のゲート電極108b、108aとによって、一つの縦型トランジスタが構成されている。
なお、図2においては、説明の便宜上DRAMを構成するシリコンピラーを9個記載しているが、シリコンピラーの数は特に限定されるものではなく、数千〜数十万個のシリコンピラーが配置されることが好ましい。したがって、埋め込みビット線およびワード線の数も数百〜数千本配置されることが好ましい。
「製造方法」
次に、図1〜図3に示すDRAMの製造方法について図4〜図21を用いて説明する。図4〜図21は、図1〜図3に示すDRAMの製造方法を説明するための図であり、図4は製造途中のDRAMの一部を示した平面図であり、図5〜図21は製造途中のDRAMの縦断面の一部を示した縦断面斜視図である。なお、図5〜図21に示す縦断面斜視図のX方向最前面は、図2のA−A断面に対応する位置の縦断面図である。
次に、図1〜図3に示すDRAMの製造方法について図4〜図21を用いて説明する。図4〜図21は、図1〜図3に示すDRAMの製造方法を説明するための図であり、図4は製造途中のDRAMの一部を示した平面図であり、図5〜図21は製造途中のDRAMの縦断面の一部を示した縦断面斜視図である。なお、図5〜図21に示す縦断面斜視図のX方向最前面は、図2のA−A断面に対応する位置の縦断面図である。
図1〜図3に示すDRAMを製造するには、まず、半導体基板100に複数のビット線トレンチ2a、2bを形成する。
具体的には、まず、半導体基板100上に、シリコン窒化膜40を減圧CVD(Chemical Vapor Deposition)法により成膜する。本実施形態においては、半導体基板100として、シリコン単結晶基板を用いる。
具体的には、まず、半導体基板100上に、シリコン窒化膜40を減圧CVD(Chemical Vapor Deposition)法により成膜する。本実施形態においては、半導体基板100として、シリコン単結晶基板を用いる。
次に、フォトリソグラフィとドライエッチングを用いて、シリコン窒化膜40に、底面に半導体基板100が露出しているビット線開口を形成する。次いで、シリコン窒化膜40をマスクとして、半導体基板100を異方性ドライエッチングし、図4および図5に示すように、図1および図2に示すY方向(第1方向)に延在するビット線トレンチ2a、2bを形成する。なお、図4以降の図では、ビット線引き上げコンタクト部の図示は省略している。
ビット線トレンチ2a、2bを形成するための半導体基板100の異方性ドライエッチングとしては、例えば、誘導結合プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)による反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)法を用いることができる。
次に、図6に示すように、熱酸化法により、ビット線トレンチ2a、2bの内面全面にシリコン酸化膜からなる絶縁膜104(溝底絶縁膜)を形成する。
次に、ビット線トレンチ2a、2bを埋め込むように、CVD法により全面に埋め込みビット線105a、105bとなる導電材料からなる配線材料層を形成する。配線材料層は、図7に示すように、ビット線トレンチ2a、2bの形状に沿って形成された窒化チタン膜19と、ビット線トレンチ2a、2bを埋め込むように形成されたタングステン20との積層膜であることが好ましい。
次に、ビット線トレンチ2a、2bを埋め込むように、CVD法により全面に埋め込みビット線105a、105bとなる導電材料からなる配線材料層を形成する。配線材料層は、図7に示すように、ビット線トレンチ2a、2bの形状に沿って形成された窒化チタン膜19と、ビット線トレンチ2a、2bを埋め込むように形成されたタングステン20との積層膜であることが好ましい。
次に、異方性ドライエッチングにより、コンタクト部3a、3bの上端となる位置まで配線材料層をエッチバックする。これにより、図7に示すように、埋め込みビット線105a、105bが形成される。
次に、サイドウォール15を形成する工程を行う。本実施形態においては、サイドウォール15を形成する工程を、埋め込みビット線105a、105bを形成する工程を行った後、後述するワード線トレンチ8aを形成する工程を行う前に行う。
サイドウォール15を形成する工程においては、以下に示す方法により、図8(a)に示すサイドウォール15aを形成し、図8(a)に示すサイドウォール15aの一部を除去して、ビット線トレンチ2a、2bの内壁のY方向に沿う対向面の一方の全面(図8(a)における右側半分(図10参照))のみにサイドウォール15を形成する。
サイドウォール15を形成する工程においては、以下に示す方法により、図8(a)に示すサイドウォール15aを形成し、図8(a)に示すサイドウォール15aの一部を除去して、ビット線トレンチ2a、2bの内壁のY方向に沿う対向面の一方の全面(図8(a)における右側半分(図10参照))のみにサイドウォール15を形成する。
サイドウォール15を形成するには、まず、半導体基板100上の全面にCVD法によりシリコン窒化膜を形成する。次に、シリコン窒化膜を異方性ドライエッチングによりエッチバックして、ビット線トレンチ2a、2bの底面に埋め込みビット線105a、105bを露出させ、図8(a)に示すように、底部にビット線105a、105bの形成されたビット線トレンチ2a、2bの側壁の全面に、シリコン窒化膜からなるサイドウォール15aを形成する。このことにより、ビット線トレンチ2a、2bの側壁は、図8(a)に示すように、絶縁膜104と、絶縁膜104の内側に設けられたサイドウォール15aとによって覆われた状態とされる。
次に、ビット線トレンチ2a、2b内に残存する空間を埋め込むように、シリコン酸化膜116を形成する。シリコン酸化膜の形成には、CVD法、ALD法(Atomic Layer Depositin)あるいは回転塗布法を用いることができる。
次に、シリコン酸化膜116およびサイドウォール15aをエッチバックし、図8(b)に示すように、ビット線トレンチ2a、2b内の上部のみシリコン酸化膜116およびサイドウォール15aを除去する。
次に、シリコン酸化膜116およびサイドウォール15aをエッチバックし、図8(b)に示すように、ビット線トレンチ2a、2b内の上部のみシリコン酸化膜116およびサイドウォール15aを除去する。
次に、半導体基板100上の全面にCVD法によりシリコン膜118をCVD法により形成する。シリコン膜118としては、エッチング段階で、不均一なエッチングが生じる原因となる結晶粒の影響が現れない非晶質シリコン膜を設けることが好ましい。非晶質シリコン膜は、成膜温度を540℃以下とすることにより得られる。
次に、シリコン膜118のうち、シリコン窒化膜40上に形成された上面シリコン膜118aと、ビット線トレンチ2a、2bの側壁に形成されたシリコン膜118の片側(図9においては右側)の側壁シリコン膜118bと、シリコン酸化膜116上に形成された水平シリコン膜118dの一部(図9においては右側半分)に不純物を注入する。
次に、シリコン膜118のうち、シリコン窒化膜40上に形成された上面シリコン膜118aと、ビット線トレンチ2a、2bの側壁に形成されたシリコン膜118の片側(図9においては右側)の側壁シリコン膜118bと、シリコン酸化膜116上に形成された水平シリコン膜118dの一部(図9においては右側半分)に不純物を注入する。
シリコン膜118への不純物の導入は、ビット線トレンチ2a、2bの側壁に形成されたシリコン膜118のうち、サイドウォール15aを除去する側と対向する側に形成された側壁シリコン膜118b(図9においては右側)に対して実施する。シリコン膜118に添加される不純物としては、フッ化ボロン(BF2)などが挙げられる。
ビット線トレンチ2a、2bの側壁に形成されたシリコン膜118のうち片側(図9においては左側)に不純物を注入せずに、上面シリコン膜118aと側壁シリコン膜118bと水平シリコン膜118dの一部とに不純物を添加する方法としては、例えば、斜めイオン注入法などが挙げられる。図9においては、斜めイオン注入法を用いて、シリコン膜118に不純物を注入する場合を例に挙げて示している。
ビット線トレンチ2a、2bの側壁に形成されたシリコン膜118のうち片側(図9においては左側)に不純物を注入せずに、上面シリコン膜118aと側壁シリコン膜118bと水平シリコン膜118dの一部とに不純物を添加する方法としては、例えば、斜めイオン注入法などが挙げられる。図9においては、斜めイオン注入法を用いて、シリコン膜118に不純物を注入する場合を例に挙げて示している。
また、図9においてシリコン膜118に不純物を注入する場合、側壁シリコン膜118bだけでなく、側壁シリコン膜118bに対して傾斜して配置されている水平シリコン膜118dの一部にも不純物を添加する必要がある。このため、シリコン膜118に不純物を注入する方法として、側壁シリコン膜118bと水平シリコン膜118dの一部の各部位に最適な注入角度となるように、角度の異なる2段階注入法を用いてもよい。ここで、注入角度とは、半導体基板100の表面に対する垂線からの傾斜角を意味している。
2段階注入法を用いてシリコン膜118に不純物を注入する場合、例えば、加速エネルギー5keV、注入ドーズ量2E14cm−2で、注入角度20°での注入と注入角度30°での注入とを組み合わせることが好ましい。なお、注入角度は、シリコン膜118の膜厚や、水平シリコン膜118dの面積、側壁シリコン膜118bの深さなどに応じて適宜変更できる。
次に、アンモニア水(NH3)などをエッチング液として用いるウエットエッチングにより、不純物の注入されていないシリコン膜118(図9においては側壁に形成されたシリコン膜118のうち左側と、水平シリコン膜118dの左側半分)を除去して、図9に示すように、シリコン窒化膜からなるサイドウォール15aの上部の一部とシリコン酸化膜116の左側半分とを露出させる。
次に、残存するシリコン膜118(図10における側壁シリコン膜118b、水平シリコン膜118dの右側半分、上面シリコン膜118a)をマスクとして、上面の露出されているサイドウォール15aをウエットエッチングにより除去する。これにより、図10に示すように、ビット線トレンチ2a、2bの内壁のY方向に沿う対向面の一方の全面である右側全面のみにサイドウォール15が形成され、ビット線トレンチ2a、2bの側壁に設けられた絶縁膜104のうち、図10における左側全面がビット線トレンチ2a、2b内に露出される。
サイドウォール15のウエットエッチングに用いるエッチング液としては、サイドウォール15が窒化チタン膜からなるものであり、絶縁膜104がシリコン酸化膜からなるものである場合、絶縁膜104およびシリコン酸化膜116を残存させてサイドウォール15を効率よく選択的に除去できるアンモニアと過酸化水素水との混合液を用いることが好ましい。
このようにして得られたサイドウォール15は、後述するシリコン酸化膜116と絶縁膜104の一部とをウエットエッチングにより除去する工程と、層間絶縁膜109bをウエットエッチングにより除去する工程とにおいて、残存されるべき絶縁膜104がエッチングされることを防止するとともに、コンタクト部3a、3bを形成した後に、接続されるべき下部拡散層に隣接する他の下部拡散層に、コンタクト部3a、3bが接続されることを絶縁膜104とともに防止するものである。
このように本実施形態においては、ビット線トレンチ2a、2bの内壁のY方向に沿う対向面の一方の全面である右側全面のみにサイドウォール15を形成しているので、ビット線トレンチ2a、2bの側壁に設けられた絶縁膜104のうち、左側全面がビット線トレンチ2a、2b内に露出された状態となる。ビット線トレンチ2a、2b内に露出された絶縁膜104は、埋め込みビット線105a、105bと下部拡散層106a、106b、106cとを接続するコンタクト部3a、3bを形成するために、後の工程において除去される。
本実施形態においては、絶縁膜104の左側全面をビット線トレンチ2a、2b内に露出させるので、例えば、絶縁膜104の左側の一部のみ露出させる場合と比較して、サイドウォール15を容易に高精度で形成でき、微細化に対応しやすい方法となる。
より詳細には、絶縁膜104の左側の一部のみ露出させる場合、ビット線トレンチ2a、2bの左側の側壁に所定の形状でサイドウォールを残存させる必要があるため、サイドウォールの内側に犠牲層を設けなくてはならない。したがって、本実施形態の製造方法では不要な工程である犠牲層を形成する工程やサイドウォールの形状を所定の形状とするための工程を行わなければならず、本実施形態の製造方法と比較して、手間がかかり、生産性が低下する。
より詳細には、絶縁膜104の左側の一部のみ露出させる場合、ビット線トレンチ2a、2bの左側の側壁に所定の形状でサイドウォールを残存させる必要があるため、サイドウォールの内側に犠牲層を設けなくてはならない。したがって、本実施形態の製造方法では不要な工程である犠牲層を形成する工程やサイドウォールの形状を所定の形状とするための工程を行わなければならず、本実施形態の製造方法と比較して、手間がかかり、生産性が低下する。
また、絶縁膜104の左側の一部のみ露出させる場合、サイドウォールの内側に犠牲層を設けなくてはならないため、ビット線トレンチ2a、2bの内径が犠牲層の厚み分さらに狭くなる。その結果、サイドウォールの形状を所定の形状とする際に、ビット線トレンチ2a、2b内にエッチング残りが発生するなどのエッチング不良が発生しやすく、本実施形態の製造方法と比較して、微細化に対応しにくい製造方法となる。
次に、図11に示すように、残存するシリコン膜118を等方性ドライエッチングにより除去する。
その後、フッ化水素酸含有溶液などのエッチング液を用いるウエットエッチングにより、ビット線トレンチ2a、2bの側壁に露出しているシリコン酸化膜116およびシリコン酸化膜からなる絶縁膜104を除去し、図12に示すように、ビット線トレンチ2a、2bの側壁に半導体基板100を露出させるとともに、ビット線トレンチ2a、2bの底面に埋め込みビット線105a、105bを露出させる。
その後、フッ化水素酸含有溶液などのエッチング液を用いるウエットエッチングにより、ビット線トレンチ2a、2bの側壁に露出しているシリコン酸化膜116およびシリコン酸化膜からなる絶縁膜104を除去し、図12に示すように、ビット線トレンチ2a、2bの側壁に半導体基板100を露出させるとともに、ビット線トレンチ2a、2bの底面に埋め込みビット線105a、105bを露出させる。
次に、図13に示すように、ビット線トレンチ2a、2b内に沿ってCVD法によりシリコン酸窒化膜9aを形成する。その後、塗布型低誘電率絶縁膜材料(SOD)を用いて、ビット線トレンチ2a、2b内にシリコン酸化膜9bを埋め込む。このことにより、図13に示すように、ビット線トレンチ2a、2b内に、シリコン酸窒化膜9aとシリコン酸化膜9bとからなる層間絶縁膜109bを形成する。
次に、半導体基板100上の全面にシリコン酸化膜41を設け、ドライエッチングを行うことにより、図14に示すように、図1および図2に示すX方向(第2方向)に延在し、底面81aが埋め込みビット線105a、105bの上面よりも浅い位置となるように、ワード線トレンチ8aを形成する。このドライエッチングでは、シリコン酸化膜41、9bと、シリコン窒化膜40と、シリコン酸窒化膜9aと、シリコン基板101a、101b、101cの各々が等速でエッチングされる条件を用いる。また、絶縁膜とシリコンを別々にエッチングすることもできる。
このようにして形成されたワード線トレンチ8aは、図14に示すように、底面81aのうち、ワード線トレンチ8aと埋め込みビット線105a、105bとが平面視で交差する領域にはビット線トレンチ2a、2b内の層間絶縁膜109bが露出され、ビット線トレンチ2a、2b間の領域には半導体基板100が露出されたものとなる。
このようにして形成されたワード線トレンチ8aは、図14に示すように、底面81aのうち、ワード線トレンチ8aと埋め込みビット線105a、105bとが平面視で交差する領域にはビット線トレンチ2a、2b内の層間絶縁膜109bが露出され、ビット線トレンチ2a、2b間の領域には半導体基板100が露出されたものとなる。
また、ワード線トレンチ8aが形成されることにより、ワード線トレンチ8aと埋め込みビット線105a、105bとの間に、シリコンピラー101a〜103c(図14においてはシリコンピラー101a、101b、101cのみ記載)が形成される。
次に、半導体基板100上の全面にCVD法によりシリコン窒化膜を形成し、異方性ドライエッチングによりエッチバックして、ワード線トレンチ8aの底面81aに半導体基板100を露出させる。このことにより、図15に示すように、ワード線トレンチ8aの側壁の全面に、シリコン窒化膜からなるサイドウォールマスク14が形成される。
次に、半導体基板100上の全面にCVD法によりシリコン窒化膜を形成し、異方性ドライエッチングによりエッチバックして、ワード線トレンチ8aの底面81aに半導体基板100を露出させる。このことにより、図15に示すように、ワード線トレンチ8aの側壁の全面に、シリコン窒化膜からなるサイドウォールマスク14が形成される。
次に、ワード線トレンチ8aの底面81aに露出されているビット線トレンチ2a、2b内の層間絶縁膜109bを構成するシリコン酸窒化膜9aおよびシリコン酸化膜9bをドライエッチングにより除去する。このことにより、図16に示すように、埋め込みビット線105a、105bが露出される。また、図16に示すように、ワード線トレンチ8aの底面81aにおける埋め込みビット線105a、105bと平面視で交差する領域に、ワード線トレンチ8aの底面81aに開口するコンタクト穴31a、31bが形成される。
コンタクト穴31a、31bは、図16に示すように、埋め込みビット線105a、105bの上面が露出された底面8cと、Y方向に沿う対向面の一方にのみ下部拡散層106a、106b、106cとなる半導体基板100が露出されてなる露出面8dと絶縁膜で覆われた絶縁面8eとからなる側面とを備えている。したがって、コンタクト穴31a、31bに導電材料を埋め込むことにより、コンタクト穴31a、31bの底面8cにおいて埋め込みビット線105a、105bと接続され、コンタクト穴31a、31bの露出面8dにおいて半導体基板100と接続されたコンタクト部3a、3bを容易に製造できる。
また、図16に示すように、露出面8dと対向する面の絶縁面8fにはサイドウォール15が露出され、コンタクト穴31a、31bのY方向に垂直な側面には絶縁面8eである層間絶縁膜109bが露出されている。したがって、コンタクト穴31a、31bに導電材料を埋め込むことにより形成されるコンタクト部3a、3bが、接続されるべき下部拡散層以外の下部拡散層に接続されないようになっている。
次に、ワード線トレンチ8aの底面81aに露出されている半導体基板100に、ヒ素またはリンなどの不純物を導入して、図17に示すように、下部拡散層106a、106b、106cを形成する。半導体基板100に不純物を導入して下部拡散層106a、106b、106cを形成する方法としては、イオン注入法を用いることが好ましい。イオン注入法を用いて下部拡散層106a、106b、106cを形成することにより、下部拡散層106a、106b、106cに導入されている不純物濃度は、上から下に向かって低くなる分布となる。
また、イオン注入法を用いて下部拡散層106a、106b、106cを形成する方法として、斜めイオン注入法を用いることが好ましい。斜めイオン注入法は、半導体基板100の表面に対する垂線よりもコンタクト穴31a、31bの露出面8dに対する垂線に近づく角度に、注入角度を傾斜させて行う。この場合、下部拡散層106a、106b、106cに拡散されている不純物濃度は、上から下に向かって低くなる分布になるとともに、半導体基板100の露出面8dに露出された部分から注入角度に沿う深さ方向に向かって低くなる分布になる。斜めイオン注入法を用いて下部拡散層106a、106b、106cを形成した場合、下部拡散層106a、106b、106cとコンタクト部3a、3bとが接続される露出面8dの不純物濃度が十分に高いものとなるので、下部拡散層106a、106b、106cとコンタクト部3a、3bとの接続抵抗値が低減され、好ましい。
次に、ワード線トレンチ8a内のコンタクト穴31a、31b内に沿って、チタン膜またはコバルト膜(不図示)からなる薄膜を形成し、その後、熱処理を行うことにより、半導体基板100の露出面8dに露出された部分からチタンシリサイドまたはコバルトシリサイドを成長させる。このことにより、下部拡散層106a、106b、106cとコンタクト部3a、3bとの接続抵抗値を低くすることができる。より抵抗を下げるためにはコバルトシリサイドとすることが好ましい。
次に、ワード線トレンチ8a内のコンタクト穴31a、31bを埋め込むように、CVD法によりコンタクト部3a、3bとなる導電材料を埋め込んで配線材料層を形成する。
配線材料層としては、埋め込みビット線105a、105bと同じ導電材料からなるものなどが形成され、具体的には、図18に示すように、コンタクト穴31a、31bの形状に沿って形成された窒化チタン膜19と、コンタクト穴31a、31bを埋め込むように形成されたタングステン20との積層膜からなるものであることが好ましい。
コンタクト部3a、3bを埋め込みビット線105a、105bと同じ材料で形成する場合、コンタクト部3a、3bと埋め込みビット線105a、105bとを同じ設備を用いて形成することができるとともに、半導体装置の製造に使用する材料の種類を少なくすることができ、効率よく製造できる。
配線材料層としては、埋め込みビット線105a、105bと同じ導電材料からなるものなどが形成され、具体的には、図18に示すように、コンタクト穴31a、31bの形状に沿って形成された窒化チタン膜19と、コンタクト穴31a、31bを埋め込むように形成されたタングステン20との積層膜からなるものであることが好ましい。
コンタクト部3a、3bを埋め込みビット線105a、105bと同じ材料で形成する場合、コンタクト部3a、3bと埋め込みビット線105a、105bとを同じ設備を用いて形成することができるとともに、半導体装置の製造に使用する材料の種類を少なくすることができ、効率よく製造できる。
次に、異方性ドライエッチングにより、コンタクト部3a、3bの上端となる位置まで配線材料層をエッチバックし、ワード線トレンチ8aの底面81aに拡散層106a、106b、106cを露出させる。これにより、図18に示すように、ワード線トレンチ8aの底面81aにおける埋め込みビット線105a、105bと平面視で交差する領域に設けられたコンタクト穴31a、31b内に、コンタクト部3a、3bが形成される。そして、図18に示すように、コンタクト部3a、3bによって、埋め込みビット線105a、105bと下部拡散層106a、106b、106cとが接続される。
コンタクト部3a、3bと拡散層106a、106b、106cとの接続面積は、コンタクト部3a、3bの高さ(厚み)に応じて変化する。コンタクト部3a、3bの高さは、コンタクト部3a、3bとなる配線材料層をエッチバックする際の終点を制御することによって調整できる。本実施形態においては、コンタクト穴31a、31bは、ワード線トレンチ8aの底面81aに開口するものであり、コンタクト部3a、3bがコンタクト穴31a、31bに導電材料を埋め込んでなるものであるので、コンタクト部3a、3bの上面の位置がワード線トレンチ8aの底面81aよりも深い位置となり、X方向に隣接するコンタクト部3a、3b同士が絶縁されている。よって、配線材料層をエッチバックする際の終点の検知に、ワード線トレンチ8aの底面81a(本実施形態においては、半導体基板100に形成された拡散層106a、106b、106cの上面)を用いることができる。
従来技術では、エッチバックを行なう場合にエッチングの終点を検知する手段が存在しないため、エッチバックした後の被エッチング材の上面の位置を制御することが困難で、大きなバラツキを有する原因となっていた。これに対し、本願ではワード線トレンチ8aの底面81aに露出するシリコンを終点検知手段として用いることができるので、エッチバックの制御性を向上させることができる。
したがって、本実施形態の製造方法においては、コンタクト部3a、3bと拡散層106a、106b、106cとの接続面積(コンタクト部3a、3bの高さ)を、ワード線トレンチ8aの底面81aと埋め込みビット線105a、105bの上面との距離を変化させることによって容易に高精度で調整できる。その結果、埋め込みビット線105a、105bと拡散層106a、106b、106cとの接続抵抗値のばらつきが非常に小さい半導体装置が得られる。
これに対し、例えば、図23〜図30に示す従来の半導体装置の製造方法では、絶縁膜204の一部を除去することにより、図26に示すように、トレンチ202a、202bの側壁に半導体基板200の一部が露出された開口部100aを形成している。その後、トレンチ202a、202bにポリシリコン膜117を埋め込み、エッチバックして開口部100aにのみポリシリコン膜117を残存させて、図28に示すように、コンタクト部13a、13bを形成している。そして、図29に示すように、トレンチ202a、202bを埋め込むように導電膜120を形成し、コンタクト部13a、13bの上端の位置まで導電膜120をエッチバックして、図30に示す埋め込みビット線205a、205bを形成している。
このような従来の半導体装置の製造方法では、開口部100aの形状や、コンタクト部13a、13bとなる部分以外のポリシリコン膜117を除去することによって得られるコンタクト部13a、13bの形状、コンタクト部13a、13bの上端の位置まで導電膜120をエッチバックして得られる埋め込みビット線205a、205bの厚み寸法のばらつきが大きくなりやすいため、埋め込みビット線205a、205bと下部拡散層206a、206bとの接続抵抗値のばらつきが大きかった。
なお、本実施形態の製造方法における下部拡散層106a、106b、106cを形成する工程およびコンタクト部3a、3bを形成する工程は、ワード線トレンチ8aを形成する工程を行った後に行えばよく、下部拡散層106a、106b、106cを形成する工程とコンタクト部3a、3bを形成する工程のうち、どちらを先に行ってもよいし、本実施形態のように、コンタクト部3a、3bを形成する工程の途中の段階で下部拡散層106a、106b、106cを形成する工程を行ってもよい。
なお、コンタクト部3a、3bを形成する工程に含まれるコンタクト部3a、3bとなる配線材料層をエッチバックする工程を行う前に、下部拡散層106a、106b、106cを形成する工程を行った場合、拡散層106a、106b、106cの上面を、コンタクト部3a、3bとなる配線材料層をエッチバックする際の終点の検知に用いることができる。また、コンタクト部3a、3bとなる配線材料層をエッチバックする工程を行った後に、下部拡散層106a、106b、106cを形成する工程を行う場合、ワード線トレンチ8aの底面81aに露出された半導体基板100を、コンタクト部3a、3bとなる配線材料層をエッチバックする際の終点の検知に用いることができる。
次に、ワード線トレンチ8a内に沿ってCVD法によりシリコン酸窒化膜9aを形成する。その後、塗布型低誘電率絶縁膜材料(SOD)を用いて、ワード線トレンチ8a内にシリコン酸化膜9bを埋め込む。このことにより、図19に示すように、ワード線トレンチ8a内の底部に、シリコン酸窒化膜9aとシリコン酸化膜9bとからなる層間絶縁膜109a(ワード線トレンチ内絶縁膜)を埋め込み、下部拡散層106a、106b、106c上およびコンタクト部3a、3b上を層間絶縁膜109aで覆う。
次に、ドライエッチングにより、ワード線トレンチ8aの側壁に設けられているシリコン窒化膜からなるサイドウォールマスク14を除去し、図20に示すように、ワード線トレンチ8aの側壁にシリコンピラー101a、101b、101cを露出させる。
次に、図21に示すように、ワード線トレンチ8a内に露出されたシリコンピラー101a、101b、101cの側壁にゲート絶縁膜82を形成する。
次に、図21に示すように、ワード線トレンチ8a内に露出されたシリコンピラー101a、101b、101cの側壁にゲート絶縁膜82を形成する。
次に、ワード線トレンチ8aを埋め込むように、CVD法によりゲート電極108bとなる導電材料を埋め込んで配線材料層を形成する。配線材料層としては、埋め込みビット線105a、105bと同じ導電材料からなるものなどが形成され、具体的には、図21に示すように、層間絶縁膜109aの設けられたワード線トレンチ8a内の形状に沿って形成された窒化チタン膜19と、ワード線トレンチ8a内を埋め込むように形成されたタングステン20との積層膜からなるものであることが好ましい。
続いて、ドライエッチングなどにより、配線材料層の一部を除去することにより、ワード線トレンチ8aの幅方向中心の位置に層間絶縁膜109aの露出された分離溝83を形成する。このようにして、図21に示すように、ワード線トレンチ8a内の層間絶縁膜109a上に、分離溝83によって分離され、ワード線として機能するゲート電極108b、108c(図21にはゲート電極108c不図示(図2参照))が形成される。
次に、分離溝83内および分離溝83上のワード線トレンチ8a内に層間絶縁膜(図21には不図示)を埋め込む。
次に、分離溝83内および分離溝83上のワード線トレンチ8a内に層間絶縁膜(図21には不図示)を埋め込む。
その後、エッチングにより、半導体基板100上に設けられているシリコン酸化膜41およびシリコン窒化膜40を除去してシリコンピラー101a〜103cを露出させて、図1、図3(b)に示すように、ゲート電極108a、108b、108c、108dよりも上方のシリコンピラー101a〜103cの上部に、トランジスタの他方のソース又はドレイン領域(S/D)を構成する不純物の添加された上部拡散層110を形成する。
その後、拡散層110の上にコンタクトプラグ112を形成する工程と、コンタクトプラグ112の上にキャパシタ113を形成する工程を経て、図1〜図3に示す半導体記憶装置が得られる。
その後、拡散層110の上にコンタクトプラグ112を形成する工程と、コンタクトプラグ112の上にキャパシタ113を形成する工程を経て、図1〜図3に示す半導体記憶装置が得られる。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、Y方向に延在し、内面に絶縁膜104の設けられたビット線トレンチ2a、2b内に、埋め込みビット線105a、105bを形成する工程と、X方向に延在し、底面81aの一部に半導体基板100が露出されたワード線トレンチ8aを、底面81aが埋め込みビット線105a、105bの上面105dよりも浅い位置となるように形成する工程とを行った後に、ワード線トレンチ8aの底面81aに露出された半導体基板100に不純物を拡散させて下部拡散層106a、106b、106cを形成する工程と、埋め込みビット線105a、105bと下部拡散層106a、106b、106cとを接続するコンタクト部3a、3bを形成する工程とを行う方法であるので、下部拡散層106a、106b、106cを形成するために半導体基板100に不純物を拡散させる方法として、熱処理を行ってコンタクト部に添加されている不純物を拡散させる熱拡散法と比較して、不純物の導入量を容易に高精度で制御できるイオン注入法などの方法を用いることができる。したがって、下部拡散層106a、106b、106cの抵抗値のばらつきが小さく、信頼性に優れた半導体装置を容易に提供できる。
また、本実施形態の半導体装置の製造方法を用いて得られた本実施形態の半導体装置は、Y方向に延在し、内面に絶縁膜104の設けられたビット線トレンチ2a、2bと、X方向に延在するワード線トレンチ8aとを備える半導体基板100と、ビット線トレンチ2a、2b内に形成された埋め込みビット線105a、105bと、ワード線トレンチ8a内に形成されたワード線(本実施形態においてはゲート電極108b、108c)と、ワード線と平面視で重なる領域の半導体基板100に不純物が拡散されたものであり、上面106dがワード線の下面よりも深い位置に配置され、ワード線と絶縁された下部拡散層106a、106b、106cと、埋め込みビット線105a、105bと下部拡散層106a、106b、106cとを接続するコンタクト部3a、3bとを備えるものである。
したがって、本実施形態の半導体装置は、ワード線トレンチ8aの底面81aに半導体基板100を露出させて、半導体基板100に不純物を拡散させることによって下部拡散層106a、106b、106cを形成できる。このため、本実施形態の半導体装置は、下部拡散層106a、106b、106cを形成するために半導体基板100に不純物を拡散させる方法として、熱処理を行ってコンタクト部に添加されている不純物を拡散させる熱拡散法と比較して、不純物の導入量を容易に高精度で制御できるイオン注入法などの方法を用いて製造することができるものであり、下部拡散層106a、106b、106cの抵抗値のばらつきが小さく、信頼性に優れた半導体装置とすることができる。
2a、2b…ビット線トレンチ、3a、3b…コンタクト部、8a、8b…ワード線トレンチ、11、109a、109b…層間絶縁膜、100…半導体基板,101a、101b、101c、102a、102b、102c、103a、103b、103c…シリコンピラー、104…絶縁膜、105a、105b…埋め込みビット線、106a、106b、106c…下部拡散層、108a、108b、108c、108d、108e、108f…ゲート電極(ワード線)、110…上部拡散層、112…コンタクトプラグ、113…キャパシタ、113a…下部電極、113b…容量絶縁膜、113c…上部電極。
Claims (15)
- 第1方向に延在し、内面に溝底絶縁膜の設けられたビット線トレンチ内に、埋め込みビット線を形成する工程と、
前記第1方向と交差する第2方向に延在し、底面の一部に前記半導体基板が露出されたワード線トレンチを、前記底面が前記埋め込みビット線の上面よりも浅い位置となるように形成する工程とを行った後に、
前記ワード線トレンチの底面に露出された前記半導体基板に不純物を導入して下部拡散層を形成する工程と、
前記埋め込みビット線と前記下部拡散層とを接続するコンタクト部を形成する工程とを少なくとも行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記下部拡散層を形成する工程が、イオン注入法を用いて前記半導体基板に不純物を導入する工程を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記コンタクト部を形成する工程において、前記ワード線トレンチの底面における前記埋め込みビット線と平面視で交差する領域に、前記コンタクト部を形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記下部拡散層を形成する工程および前記コンタクト部を形成する工程を行った後に、
前記ワード線トレンチ内にワード線トレンチ内絶縁膜を形成する工程と、
前記ワード線トレンチ内絶縁膜上にワード線を形成する工程とを備えることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記コンタクト部を形成する工程が、前記ワード線トレンチの底面に開口するコンタクト穴を形成する工程と、
前記コンタクト穴に導電材料を埋め込む工程とを備えることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記コンタクト穴を形成する工程において、前記埋め込みビット線が露出された底面と、前記第1方向に沿う対向面の一方にのみ前記下部拡散層となる前記半導体基板が露出されてなる露出面と絶縁膜で覆われた絶縁面とからなる側面とを備えるコンタクト穴を形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記埋め込みビット線を形成する工程を行った後、前記ワード線トレンチを形成する工程を行う前に、
ビット線トレンチ内壁の前記第1方向に沿う対向面の一方の全面のみにサイドウォールを形成する工程が備えられ、
前記コンタクト穴を形成する工程において、前記露出面と対向する面に前記サイドウォールを露出させることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 第1方向に延在し、内面に溝底絶縁膜の設けられたビット線トレンチと、前記第1方向と交差する第2方向に延在するワード線トレンチとを備える半導体基板と、
前記ビット線トレンチ内に形成された埋め込みビット線と、
前記ワード線トレンチ内に形成されたワード線と、
前記ワード線と平面視で重なる領域の前記半導体基板に不純物が拡散されたものであり、上面が前記ワード線の下面よりも深い位置に配置され、前記ワード線と絶縁された下部拡散層と、
前記埋め込みビット線と前記下部拡散層とを接続するコンタクト部とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記コンタクト部が、前記埋め込みビット線と前記ワード線トレンチとが平面視で交差する領域に形成されていることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
- 前記下部拡散層が、上から下に向かって不純物濃度が低くなっているものであることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記コンタクト部が、前記ワード線トレンチの底面に開口するコンタクト穴に、導電材料が埋め込まれてなるものであることを特徴とする請求項8〜請求項10のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記コンタクト穴が、前記埋め込みビット線が露出された底面と、前記第1方向に沿う対向面の一方にのみ前記下部拡散層が露出されてなる露出面と絶縁膜で覆われた絶縁面とからなる側面とを備えるものであることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。
- 前記ビット線トレンチ内壁の前記埋め込みビット線上において前記第1方向に沿う対向面の一方の全面にサイドウォールが備えられ、
前記コンタクト穴が、前記露出面と対向する面に前記サイドウォールが露出されたものであることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板が、複数の前記ビット線トレンチと複数の前記ワード線トレンチとの間に形成された複数のピラーを備えるものであり、
前記ピラーの上部に備えられた不純物の拡散された上部拡散層と、
前記下部拡散層と前記上部拡散層との間の深さに配置され、前記ピラーの側壁にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極とを備えることを特徴とする請求項8〜請求項13のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記ワード線が、前記ゲート電極として機能するものであることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
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