JP2011204932A - ウエハ加工用テープ - Google Patents
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Abstract
【課題】エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープにおいて、エキスパンドによって接着剤層を分断する工程に適した均一拡張性を有し、ヒートシュリンク工程で高温かつ長時間の熱量を与えなくとも十分な加熱収縮性を示し、かつ、ヒートシュリンク工程後の弛みによるピックアップ不良を引き起こすことがないようにする。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０を、基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とから構成し、基材フィルム１１を熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱可塑性架橋樹脂とする。
【選択図】図１
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０を、基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とから構成し、基材フィルム１１を熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱可塑性架橋樹脂とする。
【選択図】図１
Description
本発明は、エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープに関する。
ＩＣなどの半導体装置の製造工程では、回路パターン形成後のウエハを薄膜化するためにウエハ裏面を研削するバックグラインド工程、半導体ウエハの裏面に粘着性及び伸縮性のあるウエハ加工用テープを貼り付けた後にウエハをチップ単位に分断するダイシング工程、ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程、分断されたチップをピックアップする工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着する、あるいは、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するダイボンディング（マウント）工程が実施される。
上記バックグラインド工程では、ウエハの回路パターン形成面（ウエハ表面）を汚染から保護するための表面保護テープが使用される。ウエハの裏面研削終了後、この表面保護テープをウエハ表面から剥離する際には、以下に述べるウエハ加工用テープ（ダイシング・ダイボンディングテープ）をウエハ裏面に貼合した後、吸着テーブルにダイシング・ダイボンディングテープ側を固定し、表面保護テープに、ウエハに対する接着力を低下させる処理を施した後、表面保護テープを剥離する。表面保護テープが剥離されたウエハは、その後、裏面にダイシング・ダイボンディングテープが貼合された状態で、吸着テーブルから取り上げられ、次のダイシング工程に供される。なお、上記の接着力を低下させる処理とは、表面保護テープが紫外線等のエネルギー線硬化性成分からなる場合は、紫外線照射処理であり、表面保護テープが熱硬化性成分からなる場合は、熱照射（加熱）処理である。
上記バックグラインド工程の後のダイシング工程〜マウント工程では、基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とがこの順に積層されたダイシング・ダイボンディングテープが使用される。一般に、ダイシング・ダイボンディングテープを用いる場合は、まず、半導体ウエハの裏面にダイシング・ダイボンディングテープの接着剤層を貼り付けて半導体ウエハを固定し、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハ及び接着剤層をチップ単位にダイシングする。その後、テープを半導体ウエハの径方向にエキスパンドすることによって、チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程が実施される。このエキスパンド工程は、その後のピックアップ工程において、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、チップをピックアップする際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップの破損を防止するために実施される。その後、ピックアップ工程にて、チップは接着剤層とともに粘着剤層から剥離してピックアップされ、マウント工程にて、リードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着される。このように、ダイシング・ダイボンディングテープを用いることで、接着剤層付きのチップをリードフレームやパッケージ基板等にダイレクトに接着することが可能となるので、接着剤の塗布工程や別途各チップにダイボンディングフィルムを接着する工程を省略することができる。
しかしながら、上記ダイシング工程では、上述のようにダイシングブレードを用いて半導体ウエハと接着剤層とを一緒にダイシングするため、ウエハの切削屑だけでなく、接着剤層の切削屑も発生してしまう。接着剤層の切削屑は、それ自身が接着機能を有するので、切削屑がウエハのダイシング溝に詰まった場合、チップ同士がくっついてピックアップ不良などが発生し、半導体装置の製造歩留まりが低下してしまう。
上記の問題を解決するために、ダイシング工程では半導体ウエハのみをブレードでダイシングし、エキスパンド工程において、ダイシング・ダイボンディングテープをエキスパンドすることにより、接着剤層を個々のチップに対応して分断する方法が提案されている（例えば、特許文献１の[００５５]〜[００５６]）。このようなエキスパンド時の張力を利用した接着剤層の分断方法によれば、接着剤の切削屑が発生せず、ピックアップ工程において悪影響を及ぼすことがない。
また近年、半導体ウエハの切断方法として、レーザー加工装置を用いて、非接触でウエハを切断可能な、いわゆるステルスダイシング法が提案されている。
例えば、特許文献２には、ステルスダイシング法として、ダイボンド樹脂層（接着剤層）を介在させてシートが貼り付けられた半導体基板の内部に焦点光を合わせてレーザー光を照射することにより、半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域で切断予定部を形成する工程と、シートを拡張（エキスパンド）させることにより、切断予定部に沿って半導体基板及びダイボンド樹脂層を切断する工程とを備えた半導体基板の切断方法が開示されている。
また、レーザー加工装置を用いた半導体ウエハの切断方法の別法として、例えば、特許文献３には、半導体ウエハの裏面にダイボンディング用の接着フィルム（接着剤層）を装着する工程と、裏面に該接着フィルムが装着された半導体ウエハの接着フィルム側に伸長可能な保護粘着テープを貼着する工程と、保護粘着テープを貼着した半導体ウエハの表面からストリートに沿ってレーザー光線を照射して個々の半導体チップに分割する工程と、保護粘着テープを拡張（エキスパンド）して接着フィルムに引張力を付与し、接着フィルムを半導体チップ毎に破断する工程と、破断された接着フィルムが貼着されている半導体チップを保護粘着テープから離脱する工程、とを含む半導体ウエハの分割方法が提案されている。
これら特許文献２及び特許文献３に記載の半導体ウエハの切断方法によれば、レーザー光の照射及びテープのエキスパンドによって、非接触で半導体ウエハを切断するので、半導体ウエハへの物理的負荷が小さく、現在主流のブレードダイシングを行う場合のようなウエハの切削屑（チッピング）を発生させることなく半導体ウエハの切断が可能である。また、エキスパンドによって接着剤層を分断するので、接着剤層の切削屑を発生させることもない。このため、ブレードダイシングに代わり得る優れた技術として注目されている。
上記特許文献１〜３に記載にされたようなエキスパンドによって接着剤層を分断する場合、使用されるダイシング・ダイボンディングテープには、半導体チップに沿って接着剤層を確実に分断するために、基材フィルムの均一且つ等方的な拡張性が要求される。基材フィルムに局所的に拡張が不十分な箇所が生じた場合には、その箇所では接着剤層に十分な引張力が伝搬されず、接着剤層が分断できなくなってしまうからである。
ところが、一般に、基材フィルムを押出成形する際や、製品としてテープをロール状に巻き取る際に、ダイシング・ダイボンディングテープに異方的な力が加わり、ひずみ応力が生じ、基材フィルムの拡張性は不均一且つ異方的なものとなってしまうことが知られている。そこで、均一な拡張性を有するダイシング・ダイボンディングテープとして、これまでに数々の提案がなされている（例えば、特許文献４〜９参照）。
また、上記エキスパンド後は上記テープに弛みが生じる為に個々のチップの間隔を安定に保持できなくなり、搬送時に隣接チップ間で接触して接着剤層の再癒着が起きてしまうといった問題がある。この問題解決する為、上記テープを加熱収縮性テープとし、上記分断工程の後にテープを加熱して緊張させ、チップ間の間隔を保持する方法が提案されている（例えば、特許文献１０、１１参照）。上記加熱収縮性テープとしては、ポリ塩化ビニールテープが望ましいとされている（例えば、特許文献１０［０００８］参照）。しかしながら、上記ポリ塩化ビニールテープを使用後に焼却処分した場合、ダイオキシンやその類縁体である塩素化芳香族炭化水素が発生して環境に負荷を与える恐れがある。
上述のように、加熱収縮性テープを用い、分断工程の後にテープを加熱して緊張させてチップ間の間隔を保持する方法によれば、エキスパンド後のテープの弛みにより接着剤層が再癒着することを防止できる。しかしながら、使用する加熱収縮性テープの性能によっては、高温かつ長時間の熱量を与えなければ加熱収縮工程の後に弛みが生じ、ピックアップ工程においてピックアップ不良を引き起こすことがあった。
本発明は、エキスパンドによって接着剤層を分断する工程に適した均一拡張性を有し、ヒートシュリンク工程で高温かつ長時間の熱量を与えなくとも十分な加熱収縮性を示し、かつ、ヒートシュリンク工程後の弛みによるピックアップ不良を引き起こすことがないウエハ加工用テープを提供することを目的とする。
以上の課題を解決するため、本発明の第１の態様は、エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープであって、基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、前記基材フィルムはＪＩＳ Ａ１４１２で規定される熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱可塑性架橋樹脂からなることを特徴とする。
第１の態様のウエハ加工用テープでは基材フィルムを熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱可塑性架橋樹脂を用いて構成するので、エキスパンドによって接着剤層を分断する工程に適した均一拡張性を有し、例えば、ＤＤＳ（株式会社ディスコ社製ＤＤＳ−２３００に代表される装置）におけるヒートシュリンク工程で高温かつ長時間の熱量を与えなくとも十分な加熱収縮性を示し、かつ、ヒートシュリンク工程後の弛みによるピックアップ不良を引き起こすことがないウエハ加工用テープとすることができる。
すなわち、非架橋樹脂では分子鎖が加工方向に配向している為に拡張性が異方的となるが、分子鎖間が架橋されていれば、拡張性がより等方的となり、接着剤層分断用のエキスパンド工程においても、好適に使用することができる。また、基材の熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることで、加熱によって容易に樹脂が収縮するので、エキスパンド工程において発生した弛みを除去する工程にも好適である。また、基材の熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることで、加熱によって容易に樹脂が収縮するので、ヒートシュリンク工程後の弛みによるピックアップ不良を引き起こすこともない。なお、基材の熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることで、ヒートシュリンク工程において高温かつ長時間の熱量を与える必要がなくなり、加熱によって粘着剤層と接着剤層が密着することによるピックアップ不良を引き起こすことも防止できる。
本発明の第２の態様は、前記第１の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記熱可塑性架橋樹脂がエチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体若しくはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を金属イオンで架橋させたアイオノマー樹脂であることを特徴とする。
本発明の第３の態様は、前記第１の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記熱可塑性架橋樹脂が低密度ポリエチレンまたは超低密度ポリエチレンを電子線照射により架橋させたものであることを特徴とする。
本発明の第４の態様は、前記第１の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記熱可塑性架橋樹脂がエチレン−酢酸ビニル共重合体を電子線照射により架橋させたものであることを特徴とする。
本発明の第５の態様は、前記第１、第２、第３又は第４の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記熱可塑性架橋樹脂の塩素原子の含有量が１質量％未満であることを特徴とする。
第２から第５の態様のウエハ加工用テープによれば、上記課題を解決しつつ、低環境負荷のウエハ加工用テープを提供することができる。
本発明の第６の態様は、前記第１、第２、第３、第４又は第５の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記表面保護テープを前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記表面保護テープを前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
本発明の第７の態様は、前記第１、第２、第３、第４又は第５の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記表面保護テープを前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記表面保護テープを前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
本発明の第８の態様は、前記第１、第２、第３、第４又は第５の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記表面保護テープを前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記表面保護テープを前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
本発明の第９の態様は、前記第１、第２、第３、第４又は第５の態様にかかるウエハ加工用テープにおいて、前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削し
（ｂ）前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
（ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削し
（ｂ）前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
本発明のウエハ加工用テープでは基材フィルムを熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱可塑性架橋樹脂を用いて構成するので、エキスパンドによって接着剤層を分断する工程に適した均一拡張性を有し、ヒートシュリンク工程で高温かつ長時間の熱量を与えなくとも十分な加熱収縮性を示し、かつ、ヒートシュリンク工程後の弛みによるピックアップ不良を引き起こすことがないウエハ加工用テープとすることができる。
すなわち、非架橋樹脂では分子鎖が加工方向に配向している為に拡張性が異方的となるが、分子鎖間が架橋されていれば、拡張性がより等方的となり、接着剤層分断用のエキスパンド工程においても、好適に使用することができる。また、基材の熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることで、加熱によって容易に樹脂が収縮するので、エキスパンド工程において発生した弛みを除去する工程にも好適である。また、基材の熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることで、加熱によって容易に樹脂が収縮するので、ヒートシュリンク工程後の弛みによるピックアップ不良を引き起こすこともない。
以下、本発明の実施の形態について図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態に係るウエハ加工用テープ１０に、半導体ウエハＷが貼り合わされた状態を示す断面図である。半導体ウエハＷの回路パターン形成面（ウエハ表面）には、ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程にて、回路パターンを保護するための表面保護テープ１４が貼合されている。また、半導体ウエハＷの裏面には、ウエハ加工用テープ１０が貼合されている。本発明のウエハ加工用テープ１０は、エキスパンドにより接着剤層１３をチップに沿って分断する際に用いるエキスパンド可能なテープである。このウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とを有し、接着剤層１３上に半導体ウエハＷの裏面を貼合する。なお、それぞれの層は、使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。さらに、本発明のウエハ加工用テープは、ウエハ１枚分ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のシートをロール状に巻き取った形態とを含む。以下に、各層の構成について説明する。
図１は、本発明の実施形態に係るウエハ加工用テープ１０に、半導体ウエハＷが貼り合わされた状態を示す断面図である。半導体ウエハＷの回路パターン形成面（ウエハ表面）には、ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程にて、回路パターンを保護するための表面保護テープ１４が貼合されている。また、半導体ウエハＷの裏面には、ウエハ加工用テープ１０が貼合されている。本発明のウエハ加工用テープ１０は、エキスパンドにより接着剤層１３をチップに沿って分断する際に用いるエキスパンド可能なテープである。このウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１１と、基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とを有し、接着剤層１３上に半導体ウエハＷの裏面を貼合する。なお、それぞれの層は、使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。さらに、本発明のウエハ加工用テープは、ウエハ１枚分ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のシートをロール状に巻き取った形態とを含む。以下に、各層の構成について説明する。
＜基材フィルム＞
基材フィルム１１は、ＪＩＳ Ａ１４１２で規定される熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱可塑性架橋樹脂から構成される。このような構成の基材フィルム１１を使用することで、接着剤層１３を分断するエキスパンド工程において使用可能な均一且つ等方的な拡張性を有するウエハ加工用テープ１０が実現できる。しかも架橋樹脂は非架橋樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が大きい為に、エキスパンド工程後の引き伸ばされた状態に熱を加えて該樹脂を軟化させた際の収縮応力が大きく、エキスパンド工程後にテープに生じた弛みを加熱収縮によって除去でき、テープを緊張させて個々の半導体チップの間隔を安定に保持することができる。なお、熱伝導率が低すぎると、上記加熱収縮の際に、過剰の熱量が必要となり、その熱で接着剤層１３と粘着剤層１２が密着してしまうので好ましくない。また、エキスパンド工程において発生した弛みを十分に除去することが難しくなる。さらに、ヒートシュリンク工程後の弛みによるピックアップ不良を引き起こす虞もある。したがって、熱伝導率の下限は０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ程度が適当である。
基材フィルム１１は、ＪＩＳ Ａ１４１２で規定される熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱可塑性架橋樹脂から構成される。このような構成の基材フィルム１１を使用することで、接着剤層１３を分断するエキスパンド工程において使用可能な均一且つ等方的な拡張性を有するウエハ加工用テープ１０が実現できる。しかも架橋樹脂は非架橋樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が大きい為に、エキスパンド工程後の引き伸ばされた状態に熱を加えて該樹脂を軟化させた際の収縮応力が大きく、エキスパンド工程後にテープに生じた弛みを加熱収縮によって除去でき、テープを緊張させて個々の半導体チップの間隔を安定に保持することができる。なお、熱伝導率が低すぎると、上記加熱収縮の際に、過剰の熱量が必要となり、その熱で接着剤層１３と粘着剤層１２が密着してしまうので好ましくない。また、エキスパンド工程において発生した弛みを十分に除去することが難しくなる。さらに、ヒートシュリンク工程後の弛みによるピックアップ不良を引き起こす虞もある。したがって、熱伝導率の下限は０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ程度が適当である。
上記熱可塑性架橋樹脂としては、ＪＩＳ Ａ１４１２で規定される熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上のものであれば何でも良いが、エチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体若しくはエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂が、均一拡張性の面でエキスパンド工程に適し、且つ架橋によって加熱時に強く復元力が働く点で、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する工程においても特に好適である。また、上記アイオノマー樹脂は分子鎖の構成中に塩素を含まない為、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といた塩素化芳香族炭化水素を発生させない為、環境負荷も小さい。上記アイオノマー樹脂に含まれる金属イオンは何でも良いが、特に亜鉛イオンが溶出性の低さから特に低汚染性の面から言って好ましい。熱伝導率を高めるための調整方法としては、例えば結晶性を高めるためにエチレンドメイン比率を大きくすることが望ましく、または架橋点を多くするために金属イオン添加量を増やすことが望ましい。
上記熱可塑性架橋樹脂としては、上記アイオノマー樹脂の他に比重０．９１０以上〜０．９３０未満の低密度ポリエチレン若しくは比重０．９１０未満の超低密度ポリエチレンに電子線を照射することで架橋させたものも好適である。この熱可塑性架橋樹脂は、架橋部位と非架橋部位が樹脂中に共存しているので、一定の均一拡張性を有する為に上記エキスパンド工程に適し、加熱時に強く復元力が働く点で、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する工程においても特に好適である。低密度ポリエチレン若しくは超低密度ポリエチレンに対して照射する電子線の量を適宜に調整することで、熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、且つ十分な均一拡張性を有する樹脂を得ることができる。また、上記電子線架橋されたポリエチレンは分子鎖の構成中に塩素を含まない為、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といた塩素化芳香族炭化水素を発生させない為、環境負荷も小さい。
上記熱可塑性架橋樹脂としては、上記アイオノマー樹脂や電子線架橋されたポリエチレンの他に、エチレン−酢酸ビニル共重合体に電子線を照射することで架橋させたものも好適である。この熱可塑性架橋樹脂は加熱時に強く復元力が働く点で、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する工程において特に好適である。上記電子線架橋されたエチレン−酢酸ビニル共重合体もまた分子鎖の構成中に塩素を含まない為、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といた塩素化芳香族炭化水素を発生させない為、環境負荷も小さい。
なお、図１に示す例では、基材フィルム１１は単層であるが、これに限定されず、２種以上の熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱可塑性架橋樹脂を積層させた２層以上の複数層構造であってもよい。基材フィルム１１の厚みは特に規定しないが、ウエハ加工用テープ１０の拡張工程において引き伸ばし易く、且つ破断しないだけの十分な強度を持つ厚みとして、５０〜２００um程度がよく、１００um〜１５０umがより好ましい。
複数層の基材フィルム１１の製造方法としては、従来公知の押出法、ラミネート法などを用いることができる。ラミネート法を用いる場合は、層間に接着剤を介在させてもよい。接着剤としては従来公知の接着剤を用いることができる。
＜粘着剤層＞
粘着剤層１２は、基材フィルム１１に粘着剤を塗工して形成することができる。本発明のウエハ加工用テープ１０を構成する粘着剤層１２に特に制限はなく、ダイシング時において接着剤層１３との剥離を生じずチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時において接着剤層１３との剥離が容易となる特性を有するものであればよい。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層１２はエネルギー線硬化性のものが好ましく、硬化後に接着剤層１３との剥離が容易な材料であることが好ましい。
粘着剤層１２は、基材フィルム１１に粘着剤を塗工して形成することができる。本発明のウエハ加工用テープ１０を構成する粘着剤層１２に特に制限はなく、ダイシング時において接着剤層１３との剥離を生じずチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時において接着剤層１３との剥離が容易となる特性を有するものであればよい。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層１２はエネルギー線硬化性のものが好ましく、硬化後に接着剤層１３との剥離が容易な材料であることが好ましい。
例えば、本発明では、分子中にヨウ素価０．５〜２０のエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）に、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、及びエポキシ樹脂から選択される少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有することが好ましい。ここで、エネルギー線とは、紫外線のような光線、又は電子線などの電離性放射線である。
粘着剤層１２の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。化合物（Ａ）のエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、エネルギー線照射後の粘着剤の流動性が十分で、ウエハ加工用テープ１０の拡張後におけるチップの間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各チップの画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点が−７０℃以上であれば、エネルギー線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の半導体チップの飛散防止効果が十分得られる。上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体とエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合をもつ化合物とを混合したものや、官能基をもつアクリル系共重合体または官能基をもつメタクリル系共重合体（Ａ１）と、その官能基と反応し得る官能基を有し、かつ、エネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合をもつ化合物（Ａ２）とを反応させて得たものが用いられる。
このうち、前記の官能基を有する化合物（Ａ１）は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどのエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（Ａ１−１）と、エネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基を有する単量体（Ａ１−２）とを共重合させて得ることができる。単量体（Ａ１−１）としては、アルキル鎖の炭素数が６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、またはアルキル鎖の炭素数が５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
単量体（Ａ１−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（Ａ１−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で可能である。
単量体（Ａ１−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（Ａ１−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基およびエネルギー線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
化合物（Ａ２）において、用いられる官能基としては、化合物（Ａ１）、つまり単量体（Ａ１−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（Ａ１−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
化合物（Ａ１）と化合物（Ａ２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、本発明において、化合物（Ａ）の分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。３０万未満では、凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、チップのずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。このチップのずれを、極力防止するためには、分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の質量平均分子量である。
化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、エネルギー線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、エネルギー線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
次に、粘着剤層のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または基材フィルムと反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製商品名）等を用いることができる。メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製商品名）等を用いることができる。エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製商品名）等を用いることができる。本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部、好ましくは０．４〜３質量部の割合となるよう、選択することが必要である。この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。
また、本発明において、粘着剤層１２には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。粘着剤層１２に含まれる光重合開始剤（Ｃ）に特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４'−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。
さらに本発明に用いられるエネルギー線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
粘着剤層１２の厚さは少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。なお、粘着剤層１２は複数の層が積層された構成であってもよい。
＜接着剤層＞
接着剤層１３は、半導体ウエハが貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着剤層１２と剥離してチップに付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層１３は、特に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。
接着剤層１３は、半導体ウエハが貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着剤層１２と剥離してチップに付着しており、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。接着剤層１３は、特に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。その厚さは適宜設定してよいが、５〜１００μｍ程度が好ましい。
本発明のウエハ加工用テープ１０において、接着剤層１３は予め接着剤層１３がフィルム化されたもの（以下、接着フィルムと言う。）を、基材フィルム１１上に直接または間接にラミネートして形成してもよい。ラミネート時の温度は１０〜１００℃の範囲で、０．０１〜１０Ｎ／ｍの線圧をかけることが好ましい。なお、接着フィルムをセパレータ上に接着剤層１３が形成されたものとし、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままウエハ加工用テープ１０のカバーフィルムとして使用し、半導体ウエハを貼合する際に剥離してもよい。
接着フィルムは粘着剤層１２の全面に積層してもよいが、予め貼合される半導体ウエハに応じた形状に切断された（プリカットされた）接着フィルムを積層してもよい。半導体ウエハに応じた接着フィルムを積層した場合、図１に示すように、半導体ウエハＷが貼合される部分には接着剤層１３があり、リングフレーム２０が貼合される部分には接着剤層１３がなく粘着剤層１２のみが存在する。一般に、接着剤層１３は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着フィルムを使用することで、リングフレーム２０は粘着剤層１２と貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレーム２０への糊残りを生じにくいという効果が得られる。
＜用途＞
本発明のウエハ加工用テープ１０の使用用途としては、少なくともエキスパンドにより接着剤層１３を分断する工程を含む半導体装置の製造方法に使用する限り、特に限定されない。例えば、以下の半導体装置の製造方法（Ａ）〜（Ｄ）において好適に使用できる。
本発明のウエハ加工用テープ１０の使用用途としては、少なくともエキスパンドにより接着剤層１３を分断する工程を含む半導体装置の製造方法に使用する限り、特に限定されない。例えば、以下の半導体装置の製造方法（Ａ）〜（Ｄ）において好適に使用できる。
半導体装置の製造方法（Ａ）
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
半導体装置の製造方法（Ｂ）
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
半導体装置の製造方法（Ｃ）
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
半導体装置の製造方法（Ｄ）
（ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削し、
（ｂ）前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
（ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削し、
（ｂ）前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
＜使用方法＞
本発明のウエハ加工用テープ１０を上記半導体装置の製造方法（Ａ）に適用した場合の、テープの使用方法について、図２〜図５を参照しながら説明する。まず、図２に示すように、回路パターンが形成された半導体ウエハＷの表面に、紫外線硬化性成分からなる表面保護テープ１４を貼合し、半導体ウエハＷの裏面を研削するバックグラインド工程を実施する。
本発明のウエハ加工用テープ１０を上記半導体装置の製造方法（Ａ）に適用した場合の、テープの使用方法について、図２〜図５を参照しながら説明する。まず、図２に示すように、回路パターンが形成された半導体ウエハＷの表面に、紫外線硬化性成分からなる表面保護テープ１４を貼合し、半導体ウエハＷの裏面を研削するバックグラインド工程を実施する。
バックグラインド工程の終了後、図３に示すように、ウエハマウンターのヒーターテーブル２５上に半導体ウエハＷの表面側を下にして半導体ウエハＷを載置した後、半導体ウエハＷの裏面にウエハ加工用テープ１０を貼合する。ここで使用するウエハ加工用テープ１０は、貼合する半導体ウエハＷに応じた形状に予め切断された（プリカットされた）接着フィルムを積層したものであり、半導体ウエハＷと貼合する面においては、接着剤層１３が露出した領域の周囲に粘着剤層１２が露出した領域が設けられている。このウエハ加工用テープ１０の接着剤層１３が露出した部分と半導体ウエハＷの裏面を貼り合わせるとともに、接着剤層１３の周囲の粘着剤層１２が露出した部分とリングフレーム２０を貼り合わせる。このとき、ヒーターテーブル２５は７０〜８０℃に設定されており、これにより加熱貼合が実施される。
次に、ウエハ加工用テープ１０が貼合された半導体ウエハＷをヒーターテーブル２５上から搬出し、図４に示すように、ウエハ加工用テープ１０側を下にしてウエハ吸着テーブル２６上へ載置する。そして、吸着テーブル２６に吸着固定された半導体ウエハＷの上方から、例えば紫外線光源２７を用いて１０００ｍＪ/ｃｍ２の紫外線を表面保護テープ１４の基材面側に照射し、表面保護テープ１４の半導体ウエハＷに対する接着力を低下させ、半導体ウエハＷの表面から表面保護テープ１４を剥離する。
次に、図５に示すように、半導体ウエハＷの分割予定部分にレーザー光を照射して、半導体ウエハＷの内部に多光子吸収による改質領域を３０形成する。
次に、図６（ａ）に示すように、半導体ウエハＷ及びリングフレーム２０が貼り合わされたウエハ加工用テープ１０を、基材フィルム１１側を下にして、エキスパンド装置のステージ２１上に載置する。図中、符号２２は、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。
次に、図６（ｂ）に示すように、リングフレーム２０を固定した状態で、エキスパンド装置の突き上げ部材２２を上昇させ、ウエハ加工用テープ１０をエキスパンドする。エキスパンド条件としては、エキスパンド速度が、例えば１０〜５００ｍｍ／ｓｅｃであり、エキスパンド量（突き上げ量）が、例えば５〜２５ｍｍである。このようにウエハ加工用テープ１０が半導体ウエハＷの径方向に引き伸ばされることで、半導体ウエハＷが、改質領域３０を起点としてチップ単位に分断される。このとき、接着剤層１３は、半導体ウエハＷの裏面に接着している部分ではエキスパンドによる伸び（変形）が抑制されて破断は起こらないが、チップＣ間の位置では、テープのエキスパンドによる張力が集中して破断する。したがって、半導体ウエハＷとともに接着剤層１３も分断されることになる。これにより、接着剤層１３が付いた複数の半導体チップＣを得ることができる。
次に、図７に示すように、突き上げ部材２２を元の位置に戻し、先のエキスパンド工程において発生したウエハ加工用テープ１０の弛みを除去して半導体チップＣの間隔を安定に保持する工程を行う。この工程では、例えば、ウエハ加工用テープ１０における半導体チップＣが存在する領域とリングフレーム２０との間の円環状の領域２８に、温風ノズル２９を用いて９０〜１２０℃の温風を当てて基材フィルム１１を加熱収縮させ、ウエハ加工用テープ１０を緊張させる。その後、粘着剤層１２にエネルギー線硬化処理又は熱硬化処理等を施し、粘着剤層１２の接着剤層１３に対する粘着力を弱めた後、半導体チップＣをピックアップする。
上記のような半導体装置の製造方法において、熱可塑性架橋樹脂よりなる基材フィルム１１は、エキスパンド時に施された引張に対する復元力が大きく、且つビカット軟化点も低い為、加熱によって容易に収縮する。したがって、接着剤層１３を分断するエキスパンド工程後のウエハ加工用テープ１０に生じた弛みを加熱収縮によって除去してテープを緊張させる工程に好適に適用できる。
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例及び比較例について詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例１〜６、比較例１〜８のウエハ加工用テープ１０は、それぞれ表１、表２に示す基材フィルム１１を用いている。この他の構成である粘着剤層１２を構成する粘着剤組成物、接着剤層１３を構成する接着剤組成物及びウエハ加工用テープ１０の作製方法は同一である。なお、以下の説明において、ＭＦＲ（Melt flow rate）はＪＩＳ−Ｋ７２１０、引張強度はＪＩＳ−Ｋ７１６２、密度はＪＩＳ−Ｋ７１１２、融点はＤＳＣ（示差走査熱量測定）にて測定した。
（１）サンプルの作製
（１．１）実施例１
（基材フィルム１１の作製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸−メタアクリル酸エチル（質量比８：１：１）３元共重合体の亜鉛アイオノマーａ（密度０．９６ｇ／ｃｍ３、亜鉛イオン含有量４質量％、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点５６℃，融点８６℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材１を作製した。
（１．１）実施例１
（基材フィルム１１の作製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸−メタアクリル酸エチル（質量比８：１：１）３元共重合体の亜鉛アイオノマーａ（密度０．９６ｇ／ｃｍ３、亜鉛イオン含有量４質量％、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点５６℃，融点８６℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材１を作製した。
（粘着剤組成物１の調製）
ブチルアクリレートと２−ヒドロキシエチルアクリレートとアクリル酸をラジカル重合することでアクリル系共重合体（分子量６０万、水酸基価４．７ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価０．２ｍｇＫＯＨ／ｇ）を得た。このアクリル系共重合体の１００質量部に対して、光重合性硬化物としてトリメチロールプロパントリアクリレートを３０質量部加え、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（日本ポリウレタン製）を２質量部加え、光重合開始剤としてイルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製）を１質量部加えた混合物を、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して粘着剤組成物１を調製した。
ブチルアクリレートと２−ヒドロキシエチルアクリレートとアクリル酸をラジカル重合することでアクリル系共重合体（分子量６０万、水酸基価４．７ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価０．２ｍｇＫＯＨ／ｇ）を得た。このアクリル系共重合体の１００質量部に対して、光重合性硬化物としてトリメチロールプロパントリアクリレートを３０質量部加え、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（日本ポリウレタン製）を２質量部加え、光重合開始剤としてイルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製）を１質量部加えた混合物を、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して粘着剤組成物１を調製した。
（接着剤組成物１の調製）
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１２００、軟化点７０℃）５０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分間混錬した。これに、ブチルアクリレートと２−ヒドロキシエチルアクリレートをラジカル重合することで合成したアクリル樹脂（分子量２０万、水酸基価 ３．５ｍｇＫＯＨ／ｇ）を１００質量部、硬化剤としてコロネートＬを１質量部加え、攪拌混合して接着剤組成物１を調製した。
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１２００、軟化点７０℃）５０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分間混錬した。これに、ブチルアクリレートと２−ヒドロキシエチルアクリレートをラジカル重合することで合成したアクリル樹脂（分子量２０万、水酸基価 ３．５ｍｇＫＯＨ／ｇ）を１００質量部、硬化剤としてコロネートＬを１質量部加え、攪拌混合して接着剤組成物１を調製した。
（ウエハ加工用テープ１０の作製）
基材フィルム１１をなす支持基材１上に、粘着剤組成物１を乾燥後の厚さが２０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて、基材フィルム１１上に粘着剤層１２が形成された粘着シートを作成した。これとは別に、接着剤組成物１を離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、乾燥後の厚さが２０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて剥離ライナー上に接着剤層１３が形成された接着フィルムを作製した。
基材フィルム１１をなす支持基材１上に、粘着剤組成物１を乾燥後の厚さが２０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて、基材フィルム１１上に粘着剤層１２が形成された粘着シートを作成した。これとは別に、接着剤組成物１を離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、乾燥後の厚さが２０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させて剥離ライナー上に接着剤層１３が形成された接着フィルムを作製した。
次に、粘着シートを、リングフレーム２０に対して開口部を覆うように貼り合わせることができるような図３等に示した形状に裁断した。また、接着フィルムを、半導体ウエハＷの裏面を覆うことのできるような図３等に示した形状に裁断した。そして、前記粘着シートの粘着剤層１２側と前記接着フィルムの接着剤層１３側とを、図３等に示したように接着フィルムの周囲に粘着剤層１２が露出する部分が形成されるように貼り合わせてウエハ加工用テープ１０を作製した。このようにして、基材フィルム１１をなす支持基材、エネルギー線硬化型粘着剤層１２、接着剤層１３がこの順に積層されたウエハ加工用テープ１０を作製し、これを実施例１のサンプルとした。
（１．２）実施例２
（基材フィルム１１の調製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸−メタアクリル酸エチル（質量比８：１：１）３元共重合体のナトリウムアイオノマーａ（密度０．９５ｇ／ｃｍ３、ナトリウムイオン含有量３質量％、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点６４℃、融点８６℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材２を作製した。
（基材フィルム１１の調製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸−メタアクリル酸エチル（質量比８：１：１）３元共重合体のナトリウムアイオノマーａ（密度０．９５ｇ／ｃｍ３、ナトリウムイオン含有量３質量％、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点６４℃、融点８６℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材２を作製した。
この基材フィルム１１をなす支持基材２と、粘着剤組成物１、接着剤組成物１を用いて実施例１と同様の手法によりウエハ加工用テープ１０を作製し、これを実施例２のサンプルとした。
（１．３）実施例３
（基材フィルム１１の調製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸（質量比９.５：０.５）２元共重合体の亜鉛アイオノマーｂ（密度０．９５ｇ／ｃｍ３、亜鉛イオン含有量２質量％、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点８１℃、融点１００℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材３を作製した。
（基材フィルム１１の調製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸（質量比９.５：０.５）２元共重合体の亜鉛アイオノマーｂ（密度０．９５ｇ／ｃｍ３、亜鉛イオン含有量２質量％、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点８１℃、融点１００℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材３を作製した。
この基材フィルム１１をなす支持基材３と、粘着剤組成物１、接着剤組成物１を用いて実施例１と同様の手法によりウエハ加工用テープ１０を作製し、これを実施例３のサンプルとした。
（１．４）実施例４
（基材フィルム１１の調製）
メタロセン重合法によって合成された超低密度ポリエチレンＵＬＤＰＥａ（密度０．９０ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点７２℃、融点９０℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形した後、中エネルギー電子線加速装置を用いて加速電圧１ＭｅＶ、照射量２０Ｍｒａｄで電子線を照射することにより、基材フィルム１１をなす支持基材４を作製した。
（基材フィルム１１の調製）
メタロセン重合法によって合成された超低密度ポリエチレンＵＬＤＰＥａ（密度０．９０ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点７２℃、融点９０℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形した後、中エネルギー電子線加速装置を用いて加速電圧１ＭｅＶ、照射量２０Ｍｒａｄで電子線を照射することにより、基材フィルム１１をなす支持基材４を作製した。
この基材フィルム１１をなす支持基材４と、粘着剤組成物１、接着剤組成物１を用いて実施例１と同様の手法によりウエハ加工用テープ１０を作製し、これを実施例４のサンプルとした。
（１．５）実施例５
（基材フィルム１１の調製）
メタロセン重合法によって合成された低密度ポリエチレンＬＤＰＥａ（密度０．９１ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点８１℃，融点１０２℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形した後、中エネルギー電子線加速装置を用いて加速電圧１ＭｅＶ、照射量２０Ｍｒａｄで電子線を照射することにより、基材フィルム１１をなす支持基材５を作製した。
（基材フィルム１１の調製）
メタロセン重合法によって合成された低密度ポリエチレンＬＤＰＥａ（密度０．９１ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点８１℃，融点１０２℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形した後、中エネルギー電子線加速装置を用いて加速電圧１ＭｅＶ、照射量２０Ｍｒａｄで電子線を照射することにより、基材フィルム１１をなす支持基材５を作製した。
この基材フィルム１１をなす支持基材５と、粘着剤組成物１、接着剤組成物１を用いて実施例１と同様の手法によりウエハ加工用テープ１０を作製し、これを実施例５のサンプルとした。
（１．６）実施例６
（基材フィルム１１の調製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−酢酸ビニル（質量比９：１）共重合体ＥＶＡａ（密度０．９３ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点６９℃、融点９６℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形した後、中エネルギー電子線加速装置を用いて加速電圧１ＭｅＶ、照射量２０Ｍｒａｄで電子線を照射することにより、基材フィルム１１をなす支持基材６を作製した。
（基材フィルム１１の調製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−酢酸ビニル（質量比９：１）共重合体ＥＶＡａ（密度０．９３ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点６９℃、融点９６℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形した後、中エネルギー電子線加速装置を用いて加速電圧１ＭｅＶ、照射量２０Ｍｒａｄで電子線を照射することにより、基材フィルム１１をなす支持基材６を作製した。
この基材フィルム１１をなす支持基材６と、粘着剤組成物１、接着剤組成物１を用いて実施例１と同様の手法によりウエハ加工用テープ１０を作製し、これを実施例６のサンプルとした。
（１．７）比較例１
（基材フィルム１１の調製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸（質量比８：２）２元共重合体のナトリウムアイオノマーｂ（密度０．９４ｇ／ｃｍ３、ナトリウムイオン含有量３質量％、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点６０℃、融点８９℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材７を作製した。
（基材フィルム１１の調製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸（質量比８：２）２元共重合体のナトリウムアイオノマーｂ（密度０．９４ｇ／ｃｍ３、ナトリウムイオン含有量３質量％、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点６０℃、融点８９℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材７を作製した。
この基材フィルム１１をなす支持基材７と、粘着剤組成物１、接着剤組成物１を用いて実施例１と同様の手法によりウエハ加工用テープ１０を作製し、これを比較例１のサンプルとした。
（１．８）比較例２
（基材フィルム１１の調製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−酢酸ビニル（質量比８：２）共重合体ＥＶＡｂ（密度０．９４ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点４０℃、融点８０℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形した後、中エネルギー電子線加速装置を用いて加速電圧１ＭｅＶ、照射量２０Ｍｒａｄで電子線を照射することにより、基材フィルム１１をなす支持基材８を作製した。
（基材フィルム１１の調製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−酢酸ビニル（質量比８：２）共重合体ＥＶＡｂ（密度０．９４ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点４０℃、融点８０℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形した後、中エネルギー電子線加速装置を用いて加速電圧１ＭｅＶ、照射量２０Ｍｒａｄで電子線を照射することにより、基材フィルム１１をなす支持基材８を作製した。
この基材フィルム１１をなす支持基材８と、粘着剤組成物１、接着剤組成物１を用いて実施例１と同様の手法によりウエハ加工用テープ１０を作製し、これを比較例２のサンプルとした。
（１．９）比較例３
（基材フィルム１１の調製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−酢酸ビニル（質量比９：１）共重合体ＥＶＡａ（密度０．９３ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点６９℃、融点９６℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材９を作製した。
（基材フィルム１１の調製）
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−酢酸ビニル（質量比９：１）共重合体ＥＶＡａ（密度０．９３ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点６９℃、融点９６℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材９を作製した。
この基材フィルム１１をなす支持基材９と、粘着剤組成物１、接着剤組成物１を用いて実施例１と同様の手法によりウエハ加工用テープ１０を作製し、これを比較例３のサンプルとした。
（１．１０）比較例４
（基材フィルム１１の調製）
市販の工業用ポリ塩化ビニルａ（可塑剤３０質量％、密度１．４５ｇ／ｃｍ３、塩素含有量６０質量％未満、ビカット軟化点７６℃、融点１００℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材１０を作製した。
（基材フィルム１１の調製）
市販の工業用ポリ塩化ビニルａ（可塑剤３０質量％、密度１．４５ｇ／ｃｍ３、塩素含有量６０質量％未満、ビカット軟化点７６℃、融点１００℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材１０を作製した。
この基材フィルム１１をなす支持基材１０と、粘着剤組成物１、接着剤組成物１を用いて実施例１と同様の手法によりウエハ加工用テープ１０を作製し、これを比較例４のサンプルとした。
（１．１１）比較例５
（基材フィルム１１の調製）
メタロセン重合法によって合成された超低密度ポリエチレンＵＬＤＰＥａ（密度０．９０ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点７２℃、融点９０℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材１１を作製した。
（基材フィルム１１の調製）
メタロセン重合法によって合成された超低密度ポリエチレンＵＬＤＰＥａ（密度０．９０ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点７２℃、融点９０℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材１１を作製した。
この基材フィルム１１をなす支持基材１１と、粘着剤組成物１、接着剤組成物１を用いて実施例１と同様の手法によりウエハ加工用テープ１０を作製し、これを比較例５のサンプルとした。
（１．１２）比較例６
（基材フィルム１１の調製）
メタロセン重合法によって合成された低密度ポリエチレンＬＤＰＥａ（密度０．９１ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点８１℃、融点１０２℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材１２を作製した。
（基材フィルム１１の調製）
メタロセン重合法によって合成された低密度ポリエチレンＬＤＰＥａ（密度０．９１ｇ／ｃｍ３、塩素含有量１質量％未満、ビカット軟化点８１℃、融点１０２℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材１２を作製した。
この基材フィルム１１をなす支持基材１２と、粘着剤組成物１、接着剤組成物１を用いて実施例１と同様の手法によりウエハ加工用テープ１０を作製し、これを比較例６のサンプルとした。
（１．１３）比較例７
（基材フィルム１１の調製）
日本ポリケム社製 ノバテックＰＰ ＦＷ４Ｂ（ポリプロピレン）（密度：０．９０ｇ／ｃｍ３、ビカット軟化点９６℃、融点：１４０℃）の樹脂ビーズを１８０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材１３を作製した（表２では「ＰＰ」と略す）。
（基材フィルム１１の調製）
日本ポリケム社製 ノバテックＰＰ ＦＷ４Ｂ（ポリプロピレン）（密度：０．９０ｇ／ｃｍ３、ビカット軟化点９６℃、融点：１４０℃）の樹脂ビーズを１８０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材１３を作製した（表２では「ＰＰ」と略す）。
この基材フィルム１１をなす支持基材１３と、粘着剤組成物１、接着剤組成物１を用いて実施例１と同様の手法によりウエハ加工用テープ１０を作製し、これを比較例７のサンプルとした。
（１．１４）比較例８
（基材フィルム１１の調製）
ＪＳＲ社製 ダイナロン１３２０Ｐ（水添スチレン−ブタジエン共重合体、水添率９０質量％以上、スチレン含有量：１０質量％、比重０．８９、ＭＦＲ：３．５ｇ／１０ｍｉｎ、引張強度：４．１ＭＰａ、引張伸び：１３００％、ガラス転移温度：−５０℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材１４を作製した（表２では「エラストマー」と略す）。
（基材フィルム１１の調製）
ＪＳＲ社製 ダイナロン１３２０Ｐ（水添スチレン−ブタジエン共重合体、水添率９０質量％以上、スチレン含有量：１０質量％、比重０．８９、ＭＦＲ：３．５ｇ／１０ｍｉｎ、引張強度：４．１ＭＰａ、引張伸び：１３００％、ガラス転移温度：−５０℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形することにより、基材フィルム１１をなす支持基材１４を作製した（表２では「エラストマー」と略す）。
この基材フィルム１１をなす支持基材１４と、粘着剤組成物１、接着剤組成物１を用いて実施例１と同様の手法によりウエハ加工用テープ１０を作製し、これを比較例８のサンプルとした。
（２）サンプルの評価
（２．１）熱伝導率
実施例１〜６及び比較例１〜８で用いた各基材フィルム１１について、熱伝導率をＪＩＳ Ａ１４１２に基づき、以下の条件にて測定した。結果を表３の「熱伝導率」の欄に示す。
測定方法：熱絶縁材の熱抵抗及び熱伝導率の測定方法−第１部：保護熱板法（ＧＨＰ法）
測定環境：温度２５℃、湿度５０％
（２．１）熱伝導率
実施例１〜６及び比較例１〜８で用いた各基材フィルム１１について、熱伝導率をＪＩＳ Ａ１４１２に基づき、以下の条件にて測定した。結果を表３の「熱伝導率」の欄に示す。
測定方法：熱絶縁材の熱抵抗及び熱伝導率の測定方法−第１部：保護熱板法（ＧＨＰ法）
測定環境：温度２５℃、湿度５０％
（２．２）外観
以下に示す方法により、前記実施例および前記比較例の各ウエハ加工用テープについて、上述した半導体装置の製造方法（Ａ）に相当する下記の半導体加工工程における適合性試験を実施した。
以下に示す方法により、前記実施例および前記比較例の各ウエハ加工用テープについて、上述した半導体装置の製造方法（Ａ）に相当する下記の半導体加工工程における適合性試験を実施した。
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程。
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程。
（ｃ）７０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合し、同時にウエハ加工用リングフレームを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層が接着剤層と重ならずに露出した部分と貼合する工程。
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程。
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程。
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを１０％エキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程。
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分（半導体チップが存在する領域とリングフレームとの間の円環状の領域）を９０℃若しくは１２０℃に加熱して収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程。
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程。
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程。
（ｃ）７０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合し、同時にウエハ加工用リングフレームを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層が接着剤層と重ならずに露出した部分と貼合する工程。
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程。
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程。
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを１０％エキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程。
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分（半導体チップが存在する領域とリングフレームとの間の円環状の領域）を９０℃若しくは１２０℃に加熱して収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程。
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程。
上記リングフレームに貼られた状態の、上記実施例および比較例のウエハ加工用テープの外観評価について、上記（ｆ）の工程直前におけるウエハ加工用テープ拡張前の状態と、上記（ｇ）の工程直後におけるウエハ加工用テープ加熱後の状態について比較評価した。結果を表３の「外観」の欄に示す。（ｆ）、（ｇ）工程の条件としては、エキスパンド速度３００ｍｍ／ｓｅｃ、エキスパンド量（突き上げ量）２０ｍｍ、ヒートシュリンクの温風温度は（１）９０℃、（２）１２０℃とした。なお、表３において、「○」は、エキスパンド前と同等の状態に復元したことを示し、「×」はエキスパンド前と比較して、弛みが生じたことを示す。
（２．３）ピックアップ成功率
以下に示す方法により、前記実施例および前記比較例の各ウエハ加工用テープについて、上述した半導体装置の製造方法（Ａ）に相当する下記の半導体加工工程における適合性試験を実施した。
以下に示す方法により、前記実施例および前記比較例の各ウエハ加工用テープについて、上述した半導体装置の製造方法（Ａ）に相当する下記の半導体加工工程における適合性試験を実施した。
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程。
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程。
（ｃ）７０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合し、同時にウエハ加工用リングフレームを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層が接着剤層と重ならずに露出した部分と貼合する工程。
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程。
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程。
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを１０％エキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程。
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分（半導体チップが存在する領域とリングフレームとの間の円環状の領域）を９０℃若しくは１２０℃に加熱して収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程。
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程。
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程。
（ｃ）７０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合し、同時にウエハ加工用リングフレームを、前記ウエハ加工用テープの粘着剤層が接着剤層と重ならずに露出した部分と貼合する工程。
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程。
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程。
（ｆ）前記ウエハ加工用テープを１０％エキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程。
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分（半導体チップが存在する領域とリングフレームとの間の円環状の領域）を９０℃若しくは１２０℃に加熱して収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程。
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程。
上記リングフレームに貼られた状態の、上記実施例および比較例のウエハ加工用テープを用いた場合のピックアップ評価として、（ｈ）工程における歩留まり（ピックアップ成功率）を評価した。（ｆ）、（ｇ）工程の条件としては、エキスパンド速度３００ｍｍ／ｓｅｃ、エキスパンド量（突き上げ量）２０ｍｍ、ヒートシュリンクの温風温度は（１）９０℃、（２）１２０℃とした。
（ｆ）工程では、株式会社ディスコ社製ＤＤＳ−２３００で、ウエハ加工用テープに貼合されたダイシング用リングフレームを株式会社ディスコ社製ＤＤＳ−２３００のエキスパンドリングにより押し下げ、ウエハ加工用テープのウエハ貼合部位外周のウエハに重ならない部分を円形の突き上げ部材に押し付けることでエキスパンドを実施した。なお、エキスパンド量とは、押下げ前と押下げ後のリングフレームと突き上げ部材の相対位置の変化量である。また、（ｇ）工程の後（ｈ）工程前に、ウエハ加工用テープの基材フィルムにおける粘接着剤層が積層された面とは反対側の面に対して、メタルハライド高圧水銀灯により、窒素雰囲気下、３０ｍＷ／ｃｍ２、２００ｍＪ／ｃｍ２の条件で紫外線を照射した。そして、（ｈ）工程にてダイシングされたチップ１００個についてダイスピッカー装置（キヤノンマシナリー社製、商品名ＣＡＰ−３００II）によるピックアップ試験を行い、ピックアップ成功率を求めた。結果を表３の「ピックアップ成功率」の欄に示す。
（３）まとめ
表３に示すように、加熱収縮後の外観の評価の結果から、基材フィルムとして熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱可塑性架橋樹脂を用いた実施例１〜６のウエハ加工用テープは加熱収縮によっても弛みや破断を生じないことが明らかである。また、ピックアップ成功率の評価から、良好なピックアップ性を有することが明らかである。これに対して、基材フィルムとして熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ未満の熱可塑性樹脂を用いた比較例１〜８のウエハ加工用テープは、加熱収縮後の外観の評価の結果から、加熱収縮による弛みや破断が生じる。また、ピックアップ成功率の評価からピックアップ性が悪いことが明らかとなった。
表３に示すように、加熱収縮後の外観の評価の結果から、基材フィルムとして熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱可塑性架橋樹脂を用いた実施例１〜６のウエハ加工用テープは加熱収縮によっても弛みや破断を生じないことが明らかである。また、ピックアップ成功率の評価から、良好なピックアップ性を有することが明らかである。これに対して、基材フィルムとして熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ未満の熱可塑性樹脂を用いた比較例１〜８のウエハ加工用テープは、加熱収縮後の外観の評価の結果から、加熱収縮による弛みや破断が生じる。また、ピックアップ成功率の評価からピックアップ性が悪いことが明らかとなった。
以上の結果より、ウエハ加工用テープ１０の基材フィルム１１として熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱可塑性架橋樹脂を用いることは、ヒートシュリンク性、ピックアップ性の観点において有用である。
なお、上述の半導体装置の製造方法ＢからＤは、エキスパンド工程においてすでに個々の半導体チップに分断されている点を除き、半導体装置の製造方法Ａにおけるエキスパンド工程、ヒートシュリンク工程、ピックアップ工程と同等の工程を行うものである。よって、実施例１〜６及び比較例１〜８のウエハ加工用テープ１０を用いた場合の結果は、表３に示す結果と同等の結果となることは明らかであり、半導体装置の製造方法ＢからＤにおいても本発明のウエハ加工用テープ１０を用いることはヒートシュリンク性、ピックアップ性の観点において有用である。また、実施例１〜６に示した基材フィルム１１は、塩素原子の含有量が１質量％未満であり、使用後に焼却処分してもダイオキシンやその類縁体である塩素化芳香族炭化水素が発生して環境に負荷を与えることはない。
１０ ウエハ加工用テープ
１１ 基材フィルム
１２ 粘着剤層
１３ 接着剤層
１４ 表面保護テープ
２０ リングフレーム
２１ ステージ
２２ 突き上げ部材
２５ ヒーターテーブル
２６ 吸着テーブル
２７ 紫外線光源
２８ 加熱収縮領域
２９ 温風ノズル
１１ 基材フィルム
１２ 粘着剤層
１３ 接着剤層
１４ 表面保護テープ
２０ リングフレーム
２１ ステージ
２２ 突き上げ部材
２５ ヒーターテーブル
２６ 吸着テーブル
２７ 紫外線光源
２８ 加熱収縮領域
２９ 温風ノズル
Claims (10)
- エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用テープであって、
基材フィルムと、
前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、前記粘着剤層上に設けられた接着剤層を有し、
前記基材フィルムは、熱伝導率が０．１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱可塑性架橋樹脂からなることを特徴とするウエハ加工用テープ。 - 前記熱可塑性架橋樹脂がエチレン−（メタ）アクリル酸２元共重合体を金属イオンで架橋させたアイオノマー樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記熱可塑性架橋樹脂がエチレン−（メタ）アクリル酸−(メタ)アクリル酸アルキルエステル３元共重合体を金属イオンで架橋させたアイオノマー樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記熱可塑性架橋樹脂が低密度ポリエチレンを電子線照射により架橋させた樹脂、または超低密度ポリエチレンを電子線照射により架橋させた樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記熱可塑性架橋樹脂がエチレン−酢酸ビニル共重合体を電子線照射により架橋させた樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記熱可塑性架橋樹脂は、塩素原子の含有量が１質量％未満であることを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載のウエハ加工用テープ。
- 前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載のウエハ加工用テープ。 - 前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハの表面から分断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載のウエハ加工用テープ。 - 前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、
（ｃ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｄ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｅ）ダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを分断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに分断する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載のウエハ加工用テープ。 - 前記ウエハ加工用テープは、
（ａ）ダイシングブレードを用いて回路パタ−ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削し、
（ｂ）前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、
（ｃ）前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、
（ｄ）７０〜８０℃に半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、
（ｅ）前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、
（ｆ）前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、
（ｇ）前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、
（ｈ）接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、
を含む半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載のウエハ加工用テープ。
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