JP2011204296A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】微細化が進展してもデータの信頼性を維持することのできる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】メモリセルMTrは、半導体基板11上に形成されるゲート絶縁膜13、ゲート絶縁膜13上に形成されるゲート電極14、及びゲート電極14上に形成される抵抗変化膜15を有する。メモリセルMTrを直列接続してなるメモリストリングが、カラム方向を長手方向として複数配列される。ワード線WLは、ロウ方向を長手方向として配列される。ゲート電極14と共に可変抵抗膜15を挟むようにプレート線33が配置される。
【選択図】図2
【解決手段】メモリセルMTrは、半導体基板11上に形成されるゲート絶縁膜13、ゲート絶縁膜13上に形成されるゲート電極14、及びゲート電極14上に形成される抵抗変化膜15を有する。メモリセルMTrを直列接続してなるメモリストリングが、カラム方向を長手方向として複数配列される。ワード線WLは、ロウ方向を長手方向として配列される。ゲート電極14と共に可変抵抗膜15を挟むようにプレート線33が配置される。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体記憶装置に関する。
NAND型フラッシュメモリは、モバイル機器などで画像や動画などの大容量のデータを扱う用途の増加と共に需要が急増している。特に、1つのメモリセルに2ビット以上の情報を記憶することのできる多値記憶技術の採用により、小さなチップ面積で、より多くの情報を記憶することが可能となっている。NAND型フラッシュメモリは、例えばフローティングゲート型のメモリセルを用い、フローティングゲートに電荷を蓄積させ、これによりメモリセルの閾値電圧を変化させることによりメモリセルにデータを記憶させている。
しかし、このようにフローティングゲートに電荷を蓄積させることによりデータを記憶する方式では、微細化の進展により、データの信頼性の維持が困難になりつつある。すなわち、セルの微細化が進んだ高集積化フラッシュメモリでは、隣接セル間の干渉により、閾値電圧分布が変動し、データの信頼性に影響するという問題が生じている。閾値電圧分布の変動を防止するため、様々な技術が提案されているが(例えば、特許文献1参照)、根本的な解決には至っていない。従って、微細化が進展しても隣接メモリセルの影響によりデータが変動する虞の無いメモリセルの開発が望まれている。
本発明は、微細化が進展してもデータの信頼性を維持することのできる半導体記憶装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る半導体記憶装置は、半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極、及び前記ゲート電極上に形成され抵抗値が変化し得る抵抗変化材料からなる抵抗変化膜を有するメモリトランジスタを備えると共に、複数の前記メモリトランジスタを直列接続してなるメモリストリングを、第1方向を長手方向として複数配列してなるメモリセルアレイと、第1方向とは直交する第2方向を長手方向として配列され、前記第2方向に並ぶ複数の前記メモリトランジスタのゲート電極に共通に接続されるワード線と、前記ゲート電極と共に前記可変抵抗膜を挟むように配置されるプレート線と、複数の前記メモリストリングのそれぞれの第1の端部に所定の電圧を供給するための第1電圧端子と、複数の前記メモリストリングのそれぞれの第2の端部に所定の電圧を供給するための第2電圧端子とを備えたことを特徴とする。
この発明によれば、微細化が進展してもデータの信頼性を維持することのできる半導体記憶装置を提供することができる。
次に、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態の半導体記憶装置の構成を示す平面図である。また、図2は、図1のA−A’断面図である。図1に示すように、この半導体記憶装置は、メモリセルアレイ1と、電圧制御回路2と、センスアンプ回路3とを備えている。
図1は、本発明の第1の実施の形態の半導体記憶装置の構成を示す平面図である。また、図2は、図1のA−A’断面図である。図1に示すように、この半導体記憶装置は、メモリセルアレイ1と、電圧制御回路2と、センスアンプ回路3とを備えている。
メモリセルアレイ1は、電界効果型トランジスタ(MOSFET)の構造を有するメモリセルMTrを複数個配列して構成されている。このメモリセルアレイ1では、図1に示すカラム方向において複数のメモリセルMTr(メモリトランジスタ)が複数個直列接続されてメモリストリングMSを構成している。すなわち、カラム方向に一列に並ぶn個のメモリセルMTr1−i〜MTrn−iは、図2に示すように、半導体基板11上に形成されたソース/ドレイン拡散層12を共有する形で直列接続されている。
なお、メモリストリングMSは、メモリセルアレイ1中において、カラム方向と直交する方向であるロウ方向に沿って複数個配列されている。この図1では、説明の簡単化のため、2個のメモリストリングMSのみが図示されているが、本発明がこれに限定されるものではないことは言うまでもない。
各メモリセルMTrは、ソース/ドレイン拡散層12の間の半導体基板11上に、ゲート絶縁膜13を介して、ゲート電極14、可変抵抗膜15をその順に積層させる形で有している。ゲート絶縁膜13は、例えばシリコン酸化膜(SiO2)から構成される。ゲート電極14は、例えばn型不純物を添付されたポリシリコンから構成される。可変抵抗膜15は、一例として炭素(C)や、酸化チタンなどの金属酸化膜などから構成され得る。所定のパルス電圧が可変抵抗膜15に印加されることにより、この可変抵抗膜15の抵抗値が変化する。これにより、データの書き込み(セット動作)、又は消去(リセット動作)が実行される。また、ゲート電極14は、図2の紙面垂直方向(ロウ方向)を長手方向として形成され、ワード線WLを構成する。
メモリストリングMSの一端には、選択トランジスタSTr1−iが接続されている。この選択トランジスタSTr1−iも、MOSFET構造を有しているが、メモリセルMTrとは異なり、可変抵抗膜15は有しておらず、ゲート絶縁膜21、及びゲート電極22のみを有している。ゲート電極22は例えばn型のポリシリコンにより形成される。ゲート電極22上には、例えばタングステン等からなる金属配線である選択ゲート線32が形成されている。
選択トランジスタSTr1−iのドレインには、第1電圧端子31−iが接続されている。この第1電圧端子31−iは、実行しようとする動作の種類、及び選択されるメモリセルMTrの位置に応じて、様々な電圧を電圧制御回路2から印加される。
また、選択トランジスタSTr−iのソースは、メモリストリングMSの一端(メモリセルMTr1−i)に接続されていると共に、プレート線33を接続されている。このプレート線33は、可変抵抗膜15の上面とも接するように配設され、プレート線33とゲート電極14とにより可変抵抗膜15を挟むようにされている。なお、プレート線33には、プレート線33の電圧を制御するための第3電圧端子35が接続されている。
なお、図1の例では、複数のメモリストリングMS中の全てのメモリセルMTrが1つのプレート線33に共通に接続される構造を示しているが、これに代えて、メモリストリングMS毎に異なるプレート線を用意し、個々のプレート線が個別に電圧制御回路2により電圧制御されるようにすることも可能である。
また、メモリストリングMSの他端には、第2電圧端子34−iが接続されている。この第2電圧端子34−iは、1つのメモリストリングMSに対し1つずつ用意されている。第2電圧端子34−iは、電圧制御回路2から各種動作に必要な電圧を供給されると共に、センスアンプ回路3の入力端子にも接続されている。
[セット動作(書き込み)]
次に、この第1の実施の形態の半導体記憶装置のセット動作を、図3を参照して説明する。ここでは、1本目のメモリストリングMS中のメモリセルMTr1−1がセット動作の対象(選択セル)とされる場合を例にとって説明する。
次に、この第1の実施の形態の半導体記憶装置のセット動作を、図3を参照して説明する。ここでは、1本目のメモリストリングMS中のメモリセルMTr1−1がセット動作の対象(選択セル)とされる場合を例にとって説明する。
まず、選択メモリセルMTr1−1に接続されるワード線WL(ゲート電極14)は、図示しない転送トランジスタをカットオフして、フローティング状態に維持する。残りのワード線WL(ゲート電極14)には、メモリセルが導通し得る程度のb(V)の電圧を印加する。
また、第1電圧端子31−1、31−2には電圧c(V)(c>b)を印加する。一方、第2電圧端子34−1には0(V)を印加する一方、第2電圧端子34−2には電圧c(V)を印加する。また、第3電圧端子35はフローティング状態にする。
この状態において、選択ゲート線32に電圧c’(V)(c’>c)を印加すると、選択トランジスタSTr1−1、STr1−2が導通状態(ON)となる。これにより、プレート線33に電圧c(V)が供給されるので、フローティング状態の選択メモリセルMTr1−1のワード線WLの電圧は、容量カップリングにより上昇する。従って、選択メモリセルMTr1-1、非選択メモリセルMTr1−2はともに導通状態に切り替わる。
しかし、図4に示すように、選択メモリセルMTr1−1では、そのソースに、第2電圧端子34−1から、ほぼ0Vに近い電圧を与えられる。一方、非選択メモリセルMTr1−2では、そのソースに、第2電圧端子34−2から、c(V)が供給される。
選択メモリセルMTr1−1では、図4左側に示すように、pn接合による内蔵電位差により、そのチャネル部分の電圧がc/2(V)程度になる。このため、選択メモリセルMTr1−1においては、ゲート電極14とプレート線33との間の電位差が大きくなり、これにより、両者の間に挟まれた可変抵抗膜15に大きな電圧が印加され、セット動作が実行される。
選択メモリセルMTr1−1では、図4左側に示すように、pn接合による内蔵電位差により、そのチャネル部分の電圧がc/2(V)程度になる。このため、選択メモリセルMTr1−1においては、ゲート電極14とプレート線33との間の電位差が大きくなり、これにより、両者の間に挟まれた可変抵抗膜15に大きな電圧が印加され、セット動作が実行される。
一方、非選択メモリセルMTr1−2では、図4右側に示すように、チャネル部分の電圧はほぼc(V)となり、このため、非選択メモリセルMTr1−2では、ゲート電極14とプレート線33との間の電位差は略0であり、セット動作は実行されない。
[リセット動作(消去)]
次に、この第1の実施の形態の半導体記憶装置のリセット動作を、図5を参照して説明する。ここでも、1本目のメモリストリングMS中のメモリセルMTr1−1がリセット動作の対象(選択セル)とされる場合を例にとって説明する。
次に、この第1の実施の形態の半導体記憶装置のリセット動作を、図5を参照して説明する。ここでも、1本目のメモリストリングMS中のメモリセルMTr1−1がリセット動作の対象(選択セル)とされる場合を例にとって説明する。
まず、選択メモリセルMTr1−1に接続されるワード線WL(ゲート電極14)には、0Vを与える。残りのワード線WL(ゲート電極14)には、メモリセルが導通し得る程度の正の電圧a(V)を印加する。
一方、第1電圧端子31−1には電圧a(V)を印加し、第1電圧端子31−2には0(V)を与える。更に、第2電圧端子34−1、34−2にはいずれもa(V)を与える。また、第3電圧端子35はフローティング状態にする。
一方、第1電圧端子31−1には電圧a(V)を印加し、第1電圧端子31−2には0(V)を与える。更に、第2電圧端子34−1、34−2にはいずれもa(V)を与える。また、第3電圧端子35はフローティング状態にする。
この状態において、選択ゲート線32に電圧a’(V)(a’>a)を印加すると、選択トランジスタSTr1−1、STr1−2が導通状態(ON)となる。これにより、プレート線33に電圧a(V)が供給されるので、選択メモリセルMTr1−1が接続されたワード線14とプレート線33の間にa(V)の電圧が印加される。選択メモリセルMTr1−1では、第1電圧端子31−1、第2電圧端子34−1がいずれもa(V)を印加されているため、多くの電流がプレート線33から可変抵抗膜15を介してワード線14(WL0)に流れ込む。従って、選択メモリセルMTr1−1では、リセット動作が実行される。
一方、非選択メモリセルMTr1−2では、同じようにワード線14とプレート線33との間にa(V)の電圧が印加されるが、第1電圧端子31−2が0(V)とされているため、多くの電流はワード線14(WL0)には向かわず第1電圧端子31−2に向かう。従って、非選択メモリセルMTr1−2では、リセット動作は実行されない。
[リード動作(読み出し)]
次に、この第1の実施の形態の半導体記憶装置のリード動作を、図6を参照して説明する。ここでも、1本目のメモリストリングMS中のメモリセルMTr1−1がリセット動作の対象(選択セル)とされる場合を例にとって説明する。
まず、選択メモリセルMTr1−1に接続されるワード線WL(ゲート電極14)は、フローティング状態とする。残りのワード線WL(ゲート電極14)には、正の電圧f(V)を印加する。この電圧f(V)の印加により、メモリストリングMS中の非選択メモリセルは、その保持データに拘わらず導通状態となる。
一方、第1電圧端子31−1、31−2には電圧d(V)を印加する。更に、第2電圧端子34−1、34−2にはそれぞれ0(V)、d(V)を与える。選択ゲート線32には0(V)を与え、選択トランジスタSTr1−1、及びSTr1−2は非導通状態(OFF)にする。また、第3電圧端子35には電圧d(V)を与え、プレート線33にd(V)を印加する。
次に、この第1の実施の形態の半導体記憶装置のリード動作を、図6を参照して説明する。ここでも、1本目のメモリストリングMS中のメモリセルMTr1−1がリセット動作の対象(選択セル)とされる場合を例にとって説明する。
まず、選択メモリセルMTr1−1に接続されるワード線WL(ゲート電極14)は、フローティング状態とする。残りのワード線WL(ゲート電極14)には、正の電圧f(V)を印加する。この電圧f(V)の印加により、メモリストリングMS中の非選択メモリセルは、その保持データに拘わらず導通状態となる。
一方、第1電圧端子31−1、31−2には電圧d(V)を印加する。更に、第2電圧端子34−1、34−2にはそれぞれ0(V)、d(V)を与える。選択ゲート線32には0(V)を与え、選択トランジスタSTr1−1、及びSTr1−2は非導通状態(OFF)にする。また、第3電圧端子35には電圧d(V)を与え、プレート線33にd(V)を印加する。
このとき、非選択のメモリストリングMS(メモリセルMTr1−2〜MTrn−1−2)では、第2電圧端子34−2がd(V)とされているため、メモリストリングMSには、メモリセルMTr−1−2の保持データ(可変抵抗膜15の状態)に拘わらず、電流は流れない。
一方、選択メモリセルMTr1−1を含むメモリストリングMSの電流は、選択メモリセルMTr1−1の可変抵抗膜15の状態に従って、次のように変化する。
選択メモリセルMTr1−1の可変抵抗膜15が高抵抗状態にあるならば、プレート線33から可変抵抗膜15を通ってワード線14に向かう電流経路には、電流は殆ど流れず、従って、選択メモリセルMTr1−1のワード線14の電圧は上昇せず、選択メモリセルMTr1−1は導通状態とならない。従って、選択メモリセルMTr1−1を含むメモリストリングMSには電流は流れない。
逆に、選択メモリセルMTr1−1の可変抵抗膜15が低抵抗状態にあるならば、プレート線33から可変抵抗膜15を通ってワード線14に向かう電流経路に多くの電流が流れる。これにより、フローティング状態にあるワード線14の電圧が上昇して選択メモリセルMTr1−1が導通状態となり、従って、選択メモリセルMTr1−1を含むメモリストリングMSには電流が流れる。
この電流の有無に基づく第2電圧端子34−1の電位変化をセンスアンプ回路3で検知することにより、選択メモリセルMTr1−1の保持データを読み出すことができる。
選択メモリセルMTr1−1の可変抵抗膜15が高抵抗状態にあるならば、プレート線33から可変抵抗膜15を通ってワード線14に向かう電流経路には、電流は殆ど流れず、従って、選択メモリセルMTr1−1のワード線14の電圧は上昇せず、選択メモリセルMTr1−1は導通状態とならない。従って、選択メモリセルMTr1−1を含むメモリストリングMSには電流は流れない。
逆に、選択メモリセルMTr1−1の可変抵抗膜15が低抵抗状態にあるならば、プレート線33から可変抵抗膜15を通ってワード線14に向かう電流経路に多くの電流が流れる。これにより、フローティング状態にあるワード線14の電圧が上昇して選択メモリセルMTr1−1が導通状態となり、従って、選択メモリセルMTr1−1を含むメモリストリングMSには電流が流れる。
この電流の有無に基づく第2電圧端子34−1の電位変化をセンスアンプ回路3で検知することにより、選択メモリセルMTr1−1の保持データを読み出すことができる。
[第2の実施の形態]
図7は、本発明の第2の実施の形態の半導体記憶装置の構成を示す平面図である。また、図8は、図7のA−A’断面図である。この第2の実施の形態の半導体装置は、第1の実施の形態の装置の構成に加え、メモリストリングの他端に別の選択トランジスタSTr2−1、STr2−2を接続している点で、第1の実施の形態と異なっている。セット、リセット、リード動作は、第1の実施の形態と略同様である。この実施の形態によれば、センスアンプ回路3を使用しないセット/リセット動作時において、センスアンプ回路3等の外部回路とメモリストリングとの電気的接続を選択トランジスタSTr2−1、2−2を用いて切断することができる。このため、外部回路における意図しない電気的擾乱の影響がメモリストリングに及ぶことを防止することができる。この点において、第2の実施の形態は、第1の実施の形態に比べ好適である。
図7は、本発明の第2の実施の形態の半導体記憶装置の構成を示す平面図である。また、図8は、図7のA−A’断面図である。この第2の実施の形態の半導体装置は、第1の実施の形態の装置の構成に加え、メモリストリングの他端に別の選択トランジスタSTr2−1、STr2−2を接続している点で、第1の実施の形態と異なっている。セット、リセット、リード動作は、第1の実施の形態と略同様である。この実施の形態によれば、センスアンプ回路3を使用しないセット/リセット動作時において、センスアンプ回路3等の外部回路とメモリストリングとの電気的接続を選択トランジスタSTr2−1、2−2を用いて切断することができる。このため、外部回路における意図しない電気的擾乱の影響がメモリストリングに及ぶことを防止することができる。この点において、第2の実施の形態は、第1の実施の形態に比べ好適である。
[その他]
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な変更、置換、追加、削除、組合せ、転用等が可能である。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な変更、置換、追加、削除、組合せ、転用等が可能である。
1・・・メモリセルアレイ、 2・・・電圧制御回路、 3・・・センスアンプ回路、 MTr・・・メモリセル11・・・半導体基板、 12・・・ソース/ドレイン拡散層、 13・・・ゲート絶縁膜、 14・・・ゲート電極、 15.・・・可変抵抗膜、 31−i・・・第1電圧端子、 32・・・選択ゲート線、 33・・・プレート線、 34−i・・・第2電圧端子。
Claims (5)
- 半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極、及び前記ゲート電極上に形成され抵抗値が変化し得る抵抗変化材料からなる抵抗変化膜を有するメモリトランジスタを備えると共に、複数の前記メモリトランジスタを直列接続してなるメモリストリングを、第1方向を長手方向として複数配列してなるメモリセルアレイと、
第1方向とは直交する第2方向を長手方向として配列され、前記第2方向に並ぶ複数の前記メモリトランジスタのゲート電極に共通に接続されるワード線と、
前記ゲート電極と共に前記可変抵抗膜を挟むように配置されるプレート線と、
複数の前記メモリストリングのそれぞれの第1の端部に所定の電圧を供給するための第1電圧端子と、
複数の前記メモリストリングのそれぞれの第2の端部に所定の電圧を供給するための第2電圧端子と
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1電圧端子と前記第1の端部との間、又は前記第2電圧端子と前記第2の端部との間に接続され前記メモリストリングを選択する場合に導通する選択トランジスタを更に備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記プレート線は、前記選択トランジスタに一端を接続されている請求項2記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルへの書き込みを実行する場合において、
書き込み対象としての前記メモリセルに接続される前記ワード線はフローティング状態とされる一方、その他の前記ワード線は前記プレート線に与えられる電圧との電位差により前記可変抵抗膜の抵抗値が変化させない電圧を与えられることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセルへの書き込みを実行する場合において、
書き込み対象としての前記メモリセルは、そのソース・ドレイン間に所定の電位差が生じるように前記第1電圧端子及び前記第2電圧端子から電圧を与えられ、
書き込み対象でない前記メモリセルは、そのソース・ドレイン間に同一の電圧が与えられるよう前記第1電圧端子及び前記第2電圧端子から電圧を与えられる
ことを特徴とする請求項4記載の半導体記憶装置。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010165950A (ja) | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ及びその製造方法 |
US8498141B2 (en) * | 2010-03-24 | 2013-07-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005071500A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2008251059A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ消去方法 |
JP2008269741A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Spansion Llc | 不揮発性記憶装置およびその制御方法 |
WO2010004652A1 (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 相変化メモリ、半導体装置及びrfidモジュール |
JP2010027984A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Renesas Technology Corp | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3935139B2 (ja) | 2002-11-29 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
EP1726017A1 (en) * | 2003-12-26 | 2006-11-29 | Matsushita Electric Industries Co., Ltd. | Memory device, memory circuit and semiconductor integrated circuit having variable resistance |
KR100682913B1 (ko) | 2005-01-06 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 하이브리드 멀티비트 비휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법 |
JP2006245280A (ja) | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタ及びその動作方法 |
JP2007026492A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Sony Corp | 記憶装置及び半導体装置 |
JP2008205191A (ja) | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ素子および不揮発性半導体メモリ装置 |
JP2010165950A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ及びその製造方法 |
JP2010192800A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP5282607B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2013-09-04 | ソニー株式会社 | 抵抗変化型メモリデバイスおよびその動作方法 |
JP2010225815A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP5549105B2 (ja) * | 2009-04-15 | 2014-07-16 | ソニー株式会社 | 抵抗変化型メモリデバイスおよびその動作方法 |
JP4951044B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2012-06-13 | 株式会社東芝 | 不揮発性メモリ装置及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-03-24 JP JP2010068076A patent/JP5023177B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-09 US US13/043,923 patent/US8379431B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005071500A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2008251059A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ消去方法 |
JP2008269741A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Spansion Llc | 不揮発性記憶装置およびその制御方法 |
WO2010004652A1 (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 相変化メモリ、半導体装置及びrfidモジュール |
JP2010027984A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Renesas Technology Corp | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
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