JP2011201738A - 光学素子成形用型、並びに光学素子、及び該光学素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光学素子材料との反応性が低く、耐熱性、離型性、及び耐久性に優れる光学素子成形用型、並びに該光学素子成形用型を用いた光学素子の製造方法及び光学素子の製造方法により製造された光学素子の提供。
【解決手段】基材と、表面層とを有し、前記表面層が、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ及びＴａから選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｉとを含有し、前記表面層におけるＳｉの含有量が、２．５質量％以下である光学素子成形用型とする。Ｓｉの表面層における含有量が、０．０１質量％〜２．５質量％である態様などが好ましい。
【選択図】なし
【解決手段】基材と、表面層とを有し、前記表面層が、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ及びＴａから選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｉとを含有し、前記表面層におけるＳｉの含有量が、２．５質量％以下である光学素子成形用型とする。Ｓｉの表面層における含有量が、０．０１質量％〜２．５質量％である態様などが好ましい。
【選択図】なし
Description
本発明は、光学素子成形用型、並びに該光学素子成形用型を用いた光学素子の製造方法、及び該光学素子の製造方法により製造された光学素子に関する。
光学素子である光学ガラスレンズの製造方法として、直接プレス成形法が知られている。この直接プレス成形法では、所望の面品質、及び面精度に仕上げた光学素子成形用型上で、光学素子材料であるガラスの塊状物を加熱、又は予め加熱してあるガラスの塊状物をプレス成形して、光学ガラスレンズを製造する方法である。
このような直接プレス法に用いる光学素子成形用型には、光学素子にカン（クラック）が発生しないようにすることはもちろん、耐久性や、離型性などの観点から、光学素子材料との反応性が低いこと、光学素子成形用型の表面と光学素子材料との離型性が良いこと、光学素子成形用型の基材と表面層との密着性が優れること、光学素子成形用型のプレス面の摩擦係数が小さいこと、光学素子を短時間で生産できることなどが求められる。
このため、例えば基材上に、白金−ロジウム（Ｐｔ−Ｒｈ）合金、白金−イリジウム（Ｐｔ−Ｉｒ）合金のコーティング膜を形成したものが提案されている（特許文献１参照）。また、基材上に、白金−金（Ｐｔ−Ａｕ）合金のコーティング膜を形成したものも提案されている（特許文献２参照）。このような合金膜は、カーボン系膜やセラミックス系膜に比べて、耐熱性に優れ、ガラスとの反応が少ないという特徴がある。しかし、前記合金膜は、スベリ性及び硬さが悪く、成形時に、ガラスとの離型性が悪く、膜剥がれが発生しやすいという課題がある。
また、基材上の離型膜が、白金、イリジウム、タングステン、レニウム、タンタル、ロジウム、ルテニウム、及びオスミウムから選ばれる少なくとも１種の元素と、炭素とを含むものが提案されている（特許文献３参照）。
しかし、この提案では、最表面層では主成分が炭素であり、白金、イリジウム、タングステン、レニウム、タンタル、ロジウム、ルテニウム、及びオスミウムから選ばれる少なくとも１種の元素の濃度は５質量〜３５質量％と少ないので、耐熱性が劣る。また、炭素が大量であるため、ガラスと反応してしまうという問題がある。
また、基材上の離型膜が、白金、イリジウム、タングステン、レニウム、タンタル、ロジウム、ルテニウム、及びオスミウムから選ばれる少なくとも１種の元素と、炭素とを含むものが提案されている（特許文献３参照）。
しかし、この提案では、最表面層では主成分が炭素であり、白金、イリジウム、タングステン、レニウム、タンタル、ロジウム、ルテニウム、及びオスミウムから選ばれる少なくとも１種の元素の濃度は５質量〜３５質量％と少ないので、耐熱性が劣る。また、炭素が大量であるため、ガラスと反応してしまうという問題がある。
したがって、耐久性、耐熱性、及び離型性に優れ、かつ光学素子材料との反応性が少ない光学素子成形用型並びに該光学素子成形用型を用いた光学素子の製造方法、及び該光学素子の製造方法により製造された光学素子の速やかな開発が求められているのが現状である。
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、光学素子材料との反応性が低く、耐熱性、離型性、及び耐久性に優れた光学素子成形用型、並びに該光学素子成形用型を用いた光学素子の製造方法、及び該光学素子の製造方法により製造された光学素子を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 基材と、表面層とを有し、
前記表面層が、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ及びＴａから選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｉとを含有し、
前記表面層におけるＳｉの含有量が、２．５質量％以下であることを特徴とする光学素子成形用型である。
＜２＞ Ｓｉの表面層における含有量が、０．０１質量％〜２．５質量％である前記＜１＞に記載の光学素子成形用型である。
＜３＞ 表面層が、Ｐｔ及びＩｒの少なくともいずれかの元素と、Ｓｉとを含有する前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の光学素子成形用型である。
＜４＞ 表面層の厚みが、１０ｎｍ〜１，０００ｎｍである前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の光学素子成形用型である。
＜５＞ 基材がタングステンカーバイド及びＳｉＣのいずれかからなる前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の光学素子成形用型である。
＜６＞ 前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の光学素子成形用型を用いて、光学素子材料を成形することを特徴とする光学素子の製造方法である。
＜７＞ 光学素子材料が、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｂ、及びＢｉの少なくともいずれかを含有する前記＜６＞に記載の光学素子の製造方法である。
＜８＞ 前記＜６＞から＜７＞のいずれかに記載の光学素子の製造方法により製造されることを特徴とする光学素子である。
＜１＞ 基材と、表面層とを有し、
前記表面層が、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ及びＴａから選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｉとを含有し、
前記表面層におけるＳｉの含有量が、２．５質量％以下であることを特徴とする光学素子成形用型である。
＜２＞ Ｓｉの表面層における含有量が、０．０１質量％〜２．５質量％である前記＜１＞に記載の光学素子成形用型である。
＜３＞ 表面層が、Ｐｔ及びＩｒの少なくともいずれかの元素と、Ｓｉとを含有する前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の光学素子成形用型である。
＜４＞ 表面層の厚みが、１０ｎｍ〜１，０００ｎｍである前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の光学素子成形用型である。
＜５＞ 基材がタングステンカーバイド及びＳｉＣのいずれかからなる前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の光学素子成形用型である。
＜６＞ 前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の光学素子成形用型を用いて、光学素子材料を成形することを特徴とする光学素子の製造方法である。
＜７＞ 光学素子材料が、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｂ、及びＢｉの少なくともいずれかを含有する前記＜６＞に記載の光学素子の製造方法である。
＜８＞ 前記＜６＞から＜７＞のいずれかに記載の光学素子の製造方法により製造されることを特徴とする光学素子である。
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、光学素子材料との反応性が低く、耐熱性、離型性、及び耐久性に優れる光学素子成形用型、並びに該光学素子成形用型を用いた光学素子の製造方法、及び該製造方法により製造された光学素子を提供することができる。
（光学素子成形用型）
本発明の光学用成形型は、少なくとも基材と、表面層とを有し、更に必要に応じてその他の構成を有してなる。
本発明の光学用成形型は、少なくとも基材と、表面層とを有し、更に必要に応じてその他の構成を有してなる。
＜基材＞
前記基材の材質、形状、大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記基材の材質としては、例えば、超硬合金（炭化タングステン（ＷＣ）、炭化タングステン−コバルト（ＷＣ−Ｃｏ）合金など）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化ホウ素含有窒化珪素、サーメット、ジルコニア（ＺｒＯ２）、シリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）、チタンカーバイド（ＴｉＣ）、金属の混合材料、１３Ｃｒマルテンサイト鋼、シリコン（Ｓｉ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、ステンレス鋼、などが挙げられる。
これらの中でも、超硬合金、シリコンカーバイドが、密着性、及び加工性に優れる点で好ましく、ＷＣ、ＳｉＣが特に好ましい。
前記基材の形状、大きさとしては、目的とする光学素子の形状、大きさに応じて適宜選択することができる。
前記基材の材質、形状、大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記基材の材質としては、例えば、超硬合金（炭化タングステン（ＷＣ）、炭化タングステン−コバルト（ＷＣ−Ｃｏ）合金など）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化ホウ素含有窒化珪素、サーメット、ジルコニア（ＺｒＯ２）、シリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）、チタンカーバイド（ＴｉＣ）、金属の混合材料、１３Ｃｒマルテンサイト鋼、シリコン（Ｓｉ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、ステンレス鋼、などが挙げられる。
これらの中でも、超硬合金、シリコンカーバイドが、密着性、及び加工性に優れる点で好ましく、ＷＣ、ＳｉＣが特に好ましい。
前記基材の形状、大きさとしては、目的とする光学素子の形状、大きさに応じて適宜選択することができる。
前記基材表面は、後述する表面層を形成する前に鏡面研磨、洗浄などの前処理を行うことが好ましい。
前記鏡面研磨、洗浄などの前処理の方法としては、特に制限はなく、公知の方法を適宜選択することができる。
また、更に、逆スパッタ、イオン照射などにより、前記基材をクリーニングしてもよい。
前記鏡面研磨、洗浄などの前処理の方法としては、特に制限はなく、公知の方法を適宜選択することができる。
また、更に、逆スパッタ、イオン照射などにより、前記基材をクリーニングしてもよい。
＜表面層＞
前記表面層は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ及びＴａから選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｉとを含有し、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
前記表面層におけるＳｉの含有量は、２．５質量％以下であり、０．０１質量％〜２．５質量％が好ましく、０．１質量％〜２質量％がより好ましい。前記含有量が、２．５質量％を超えると、耐熱性が悪化することがあり、０．０１質量％未満であると、膜剥れしやすくなることがある。
前記表面層は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ及びＴａから選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｉとを含有し、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
前記表面層におけるＳｉの含有量は、２．５質量％以下であり、０．０１質量％〜２．５質量％が好ましく、０．１質量％〜２質量％がより好ましい。前記含有量が、２．５質量％を超えると、耐熱性が悪化することがあり、０．０１質量％未満であると、膜剥れしやすくなることがある。
−元素−
前記元素としては、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ及びＴａから選択される少なくとも１種であり、プレス成形後、ガラスを成形型から良好に離型するために、有効な成分の点でＰｔ及びＩｒの少なくともいずれかが好ましい。
ＰｔとＩｒを併用する場合には、質量比で、Ｐｔ：Ｉｒが６０：４０であることが好ましい。
前記元素の表面層における含有量は、９７．５質量％以上であることが好ましく、９７．５質量％〜９９．９９質量％がより好ましく、９８質量％〜９９．９質量％が更に好ましい。
前記元素としては、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ及びＴａから選択される少なくとも１種であり、プレス成形後、ガラスを成形型から良好に離型するために、有効な成分の点でＰｔ及びＩｒの少なくともいずれかが好ましい。
ＰｔとＩｒを併用する場合には、質量比で、Ｐｔ：Ｉｒが６０：４０であることが好ましい。
前記元素の表面層における含有量は、９７．５質量％以上であることが好ましく、９７．５質量％〜９９．９９質量％がより好ましく、９８質量％〜９９．９質量％が更に好ましい。
前記表面層におけるＳｉ及び元素の含有量は、例えば、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析、オージェ電子分光分析により求めることができる。
−厚み−
前記表面層の厚みとしては、１０ｎｍ〜１，０００ｎｍが好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍがより好ましい。前記表面層の厚みが、１０ｎｍ未満であると、膜の欠落等が残り易く、均一膜が得られにくいことがあり、１，０００ｎｍを超えると、膜に残留応力が残りやすく、膜剥れとなり、また、表面粗度の悪化となることがある。
前記表面層の厚みは、例えば、エリプソメトリ法により、測定することができる。
前記表面層の厚みとしては、１０ｎｍ〜１，０００ｎｍが好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍがより好ましい。前記表面層の厚みが、１０ｎｍ未満であると、膜の欠落等が残り易く、均一膜が得られにくいことがあり、１，０００ｎｍを超えると、膜に残留応力が残りやすく、膜剥れとなり、また、表面粗度の悪化となることがある。
前記表面層の厚みは、例えば、エリプソメトリ法により、測定することができる。
−摩擦係数−
前記表面層の摩擦係数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．１３０以下が好ましく、０．１２０以下がより好ましい。前記表面層の摩擦係数が、０．１３０を超えると、離型性が悪くなり、カンやワレが発生しやすくなることがある。
前記表面層の摩擦係数は、例えば、ｐｉｎ−ｏｎ−ｄｉｓｋ法により、測定することができる。
前記表面層の摩擦係数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．１３０以下が好ましく、０．１２０以下がより好ましい。前記表面層の摩擦係数が、０．１３０を超えると、離型性が悪くなり、カンやワレが発生しやすくなることがある。
前記表面層の摩擦係数は、例えば、ｐｉｎ−ｏｎ−ｄｉｓｋ法により、測定することができる。
前記表面層の硬度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば金属ボール（ステンレススチール製）を作製した表面層の上に置いて、一定の力を加え、表面層を移動させると、該表面層に跡が残るので、その跡の深さを測定して、硬度を求めることができる。
前記表面層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、などが挙げられる。これらの中でも、作製した膜の内部応力が少ない点でスパッタリング法が特に好ましい。
＜その他の構成＞
前記その他の構成としては、本発明の効果を損なわない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、中間層などが挙げられる。
前記その他の構成としては、本発明の効果を損なわない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、中間層などが挙げられる。
−中間層−
前記中間層は、前記基材と、表面層との間に形成される。
前記中間層を形成することにより、前記基材の変形を防ぐことができる。
前記中間層の材質及び厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＡｌＮ、ＴｉＣ、ＴａＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＣＮ、ＴａＣＮ、ＺｒＣＮ、ＨｆＣＮ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ダイヤモンドなどが挙げられる。
前記中間層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などが挙げられる。
前記中間層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、０．０１μｍ〜１μｍであることが好ましい。
前記中間層は、前記基材と、表面層との間に形成される。
前記中間層を形成することにより、前記基材の変形を防ぐことができる。
前記中間層の材質及び厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＡｌＮ、ＴｉＣ、ＴａＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＣＮ、ＴａＣＮ、ＺｒＣＮ、ＨｆＣＮ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ダイヤモンドなどが挙げられる。
前記中間層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などが挙げられる。
前記中間層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、０．０１μｍ〜１μｍであることが好ましい。
（光学素子及び光学素子の製造方法）
本発明の光学素子は、本発明の光学素子の製造方法により製造される。
本発明の光学素子の製造方法は、本発明の光学素子成形用型を用いて、光学素子材料を成形する。
本発明の光学素子は、本発明の光学素子の製造方法により製造される。
本発明の光学素子の製造方法は、本発明の光学素子成形用型を用いて、光学素子材料を成形する。
−光学素子材料−
前記光学素子材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＴｉＯ２を含有するガラス、Ｎｂ２Ｏ５を含有するガラス、ＷＯ３を含有するガラス、Ｂｉ２Ｏ３を含有するガラスなどが挙げられる。前記Ｔｉ、Ｗ、Ｎｂ、及びＢｉの少なくともいずれかを含有するガラスは、反応性が高いが、本発明の光学素子成形用型を用いることにより、不良の少ない光学素子を製造することができる。
前記光学素子材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＴｉＯ２を含有するガラス、Ｎｂ２Ｏ５を含有するガラス、ＷＯ３を含有するガラス、Ｂｉ２Ｏ３を含有するガラスなどが挙げられる。前記Ｔｉ、Ｗ、Ｎｂ、及びＢｉの少なくともいずれかを含有するガラスは、反応性が高いが、本発明の光学素子成形用型を用いることにより、不良の少ない光学素子を製造することができる。
−成形−
前記光学素子材料を成形する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プレス成形、射出成形などが挙げられる。
前記プレス成形では、前記光学素子成形用型上で前記光学素子材料の塊状物を加熱してプレスしてもよいし、予め加熱した光学素子材料の塊状物をプレスしてもよい。
前記加熱の温度、プレスの荷重、プレスの時間としては、特に制限はなく、光学素子材料に応じて適宜選択することができる。
前記光学素子材料を成形する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プレス成形、射出成形などが挙げられる。
前記プレス成形では、前記光学素子成形用型上で前記光学素子材料の塊状物を加熱してプレスしてもよいし、予め加熱した光学素子材料の塊状物をプレスしてもよい。
前記加熱の温度、プレスの荷重、プレスの時間としては、特に制限はなく、光学素子材料に応じて適宜選択することができる。
−光学素子−
前記光学素子の形状、大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記光学素子としては、例えば、レンズ、プリズムなどが挙げられる。
前記光学素子の形状、大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記光学素子としては、例えば、レンズ、プリズムなどが挙げられる。
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
（実施例１−１）
＜光学素子成形用型１の製造＞
光学素子成形用型の基材として、超硬合金（ＷＣ）を用いた。
前記光学素子成形用型の上型基材は、平らな表面を有するものを用いた。
前記光学素子成形用型の下型基材は、凹形状の表面を有するものを用いた。
＜光学素子成形用型１の製造＞
光学素子成形用型の基材として、超硬合金（ＷＣ）を用いた。
前記光学素子成形用型の上型基材は、平らな表面を有するものを用いた。
前記光学素子成形用型の下型基材は、凹形状の表面を有するものを用いた。
−表面層の形成−
前記上型基材、及び下型基材の表面（プレス面）上に、スパッタ装置（ＣＦＳ−１０ＥＰ、芝浦社製）を用いて、下記条件のスパッタリング法により、厚み５０ｎｍの表面層を形成した。なお、表面層の厚みはエリプソメーターにより測定した。
〔スパッタリング条件〕
・Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５９．９質量％：４０質量％：０．１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた。
・スパッタリングパワー：５０〜２５０Ｗ
・Ａｒガス圧：２０〜３０ＳＣＣＭ
・真空度：０．１〜０．５Ｐａ
前記上型基材、及び下型基材の表面（プレス面）上に、スパッタ装置（ＣＦＳ−１０ＥＰ、芝浦社製）を用いて、下記条件のスパッタリング法により、厚み５０ｎｍの表面層を形成した。なお、表面層の厚みはエリプソメーターにより測定した。
〔スパッタリング条件〕
・Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５９．９質量％：４０質量％：０．１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた。
・スパッタリングパワー：５０〜２５０Ｗ
・Ａｒガス圧：２０〜３０ＳＣＣＭ
・真空度：０．１〜０．５Ｐａ
得られた表面層の摩擦係数を、以下のようにして、ｐｉｎ−ｏｎ−ｄｉｓｋ法により測定したところ、０．１２０であった。
＜ｐｉｎ−ｏｎ−ｄｉｓｋ法：水平直線往復摺動方式摩擦係数測定機＞
図３に示すように、ステージ１上に試料２を載せ、接触子（ｐｉｎ）３に垂直荷重Ｗを加えた状態でステージ１を移動させると、接触子（ｐｉｎ）３と試料２間に摩擦力Ｆが生じる。このときの摩擦係数μ＝Ｆ／Ｗで算出した。接触子（ｐｉｎ）３は通常ボール状であり（図４参照）、材質はステンレススチール（ＳＵＳ）であり、測定は大気中、常温で行った。
＜ｐｉｎ−ｏｎ−ｄｉｓｋ法：水平直線往復摺動方式摩擦係数測定機＞
図３に示すように、ステージ１上に試料２を載せ、接触子（ｐｉｎ）３に垂直荷重Ｗを加えた状態でステージ１を移動させると、接触子（ｐｉｎ）３と試料２間に摩擦力Ｆが生じる。このときの摩擦係数μ＝Ｆ／Ｗで算出した。接触子（ｐｉｎ）３は通常ボール状であり（図４参照）、材質はステンレススチール（ＳＵＳ）であり、測定は大気中、常温で行った。
また、得られた表面層の硬度を、以下のようにして測定したところ、「○」の評価であった。
＜表面層の硬度＞
金属ボール（ステンレススチール製）を、作製した表面層の上に置いて、一定の力を加え、表面層を移動させると、該表面層に跡が残るので、その跡の深さを測定して、硬度を求め、以下の基準で評価した。
〔評価基準〕
○：跡が観察されない。
△：目視で跡が観察され、測定では跡の深さは表面層の厚みより浅い。
×：目視で跡が観察され、下地が露出する。
＜表面層の硬度＞
金属ボール（ステンレススチール製）を、作製した表面層の上に置いて、一定の力を加え、表面層を移動させると、該表面層に跡が残るので、その跡の深さを測定して、硬度を求め、以下の基準で評価した。
〔評価基準〕
○：跡が観察されない。
△：目視で跡が観察され、測定では跡の深さは表面層の厚みより浅い。
×：目視で跡が観察され、下地が露出する。
（実施例１−２）
＜光学素子成形用型２の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型２の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５９．５質量％：３９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０５であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５９．５質量％：３９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０５であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
（実施例１−３）
＜光学素子成形用型３の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型３の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５８．５質量％：３９質量％：２．５質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１１１であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「△」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５８．５質量％：３９質量％：２．５質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１１１であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「△」の評価であった。
（実施例１−４）
＜光学素子成形用型４の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型４の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｒｅ：Ｓｉ（５９．５質量％：３９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０８であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｒｅ：Ｓｉ（５９．５質量％：３９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０８であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
（実施例１−５）
＜光学素子成形用型５の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型５の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｒｈ：Ｓｉ（５９．５質量％：２９．５質量％：１０質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０５であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｒｈ：Ｓｉ（５９．５質量％：２９．５質量％：１０質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０５であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
（実施例１−６）
＜光学素子成形用型６の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型６の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｒｅ：Ｓｉ（３９．５質量％：４０質量％：１９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０９であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｒｅ：Ｓｉ（３９．５質量％：４０質量％：１９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０９であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
（実施例１−７）
＜光学素子成形用型７の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型７の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｐｔ：Ｒｈ：Ｒｅ：Ｓｉ（５９．５質量％：１０質量％：２９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０１であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
実施例１−１において、Ｐｔ：Ｒｈ：Ｒｅ：Ｓｉ（５９．５質量％：１０質量％：２９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０１であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
（実施例１−８）
＜光学素子成形用型８の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型８の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５９．９質量％：４０質量％：０．１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用い、表面層の厚みを１００ｎｍとした以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０８であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５９．９質量％：４０質量％：０．１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用い、表面層の厚みを１００ｎｍとした以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０８であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
（実施例１−９）
＜光学素子成形用型９の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型９の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５９．９質量％：４０質量％：０．１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用い、表面層の厚みを１，０００ｎｍとした以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１１３であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５９．９質量％：４０質量％：０．１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用い、表面層の厚みを１，０００ｎｍとした以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１１３であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
（実施例１−１０）
＜光学素子成形用型１０の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型１０の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５９．９質量％：４０質量％：０．１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用い、表面層の厚みを１０ｎｍとした以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０５であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５９．９質量％：４０質量％：０．１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用い、表面層の厚みを１０ｎｍとした以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０５であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
（実施例１−１１）
＜光学素子成形用型１１の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型１１の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｏｓ：Ｓｉ（３９．５質量％：５９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１１０であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｏｓ：Ｓｉ（３９．５質量％：５９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１１０であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
（実施例１−１２）
＜光学素子成形用型１２の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型１２の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｔａ：Ｓｉ（４９．５質量％：４９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１２０であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「△」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｔａ：Ｓｉ（４９．５質量％：４９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１２０であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「△」の評価であった。
（実施例１−１３）
＜光学素子成形用型１３の製造＞
光学素子成形用型の基材として、ＳｉＣを用いた。
＜光学素子成形用型１３の製造＞
光学素子成形用型の基材として、ＳｉＣを用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５９．５質量％：３９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０５であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５９．５質量％：３９．５質量％：１質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１０５であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「○」の評価であった。
（比較例１−１）
＜光学素子成形用型１４の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型１４の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ（６０質量％：４０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１５１であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「△」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ（６０質量％：４０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１５１であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「△」の評価であった。
（比較例１−２）
＜光学素子成形用型１５の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型１５の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５８質量％：３９質量％：３質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１６７であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「×」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｓｉ（５８質量％：３９質量％：３質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１６７であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「×」の評価であった。
（比較例１−３）
＜光学素子成形用型１６の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型１６の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｒｅ（６０質量％：４０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１３２であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「×」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｒｅ（６０質量％：４０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１３２であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「×」の評価であった。
（比較例１−４）
＜光学素子成形用型１７の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型１７の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｒｈ（６０質量％：３０質量％：１０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１４３であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「×」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｒｈ（６０質量％：３０質量％：１０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１４３であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「×」の評価であった。
（比較例１−５）
＜光学素子成形用型１８の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型１８の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｒe（４０質量％：４０質量％：２０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１３８であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「×」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｐｔ：Ｒe（４０質量％：４０質量％：２０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１３８であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「×」の評価であった。
（比較例１−６）
＜光学素子成形用型１９の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型１９の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｐｔ：Ｒｈ：Ｒｅ（６０質量％：１０質量％：３０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１３５であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「×」の評価であった。
実施例１−１において、Ｐｔ：Ｒｈ：Ｒｅ（６０質量％：１０質量％：３０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１３５であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「×」の評価であった。
（比較例１−７）
＜光学素子成形用型２０の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型２０の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｏｓ（４０質量％：６０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１３７であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「△」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｏｓ（４０質量％：６０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１３７であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「△」の評価であった。
（比較例１−７）
＜光学素子成形用型２１の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
＜光学素子成形用型２１の製造＞
光学素子成形用型の基材は、実施例１−１と同様の基材を用いた。
−表面層の形成−
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｔａ（５０質量％：５０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１５５であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「×」の評価であった。
実施例１−１において、Ｉｒ：Ｔａ（５０質量％：５０質量％）からなるスパッタリングターゲットを用いた以外は、実施例１−１と同様にして、表面層を形成した。
得られた表面層の摩擦係数を、実施例１−１と同様にして測定したところ、０．１５５であった。また、得られた表面層の硬度を、実施例１−１と同様にして測定したところ、「×」の評価であった。
（実施例２−１）
＜光学素子成形用型１を用いた光学素子の製造−１＞
光学素子材料として、下記表１の組成のガラス１を用い、光学素子成形用型として光学素子成形用型１を用い、前記光学素子材料を５８０℃まで加熱し、荷重５０ｋｇｆでプレス成形を行い、直径４ｍｍ、厚み１．５ｍｍ、凸形状の光学レンズの作製を１００ショット行った。図５に１００ショット後の金型表面の顕微鏡写真（倍率２０倍）を示す。
図１及び図２は、プレス成形の概略説明図である。図１は、プレス成形前の説明図であり、図２は、プレス成形時の説明図である。図１及び図２中１１は基材（上型）を示し、１２は表面層を示し、１３は光学素子材料を示し、１４は基材（下型）を示す。
＜光学素子成形用型１を用いた光学素子の製造−１＞
光学素子材料として、下記表１の組成のガラス１を用い、光学素子成形用型として光学素子成形用型１を用い、前記光学素子材料を５８０℃まで加熱し、荷重５０ｋｇｆでプレス成形を行い、直径４ｍｍ、厚み１．５ｍｍ、凸形状の光学レンズの作製を１００ショット行った。図５に１００ショット後の金型表面の顕微鏡写真（倍率２０倍）を示す。
図１及び図２は、プレス成形の概略説明図である。図１は、プレス成形前の説明図であり、図２は、プレス成形時の説明図である。図１及び図２中１１は基材（上型）を示し、１２は表面層を示し、１３は光学素子材料を示し、１４は基材（下型）を示す。
光学素子成形用型１では、図５に示すように１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型１は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（実施例２−２）
＜光学素子成形用型２を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型２に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型２を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型２に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型２では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型２は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型２は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型２は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（実施例２−３）
＜光学素子成形用型３を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型３に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型３を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型３に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型３では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型３は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型３は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型３は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（実施例２−４）
＜光学素子成形用型４を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型４に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型４を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型４に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型４では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型４は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型４は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型４は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（実施例２−５）
＜光学素子成形用型５を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型５に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型５を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型５に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型５では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型５は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型５は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型５は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（実施例２−６）
＜光学素子成形用型６を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型６に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型６を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型６に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型６では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型６は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型６は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型６は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（実施例２−７）
＜光学素子成形用型７を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型７に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型７を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型７に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型７では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型７は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型７は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型７は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（実施例２−８）
＜光学素子成形用型８を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型８に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型８を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型８に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型８では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型８は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型８は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型８は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（実施例２−９）
＜光学素子成形用型９を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型９に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型９を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型９に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型９では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型９は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型９は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型９は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（実施例２−１０）
＜光学素子成形用型１０を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１０に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１０を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１０に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１０では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型１０は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１０は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１０は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（実施例２−１１）
＜光学素子成形用型１１を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１１に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１１を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１１に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１１では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型１１は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１１は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１１は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（実施例２−１２）
＜光学素子成形用型１２を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１２に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１２を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１２に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１２では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型１２は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１２は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１２は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（実施例２−１３）
＜光学素子成形用型１３を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１３に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１３を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１３に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１３では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型１３は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１３は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１３は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（比較例２−１）
＜光学素子成形用型１４を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１４に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１４を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１４に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１４では、表面層に荒れや剥離が発生することが分かった。なお、表面層の荒れや剥離は、４５ショット成形後に発生していた。
また、光学レンズの成形において、２０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
また、光学レンズの成形において、２０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
（比較例２−２）
＜光学素子成形用型１５を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１５に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１５を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１５に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１５では、表面層に荒れや剥離が発生することが分かった。なお、表面層の荒れや剥離は、３５ショット成形後に発生していた。
また、光学レンズの成形において、１５ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
また、光学レンズの成形において、１５ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
（比較例２−３）
＜光学素子成形用型１６を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１６に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１６を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１６に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１６では、表面層に荒れや剥離が発生することが分かった。なお、表面層の荒れや剥離は、６０ショット成形後に発生していた。
また、光学レンズの成形において、３０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
また、光学レンズの成形において、３０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
（比較例２−４）
＜光学素子成形用型１７を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１７に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１７を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１７に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１７では、表面層に荒れや剥離が発生することが分かった。なお、表面層の荒れや剥離は、５５ショット成形後に発生していた。
また、光学レンズの成形において、３０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
また、光学レンズの成形において、３０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
（比較例２−５）
＜光学素子成形用型１８を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１８に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１８を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１８に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１８では、表面層に荒れや剥離が発生することが分かった。なお、表面層の荒れや剥離は、５５ショット成形後に発生していた。
また、光学レンズの成形において、３０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
また、光学レンズの成形において、３０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
（比較例２−６）
＜光学素子成形用型１９を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１９に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１９を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１９に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１９では、表面層に荒れや剥離が発生することが分かった。なお、表面層の荒れや剥離は、６０ショット成形後に発生していた。
また、光学レンズの成形において、３０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
また、光学レンズの成形において、３０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
（比較例２−７）
＜光学素子成形用型２０を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型２０に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型２０を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型２０に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型２０では、表面層に荒れや剥離が発生することが分かった。なお、表面層の荒れや剥離は、６０ショット成形後に発生していた。
また、光学レンズの成形において、３０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
また、光学レンズの成形において、３０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
（比較例２−８）
＜光学素子成形用型２１を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型２１に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型２１を用いた光学素子の製造−１＞
実施例２−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型２１に代えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型２１では、表面層に荒れや剥離が発生することが分かった。なお、表面層の荒れや剥離は、４０ショット成形後に発生していた。
また、光学レンズの成形において、２０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
また、光学レンズの成形において、２０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
（実施例３−１）
＜光学素子成形用型１を用いた光学素子の製造−２＞
実施例２−１において、ガラス１を下記表２の組成のガラス２に代え、加熱温度を５８０℃から５７０℃に変えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１を用いた光学素子の製造−２＞
実施例２−１において、ガラス１を下記表２の組成のガラス２に代え、加熱温度を５８０℃から５７０℃に変えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型１は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（比較例３−１）
＜光学素子成形用型１４を用いた光学素子の製造−２＞
実施例３−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１４に代えた以外は、実施例３−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１４を用いた光学素子の製造−２＞
実施例３−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１４に代えた以外は、実施例３−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１４では、表面層に荒れや剥離が発生することが分かった。なお、表面層の荒れや剥離は、５０ショット成形後に発生していた。
また、光学レンズの成形において、２５ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
また、光学レンズの成形において、２５ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
（実施例４−１）
＜光学素子成形用型１を用いた光学素子の製造−３＞
実施例２−１において、ガラス１を下記表３の組成のガラス３に代え、加熱温度を５８０℃から５６０℃に変えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１を用いた光学素子の製造−３＞
実施例２−１において、ガラス１を下記表３の組成のガラス３に代え、加熱温度を５８０℃から５６０℃に変えた以外は、実施例２−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１では、１００ショット成形後でも表面層に、荒れや剥離などのダメージはなく、前記表面層は、膜硬度に優れ、また、光学素子材料との反応性が低く、前記光学素子成形用型１は、離型性と耐久性に優れることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
また、光学レンズの成形において、カン（クラック）が発生することもなかった。
そのため、前記光学素子成形用型１は、１００ショットを超えてもダメージはなく、光学素子の製造が可能であることが分かった。
（比較例４−１）
＜光学素子成形用型１４を用いた光学素子の製造−３＞
実施例４−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１４に代えた以外は、実施例４−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
＜光学素子成形用型１４を用いた光学素子の製造−３＞
実施例４−１において、光学素子成形用型１を、光学素子成形用型１４に代えた以外は、実施例４−１と同様にして、光学素子の製造を行った。
光学素子成形用型１４では、表面層に荒れや剥離が発生することが分かった。なお、表面層の荒れや剥離は、８０ショット成形後に発生していた。
また、光学レンズの成形において、４０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
また、光学レンズの成形において、４０ショット成形後にカン（クラック）が発生した。
以上説明した実施例及び比較例の内容及び結果をまとめて表４に示す。
表４の「剥離（型）」の欄中、「○」は、「１００ショット成形時に型にダメージがなく、１００ショットを超えて成形可能である。」を示し、「△」は、「１００ショット成形時に型の外周部に僅かな表面荒れが発生したが、１００ショットを超えて成形可能である。」を示し、「×」は、「１００ショットの成形ができない。」を示す。
また、「カン」の欄中、「○」は、「１００ショット成形時にクラックが発生しなかった。」ことを示し、「×」は、「１００ショット成形時にクラックが発生した。」ことを示す。
また、総合評価の欄中、「○」は１００ショットを超えて成形可能かつ膜荒れがなしであることを示し、「△」は１００ショットを超えて成形可能だが、外周部に僅かな膜荒れがあることを示し、「×」は１００ショットの成形ができない、又は表面荒れや剥離が発生したことを示す。
表４の「剥離（型）」の欄中、「○」は、「１００ショット成形時に型にダメージがなく、１００ショットを超えて成形可能である。」を示し、「△」は、「１００ショット成形時に型の外周部に僅かな表面荒れが発生したが、１００ショットを超えて成形可能である。」を示し、「×」は、「１００ショットの成形ができない。」を示す。
また、「カン」の欄中、「○」は、「１００ショット成形時にクラックが発生しなかった。」ことを示し、「×」は、「１００ショット成形時にクラックが発生した。」ことを示す。
また、総合評価の欄中、「○」は１００ショットを超えて成形可能かつ膜荒れがなしであることを示し、「△」は１００ショットを超えて成形可能だが、外周部に僅かな膜荒れがあることを示し、「×」は１００ショットの成形ができない、又は表面荒れや剥離が発生したことを示す。
本発明の光学素子成形用型は、光学素子材料との反応性が低く、耐熱性、離型性、及び耐久性に優れているので、反応性の高いＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｂｉ２Ｏ３などを含む光学素子材料や、薄いレンズの成形に好適に用いることができる。
１ ステージ
２ 試料
３ 接触子（ｐｉｎ）
１１ 基材（上型）
１２ 表面層
１３ 光学素子材料
１４ 基材（下型）
２ 試料
３ 接触子（ｐｉｎ）
１１ 基材（上型）
１２ 表面層
１３ 光学素子材料
１４ 基材（下型）
Claims (8)
- 基材と、表面層とを有し、
前記表面層が、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ及びＴａから選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｉとを含有し、
前記表面層におけるＳｉの含有量が、２．５質量％以下であることを特徴とする光学素子成形用型。 - Ｓｉの表面層における含有量が、０．０１質量％〜２．５質量％である請求項１に記載の光学素子成形用型。
- 表面層が、Ｐｔ及びＩｒの少なくともいずれかの元素と、Ｓｉとを含有する請求項１から２のいずれかに記載の光学素子成形用型。
- 表面層の厚みが、１０ｎｍ〜１，０００ｎｍである請求項１から３のいずれかに記載の光学素子成形用型。
- 基材がタングステンカーバイド及びＳｉＣのいずれかからなる請求項１から４のいずれかに記載の光学素子成形用型。
- 請求項１から５のいずれかに記載の光学素子成形用型を用いて、光学素子材料を成形することを特徴とする光学素子の製造方法。
- 光学素子材料が、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｂ、及びＢｉの少なくともいずれかを含有する請求項６に記載の光学素子の製造方法。
- 請求項６から７のいずれかに記載の光学素子の製造方法により製造されることを特徴とする光学素子。
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