JPH06345459A - 光学素子の成形用型 - Google Patents

光学素子の成形用型

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JPH06345459A
JPH06345459A JP15640393A JP15640393A JPH06345459A JP H06345459 A JPH06345459 A JP H06345459A JP 15640393 A JP15640393 A JP 15640393A JP 15640393 A JP15640393 A JP 15640393A JP H06345459 A JPH06345459 A JP H06345459A
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mold
glass
temperature
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Masaaki Yokota
正明 横田
Tetsuo Kuwabara
鉄夫 桑原
Sunao Miyazaki
直 宮崎
Keiji Hirabayashi
敬二 平林
Yasushi Taniguchi
靖 谷口
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高温でガラスと反応せず、高温高圧力かつ急
激な温度変化にも耐えられる、耐久性の良好な光学素子
の成形用型を提供する。 【構成】 光学素子の成形用型の母材として、超硬合金
もしくはサーメットもしくはセラミックスを用い、上記
母材の光学素子成形面上に、中間層を介して、薄い白金
層を設けたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の利用分野】本発明は、プレスを用いて、ガラス
素材から光学素子を成形する際に使用する成形用型に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】近時、非球面レンズや複雑な形状のガラ
ス光学素子を比較的容易に得る方法として、プレスを用
いた加圧成形法が、広く実施されている。この方法で、
ガラス光学素子を得るには、成形用型をかなり高い温度
まで加熱する必要があり、プレスによる加圧成形の際
に、成形用型の成形面とガラス素材との間の反応によ
り、融着や曇りなどの欠陥を生じる。それを防止するた
めに、成形用素材表面には、反応防止層を設けるなどの
手段が採用されていた。しかし、このような方法では、
すべての成形用型の母材について反応防止層を設ける必
要があり、これが製品のコストアップをもたらすことに
なる。
【0003】確かに、ガラスモールドの長所を十分生か
すには、成形用素材表面に対して表面処理などを行なう
ことなく、なるべく、ローコストで製品を供給できるこ
とが望まれる。そのためには、反応防止層が型表面にあ
り、耐久性に優れ、長期間にわたって変形などの欠陥が
発生しないことが必要である。
【0004】その一つの手段として、成形用型の成形面
を、白金あるいは貴金属系合金、あるいは、それらと窒
化物、炭化物、酸化物、ホウ化物との混合体で構成する
ことが、既に、数多く提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】一方、環境問題がクロ
ーズアップされており、フリント系ガラスを無鉛化する
方向が打ち出されている。これを満足するために、無鉛
化フリント系ガラスについては、その成分に、Pbを含
まない代わりに、アルカリ系元素(Na,Kなど)、そ
の他の金属元素を含んでいる。それらの元素、特に、ア
ルカリ系元素は、高温での成形中にガラス表面から放出
され、成形用型の金属成分(窒化物、炭化物、酸化物、
ホウ化物)と反応して、成形品に曇りあるいは融着欠陥
を発生させるおそれがある。そこで、Ptと貴金属との
合金を採用することもなされたが、ここでは、高圧力
(ガラス成形圧力:150kg/cm2 以上)かつ、短
時間での温度の上昇・下降の繰り返し(約100℃/分
以上;最高温度550℃以上)を連続して行うと、その
耐久性が著しく損なわれる。
【0006】
【本発明の目的】したがって、本発明の目的は、高温で
ガラスと反応せず、高温高圧力かつ急激な温度変化にも
耐えられる、耐久性の良好な光学素子の成形用型を提供
することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
光学素子の成形用型の母材として、超硬合金もしくはサ
ーメットもしくはセラミックスを用い、上記母材の光学
素子成形面上に、中間層を介して、薄い白金層を設けた
ことを特徴とする。
【0008】
【実施例】次に、本発明の成形用型を製造する実施例
を、より具体的に説明する。 [実施例1]先ず、本発明の光学素子成形用型の製造に
用いる装置を図3に示す。ここで、符号10は真空槽、
11は白金(Pt)ターゲット、13は基板ホルダー、
14は成形用型の母材、15は基板加熱ヒーター、16
はスパッタ用Arガスの導入口、18は真空排気口、1
9はシャッター、20はターゲットに印加する高周波電
源、21は基板バイアス用直流電源である。
【0009】しかして、Pt膜を形成する時は、有機溶
剤により、成形面を清浄にした母材14を、その成形面
をPtターゲット11に向けて、基板ホルダー13に配
置する。なお、本実施例において用いる型母材の表面に
は、中間層としてTiNが1μmの厚さで、予め、被覆
されている。
【0010】その後、排気口18より真空排気して、真
空槽を5×10-6Torr程度の真空にする共に、基板
加熱ヒーター15により、型母材14を約300℃に加
熱、昇温する。次に、スパッタ用Arガスを、Arガス
導入口16から6×10-3Torrになる迄、導入し、
また、基板バイアス用電源21により、基板に100V
の負電圧を印加し、高周波電源20により、ターゲット
11に1.5kWの電力を印加して、放電を開始する。
その後、シャッター19を開けて、成形面に白金の成膜
を開始する。
【0011】そして、所定時間を経過した後に、シャッ
ターを閉めて、成膜を完了する。図4には、この方法に
よる成膜時間とPt膜厚との関係が示されている。図4
より明らかなように、成形面は、成膜時間30分で、約
1μmの膜厚になり、膜厚と成膜時間とは、ほぼ比例関
係を示すことが確認できた。
【0012】次に、本発明により構成された光学素子成
形用型で、ガラスレンズを成形した実施態様について述
べる。ここでは、所望の形状、表面状態に加工された超
硬合金の型母材に対して、TiNを中間層として、1μ
m被覆した上に、更に、Ptを1μmの膜厚で被覆した
ものを使用する(図1を参照)。なお、本発明との比較
例として、前記中間層の上に、Si+N量が30原子%
であるPt−Si−N系膜を、1μmの膜厚で被覆した
ものを用意した。
【0013】これらの成形用型を用いて、図8に示す成
形装置により、それぞれ、ガラス光学素子の加圧成形を
行った。なお、図2において、符号102は成形装置、
104は取入れ用置換室であり、106は成形室であ
り、110は取り出し用置換室である。また、符号11
2、114はゲートバルブであり、118はレールであ
り、120はレール118上を矢印A方向に搬送される
パレットである。また、124、138、140、15
0はシリンダであり、126、152はバルブである。
更に、128は、成形室106内において、レール11
8に沿って配列されているヒーターである。
【0014】成形室106内は、パレット搬送方向に沿
って、順に加熱ゾーン106−1、プレスゾーン106
−2、および、徐冷ゾーン106−3に分けられてい
る。プレスゾーン106−2においては、上記シリンダ
138のロッド134の下端に成形用上型部材130が
固定されており、上記シリンダ140のロッド136の
上端に成形用下型部材132が固定されている。これら
上型部材130および下型部材132は本発明による成
形用型部材である。
【0015】ここでは、クラウン系ガラスBAL42
(軟化点Sp=672℃、ガラス転移点Tg=550
℃)を、予め、所定の形状および寸法に粗加工して、成
形のためのブランクを得て置く。そして、このガラスブ
ランクを、パレット120に設置し、取入れ置換室10
4内の120−1の位置へ入れ、該位置のパレットを、
シリンダ124のロッド122の動作により、A方向に
押し、ゲートバルブ112を越えて、成形室106内の
120−2の位置へと搬送する。以下同様に、所定のタ
イミングで、ガラスブランクを、順次、新たに取入れ
て、置換室104内にパレットと共に移送し、更に、成
形室106内では、符号120−2で示す位置から12
0−8の位置へと順次搬送する。この間に、加熱ゾーン
106−1ではヒーター128により、ガラスブランク
を徐々に加熱し、プレスゾーン106−2へと搬送し、
ここで、シリンダ138、140を作動させて、上型部
材130および下型部材132の間にガラスブランクを
導入し、200kg/cm2 の圧力および所定の温度
で、1分間程度、プレス成形する。そして、その後に、
加圧力を解除し、成形品をガラス転移点近辺まで冷却
し、次いで、シリンダ138、140を作動させて、上
下型部材130および132を互いに開離し、ガラス成
形品を離型し、取り出す。
【0016】なお、この実施例では、上記プレス成形に
際しては、上記パレットが成形用胴型部材として利用さ
れている。また、その後に、徐冷ゾーン106−3で
は、ガラス成形品を徐々に冷却している。なお、成形室
106内には、不活性ガスを充満させて置く。成形室1
06内において、120−8の位置に到達したパレット
を、次の搬送ではゲートバルブ116を越えて取り出
し、置換室110内の120−10の位置へと搬送す
る。そして、次の搬送時には、シリンダ150を作動さ
せて、ロッド148によりガラス成形品を成形装置10
2外へ取り出すのである。
【0017】この実験に用いた成形用型の温度サイクル
は図5に示す通りである。成形用型に対しては、ガラス
投入温度530℃から成形温度620℃まで、ガラスブ
ランクを1分間で昇温(昇温速度90℃/分)し、ま
た、1分間のプレス後、620℃から離型温度550℃
まで、1分間で降温(降温速度70℃/分)するような
温度制御がなされる。
【0018】以上の条件で、連続1,000回のプレス
成形を行なった結果は、第1表に示す通りである。この
実験では、連続500回近辺より、Pt−Si−N系膜
を成形面に備えた成形用型の離型性が悪くなり、連続約
700回より、そのガラス成形品に曇不良が発生した。
しかし、Pt膜を成形面に備えた成形用型では、連続
1,000回のプレス成形の結果において、成形品に曇
りや、融着不良がなく、離型も良好であった。
【0019】
【表1】 [実施例2]次に、実施例1と同様の型と成形装置を用
いて、また、成形用ガラスにBAL62(BAL42の
低軟化点化ガラス:軟化点Sp=607℃、ガラス転移
点Tg=506℃)を用いて、連続1,000回の成形
テストをした。
【0020】この実験における成形用型の温度サイクル
は図6に示す通りである。成形用型に対しては、ガラス
投入温度490℃から成形温度570℃まで、ガラスブ
ランクを1分間で昇温し、570℃で1分間のプレスを
行ない、その後、加圧力を解除して、570℃から離型
温度510℃まで1分間で降温するような温度制御がな
される。
【0021】以上の条件で、連続1,000回のプレス
成形を行なった結果は、第2表に示す通りである。この
実験では、連続350回近辺より、Pt−Si−N系膜
を成形面に備えた成形用型の離型性が悪くなり、連続約
500回より、そのガラス成形品に曇不良が発生した。
しかし、Pt膜を成形面に備えた成形用型では、連続
1,000回のプレス成形の結果において、成形品に曇
りや、融着不良がなく、離型も良好であった。
【0022】
【表2】 なお、上記実施例1、2で使用したガラスの組成は、以
下に示す表3および表4の通りである。
【0023】
【表3】
【0024】
【表4】 また、実施例1のガラスブランクの成形前後の表面元素
濃度の変化の分析結果(2次イオン質量分析方法によ
る)は、図7、8に示す通りである。この分析結果か
ら、プレス成形により、ガラスに含まれるLi2 OとN
2 Oが表面から放出されていることがわかる。この
内、LiとNaが成形用型の成形面の膜中に含まれるS
iと反応して、離型不良や曇り不良を引き起こしている
と考えられる。また、Pt−Si−N系膜を成形面に備
えた成形用型による成形で、上記実施例1(BAL4
2)よりも、上記実施例2(BAL62)の耐久が悪い
のは、ガラス成分のLiO2 量がBAL62>BAL4
2によるものと認められる。何れにしろ、成形面が純粋
な白金で被覆された成形用型を用いれば、連続1,00
0ショットの成形では、欠陥の発生がなく、良好な成形
結果を得ることができるのである。
【0025】[実施例3]次に、実施例1と同様の成形
装置を用いて、また、超硬合金母材上に中間層としてT
iNを1μm被覆し、その上に1μm、0.6μmおよ
び0.3μmの厚さのPtを被覆した、3種類の膜厚の
成形用型を準備して、無鉛化フリント系ガラスNPH1
(SF6に相当:屈伏点At=591℃、ガラス転移点
Tg=559℃)をガラスブランクとする成形を、連続
3,000回、実施した結果は、以下に述べるとおりで
ある。
【0026】なお、この実験における成形用型の温度サ
イクルは、図9に示す通りである。ここでは、ガラス投
入温度490℃から成形温度630℃まで、ガラスブラ
ンクを1分間で昇温(昇温速度140℃/分)し、その
温度で、1分間のプレス成形を行ない、その後、加圧力
を解除して、630℃から離型温度510℃まで、1分
間で降温(降温速度120℃/分)する。ここで、離型
温度を実施例1よりも低めに設定したのは、ガラス成分
の違い(BAL42よりNPH1はアルカリ成分が多
い)による離型性を考慮したためである。上述のNPH
1の組成は表5に示す通りである。
【0027】
【表5】 この条件での成形結果を表6に示す。ここで、成形面の
膜剥離についての耐久性を考察すると、0.05μmの
膜圧で、5,000回、0.3μmの膜圧で、2,00
0回、0.6μmの膜圧で、1,500回、さらに、1
μmの膜圧で、1,000回であり、プレス成形した場
合、Pt膜の厚さの薄い方が、膜剥離に対する耐久性が
増す傾向が見られた。これは、膜が厚いと、膜の内部応
力が大きくなって、中間層のTiNとの密着力が弱くな
るためである。
【0028】また、0.05μmの膜では、5,000
回を過ぎても、成形品に曇りや、融着などの欠陥の発生
が認められなかった。また、5,000回の成形後にお
いても、成形用型の成形面の表面粗さは、Pt膜が残っ
ている部分で、全てRmax=0.02μmであった。
また、ガラス成形品の表面粗さも、成形面にPt膜が有
る個所に対応する成形部分については、Rmax=0.
02μmであった。また、0.03μmの膜厚では、初
期から離型性が悪く、5回目の成形で融着不良が発生し
た。したがって、この実験によれば、Pt膜厚さは、
0.3μm〜0.05μmまでの間が好ましく、特に、
0.05μm近辺が、最高の耐久性が得られると思われ
る。
【0029】
【表6】
【0030】
【発明の効果】本発明は、以上詳述したように、成形面
に純粋なPt膜を被覆した成形用型を用いることによ
り、ガラス素材中に含まれているアルカリ成分と成形用
型とが、その接触個所での温度上昇で、高温化しても、
反応を起こすことがなく、良好な離型性を長期間持続
し、また、膜を薄くすることで、急激な温度変化の繰り
返しにも耐えることが可能になり、それらの結果とし
て、ガラス成形用型の耐久性を大幅に向上することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による成形型の断面図である。
【図2】成形装置である。
【図3】本発明の型を製造するためのスパッタリング装
置である。
【図4】成膜時間と膜厚の関係を示したグラフである。
【図5】第1の実施例の温度サイクルである。
【図6】第2の実施例の温度サイクルである。
【図7】BAL42の成形前の表面元素濃度分析結果で
ある。
【図8】BAL42の成形後の表面元素濃度分析結果で
ある。
【図9】第3の実施例の温度サイクルである。
【符号の説明】
1 白金膜 2 中間層 3 型母材 10 真空槽 11 Ptターゲット 13 基板ホルダー 14 型母材 15 基板加熱ヒーター 16 Arガス導入口 18 真空槽排気口 19 シャッター 20 ターゲット用高周波電源 21 基板バイアス用直流電源 102 成形装置 104 取入れ用置換室 106 成形室 110 取り出し用置換室 112 ゲートバルブ 114 ゲートバルブ 118 レール 122 ロッド 124 シリンダ 126 バルブ 128 ヒーター 130 上型 132 下型 134 ロッド 136 ロッド 138 シリンダ 140 シリンダ 148 ロッド 150 シリンダ 152 バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平林 敬二 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 谷口 靖 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光学素子の成形用型部材として、高温安
    定、高温高強度、かつ、加工性に優れた母材にして、そ
    の上に、中間層を介して、薄い白金層を設けたことを特
    徴とする光学素子の成形用型。
  2. 【請求項2】 光学素子の成形用型の母材として、超硬
    合金もしくはサーメットもしくはセラミックスを用い、
    上記母材の光学素子成形面上に、中間層を介して、薄い
    白金層を設けたことを特徴とする光学素子の成形用型。
  3. 【請求項3】 前記中間層に、Ti,Ta,Siの何れ
    かの窒化物、炭化物、あるいは、窒素炭化物を用いたこ
    とを特徴とする請求項1に記載の光学素子の成形用型。
  4. 【請求項4】 前記白金層の厚さが、1μmより薄いこ
    とを特徴とする請求項1に記載の光学素子の成形用型。
JP15640393A 1993-06-03 1993-06-03 光学素子の成形用型 Pending JPH06345459A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11236229A (ja) * 1997-12-16 1999-08-31 Ngk Insulators Ltd ガラス素子のプレス成形用金型
JP2011201738A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Fujifilm Corp 光学素子成形用型、並びに光学素子、及び該光学素子の製造方法

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JP2011201738A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Fujifilm Corp 光学素子成形用型、並びに光学素子、及び該光学素子の製造方法

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