JP2011098571A - 金型及びその製造法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金型は、金型本体と、金型本体を覆い且つ硅素を含むダイヤモンド様薄膜とを備えている。耐熱性のダイヤモンド様薄膜は、基材の表面に形成され、硅素を含み、基材との界面における硅素濃度が、表面における硅素濃度よりも高く、基材との界面と表面との間における硅素濃度の変化が連続的である。
【選択図】図2
Description
機械部品又は金型のモデルとして12mm角で厚さが6mmの超硬合金(K−10相当)製のテストピースの表面にDLC膜を形成した。
22 ターゲット
Claims (14)
- 金型本体と、
前記金型本体を覆い且つ硅素を含むダイヤモンド様薄膜とを備え、
前記ダイヤモンド様薄膜は、その表面における硅素の濃度が、前記金型本体との界面と比べて低く且つ硅素の濃度が連続的に変化し、その表面における硬度が前記金型本体との界面と比べて高く、膜厚が100nm以上且つ10μm以下であることを特徴とする金型。 - 前記ダイヤモンド様薄膜は、硅素濃度が最も高い部分における硅素の原子百分率濃度が50%以下であることを特徴とする請求項1に記載の金型。
- 前記ダイヤモンド様薄膜は、前記金型本体との界面において硅素の濃度が最も高いことを特徴とする請求項2に記載の金型。
- 前記ダイヤモンド様薄膜は、その表面における硅素の濃度が、前記硅素濃度が最も高い部分における硅素の濃度の90%以下であることを特徴とする請求項2又は3に記載の金型。
- 前記ダイヤモンド様薄膜は、その表面における弾性係数が、前記金型本体との界面における弾性係数よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の金型。
- 前記ダイヤモンド様薄膜は、その表面における弾性係数が50GPa以上且つ400GPa以下であることを特徴とする請求項5に記載の金型。
- 前記ダイヤモンド様薄膜は、グラファイト結合及びダイヤモンド結合を有し且つ前記ダイヤモンド様薄膜の表面におけるグラファイト結合のダイヤモンド結合に対する存在比が、前記金型本体との界面におけるグラファイト結合のダイヤモンド結合に対する存在比よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の金型。
- 前記金型本体は、その表面における算術平均表面粗度が0.1nm以上且つ300nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の金型。
- 金型本体を準備する工程(a)と、
前記金型本体の表面に硅素を含むダイヤモンド様薄膜を形成する工程(b)とを備え、
前記工程(b)において、前記ダイヤモンド様薄膜は、その表面における硅素の濃度が、前記金型本体との界面と比べて低く且つ硅素の濃度が連続的に変化し、その表面における硬度が前記金型本体との界面と比べて高くなり、膜厚が100nm以上且つ10μm以下となるように形成することを特徴とする金型の製造方法。 - 前記工程(b)において、前記ダイヤモンド様薄膜は、硅素濃度が最も高い部分における硅素の原子百分率濃度が50%以下となるように形成することを特徴とする請求項9に記載の金型の製造方法。
- 前記工程(b)において、前記ダイヤモンド様薄膜は、前記金型本体との界面において硅素の濃度が最も高くなるように形成することを特徴とする請求項10に記載の金型の製造方法。
- 前記工程(b)において、前記ダイヤモンド様薄膜は、その表面における硅素の濃度が、前記硅素濃度が最も高い部分における硅素の濃度の90%以下となるように形成することを特徴とする請求項10又は11に記載の金型の製造方法。
- 前記工程(b)において、前記ダイヤモンド様薄膜は、その表面における弾性係数が、前記金型本体との界面における弾性係数よりも大きくなるように形成することを特徴とする請求項9に記載の金型の製造方法。
- 前記工程(b)において、前記ダイヤモンド様薄膜は、グラファイト結合及びダイヤモンド結合を有し且つ前記ダイヤモンド様薄膜の表面におけるグラファイト結合のダイヤモンド結合に対する存在比が、前記金型本体との界面におけるグラファイト結合のダイヤモンド結合に対する存在比よりも小さくなるように形成することを特徴とする請求項9に記載の金型の製造方法。
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JP2014098110A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Osaka Gas Chem Kk | ローラー及び/又は金型の最表面用組成物 |
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