JP2011198919A - 半導体レーザ駆動装置及びその半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】シェーディング時等において精度よく半導体レーザの発光量を制御できる半導体レーザ駆動装置、及びそれを備えた画像形成装置を提供する。
【解決手段】レーザ駆動装置は、半導体レーザＬＤを発光させる電流を、一定の周期で増減を繰り返す制御を行う電流増減手段２０と、電流増減手段２０による電流の増減制御に応じて半導体レーザの駆動電流を生成し、半導体レーザに出力する駆動手段３０とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体レーザの駆動装置及びその半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置に関するものである。

半導体レーザは、小型・安価で電流を流すだけで容易にレーザ光を得ることができるため、図１３に示すようなプリンタや、光ディスク、光通信等の分野で広く用いられている。しかしながら、半導体レーザは、図５の駆動電流−発光量特性に示すように、発光量が温度依存性を有するので、一定の光量を得るためには特別な光量制御が必要である。この光量制御はＡＰＣ（Automatic Power Control）と呼ばれている。

ＡＰＣは、半導体レーザの実際の駆動に先立って半導体レーザを駆動してその発光量を温度依存なく電流に変換できる受光素子で受光し、受光素子の出力が所定のレベルになる電流値を記憶手段に記憶しておくことで、安定した発光量を得ることができるように制御するものである。

図１３は電子写真プロセスを利用したレーザプリンタ、デジタル複写機等の一般的な画像形成装置の構成例を示す図である。

光源である半導体レーザユニット１（端面レーザユニット）から発光されたレーザビーム（走査ビーム）は、高速で定速回転するポリゴンミラー２（多面鏡）で偏向走査（スキャン）され、走査レンズ３（ｆθレンズ）を介して被走査媒体である感光体４上に光スポットを形成する。

偏向されたレーザビームは、感光体４が回転する方向（副走査方向）と直交する方向（主走査方向）に露光走査され、画像信号のライン単位の記録を行う。

感光体４の一端近傍のレーザビームが照射される位置に、主走査同期信号を発生するビームセンサ５が配置されている。画像制御ユニット６は主走査同期信号に同期したＡＰＣタイミング信号と画像データを生成し、レーザ駆動装置７はＡＰＣタイミングに基づいたパワー制御を行うと共に画像データに同期した半導体レーザＬＤの発光を行う。

このように、画像制御ユニット６により生成された画像データとＡＰＣタイミングに従い、レーザ駆動装置７を介して半導体レーザＬＤの発光タイミングを制御し、感光体４の回転速度と記録密度に対応した所定の周期で主走査を繰り返すことによって、感光体４の表面上に画像(静電潜像)を形成することができる。

このようなビーム走査型の画像形成装置では、レーザビームはポリゴンミラー２により等角速度で偏向され、被走査面上における走査速度を一定にするために、ｆθレンズやｆθミラーが用いられている。

ｆθレンズやｆθミラーを介したレーザビームは、被走査面上での走査速度が略一定になるが、被走査面上でのレーザビームの強度には像高によって強弱が生じる。像高とは、感光体の主走査方向の感光体中心からの距離のことである。強弱が生じるのは、レーザビームが半導体レーザＬＤから出射されてから被走査面に到達するまでに通るガラス、レンズ、ミラー等の光学素子の反射率や透過率、すなわち光利用効率がレーザビームの入射角によって異なること、ｆθレンズの厚みが像高で異なることなどによる。こういった像高によるビーム強度の強弱をシェーディング特性と呼ぶ。

シェーディング特性は通常１０数％あり、これが画像形成画像の濃度に影響を与える。光学レンズは、像高が大きくなるに従い透過率が落ちていくので、どの像高位置でも像高±０の位置と同強度の光量を感光体４に供給したい場合には、像高に合わせて半導体レーザＬＤの光量を上げる必要がある。この誤差を吸収する制御のことをシェーディング補正と呼ぶ。

特許文献１には、感光体４上でのビーム強度を検出して、その傑出結果に基づいてレーザビームによる露光量を制御する画像形成装置が記載されている。しかし、感光体４上でのビーム強度を検出する検出手段が必要で制御が複雑になり、コストが高くなるという問題がある。

このシェーディング特性は、光学素子の特性、配置により決まるもので、各画像形成装置間のばらつきや温度、湿度等の環境による変動はわずかである。 すなわち、機器の光学素子の特性、配置が決まれば、シェーディング補正の補正条件は個体毎に調整する必要がなく機器として共通にできる。

特許文献２には、発光電流IηをＤ／Ａコンバータの出力電流で生成し、Ｄ／Ａコンバータの出力電流が基準電圧Ｖｒｅｆに比例する回路構成とする事で、発光電流Iηが基準電圧Ｖｒｅｆに比例する、すなわち、発光量Ｐｏが基準電圧Ｖｒｅｆに比例するレーザ駆動装置が記載されている。ＡＰＣを実行しなくても基準電圧Ｖｒｅｆを変更することでシェーディング補正が可能となる。

特許文献３には、光スポットの走査位置に対応してあらかじめ与えられた光量補正データに基づいて光源手段の光量を制御する方法が記載されている。ここで、光量を制御するLD変調部へ光量補正データを伝達する手段として、DACの出力をLPFで平滑化して光量補正信号LDLVLとしてLD変調部へ入力することが記載されている。

特許文献４では、PWM(パルス幅変調)出力をLPFで平滑化して光量調整信号としてLD制御部へ入力することが記載されている。

特許文献３,４に記載の光量補正データや光量調整信号を、特許文献２に記載のレーザ駆動装置に入力することで、ＬＤの光量は、ＬＤ制御部に供給されるアナログの光強度信号によって決定され、シェーディング補正動作は、このアナログ信号を主走査位置に従い、レベル調整を行うことで実現することになる。主走査方向位置とＬＤ光量の決め方としては、同期信号によって主走査方向の位置基準を設定し、この位置基準からライン周期を複数エリアに分割し、各エリア毎に、アナログ信号をコントロールする方法が採用されている。

図１３に示す画像形成装置において、レーザ駆動装置７、レーザユニット１、並びにポリゴンミラー２及び走査レンズ３等の光学ユニットは、レーザースキャンユニット(以下「「ＬＳＵ」という)として構成される。半導体レーザＬＤを高速駆動できるようにレーザ駆動装置７とレーザユニット１は、図１４に示すように、通常同じボード(以下「ＬＤボード」という)上で直近に配置される。ＬＤボードはＬＳＵの隙間に配置できるようにできるだけ小さな形状に構成される。これに対して、画像制御ユニット６は、CPU、RAM、ROM、画像メモリ等が搭載されたメインボード上に搭載される。

レーザ駆動装置７（ＬＤボード）と画像制御ユニット６（メインボード）との間は、通常１ｍ以上のケーブルを介して接続される。そして、メインボードからケーブルを介して電源及びグランド（ＧＮＤ）電位がＬＤボードに供給される。電源及びグランドラインはレーザ駆動装置７の消費電流と、半導体レーザＬＤの駆動電流を伝送するため、ケーブルの抵抗により電位降下や電位上昇を発生する。このため、画像制御ユニット６で発生する電位とレーザ駆動装置７で受ける電位はＤＣ的に差がある。また、画像形成時のレーザ点灯／消灯動作による電流変動によってもＬＤボード上の電源及びグランド電位は変動する。このように、ＤＣ的及びＡＣ的に電位変動があるため、光量設定値に対する実際の発光量に誤差が生じるという問題がある。

また、近年、画像形成装置の低コスト化、高画質化のためにシェーディング時の半導体レーザの発光量をより精度よく制御したいという要望がある。

本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、精度よく半導体レーザの発光量を制御できる半導体レーザ駆動装置、及びそれを備えた画像形成装置を提供することを目的とする。さらには、本発明は、シェーディング時の半導体レーザの発光量を高い精度で制御できる半導体レーザ駆動装置、及びそれを備えた画像形成装置を提供することを目的とする。

本発明において、半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動装置が提供される。この半導体レーザ駆動装置は、半導体レーザを発光させる電流を、一定の周期で増減を繰り返す制御を行う電流増減手段と、前記電流増減手段による電流の増減制御に応じて半導体レーザの駆動電流を生成し、半導体レーザに出力する駆動手段とを備えた。

本発明によれば、電流増減手段及び駆動手段をLDボード等の一つのボード上に搭載することができる。したがって、電流増減手段及び駆動手段を異なるボード上に分離して設けていたときの上記の問題が解消され、シェーディング等に際して精度よく半導体レーザの発光量を制御できる。

本発明の実施形態の画像形成装置の構成図である。 本発明の実施形態１のレーザ駆動装置の概略構成図である。 実施形態１のレーザ駆動装置の電流増減手段の具体的構成を示す図である。 実施形態１のレーザ駆動装置の駆動手段の具体的構成を示す図である。 半導体レーザにおける駆動電流に対する発光量の特性を示す図である。 実施形態１のレーザ駆動装置におけるシェーディング動作のタイミングチャートである。 実施形態１のレーザ駆動装置における電流増減パターンの説明図である。 実施形態１のレーザ駆動装置におけるシェーディング動作の詳細タイミングチャートである。 本発明の実施形態２の半導体レーザ駆動装置の概略構成図である。 実施形態２のレーザ駆動装置の電流増減手段の具体的構成を示す図である。 実施形態２のレーザ駆動装置におけるシェーディング動作の詳細タイミングチャートである。 本発明の実施形態３の半導体レーザ駆動装置の概略構成図である。 従来及び本発明の実施形態のレーザ駆動装置を備えた画像形成装置の構成図である。 従来のレーザ駆動装置の概略構成図である。

以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。

図１は、本発明の実施形態のレーザ駆動装置の概念を説明した図である。前述のように従来のレーザ駆動装置７（図１４参照）では、半導体レーザＬＤの発光強度を設定する情報は画像制御ユニット６からアナログ電圧でレーザ駆動装置７に送信されていた。これに対して、本発明の実施形態では、発光強度を決定するためのアナログ電圧を生成する手段（ＤＡＣ：デジタル−アナログコンバータ）をレーザ駆動装置７ｘ内に備える。これにより、画像制御ユニット６とレーザ駆動装置７ｘ間のケーブル抵抗による電位降下、電位上昇の影響を受けずに安定したレーザ発光強度の制御が可能となる。

実施の形態１
１．レーザ駆動装置の構成
図２を参照し、実施の形態１のレーザ駆動装置の構成を説明する。実施形態１のレーザ駆動装置は、半導体レーザＬＤを発光させる電流を、一定の周期で増減を繰り返す制御を行う電流増減手段２０を半導体レーザＬＤを発光させる駆動手段３０の前段に有する。このレーザ駆動装置では、電流増減手段２０は、増減を行う期間を等間隔で分割し、開始時の増加分と１区間の変化分をレジスタに設定しておき、増減を行う期間はレジスタの設定値に従い駆動電流を増減させる。

電流増減手段２０による電流増減は、シェーディングクロック信号と内部クロック信号により制御される。

次に、電流増減手段２０の構成について図３を参照して詳細に説明する。

実施形態２の電流増減手段２０は、カウンタ２１と、レジスタ２２と、Ｍｕｘ２３と、エンコーダ２４と、レジスタ２５と、フリップフロップ回路２６と、加算器２７と、Ｄ／Ａコンバータ（ＤＡＣ）２８とを有する。

カウンタ２１は、シェーディングクロックが入力され、入力されたクロック数をカウントして、カウント結果を出力する。

レジスタ２２は、開始増加分データと、１区間の変化分データと、カウンタ２１でのカウントされたシェーディングクロック数が入力され、これらのデータに基づいて、d0〜d9までの電流増減パターンと、開始コードを出力する。レジスタ２２には、d0〜d9までの電流増減パターンと開始コードが設定されている。

Ｍｕｘ２３は、レジスタ２２から出力されたd0〜d9のデータが入力され、このデータに対応する0000〜1111のいずれかのデータを出力する。

エンコーダ２４は、内部クロックに同期して、Ｍｕｘ２３から入力された0000〜1111のデータを、１区間を４分割した増減パターン（シェーディングコード）に変換する。

レジスタ２５は、シェーディングクロックと、レジスタ２２から入力された開始コード、フリップフロップ（ＦＦ）２６から入力された1周期前のコードを記憶し、このコードをシェーディングクロックが入力されたときに出力する。

加算器２７は、エンコーダ２４から入力されたコードと、レジスタ２５から出力されたコードとを加算して出力する。

Ｄ／Ａコンバータ２８は、加算器２７から入力されたコードをアナログ変換して出力する。

このような構成の電流増減手段２０において、リセット時は中央コード、本回路のDAC２８を8bitとして80hコードがDAC２８に入力される。リセット解除後、最初のシェーディングクロックで開始コードが入力される。次のシェーディングクロック以降はカウンタ２１のカウント数に応じて順次d0→d9の順番でこれに対応する0000〜1111の中のいずれかのコードがMux２３から出力され、エンコーダ２４により実際の１区間を４分割した増減パターンに変換され、現在のコードに加算されて次のコードとしてDAC２８に入力される。DACは２８は00hからFFh範囲で中央の80hを中心に±25% 0.2%刻みで出力電流を変化させるものとする。

次に、駆動手段３０の構成について図４を参照して詳細に説明する。

駆動手段３０は、ＩｔｈＩη検出制御手段３１と、Ｄ／Ａコンバータ（以下「ＤＡＣ」と称す。）３２，３３と、スイッチ３４と、加算器３５とを有する。

ＩｔｈＩη検出制御手段３１は、ＡＰＣ信号が入力され、しきい値電流Ｉｔｈに対応するコードと、発光電流Ｉηに対応するコードを出力する。

しきい値電流Ｉthと発光電流Ｉηについて説明する。図５は、半導体レーザＬＤの駆動電流に対する発光量の特性を示した図である。同図のように、半導体レーザＬＤは、ある電流値を境として急激に発光し始める。半導体レーザLDが急激に発光し始めるときの電流がしきい値電流Ｉｔｈである。また、所望のレーザ出力に必要となるしきい値電流Ｉｔｈ以上の領域の電流を発光電流Ｉηとする。半導体レーザLDにおける発光電流Ｉηと発光量は比例関係にある。通常、半導体レーザ駆動装置では、画像を形成しない期間も定常的にバイアス電流Ｉｂｉを供給する。バイアス電流Ｉｂｉは、しきい値電流Ｉｔｈよりも若干小さい値に設定される。

ＤＡＣ３２は、ＩｔｈＩη検出制御手段３１から出力された発光電流Ｉηに対応するコードを実際の発光電流Ｉηに変換して出力する。

また、ＤＡＣ３２には、電流増減データが入力され、これによりＤＡＣ３２のアナログ変換値が発光強度に応じて設定される。

ＤＡＣ３３は、ＩｔｈＩη検出制御手段３１から出力されたしきい値電流Ｉｔｈに対応するコードを実際のしきい値電流Ｉｔｈに変換して出力する。

スイッチ３４は、画像データ信号に基づいて発光電流Ｉηをスイッチングして出力する。

加算器３５は、発光電流Ｉηとしきい値電流Ｉｔｈを加算して出力する。

このような構成の駆動手段３０において、しきい値電流Ｉｔｈと発光電流Ｉηを個別に検出し、消灯点灯にかかわらず常時Ibi(=Ith)の電流を流し、点灯時にIsw(=Ｉη)を加算する。Isw(=Iη)は電流増減駆動手段からの電流に比例するようになっている。すなわち、レーザ発光量は電流増減駆動手段からの電流に比例する。例えば、電流増減駆動手段からの電流が１０％増加すればレーザ発光量も１０％増加する。しきい値電流Ｉｔｈ、発光電流Ｉηの検出方法は特許文献２に詳細が記載されている。

２．レーザ駆動装置の動作
次に、上記のような半導体レーザ駆動装置の動作について図６を参照して説明する。通常、同期検知点灯の前にAPC動作があり、その前に半導体レーザＬＤを点灯させる。APCで所望の発光量に正確に調整してから同期検知信号を生成する。同期検知のパワーが変動すると、信号の鈍りにより同期タイミングに誤差を生じるため、光量を同期検知の直前に調整する。画像形成時以外は、シェーディングコードは８０ｈ（中央）に設定しておき、画像形成時に増減できるようにしておく。通常、APCと同期検知と像高0での発光量を同じにし、画像領域の両端の像高最大の点でシェーディング補正量が＋側に最大になる。シェーディング補正動作領域は画像領域より若干広くしておく。画像形成時以外のシェーディングコードを８０ｈ（中央）にするのはレジスタではなく回路で設定しておく。シェーディング開始時のコードを設定することで、請求項２記載の『開始時の増加分』が設定できたことになる。

なお、画像形成時以外のコードをレジスタ２２に設定できるようにしてもよい。また、開始時はコードではなく増加分をレジスタ２２に設定できるようにしてもよい。

請求項２記載の『１区間の変化分』は、図７に示す電流増減パターンのように1区間をさらに４分割して、4bitデータで-4LSBから+4LSBまで合計13通りのパターンを準備する。そして、レジスタ２２に設定して順次読み出し、シェーディング開始時のコードに加算することで、8bitデータを１区間４分割したデータとして生成できる。開始時のコード=10000000として増減パターン=0110の4bitデータにより生成されるDACコードは10000001→10000010→10000011→10000100である。8bitデータを直接設定する場合、8bit×4=32bit必要となるが、4bitデータとすることにより32-4=28bitのデータが削減できる。

次に、図８を参照して上記半導体レーザ駆動装置におけるシェーディング動作のタイミングチャートについて説明する。

リセット＝H（Ｈｉｇｈ）によりシェーディングコードが中央値に設定される。リセット解除後、シェーディングクロックの立ち上りエッジ↑のときに、順次、開始コード→増減設定レジスタ0→レジスタ1→レジスタ2というように読み込む。

開始コードに、レジスタ２２で設定された電流増減パターンを加算し、DACコードを生成していく。リセット＝Hによりシェーディングコードが中央値に設定される。本タイミングではｄ9レジスタが設定された後にリセットされている。本実施形態では、画像形成中にシェーディング補正のために動作するのはリセットと内部クロックとシェーディングクロックの３本の信号だけである。図８ではd0〜d9レジスタに電流増減パターン0000〜1111を与えた場合のシェーディングコードの推移をタイミングチャートで記載している。

３．まとめ
以上説明したように、実施形態１のレーザ駆動装置は、半導体レーザＬＤを発光させる電流を、一定の周期で増減を繰り返す制御を行う電流増減手段２０と、電流増減手段２０による電流の増減制御に応じて半導体レーザの駆動電流を生成し、半導体レーザに出力する駆動手段３０とを備えた。つまり、電流増減手段２０及び駆動手段３０を一つのＬＤボード上に搭載している。したがって、電流増減手段２０及び駆動手段３０を異なるボード上に分離して設けていたときのような問題が解消され、シェーディング等に際して精度よく半導体レーザの発光量を制御できる。

また、増減を行う期間を等間隔で分割し、開始時の増加分と１区間の変化分をレジスタに設定しておき、増減を行う期間はレジスタの設定値に従い駆動電流を増減させる。つまり、画像形成前にあらかじめ電流の増減情報をレジスタに記憶させておくので、シェーディング動作に必要な、例えば８ｂｉｔのデジタルデータを画像形成中に常時動作させる必要がなくなる。

また、実施形態１では、画像形成中にシェーディング補正のために動作するのはリセットと内部クロックとシェーディングクロックの３本の信号だけである。したがって、簡易な構成により実現することができる。

実施の形態２
図９を参照し、実施の形態２のレーザ駆動装置の構成を説明する。実施形態２のレーザ駆動装置においては、電流増減手段２０による電流増減は、増減を繰り返す周期と同じ周期の基準信号と基準信号から電流増減開始までのクロック数により制御される。

実施形態２の電流増減手段２０の構成について図１０以下を参照してさらに詳細に説明する。図１０は、実施形態２の電流増減手段２０の構成図である。

実施形態２の電流増減手段２０は、実施形態１の構成に加え、さらに、基準信号と基準からのディレイに基づいてシェーディングクロックを生成するシェーディングクロック生成部４１を有している。シェーディングクロック生成部４１は、基準信号からPLLにより内部クロックを生成している。新たに基準信号からのdelay内部クロック数をレジスタに設定する。内部クロックは常時動作し、基準信号からdelay内部クロック数カウント後にシェーディングクロックが動作する。以降の動作は実施形態１と同じである。

次に、図１１を参照して、上記のような半導体レーザ駆動装置によるシェーディングのタイミングチャートについて説明する。

回路で設定されたレジスタ数が終了するとシェーディングコードは中央コードの80hに戻る。本回路ではレジスタの設定がd0〜d9までとなっているが、より細かくパターンを設定するにはそれだけ多くのレジスタとマルチプレクサーの入力を準備すれば良い。

画像データと基準（APC）信号は同期検知信号に基づき画像制御ユニットから生成されており、画像データと基準（APC）信号の時間差は画像制御ユニットで管理されている。決められた数のパターンに対し、画像領域より若干シェーディング領域を広く取るには、画像領域に相当する時間より、シェーディング領域に相当する時間が若干大きくなるようにPLLのクロック周波数を決定する分周数N,Mを調整すればよい。また画像開始時間よりシェーディング開始時間を若干早くするには、設定されたPLL周波数と基準信号からのdelay内部クロック数を最適に設定すれば良い。

以上説明したように、実施形態２では、画像形成中にシェーディング補正のために動作するのは基準信号の１本の信号だけである。基準信号をＡＰＣ信号で兼用できれば、画像形成中にシェーディング補正のために動作する信号は不要となる。

実施の形態３
図１２は、本発明の実施形態３のレーザ駆動装置の構成図である。実施形態３のレーザ駆動装置は、さらに、不揮発メモリ４０を備え、この不揮発メモリ４０に開始増加分、１区間の変化分、基準信号から電流増減開始までの内部クロックを記憶させている。電流増減手段２０による電流増減は、前記開始時の増加分、前記１間隔期間の変化分、前記基準信号から電流増減開始までのクロック数のいずれかが不揮発メモリ４０により設定される。初期評価時は画像制御ユニット６からレジスタに書込み、設定条件が確定した段階で不揮発メモリ２３に記憶させておけば、電源投入毎にレジスタに設定する動作を省略することができる。

シェーディングに必要な情報をレジスタへ書き込む手順について説明する。
《前提条件》
（１）不揮発メモリ４０への書込み前のデフォルト値は全て0とする。すなわち、シェーディング動作は行わない。
（２）電源立ち上げ時のパワーオンリセット解除後、最初に不揮発メモリの値がレジスタに書込まれる。
（３）レジスタの値は画像制御ユニットから書換え可能に構成されている。
《初期評価》
（４）電源立ち上げ時のパワーオンリセット信号解除後、不揮発メモリの値（０）をレジスタに書込む。
（５）画像制御ユニットからシェーディングに関するレジスタのデータを変化させ最適な画像形成結果になるようにシェーディング条件を合わせ込む
製造工程)
（６）電源立ち上げ時のパワーオンリセット解除後、合わせ込まれたシェーディングデータを画像制御ユニットから不揮発メモリ４０に書込む。
《市場において》
（７）電源立ち上げ時のパワーオンリセット解除後、製造工程で書込まれた不揮発メモリ４０の値をレジスタに書込む。

その他の実施形態
前記各実施形態の電流増幅手段の出力である増減電流をDAC出力電流として、本発明1,2の駆動手段のIsw生成DACの出力電流を決める入力部に入力しているが、電流増幅手段の出力を電流ではなく前段のDACコードと駆動手段のIsw生成DACコードと乗算するようにしてもよい。

また、少なくとも前記電流増減手段２０と駆動手段３０は、１つのＩＣに集積されていてもよい。

１ レーザユニット
２ ポリゴンミラー
３ 走査レンズ
４ 感光体
５ ビームセンサ
６ 画像制御ユニット
７ レーザ駆動装置
２０ 電流増減手段
３０ 駆動手段
４０ 不揮発メモリ
ＬＤ 半導体レーザ
ＰＤ 受光素子

特開平６−２５５１７２号公報 特開２００５−１１９４３号公報 特開２０００−７１５１０号公報 特開２００５−２６２５０９号公報

Claims (7)

1. 半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動装置であって、
   半導体レーザを発光させる電流を、一定の周期で増減を繰り返す制御を行う電流増減手段と、
   前記電流増減手段による電流の増減制御に応じて半導体レーザの駆動電流を生成し、半導体レーザに出力する駆動手段と
   を備えた半導体レーザ駆動装置。
2. 前記電流増減手段は、増減を行う期間を等間隔で分割し、開始時の増加分と１区間の変化分をレジスタに設定しておき、増減を行う期間はレジスタの設定値に従い駆動電流を増減させることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。
3. 前記電流増減手段による電流増減は、シェーディングクロック信号と内部クロック信号により制御されることを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ駆動装置
4. 前記電流増減手段による電流の増減は、増減を繰り返す周期と同じ周期の基準信号と基準信号から電流増減開始までのクロック数により制御されることを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ駆動装置
5. 前記開始時の増加分、前記１間隔期間の変化分、前記基準信号から電流増減開始までのクロック数のいずれかが不揮発メモリにより設定されることを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ駆動装置
6. 少なくとも前記電流増減手段と駆動手段は、１つのＩＣに集積されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項記載の半導体レーザ駆動装置
7. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体レーザ駆動装置を備えた画像形成装置。

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