JP2011187873A - 半導体発光素子 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 423
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 427
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 69
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 28
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 24
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 21
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
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- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
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- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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Abstract
【解決手段】凹凸(第1半導体層凹凸17r)が設けられた第1主面10aを有する第1導電型の第1半導体層10と、第1半導体層の第1主面とは反対の側に設けられた第2導電型の第2半導体層20と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられた発光層30と、第1半導体層の第1主面の側に設けられ、第1半導体層よりも不純物濃度が低く、凹凸を露出させる開口部を有する第3半導体層15と、前記開口部を介して前記凹凸に接し、発光層から放出される発光光に対して反射性を有する第1電極40と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。
【選択図】図1
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)及び図1(b)は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式図である。
すなわち、図1(b)は、半導体発光素子100の構成を例示する模式的斜視図であり、図1(a)は、図1(b)中に示したIb−Ib線断面図である。
例えば、第1半導体層10における発光層30から放射される発光光のピーク波長は、第1半導体層凹凸17rの大きさよりも短く設定することができる。すなわち、この場合は、第1半導体層凹凸17rの大きさは、発光層30から放射される発光光の第1半導体層10におけるピーク波長よりも大きい。ただし、本発明の実施形態はこれに限らず、後述するように、第1半導体層凹凸17rの大きさは、発光層30から放射される発光光の第1半導体層10におけるピーク波長と同程度でも良い。
すなわち、積層構造体90は、第1半導体層10と、第2半導体層20と、発光層30と、第3半導体層15と、を含む。第2半導体層20は、第3半導体層15よりも導電性基板60の側に設けられ、第2半導体層20と第3半導体層15との間に発光層30が設けられ、発光層30と第3半導体層15との間に第1半導体層10が設けられる。
図2(a)に表したように、第1半導体層粗面部17bに設けられる第1半導体層凹凸17r、および、粗面部17に設けられる凹凸17pは、複数の突起を有する。突起は、例えば、それぞれ第1半導体層10および第3半導体層15の表面が加工されて形成される。
ここで、ピーク波長とは、発光層30から放出される発光光のうち、最も強度の高い光の波長である。ピーク波長は、発光光のスペクトル分布のピーク値に対応する波長である。ノイズレベルではない極大値が2つ以上あるスペクトルの場合、そのどちらのピーク値の波長を選んでも良い。
例えば、図示しない基板上に、第3半導体層15、第1半導体層10、発光層30、および第2半導体層20を、第3半導体層15、第1半導体層10、発光層30、および第2半導体層20の順に結晶成長させて積層構造体90を形成する。続いて、第2半導体層20の上面である第2主面20aに、第2電極50を形成し、その上に接着用金属層55を形成する。
発光層30から放射される発光光の内の一部の光L1は、第1半導体層10を介して直接外界へ放出される。
図4(a)及び図4(b)は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
まず、p側電極を形成するため、真空蒸着装置を用いて、例えば、Agを200nm、Ptを2nmの膜厚で連続形成する。リフトオフ後に酸素雰囲気中で400℃、1minでシンター処理を行う。そして、p側電極上に接着用金属層55として、例えば、Ni/Auを1000nmの膜厚で形成する。
サファイア基板が剥離された導電性基板上のノンドープGaNバッファ層(第3半導体層15)の一部を除去し、n形コンタクト層(例えば上記のSiドープn形GaNコンタクト層、すなわち、第1半導体層10)を露出させる。このとき、n側電極の段切れを防ぐために、テーパ形状に加工するほうが好ましい。例えば、レジストマスクで塩素ガスを用いたドライエッチングを用いることで、50°のテーパ形状を持つ窪みを形成することができる。
次いで、劈開またはダイヤモンドブレード等により、導電性基板を切断し、個別の素子とし、半導体発光素子が作製される。
n側電極のワイヤボンディングを形成する領域は、ボンディング特性を向上させるため、n側電極表面にメッキ法でAuを厚く、例えば10μm、形成することもできる。
図5は、比較例の半導体素子の構成を例示する模式的断面図である。
図5に表したように、比較例の半導体発光素子400においては、第1半導体層10のうちの第1電極40に接する部分に凹凸が設けられていない。そして、第1電極40のうちの第1電極40が設けられていない部分には、凹凸を有する粗面部17xが設けられている。
これらの図に例示した半導体発光素子においては、第3半導体層15及び第1電極40の構成が半導体発光素子100とは異なっている。
すなわち、同図は、半導体発光素子130を第3半導体層15の側から積層方向に沿って見た模式的平面図である。
これらの図に例示した半導体発光素子においては、第3半導体層15及び第1電極40の構成が半導体発光素子100とは異なっている。
図9は、第2の実施形態係る別の半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。
図9(a)は、半導体発光素子200の構造を例示する模式的断面図であり、図9(b)は、半導体発光素子200の特性を示す模式図である。
まず、積層構造体90を形成した後、p側電極を形成する前に、積層構造体90において、n側電極を形成する領域の直下の領域(必要に応じてその周辺、すなわち、例えばn側電極直下から20μm程度離れた領域を含んでも良い)の、p形GaN層を露出させるレジストマスクを形成し、その状態で第2半導体層20に例えばO2アッシャー処理を行う。その後は第1の実施形態と同様に、p側電極形成からサファイア基板除去までを行う。
すなわち、図10(a)は、半導体発光素子250の構成を例示する模式的断面図であり、図10(b)は、半導体発光素子250の特性を例示する模式図である。
図11は、第3の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。
図11に表したように、半導体発光素子300は、積層構造体90の側面に設けられた誘電体膜32をさらに備える。半導体発光素子300においては、例えば、第2電極50をパターニングし、サファイア基板を除去した後に、積層構造体90に素子分離溝35が形成され、積層構造体90の側面に誘電体膜32が形成される。
まず、積層構造体90を形成した後に、p側電極を形成する際、この後形成する素子分離溝幅よりも狭くなるように、リフトオフ法にてp側電極をパターニングする。リフトオフ後に酸素雰囲気中で400℃、1minでシンター処理を行う。そして、p側電極上を含むp形GaN層側の主面全体に接着用金属層55として、例えば、Ni/Auを1000nmの膜厚で形成する。
これにより、図11に例示した半導体発光素子200が作製される。
図12に表したように、半導体発光素子350においても、既に説明した、凹凸17p、および、第1半導体層凹凸17rが設けられている。そしてこの場合には、第1半導体層凹凸17rの大きさが、粗面部17の凹凸17pの大きさよりも小さい。第1半導体層凹凸17rの大きさは、例えば、発光光のピーク波長と同程度の大きさである。
すなわち、本製造方法は、第1導電型の第1半導体層10と、第2導電型の第2半導体層20と、第1半導体層10と第2半導体層20との間に設けられた発光層30と、第1半導体層10の発光層30とは反対側に設けられ、第1半導体層10よりも不純物濃度が低い第3半導体層15と、を含む積層構造体90を有する半導体発光素子の製造方法である。
さらに、サファイア基板5を分離した後に露出する第3半導体層15に、第1半導体層10に連通する開口部18を設け、開口部18の底面に露出する第1半導体層10に第1半導体層凹凸17rを形成する。なお、このとき、第3半導体層15に凹凸17pを形成しても良い。
上記の第1半導体層17r及び凹凸17pの形成は、KOH溶液を用いて第1半導体層10をウェットエッチングする工程を含むことができる。
本具体例では、第1の実施形態に係る半導体発光素子100が用いられているが、半導体発光装置には上記の実施形態に係る任意の半導体発光素子を用いることができる。
半導体発光装置500は、半導体発光素子100と、蛍光体と、を組み合わせた白色LEDである。すなわち、本実施形態に係る半導体発光装置500は、半導体発光素子100と、前記半導体発光素子から放出された光を吸収し、前記光とは異なる波長の光を放出する蛍光体と、を備える。
図13に表したように、本実施形態に係る半導体発光装置500では、セラミック等からなる容器72の内面に反射膜73が設けられており、反射膜73は容器72の内側面と底面に分離して設けられている。反射膜73は、例えばアルミニウム等からなるものである。このうち容器72の底部に設けられた反射膜73の上に、半導体発光素子100がサブマウント74を介して設置されている。
赤色蛍光体としては、例えばY2O3、YVO4、Y2(P,V)O4等を母材として用いることができ、これに3価のEu(Eu3+)を付活物質として含ませる。すなわち、Y2O3:Eu3+、YVO4:Eu3+等を赤色蛍光体として用いることができる。Eu3+の濃度は、モル濃度で1%〜10%とすることができる。
緑色蛍光体としては、例えば3価のTbを発光中心とするY2SiO5:Ce3+,Tb3+を用いることができる。この場合、CeイオンからTbイオンへエネルギーが伝達されることにより励起効率が向上する。緑色蛍光体としては、例えば、Sr4Al14O25:Eu2+等を用いることができる。
また、樹脂として、例えば、シリコン樹脂等を用いることができる。特に、3価のTbは、視感度が最大となる550nm付近に鋭い発光を示すので、3価のEuの鋭い赤色発光と組み合わせると発光効率が著しく向上する。
半導体発光装置500によれば、高効率の半導体発光装置が得られる。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (14)
- 凹凸が設けられた第1主面を有する第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の前記第1主面とは反対の側に設けられた第2導電型の第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、
前記第1半導体層の前記第1主面の側に設けられ、前記第1半導体層よりも不純物濃度が低く、前記凹凸を露出させる開口部を有する第3半導体層と、
前記開口部を介して前記凹凸に接し、前記発光層から放出される発光光に対して反射性を有する第1電極と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1電極は、AlまたはAl合金を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第1電極は、Siをさらに含むことを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。
- 前記第3半導体層は、前記第3半導体層の前記第1半導体層とは反対の側の第3主面に設けられ、前記発光光の前記第3半導体層におけるピーク波長よりも大きい凹凸を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第3主面に設けられた前記凹凸は、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう積層方向に対して垂直な方向に沿った最大の幅が、前記発光層から放出される前記発光光のピーク波長の前記第3半導体層における波長よりも広い複数の突起を含むことを特徴とする請求項4記載の半導体発光素子。
- 前記第1主面に設けられた前記凹凸は、前記第3主面に設けられた前記凹凸よりも小さいことを特徴とする請求項4または5に記載の半導体発光素子。
- 前記開口部は、前記第1半導体層から前記第3半導体層に向かう方向に沿って拡開することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第2半導体層の前記発光層とは反対の側の第2主面に設けられた第2電極をさらに備え、
前記第2半導体層は、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう積層方向に沿ってみたときに前記第2半導体層が前記第1電極と重なる領域を含む領域に設けられ、前記第2半導体層が前記第1電極と重ならない領域よりも、前記第2半導体層と前記第2電極との間におけるコンタクト抵抗が高い、および、オーミック特性が低い、の少なくともいずれかである低電気特性部を有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 - 前記第2半導体層の前記発光層とは反対の側の第2主面に設けられた第2電極をさらに備え、
前記第2電極は、前記発光層から放出された光を前記第2電極から前記第1半導体層の方向に向かって反射することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 - 前記第2半導体層の前記発光層とは反対の側の第2主面に設けられ、Agを含む第2電極をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第2半導体層の前記発光層とは反対の側に設けられ、前記第2半導体層と電気的に接続された導電性基板をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第1半導体層、前記発光層及び前記第2半導体層の側面に設けられた誘電体膜をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜11記載のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記第1導電型はn形であり、前記第2導電型はp形であることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記発光層から放射される前記発光光の空気中のピーク波長は、370ナノメートル以上400ナノメートル以下であることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010054294A JP5052636B2 (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | 半導体発光素子 |
US12/873,670 US8729583B2 (en) | 2010-03-11 | 2010-09-01 | Semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010054294A JP5052636B2 (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011187873A true JP2011187873A (ja) | 2011-09-22 |
JP5052636B2 JP5052636B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=44559110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010054294A Expired - Fee Related JP5052636B2 (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | 半導体発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8729583B2 (ja) |
JP (1) | JP5052636B2 (ja) |
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JP2011233881A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
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US8742395B2 (en) | 2012-01-13 | 2014-06-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
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JP2014120669A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
US9136425B2 (en) | 2013-07-30 | 2015-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element and light emitting device |
JP2016018951A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
WO2016021146A1 (en) | 2014-08-07 | 2016-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element |
US9972657B2 (en) | 2014-08-07 | 2018-05-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element |
US9590009B2 (en) | 2014-08-21 | 2017-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting element |
JP2015029150A (ja) * | 2014-10-29 | 2015-02-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8729583B2 (en) | 2014-05-20 |
US20110220932A1 (en) | 2011-09-15 |
JP5052636B2 (ja) | 2012-10-17 |
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