JP2011178610A - ジルコニア焼結体、並びにその焼結用組成物及び仮焼体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ジルコニア焼結体は、安定化剤を含有する部分安定化ジルコニアをマトリックス相として有し、ジルコニア焼結体の試料表面において、10μm×10μmの領域を256マス×256マスの格子状に区分した各マスにおける安定化剤の濃度を質量%で表記した場合に、安定化剤の表面濃度の標準偏差が0.8以上である。
【選択図】なし
Description
安定化剤としてイットリアを使用したジルコニア焼結体を作製した。実施例1〜4において使用した高安定化ジルコニア結晶粒子(株式会社ノリタケカンパニーリミテド社製)及び低安定化ジルコニア結晶粒子(株式会社ノリタケカンパニーリミテド社製)のイットリア含有率を表1に示す。それぞれ、酸化ジルコニウムと酸化イットリウムの合計mol数に対する酸化イットリウムの含有率を示す。高安定化ジルコニア結晶粒子と低安定化ジルコニア粒子を解砕しながら、表1に示す配合で水中混合して焼結用組成物を作製した。実施例2及び4においては、ジルコニア粒子及びイットリアの合計質量に対してリン元素の含有率が表1のようになるようにリン酸を焼結用組成物に添加した。また、二酸化ケイ素を、ジルコニア粒子、イットリア及び二酸化ケイ素の合計質量に対して表1となるように添加し、酸化アルミニウムを、ジルコニア粒子、イットリア及び酸化アルミニウムの合計質量に対して表1となるように添加した。
実施例及び比較例に係るジルコニア焼結体の断面におけるイットリア濃度分布を測定した。濃度分布の測定面を得るための前処理をした。まず、ジルコニア焼結体の表面を2000番の研磨材で機械鏡面研磨した。次に、研磨面を1350℃で10分間サーマルエッチングし、当該領域を測定面とした。測定面におけるイットリア濃度測定は、電界放出型電子プローブマイクロアナライザ(FE−EPMA)(日本電子株式会社製JXA−8500F)で測定した。この濃度測定装置においては、10μm×10μmの測定領域を縦256個、横256個のマス目状に区分し、倍率10,000倍で各マスにおけるイットリア濃度を測定する。計65,536点の測定濃度から標準偏差を算出した。結果を表1に示す。
破壊靱性値測定試験は、JISR1607に準拠して実施した。測定結果を表1及び表2に示す。また、図1に、安定化剤濃度の標準偏差(横軸)に対する破壊靭性値(縦軸)の変化を示すグラフを示す。実施例は黒四角のプロットで示し、比較例は白丸のプロットで示す。図1より、安定化剤濃度の標準偏差と破壊靭性値とは比例的関係にあることが分かる。安定化剤濃度の標準偏差を高めた実施例1〜4のジルコニア焼結体においては、通常の方法で作製した比較例1〜2のジルコニア焼結体に比べて、破壊靭性値をより高めることができた。
曲げ強度試験は、JISR1601に準拠して実施した。測定結果を表1及び表2に示す。安定化剤濃度の標準偏差を大きくしても、曲げ強度には影響しないことがわかった。これより、本発明によれば、曲げ強度を低下させることなく、破壊靭性値を高めることができる。
Claims (15)
- 安定化剤を含有する部分安定化ジルコニアをマトリックス相として有し、
ジルコニア焼結体の試料表面において、10μm×10μmの領域を256マス×256マスの格子状に区分した各マスにおける前記安定化剤の濃度を質量%で表記した場合に、前記安定化剤の表面濃度の標準偏差が0.8以上であることを特徴とするジルコニア焼結体。 - リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)及びビスマス(Bi)のうち少なくとも1つの元素を含有し、
前記元素を、酸化ジルコニウム(IV)1molに対して4×10−4mol〜4×10−2mol含有することを特徴とする請求項1に記載のジルコニア焼結体。 - 前記元素はリンであることを特徴とする請求項2に記載のジルコニア焼結体。
- リン元素の含有率が0.01質量%〜1質量%であることを特徴とする請求項3に記載のジルコニア焼結体。
- 前記標準偏差は2以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のジルコニア焼結体。
- 酸化アルミニウムを0.2質量%〜10質量%さらに含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のジルコニア焼結体。
- 二酸化ケイ素を0.03質量%〜3質量%さらに含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のジルコニア焼結体。
- JISR1607に準拠して測定したジルコニア焼結体の破壊靭性値が6以上であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のジルコニア焼結体。
- ジルコニア焼結体を180℃、1MPaの条件で低温劣化加速試験を5時間施した場合に、
前記低温劣化加速試験後のジルコニア焼結体の表面におけるX線回折パターンにおいて、正方晶由来の[111]ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さに対する単斜晶由来の[11−1]ピークが生ずる位置付近に存在するピークの高さの比が1以下であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のジルコニア焼結体。 - 前記安定化剤は酸化イットリウムであり、
前記部分安定化ジルコニアにおける酸化イットリウムの含有率は、酸化ジルコニウムと安定化剤の合計mol数に対して2mol%〜5mol%であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載のジルコニア焼結体。 - 1350℃〜1550℃で焼結することにより請求項1〜10のいずれか一項に記載のジルコニア焼結体を得るためのジルコニア焼結体の焼結用組成物。
- 安定化剤を含有する又は含有しない低安定化ジルコニア粒子と、
前記低安定化ジルコニア粒子よりも安定化剤を多く含有する高安定化ジルコニア粒子と、を含有し、
酸化ジルコニアと安定化剤の合計mol数に対する前記高安定化ジルコニア粒子における安定化剤の含有率は、酸化ジルコニウムと安定化剤の合計mol数に対する前記低安定化ジルコニア粒子における安定化剤の含有率よりも1mol%〜6mol%高いことを特徴とするジルコニア焼結体の焼結用組成物。 - 前記低安定化ジルコニア粒子における安定化剤の含有率は、酸化ジルコニウムと安定化剤の合計mol数に対して0mol%以上2mol%未満であり、
前記高安定化ジルコニア粒子における安定化剤の含有率は、酸化ジルコニウムと安定化剤の合計mol数に対して2mol%以上8mol%未満であることを特徴とする請求項12に記載のジルコニア焼結体の焼結用組成物。 - 請求項11〜13のいずれか一項に記載のジルコニア焼結体の焼結用組成物を800℃〜1100℃で焼成することにより得られるジルコニア焼結体の仮焼体。
- 1350℃〜1550℃で焼結することにより請求項1〜10のいずれか一項に記載のジルコニア焼結体を得るためのジルコニア焼結体の仮焼体。
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