JP2011165860A - 保護素子及び半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 157
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 60
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 57
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 142
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 7
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/88—Tunnel-effect diodes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0605—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits made of compound material, e.g. AIIIBV
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Abstract
【解決手段】半導体装置1は、チャネル層105とキャップ層112とを含む半導体積層体113と、半導体積層体113上に形成された下部電極213と上部電極216とを有する少なくとも1つの半導体素子1Xと、半導体素子1Xと共通の半導体積層体113を有し、半導体素子1Xを保護する少なくとも1つの保護素子1Yとを備えたものである。保護素子1Yは、キャップ層112を厚み方向に貫通するリセス部221と、リセス部221の底面221Bから半導体積層体113内に厚み方向に形成された絶縁領域218Yと、リセス部221を挟んで両側に形成されたキャップ層112に接続された一対のオーミック電極219、220とを備えたものである。
【選択図】図2
Description
特許文献1に記載の装置では、GaAs基板上に、ノンドープ積層バッファー層、n+−AlGaAs電子供給層、スペーサ層、ノンドープInGaAsチャネル層、スペーサ層、n+−AlGaAs電子供給層、ノンドープAlGaAs障壁層、及びn+− GaAsキャップ層が順次積層されている。この半導体積層体に対してキャップ層(137)の上からB+イオンが注入されて、キャップ層からノンドープ積層バッファー層までが厚み方向に絶縁化されて、絶縁領域(50)が形成されている。そして、この絶縁領域を挟んで両側にn+不純物領域にコンタクトされた配線金属層が配置されて、n+−i−n+構成の保護素子が形成されている。配線金属層は、n+不純物層に対してショットキー接続してもオーミック接続してもよいことが記載されている(段落0119)。かかる構成の保護素子の両端に高電圧が加わると、n+−i−n+領域を通じて静電エネルギーが流れて、この素子と接続されたキャパシタ等の半導体素子を静電破壊から保護することができる。
本発明の関連技術として特許文献2〜5が挙げられるが、詳細については後述する。
チャネル層とキャップ層とを含む半導体積層体と、当該半導体積層体上に形成された下部電極と上部電極とを有する少なくとも1つの半導体素子と、
前記半導体素子と共通の半導体積層体を有し、前記半導体素子を保護する少なくとも1つの保護素子とを備えてなり、
前記保護素子は、前記キャップ層を厚み方向に貫通するリセス部と、前記リセス部の底面から前記半導体積層体内に厚み方向に形成された絶縁領域と、前記リセス部を挟んで両側に形成された前記キャップ層に接続された一対のオーミック電極とを備えたものである。
チャネル層とキャップ層とを含む半導体積層体と一対の電極とを有する半導体素子を保護する保護素子であって、
前記半導体素子と共通の半導体積層体を有するものであり、
前記キャップ層を厚み方向に貫通するリセス部と、前記リセス部の底面から前記半導体積層体内に厚み方向に形成された絶縁領域と、前記リセス部を挟んで両側に形成された前記キャップ層に接続された一対のオーミック電極とを備えたものである。
図面を参照して、本発明に係る第1実施形態の半導体装置の構成について説明する。図1は平面図、図2は図1のA−A'断面図、図3は等価回路図である。図面上は視認しやすくするため、各部材の縮尺や位置は適宜、実際のものとは異ならせてある。また、図面によっては、一部の部材の図示を省略してある。図2は断面図であるが、ハッチングは適宜省略してある。
半導体GaAs基板101、
膜厚500nmのノンドープ積層バッファー層102、
Si不純物が3.0×1018cm−3添加された膜厚4nmのn+−AlGaAs電子供給層103、
膜厚2nmのノンドープAlGaAsスペーサ層104、
膜厚15nmのノンドープInGaAsチャネル層105、
膜厚2nmのノンドープAlGaAsスペーサ層106、
Si不純物が3.0×1018cm−3添加された膜厚10nmのn+−AlGaAs電子供給層107、
膜厚20nmのノンドープAlGaAs層108、
膜厚5nmのノンドープInGaP層109、
膜厚15nmのノンドープGaAs層110、
Si不純物が4.0×1018cm−3添加された膜厚5nmのn+−AlGaAsストッパ層111、
Si不純物が4.0×1018cm−3添加された膜厚100nmのn+−GaAsキャップ層112。
本明細書において、「ストッパ層」は、それより上の層を選択エッチングによりパターニングする際に、それより下の層がエッチングされることを止める層である。
本明細書において、特に明記しない限り、「酸化膜」は酸化シリコン膜、「窒化膜」は窒化シリコン膜を示すものとする。
図2においてリセス部221の左側に示されるキャップ層112上に、オーミック電極220が所定パターンで形成されている。このオーミック電極220はキャパシタ下部電極213と同じ合金層からなり、キャパシタ下部電極213と同一工程により形成されたものである。このオーミック電極220には、酸化膜214及び窒化膜215に開孔されたスルーホールH2を介してキャパシタ1Xの上部電極配線216が接続されている。
特許文献2には、キャップ層が除去され、キャップ層より下の半導体層が露出するリセス部と、リセス部両端のキャップ層とそれぞれ接続する抵抗素子電極とを具備する抵抗素子(100)を備えた半導体装置が開示されている(請求項1、図3A)。
特許文献2に記載の抵抗素子(100)では、障壁層(36)が露出するリセス部(101)が設けられており、抵抗素子電極(103、104)、コンタクト部(102)、チャネル層(35)が抵抗の電流経路となり、チャネル層(35)が抵抗層となっている。チャネル層(35)はキャップ層(37)よりシート抵抗が数倍高いため、抵抗素子(100)は短い距離で高抵抗値を有するものとなる(段落0064)。
特許文献2に記載の抵抗素子(100)では、キャップ層(37)からのイオン注入により形成され、キャップ層(37)からバッファー層(32)まで厚み方向に絶縁化された絶縁領域(50)により、他の領域から素子分離されている。
第1実施形態では絶縁領域218X、218YをB+イオン注入により形成する場合について説明したが、注入するイオンはB+イオンに限らず、n型キャリアの活性をなくすものであればよい。絶縁領域218X、218YはHe+イオン注入により形成してもよい。本発明者は、かかる設計変更においても、MM法で350V、HBM法で5kV以上の高い静電破壊耐圧をもつ小型MIMキャパシタを実現することができた。
図面を参照して、本発明に係る第2実施形態の半導体装置の構成について説明する。図5は平面図、図6は図5のB−B'断面図である。第1実施形態と同じ構成要素については同じ参照符号を付して、説明を省略する。
本実施形態において、キャパシタ下部電極213−第1窒化膜215−上部電極第1層配線225−第2窒化膜224−上部電極第2層配線226により、キャパシタが構成されている。図中、符号222は第1酸化膜、符号223は第2酸化膜を示す。
第1実施形態と同様、本実施形態においても、キャパシタ2Xに隣接して、保護素子2Yが形成されている。保護素子2Yはキャパシタ2Xと共通の半導体積層体113(半導体層102〜112)を有している。
本実施形態においても、静電破壊が抑制され、信頼性の高い半導体装置2を提供することができる。本実施形態においても、MM法で350V、HBM法で5kV以上の高い静電破壊耐圧をもつ小型MIMIMキャパシタを実現することができた。
本実施形態においても、キャパシタ下部電極213が保護素子2Yの片側電極219を兼ね、さらに保護素子2Yをキャパシタ2Xの上部電極配線225、226の形成領域内に設ける構成としているので、キャパシタ2Xと保護素子2Yとを合わせた素子面積が小さく、半導体装置2の小型化が図られている。
図面を参照して、本発明に係る第3実施形態の半導体装置の構成について説明する。図7は断面図である。第1実施形態と同じ構成要素については同じ参照符号を付して、説明を省略する。
第1実施形態ではチャネル層をノンドープInGaAs層としたが、チャネル層はn型キャリアが蓄積することができれば、任意の組成/導電型でよい。チャネル層は例えば、n+−GaAs層としてもよい。チャネル層の組成に合わせて、半導体積層体の層構造も適宜設計変更できる。
半導体GaAs基板101、
膜厚500nmのノンドープ積層バッファー層102、
n+−GaAsチャネル層134、
膜厚20nmのノンドープAlGaAs層108、
膜厚15nmのノンドープGaAs層110、
Si不純物が4.0×1018cm−3添加された膜厚5nmのn+−AlGaAsストッパ層111、
Si不純物が4.0×1018cm−3添加された膜厚100nmのn+−GaAsキャップ層112。
図面を参照して、本発明に係る第5実施形態の半導体装置の構成について説明する。図9は平面図である。断面構造は図2と同様であるので、図示を省略する。図9において、絶縁領域218X及び絶縁領域218Yの輪郭を符号218で示してある。第1実施形態と同じ構成要素については同じ参照符号を付して、説明を省略する。
図9に示すように、本実施形態の半導体装置5においては、保護素子1Yの絶縁領域218Yを挟んで形成された半導体積層体113、及びオーミック電極219、220のコーナー部Xが面取りされて丸められている。
本実施形態においても、静電破壊が抑制され、信頼性の高い半導体装置5を提供することができる。本実施形態では、コーナー部Xでの電界集中が緩和されて、より高い静電破壊耐圧が得られる。本発明者は、本実施形態の構成において、MM法で400V、HBM法で6kV以上の高い静電破壊耐圧をもつ小型MIMキャパシタを実現することができた。
なお、保護素子1Yの絶縁領域218Yを挟んで形成された半導体積層体113のコーナー部Xの少なくとも1つを面取りすれば、コーナー部Xにおける電界集中の緩和効果は得られる。
図面を参照して、本発明に係る第6実施形態の半導体装置の構成について説明する。図10は平面図、図11は等価回路図である。
図面を参照して、本発明に係る第7実施形態の半導体装置の構成について説明する。図11は平面図、図12は等価回路図である。第6実施形態と同じ構成要素については同じ参照符号を付して、説明を省略する。本実施形態もGaAsスイッチICチップの例であり、図12に示すスイッチICは左右対称の回路構成なので、その左半分について図13に等価回路図を示してある。
半導体装置7には、第6実施形態と同様に、外部接続端子部であるアンテナ端子パッドT1/出力端子パッドT2/コントロール端子パッドT3、及びグランド端子パッドT4が備えられている。
本実施形態によれば、静電破壊が抑制され、信頼性の高い半導体装置7(スイッチIC)を提供することができる。本発明者が本実施形態の構成を有するスイッチICと保護素子Pを設けなかった点を除けば本実施形態と同じ構成の従来のスイッチICとについて、MM法による静電破壊電圧評価を行ったところ、前者は後者よりも90V高い静電破壊電圧値が得られた。
1X、2X、3X、4X キャパシタ
1Y、2Y、3Y、4Y 保護素子
101 半導体基板
105、134 チャネル層
112 キャップ層
113、115 半導体積層体
213 キャパシタ下部電極
216、225、226 上部電極配線(上部電極)
218X、218Y 絶縁領域
219、220 オーミック電極
221 リセス部
221B リセス部の底面
X コーナー部
6、7 半導体装置
C キャパシタ
F 電界効果トランジスタ
P 保護素子
T1〜T3 外部接続用の端子パッド(外部接続端子部)
Claims (10)
- チャネル層とキャップ層とを含む半導体積層体と、当該半導体積層体上に形成された下部電極と上部電極とを有する少なくとも1つの半導体素子と、
前記半導体素子と共通の半導体積層体を有し、前記半導体素子を保護する少なくとも1つの保護素子とを備えてなり、
前記保護素子は、前記キャップ層を厚み方向に貫通するリセス部と、前記リセス部の底面から前記半導体積層体内に厚み方向に形成された絶縁領域と、前記リセス部を挟んで両側に形成された前記キャップ層に接続された一対のオーミック電極とを備えた半導体装置。 - 少なくとも1つの前記保護素子の前記一対のオーミック電極のうち一方が、前記半導体素子の前記下部電極と共通とされ、他方が当該半導体素子の前記上部電極と電気的に接続されて、当該半導体素子と電気的に並列に接続された請求項1に記載の半導体装置。
- 少なくとも1つの前記保護素子が、前記半導体素子の前記上部電極及び上部電極配線の形成領域内に形成された請求項2に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子と電気的に並列に接続された前記保護素子の前記絶縁領域を挟んで形成された前記半導体積層体及び前記一対のオーミック電極のコーナー部の少なくとも1つが面取りされた請求項2又は3に記載の半導体装置。
- 少なくとも1つの外部接続端子部を有し、少なくとも1つの前記保護素子が当該外部接続端子部と接続された請求項1に記載の半導体装置。
- 少なくとも1つの前記保護素子の前記一対のオーミック電極のうち一方が、グランド接続とされた請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子として、キャパシタ及び/又はトランジスタを備えた請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置。
- チャネル層とキャップ層とを含む半導体積層体と一対の電極とを有する半導体素子を保護する保護素子であって、
前記半導体素子と共通の半導体積層体を有するものであり、
前記キャップ層を厚み方向に貫通するリセス部と、前記リセス部の底面から前記半導体積層体内に厚み方向に形成された絶縁領域と、前記リセス部を挟んで両側に形成された前記キャップ層に接続された一対のオーミック電極とを備えた保護素子。 - 前記絶縁領域を挟んで形成された前記半導体積層体及び前記一対のオーミック電極のコーナー部の少なくとも1つが面取りされた請求項8に記載の半導体装置。
- 前記一対のオーミック電極のうち一方が、グランド接続とされた請求項8又は9に記載の保護素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010026440A JP5520073B2 (ja) | 2010-02-09 | 2010-02-09 | 半導体装置 |
US13/024,033 US8253218B2 (en) | 2010-02-09 | 2011-02-09 | Protective element and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010026440A JP5520073B2 (ja) | 2010-02-09 | 2010-02-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011165860A true JP2011165860A (ja) | 2011-08-25 |
JP5520073B2 JP5520073B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=44353025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010026440A Expired - Fee Related JP5520073B2 (ja) | 2010-02-09 | 2010-02-09 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8253218B2 (ja) |
JP (1) | JP5520073B2 (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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