JP2011151381A5 - トランジスタ - Google Patents

Claims (8)

1. 少なくとも一部に曲面が含まれ、バックチャネル部が設けられた半導体層を有するトランジスタであって、
   前記バックチャネル部に段差部を有し、
   前記トランジスタの一断面において、
   前記半導体層のソースまたはドレインからチャネル形成領域に達する前記バックチャネル部の前記半導体層中に収まる曲面の接線のすべてが、前記段差部を避けることを特徴とするトランジスタ。
2. チャネル形成領域として機能することができる第１の半導体層と、
   ソースとドレインとの間において少なくとも一部に曲面が含まれ、バックチャネル部が設けられたバッファ層として機能することができる第２の半導体層と、
   を有するトトランジスタであって、
   前記バックチャネル部に段差部を有し、
   前記トランジスタの一断面において、
   前記半導体層のソースまたはドレインからチャネル形成領域に達する前記バックチャネル部の前記半導体層中に収まる曲面の接線のすべてが、前記段差部を避けることを特徴とするトランジスタ。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記半導体層中に収まる曲面の接線のすべてが、前記段差部の先端を避けることを特徴とするトランジスタ。
4. チャネル形成領域を含む半導体層を有するトランジスタであって、
   前記半導体層は、少なくとも第１乃至第３の側面を有し、
   前記トランジスタの一断面において、
   前記第２の側面は、前記第１の側面と前記第３の側面との間に設けられており、
   前記第１乃至第３の側面のテーパ角は、それぞれ角度が異なることを特徴とするトランジスタ。
5. チャネル形成領域として機能することができる第１の半導体層と、
   ソースおよびドレインと、前記第１の半導体層と、の間にバッファ層として機能することができる第２の半導体層と、
   を有するトランジスタであって、
   前記バッファ層は、少なくとも第１乃至第３の側面を有し、
   前記トランジスタの一断面において、
   前記第２の側面は、前記第１の側面と前記第３の側面との間に設けられており、
   前記第１乃至第３の側面のテーパ角は、それぞれ角度が異なることを特徴とするトランジスタ。
6. チャネル形成領域として機能することができる第１の半導体層と、
   ソースおよびドレインと、前記第１の半導体層と、の間にバッファ層として機能することができる第２の半導体層と、
   を有するトランジスタであって、
   前記バッファ層は、少なくとも第１乃至第３の側面を有し、
   前記トランジスタの一断面において、
   前記第２の側面は、前記第１の側面と前記第３の側面の間に設けられており、
   前記第１乃至第３の側面のテーパ角のうち、前記第２の側面のテーパ角のみ角度が異なることを特徴とするトランジスタ。
7. チャネル形成領域として機能することができる第１の半導体層と、
   ソースおよびドレインと、前記第１の半導体層と、の間にバッファ層として機能することができる第２の半導体層と、
   を有するトランジスタであって、
   前記バッファ層は、少なくとも第１乃至第３の側面を有し、
   前記第１乃至第３の側面は曲面であり、
   前記トランジスタの一断面において、
   前記第２の側面は、前記第１の側面と前記第３の側面との間に設けられており、
   前記第１乃至第３の側面では、曲率半径及び曲率を決定する円の中心のいずれか一方または双方がそれぞれ異なることを特徴とするトランジスタ。
8. チャネル形成領域として機能することができる第１の半導体層と、
   ソースおよびドレインと、前記第１の半導体層と、の間にバッファ層として機能することができる第２の半導体層と、
   を有するトランジスタであって、
   前記バッファ層は、少なくとも第１及び第２の側面を有し、
   前記第１及び第２の側面は曲面を有し、
   前記トランジスタの一断面において、
   前記第１及び第２の側面では、曲率半径及び曲率を決定する円の中心のいずれか一方または双方が異なることを特徴とするトランジスタ。